KR101801004B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판의 패턴 무너짐을 방지하기 위한 발수화 처리에 사용된 발수제를 제거하는 공정에 있어서의 기판의 오염을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 방법을 제공한다.
기판 처리 방법은, 처리조 내에서 기판을 세정하는 공정과, 챔버에 유기 용매 증기 분위기를 형성하는 공정과, 기판을 끌어올리고, 기판 표면의 린스액을 유기 용매로 치환하는 공정과, 처리조로부터 린스액을 배액하는 공정과, 기판을 처리조에 이동시키는 공정과, 기판의 표면을 발수 처리하는 공정과, 기판을 끌어올리고, 기판을 향해 유기 용매 증기를 공급하여, 기판의 표면으로부터 발수화제를 제거하는 공정과, 불활성 가스로 기판을 건조하는 공정을 포함한다. 발수제 제거 공정이 처리조의 상방에서 행해지기 때문에, 이 공정에서 처리조 내에 발생시킬 우려가 있는 파티클에 의한 기판의 오염을 억제하면서 기판을 건조시킬 수 있다.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치의 유리 기판(이하, 간단히 기판이라고 칭한다)에 대해 처리액에 의해 처리를 행하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 기판을 약액이나 린스액 등에 침지하는 처리조와, 기판을 처리조와 기판 처리조의 상방 공간 사이에서 이동시키는 기판 승강 기구와, 기판을 처리조의 상방 공간에 있어서 불활성 가스 등을 뿜어냄으로써 순수 등의 린스액을 건조시키는 기판 건조 기구를 구비한 것이 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 린스액을 건조시킬 때에, 기판 상의 패턴 내에 잔류한 린스액의 모세관 현상에 의해 패턴 도괴가 발생하는 문제가 발생하고 있다.
이 문제를 해결하기 위해, 미리 기판 표면에 발수성 보호막을 형성함으로써 건조 처리 시에 패턴에 작용하는 액체의 표면 장력을 작게 하는 기술이 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1). 이 기술에서는, 처리조 내의 기판을 향해 발수제를 공급하여 발수화하는 발수성 처리 공정을 실시한다. 계속해서, 처리조 내의 기판을 향해 IPA를 공급함으로써, 기판의 표면에 잔류하고 있던 미반응의 발수화제를 IPA로 치환하여 제거하는 알코올 린스 처리가 실시된다.
일본국 특허공개 2010-114414호 공보
특허 문헌 1에 관련된 기판 처리 방법에 의하면, 건조 처리에 있어서의 패턴 도괴를 억제할 수 있다. 그런데, 발수성 처리 공정 후, 다음의 알코올 린스 처리를 실시할 때에, 저류조 안에 잔류하고 있던 미반응의 발수화제가 IPA와 반응하여 규산 등의 파티클을 발생시키는 경우가 있다. 이 결과, 처리조 내의 기판이 파티클로 오염될 우려가 있었다.
그래서 본 발명은, 기판의 청정도를 유지한 채로, 패턴 도괴를 방지하면서 기판을 건조시키는 것이 가능한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 제1 발명은, 처리조에 저류된 린스액에 기판을 침지하여 상기 기판의 표면을 린스액으로 세정하는 린스 처리 공정과, 처리조를 둘러싸는 챔버의 내부 분위기에 유기 용매 증기를 공급함으로써, 처리조의 상부 공간을 포함하는 챔버의 내부 분위기에 유기 용매 증기 분위기를 형성하는 유기 용매 증기 형성 공정과, 기판을 처리조의 상부 공간으로 끌어올림으로써 기판의 표면에 부착된 린스액을 유기 용매로 치환하는 유기 용매 치환 공정과, 처리조 내의 린스액을 배액하는 배액 공정과, 기판을 처리조 내에 이동시키는 기판 이동 공정과, 처리조 내에 이동시킨 기판의 표면에 대해 발수제를 공급함으로써 기판의 표면을 발수 처리하는 발수 처리 공정과, 기판을 처리조의 상방으로 끌어올리고, 처리조의 상방에서 상기 기판을 향해 유기 용매 증기를 공급함으로써, 기판의 표면에 잔류하고 있던 미반응의 발수화제를 제거하는 발수제 제거 공정과, 기판을 향해 불활성 가스를 공급함으로써 기판을 건조하는 건조 공정을 포함하는 기판 처리 방법이다.
제2 발명은, 유기 용매는 IPA인, 제1 발명에 관련된 기판 처리 방법이다.
제3 발명은, 발수제 제거 공정에 있어서 기판에 공급되는 유기 용매 증기의 온도는, 발수 처리 공정에 있어서 기판에 공급되는 발수제의 온도보다 고온인, 제1 발명 또는 제2 발명에 관련된 기판 처리 방법이다.
본 발명에 의하면, 처리조의 내부에서 발수화 처리를 실행함으로써 기판 표면이 발수화되어 있다. 이 때문에, 기판 표면을 향해 불활성 가스를 공급하는 건조 공정에 있어서 기판 표면의 패턴 무너짐을 방지할 수 있다. 또, 발수화 처리 후, 기판 표면에 잔류하고 있는 미반응의 발수화제를 제거하는 발수화 제거 공정은 처리조의 상방에서 실행된다. 이 때문에, 발수화 처리 후, 처리조의 내부에 잔류하고 있는 미반응의 발수화제가, 발수화 제거 공정에서 사용되는 유기 용매가 반응하여 파티클이 발생했다고 해도, 이 시점에서 기판은 처리조의 상방에 위치하고 있다. 이 때문에, 발수제 제거 공정에 의해 기판을 오염시키는 것이 방지 또는 억제된다. 따라서, 기판의 청정도를 유지한 채로 기판을 건조시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 동작을 설명하는 플로차트이다.
도 3은 도 2의 단계 S1에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 4는 도 2의 단계 S2에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 5는 도 2의 단계 S3에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 6은 도 2의 단계 S4에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 7은 도 2의 단계 S5에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 8은 도 2의 단계 S6에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 9는 도 2의 단계 S7에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 10은 도 2의 단계 S8에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 11은 도 2의 단계 S9에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 12는 도 2의 단계 S10에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
도 13은 도 2의 단계 S11에 있어서의 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 모식도이다.
이하, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, PDP(플라즈마 디스플레이 패널)용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판 등을 말한다.
＜기판 처리 장치의 주요부 구성＞
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1)의 정면도이다.
이 기판 처리 장치(1)는, 순수에 의한 린스 처리가 종료된 기판을, 유기 용매인 IPA를 뿜어내어 건조시키는 장치이며, 주로 챔버(10), 처리조(20), 유지 기구(30), 승강 기구(40), 노즐(51 내지 55), 각 노즐을 개폐시키는 밸브(61 내지 65), 노즐(51)에 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원(71), 노즐(52)에 IPA 베이퍼를 공급하는 IPA 공급원(72), 노즐(53)에 IPA 베이퍼를 공급하는 IPA 공급원(73), 노즐(54)에 발수제를 공급하는 발수제 공급원(74)과, 처리액 공급 노즐(65)에 순수 등의 린스액을 공급하는 처리액 공급원(75)과, 제어부(80)를 구비하고 있다.
챔버(10)는, 그 내부에 처리조(20), 승강 기구(40), 노즐(51 내지 55) 등을 수용하는 하우징이다. 챔버(10)의 상부(11)가 개폐 가능하게 되어 있다. 챔버(10)의 상부(11)를 개방한 상태에서는, 그 개방 부분으로부터 기판 W의 반출입을 행할 수 있다. 한편, 챔버(10)의 상부(11)를 폐쇄한 상태에서는, 챔버(10)의 내부를 밀폐 공간으로 할 수 있다.
처리조(20)는, 불산 등의 약액 또는 순수 등의 린스액(이하, 이들을 총칭하여 「처리액」이라고 한다)을 저류하여 기판에 순차적으로 표면 처리를 행하는 조이며, 챔버(10)의 내부에 수용되어 있다. 처리조(20)의 저부 근방에는 노즐(55)이 배치되어 있으며, 처리액 공급원(75)으로부터 그 노즐(55)을 통하여 처리조(20) 내에 처리액을 공급할 수 있다. 이 처리액은 처리조(20)의 저부로부터 공급되어, 처리조(20)의 개구부(20P)로부터 넘쳐 나온다. 또, 처리조(20)에서는, 배액 밸브(66)를 개방함으로써 처리조(20) 내에 저류된 처리액을 배액 라인으로 배출하는 것도 가능하다.
유지 기구(30)는 복수의 기판 W를 그 주면(회로 형성면)이 수직이 된 상태에서, X방향으로 서로 이격시켜 유지한다. 승강 기구(40)는, 유지 기구(30)를 연직 방향(Z방향)으로 승강시킴으로써, 유지 기구(30)에 유지된 복수의 기판 W를 처리조(20)에 저류되어 있는 처리액에 침지하는 위치(도 1의 실선 위치로 나타내는 위치. 하측 위치라고 한다.)와, 그 처리액으로부터 끌어 올린 위치(도 1의 가상선 위치에서 나타내는 위치. 상측 위치라고 한다.) 사이에서 이동시킬 수 있다.
처리조(20)의 상방 공간에는, 개구부(20P)에 근접시켜 노즐(53) 및 노즐(54)이 배치되어 있다.
노즐(53)은 X방향을 따라 신장하는 중공의 관형상 부재이며, X방향으로 등간격으로 복수의 토출 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 노즐(53)은 처리조(20)의 상측 모서리부를 따라 Y방향으로 2줄 병렬 배치되어 있다. 노즐(53)은 상기한 복수의 토출 구멍으로부터 처리조(20)의 개구부(20P)를 향해 IPA 증기를 토출하고, 처리조(20) 내에 당해 IPA 증기를 포함하는 분위기를 형성한다.
노즐(53)에는, 챔버(10) 외부의 IPA 공급원(73)으로부터 IPA 증기가 공급된다. 노즐(53)과 IPA 공급원(73) 사이의 관로에는 밸브(63)가 끼워져 있으며, 이 밸브(63)의 개도를 조정함으로써 노즐(53)로부터의 IPA 증기의 토출량을 제어할 수 있다.
노즐(54)은 X방향을 따라 신장하는 중공의 관형상 부재이며, X방향으로 등간격으로 복수의 토출 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 노즐(54)은 처리조(20)의 상측 모서리부를 따라 Y방향으로 2줄 병렬 배치되어 있다. 노즐(54)은 상기한 복수의 토출 구멍으로부터 처리조(20)의 개구부(20P)를 향해 발수제를 토출하고, 처리조(20) 내에 액상의 발수제를 저류하거나, 발수제의 미스트를 포함하는 분위기를 처리조(20) 내에 형성할 수 있다.
발수제는, 실리콘 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 포함하는 소수화시키는 실리콘계 발수제, 또는 금속 자체 및 금속을 포함하는 화합물을 소수화시키는 메탈계 발수제이다.
메탈계 발수제는, 예를 들어, 소수기를 가지는 아민, 및 유기 실리콘 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.
실리콘계 발수제는, 예를 들어, 실란커플링제이다. 실란커플링제는, 예를 들어, HMDS(헥사메틸디실라잔), TMS(테트라메틸실란), 불소화 알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비클로로계 발수제 중 적어도 하나를 포함한다.
비클로로계 발수제는, 예를 들어, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민 및 오르가노실란 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.
발수제는, IPA 등의 친수성 유기 용매와 상용해성이 있는 용매로 희석한 상태에서 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 발수제와 IPA 등 친수성 유기 용매와 상용해성이 있는 용매는, 노즐(54)의 직전에서 혼합시켜 노즐(54)에 공급하는 것이 바람직하다.
처리조(20)의 상방 공간에는, 상기한 노즐(53 및 54)의 더 상방에, 노즐(51) 및 노즐(52)이 설치되어 있다.
노즐(51)에는, 챔버(10) 외부의 불활성 가스 공급원(71)으로부터 질소 가스가 공급된다. 질소 가스는 바람직하게는 실온 이상으로 가열되어 있다. 노즐(51)과 불활성 가스 공급원(71) 사이의 관로에는 밸브(61)가 끼워져 있으며, 이 밸브(61)의 개도를 조정함으로써 노즐(51)로부터의 질소 가스의 토출량이 제어된다. 노즐(51)은 상측 위치까지 끌어 올려진 기판 W로 향해져 있다. 노즐(51)로부터 질소 가스를 토출함으로써 처리조(20)의 상방 공간을 포함하는 챔버(10)의 내부 공간이 질소 가스로 채워져, 상측 위치에 위치하는 기판 W가 건조 처리된다(상세는 후술한다).
노즐(52)에는, 챔버(10) 외부의 IPA 공급원(72)으로부터 IPA 증기가 공급된다. 노즐(52)과 IPA 공급원(72) 사이의 관로에는 밸브(62)가 끼워져 있으며, 이 밸브(62) 개도를 조정함으로써 노즐(52)로부터의 IPA 증기의 토출량이 제어된다. 노즐(52)은 상측 위치까지 끌어 올려진 기판 W로 향해져 있다. 노즐(52)로부터 IPA 증기를 토출함으로써 처리조(20)의 상방 공간을 포함하는 챔버(10)의 내부 공간이 IPA 증기로 채워져, 상측 위치에 위치하는 기판 W를 IPA 증기에 의해 잉여의 발수제를 제거하는 것이 가능하게 되어 있다(상세는 후술한다).
상기한 각 밸브(61 내지 66), 승강 기구(75), 및 각 공급원(71 내지 75)은 제어부(80)의 제어에 의해 동작한다.
＜기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리＞
다음에, 기판 처리 장치(1)를 이용한 기판 처리에 대해서 설명한다. 도 2는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 동작을 설명하는 플로차트이다. 또, 도 3 내지 13은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 모습을 설명하는 모식도이다.
제어부(80)는, 유지 기구(30)가 처리조(20) 내의 하측 위치에 위치한 상태로 처리조(20)에 불산 등의 약액을 저류함으로써, 유지 기구(30)에 유지된 기판 W에 대해 세정 처리 등의 약액 처리를 실행한다(도 2의 단계 S1. 도 3).
다음에 제어부(80)는, 밸브(66)를 개방함으로써 처리조(20)에 저류된 약액을 배액하면서, 밸브(65)를 개방함으로써 처리액 공급원(75)으로부터 노즐(55)에 순수를 도입한다. 이것에 의해, 처리조(20)에 저류된 약액이 순차적으로 순수로 치환되어, 기판 W의 표면을 순수로 세정하는 린스 처리가 실행된다(도 2의 단계 S2. 도 4).
다음에 제어부(80)는 밸브(62)를 개방하여, 노즐(52)로부터 처리조(20)의 상부 공간에 IPA 증기를 공급한다. 또, 밸브(63)를 개방하여, 노즐(53)로부터 처리조(20)의 개구부(20P)를 향해 IPA 증기를 공급한다. 이것에 의해, 처리조(20)을 둘러싸는 챔버(10)의 내부 분위기에 IPA 증기의 분위기가 형성된다(도 2의 단계 S3. 도 5).
다음에 제어부(80)는, 노즐(52) 및 노즐(53)로부터의 IPA 증기의 공급을 계속하면서, 승강 기구(40)를 제어하여, 하측 위치에 위치하는 유지 기구(30)를 처리조(20)의 상방의 상측 위치까지 이동시킨다. 유지 기구(30)가 하측 위치로부터 상측 위치까지 상승하는 동안에 유지 기구(30)에 유지된 기판 W는 노즐(52) 및 노즐(53)로부터 공급되는 IPA 증기에 노출된다. 이것에 의해, 기판 W에 부착된 순수가 IPA로 치환된다(도 2의 단계 S4. 도 6).
다음에 제어부(80)는, 밸브(66)를 개방하여, 처리조(20) 내의 순수를 배액한다(도 2의 단계 S5. 도 7).
다음에 제어부(80)는 밸브(62) 및 밸브(63)를 제어하여 노즐(52) 및 노즐(53)로부터의 IPA 증기의 토출량을 조정(감소)시킨다. 또, 제어부(80)는 노즐(66)을 폐쇄하고 처리조(20)에 유체를 저류 가능한 상태로 한다. 그 후, 밸브(64)를 개방하여 노즐(54)로부터 처리조(20)에 발수제를 공급하기 시작한다. 이것에 의해 발수제가 처리조(20) 내에 저류되어 간다(도 2의 단계 S6. 도 8). 또한, 발수제는 액상의 발수제에 한정되지 않고, 베이퍼상(증기) 또는 미스트상이어도 된다. 또, 발수제는 노즐(54) 대신에 (또는 노즐(54)에 더하여), 처리조(20) 내의 노즐(55)로부터 처리조(20)에 공급하도록 해도 된다.
수분이 부착된 기판을 직접 발수제에 접촉시키면 개질 성능이 열화되거나, 이물을 발생시키는 경우가 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에서는 단계 S7의 발수 처리를 개시하기 전에 IPA 치환(단계 S4)을 실행하여, 기판 W의 표면으로부터 수분을 제거하고 있다. 이와 같이, 발수 처리(단계 S7)는 수분을 제거한 기판 W에 대해 실행되기 때문에, 발수 처리 시에 있어서의 이물의 발생을 방지 또는 억제할 수 있다.
다음에 제어부(80)는 승강 기구(40)를 제어하여, 상측 위치에 위치하는 유지 기구(30)를 처리조(20) 내의 하측 위치까지 이동시킨다. 이것에 의해 유지 기구(30)에 유지된 기판 W의 표면이 발수제에 의해 발수성으로 개질된다(발수 처리. 도 2의 단계 S7. 도 9). 제어부(80)는 단계 S7의 발수 처리를 행할 때에 승강 기구(40)를 제어하여 유지 기구(30)를 처리조(20) 안에서 요동시켜도 된다. 이것에 의해 기판 W의 표면이 보다 균일하게 개질된다.
다음에 제어부(80)는 밸브(64)를 제어하여 노즐(54)로부터의 발수제의 공급을 정지시킨다(도 2의 단계 S8. 도 10).
다음에 제어부(80)는 승강 기구(40)를 제어하여, 하측 위치에 위치하는 유지 기구(30)를 처리조(20) 상방의 상측 위치까지 이동시킨다. 이것에 의해 표면이 발수성으로 개질된 기판 W가 상측 위치까지 처리조(20)의 상방으로 끌어 올려진다. 기판 W에 부착되어 있던 미반응의 발수제는 노즐(52) 및 노즐(53)로부터의 IPA 증기에 의해 제거된다(도 2의 단계 S9. 도 11). 유지 기구(30)는 비교적 단시간(예를 들면 약 10초)에 하측 위치로부터 상측 위치로 이동하기 때문에, 기판 W에 부착되어 있던 미반응의 발수제와 IPA가 반응해도 극히 적은 규산 등의 파티클 밖에 발생하지 않는다. 이 때문에, 기판 W의 표면은 청정한 상태로 유지되어 있다.
다음에 제어부(80)는, 노즐(52 및 53)으로부터의 IPA 증기의 공급을 계속한 채로, 밸브(66)를 개방한다. 이것에 의해 기판 W의 표면으로부터 발수제가 제거된다. 또, 처리조(20)의 내벽 등에 부착되어 있던 미반응의 발수제가 노즐(53)로부터의 IPA 증기에 의해 제거되어 배액 라인으로부터 처리조(20)의 외부에 배출된다(도 2의 단계 S10. 도 12). 처리조(20)의 내벽 등에 부착되어 있던 미반응의 발수제가 IPA 증기와 반응하여 규산 등의 파티클이 처리조(20)의 내부에 발생하는 경우가 있다. 그러나, 기판 W는 본 단계 S10보다 전의 단계에서 처리조(20)로부터 상방으로 끌어 올려져 있다. 이 때문에, 처리조(20)의 내부에 발생할 가능성이 있는 규산 등의 파티클이 기판 W에 부착되는 것이 억제 또는 방지되어 있다. 또한, 처리조(20)의 상방으로부터 저부를 향해, 노즐(53)에 의해 IPA 증기의 기류가 형성되어 있다. 이 때문에, 처리조(20)의 내부에서 발생한 파티클이 개구부(20P)를 지나 처리조(20)의 상방에 위치하는 기판 W를 오염시킬 우려가 억제 또는 방지되어 있다.
단계 S10를 더 계속하면, 처리조(20)의 내벽 등에 부착되어 있던 미반응의 발수제 및 이 발수제와 IPA 증기가 반응하여 발생한 규산 등의 파티클은, 노즐(52 및 53)으로부터의 IPA 증기에 의해 제거되어 배액 라인으로 배출된다. 이것에 의해, 단계 S10의 완료 시에는 처리조(20)의 내부는 세정된다.
또한, 단계 S10에서 노즐(52 및 53)으로부터 공급되는 IPA 증기의 온도는, 단계 S7의 발수 처리에서 노즐(54)로부터 공급되는 발수제의 온도보다 고온인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판 W의 표면으로부터 발수제를 효율적으로 제거하는 것이 가능하게 된다.
다음에 제어부(80)는, 밸브(62, 63 및 64)를 닫고, 밸브(61)를 개방한다. 이것에 의해, 노즐(51)로부터의 가열된 불활성 가스가 상측 위치에 위치하는 기판 W를 향해 공급된다. 이것에 의해 기판 W의 표면이 최종적으로 건조된다.
＜변형예＞
상기의 실시 형태에서는, IPA 증기와 질소 가스를 다른 공급 노즐로부터 토출하도록 하고 있지만, 동일한 노즐로부터 토출하도록 해도 된다.
상기의 실시 형태에서는, 기판 W의 표면으로부터 수분을 제거(단계 S4)할 때, 혹은 기판으로부터 발수제를 제거(단계 S10)할 때에, IPA를 사용했다. 그러나, 물 등의 린스액, 및 발수제의 제거에 사용하고 있는 용매와 치환 가능한 유기 용매이면 IPA 이외의 유기 용매를 사용하는 것도 가능하다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명은, 기판의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.
1 기판 처리 장치 10 챔버
20 처리조 30 유지 기구
40 승강 기구 51, 52, 53, 54, 55 노즐
61, 62, 63, 64, 65 밸브 71 불활성 가스 공급원
72, 73 IPA 공급원 74 발수제 공급원
75 처리액 공급원 80 제어부
W 기판

Claims (8)

  1. 기판 처리 방법으로서,
    처리조에 저류된 린스액에 기판을 침지하여 상기 기판의 표면을 린스액으로 세정하는 린스 처리 공정과,
    상기 처리조를 둘러싸는 챔버의 내부 분위기에 유기 용매 증기를 공급함으로써, 상기 처리조의 상부 공간을 포함하는 챔버의 내부 분위기에 유기 용매 증기 분위기를 형성하는 유기 용매 증기 형성 공정과,
    상기 기판을 상기 처리조의 상부 공간으로 끌어올림으로써 상기 기판의 표면에 부착된 린스액을 유기 용매로 치환하는 유기 용매 치환 공정과,
    상기 처리조 내의 린스액을 배액하는 배액 공정과,
    상기 기판을 상기 처리조 내에 이동시키는 기판 이동 공정과,
    상기 처리조 내에 이동시킨 상기 기판의 표면을 상기 처리조 내에 저류된 발수제에 노출함으로써 상기 기판의 표면을 발수 처리하는 발수 처리 공정과,
    상기 발수 처리 공정에서 발수 처리를 행한 상기 기판을 상기 처리조의 상방의 조 바깥으로 끌어올리는 기판 끌어올림 공정과,
    상기 처리조의 상방의 조 바깥에서, 상기 기판 끌어올림 공정에서 끌어올려진 상기 기판을 유기 용매 증기에 노출함으로써, 상기 기판의 표면에 잔류하고 있던 미반응의 발수제를 제거하는 발수제 제거 공정과,
    상기 기판을 향해 불활성 가스를 공급함으로써 상기 기판을 건조하는 건조 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매는 IPA인, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발수제 제거 공정에 있어서 상기 기판에 공급되는 유기 용매 증기의 온도는, 상기 발수 처리 공정에 있어서 상기 기판에 공급되는 상기 발수제의 온도보다 고온인, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 끌어올림 공정에서 상기 기판을 상기 처리조의 상방의 조 바깥으로 끌어올린 후에, 상기 처리조 내의 상기 발수제를 배출하는 배출 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 발수제는, 물에 직접적으로 접촉하면 이물을 발생시키는 경우가 있는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 유기 용매 증기 형성 공정에서 유기 용매 증기가 공급되는 상태에서 상기 배출 공정이 실행되고, 상기 처리조의 내벽에 부착해 있던 미반응의 상기 발수제가 상기 유기 용매 증기의 공급에 의해 제거되어 상기 배출 공정에서 상기 처리조의 외부로 배출되는, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 발수제 제거 공정에 있어서, 상기 처리조의 상방으로부터 상기 처리조의 저부를 향해, 상기 유기 용매 증기의 기류가 형성되는, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 증기의 온도는 상기 발수제의 온도보다도 고온인, 기판 처리 방법.

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