JP2023177909A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】パーティクルが基板に付着することを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、チャンバ３内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気ノズル２７と、洗浄液を供給する洗浄液ノズル５，１６と、制御部８１と、を備える。制御部８１は、予め設定された期間、処理槽２に貯留された処理液に基板Ｗを浸漬させる浸漬処理を行い、溶剤蒸気ノズル２７から供給された溶剤蒸気を用いて、処理液で処理されて前記処理槽から引き上げられた基板Ｗを乾燥させる乾燥処理を行う。制御部８１は、洗浄液ノズル５，１６からチャンバ３内に洗浄液を供給し、チャンバ３に貯留された洗浄液に処理槽２を浸漬させることで、処理槽２の外壁を含むチャンバ３内を洗浄するチャンバ洗浄処理を行う。【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
基板処理装置は、純水などの処理液を貯留する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、基板を保持するリフタと、窒素ガスをチャンバ内に供給する窒素ノズルと、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気をチャンバ内に供給する溶剤ノズルと、チャンバ内を排気して減圧する排気ポンプと、を備える（例えば、特許文献１参照）。
基板処理装置は、例えば、次のように動作する（例えば、特許文献１参照）。リフタは、処理槽内の処理液に基板を浸漬させる。その後、溶剤ノズルからＩＰＡの蒸気が供給されることで、チャンバ内をＩＰＡの蒸気の雰囲気にする。その後、リフタは、処理槽内の処理液から基板を取り出して、チャンバ内の乾燥位置に基板を移動させる。その後、排気ポンプは、チャンバ内を減圧する。これにより、基板に付着するＩＰＡ等が活発に揮発し、基板が乾燥処理される。その後、排気ポンプを停止すると共に、窒素ノズルから窒素ガスを供給することで、チャンバ内を大気圧に戻す。
特許文献２には、「酸性薬液」または「アルカリ性薬液」を貯留する薬液槽と、薬液槽を収容するチャンバとを備えた基板処理装置の中和洗浄装置が開示されている。中和洗浄装置は、純水ノズル、循環ノズルおよび循環配管を備える。循環配管は、循環ノズルに接続される。純水ノズルおよび循環ノズルは各々、チャンバの内壁と薬液槽の外壁との間に向けて設置される。中和洗浄装置は、純水ノズルを介してチャンバの内部に純水を貯留させ、その後、循環配管を介してチャンバの内部に貯留された純水を循環させる。これにより、薬液槽の外壁に付着した薬液成分は、純水の流れによって付着面から遊離する。
特許文献３には、ハンドシャワーを用いてチャンバ内に純水を供給することで、希塩酸の蒸気の凝結分を洗い流して除去することが開示されている。
特許文献４には、基板の表面を疎水化処理する工程が開示されている。また、特許文献５には、減圧した溶剤雰囲気下であってもチャンバから処理液を排出することができる基板処理装置が開示されている。
特開２０１５－０７０１４８号公報 特開２００８－２５１７７９号公報 特開２０１０－０９３０９７号公報 特開２０１８－０５６１５５号公報 特開２００８－００４８７４号公報
しかしながら、従来の基板処理装置は次の問題がある。装置の使用によりチャンバ内の下部（処理槽の外壁を含む）にパーティクルが蓄積されて汚染される。チャンバ内の下部が汚染されると、例えば窒素ガスを供給する際に窒素ガスがチャンバ内の下部のパーティクルを巻き上げ、そのパーティクルが基板に付着する問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パーティクルが基板に付着することを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を囲うチャンバと、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気ノズルと、前記チャンバ内に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、制御部と、を備え、前記制御部は、予め設定された期間、前記処理槽に貯留された前記処理液に基板を浸漬させる浸漬処理を行い、前記溶剤蒸気ノズルから供給された前記溶剤蒸気を用いて、前記処理液で処理されて前記処理槽から引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥処理を行い、前記制御部は、前記洗浄液ノズルから前記チャンバ内に前記洗浄液を供給し、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで、前記処理槽の外壁を含む前記チャンバ内を洗浄するチャンバ洗浄処理を行うものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、洗浄液ノズルからチャンバ内に洗浄液を供給し、チャンバに貯留された洗浄液に処理槽を浸漬させることで、処理槽の外壁を含むチャンバ内を洗浄するチャンバ洗浄処理を行う。これにより、処理槽の外壁だけでなくチャンバ内の側壁および底壁に付着したパーティクルを洗浄することができる。そのため、チャンバ内の下部のパーティクルが巻き上げられて基板に付着することを防止することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、前記浸漬処理を行った後に前記チャンバ洗浄処理を行い、前記制御部は、前記チャンバ洗浄処理を行った後に前記乾燥処理を行うことが好ましい。これにより、一連の基板処理の途中で、チャンバ内の洗浄処理を行うことができる。
また、上述の基板処理装置は、前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気ノズルを更に備え、前記制御部は、前記浸漬処理を行った後に、前記基板を撥水性にするために、前記撥水剤蒸気ノズルから前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気供給処理を行い、前記制御部は、前記撥水剤蒸気供給処理を行った後に前記チャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。
基板を撥水性にするための撥水剤蒸気供給処理は、撥水剤の由来のパーティクルを多く発生させる。このパーティクルがチャンバ内の下部に蓄積される。そして、チャンバ内の下部のパーティクルが巻き上げられ、そのパーティクルが基板に付着する問題がある。本発明によれば、一連の基板処理の途中で、チャンバ内の洗浄処理を行うことができる。そのため、チャンバ内の下部のパーティクル（撥水剤由来のパーティクルを含む）が巻き上げられて基板に付着することを防止することができる。
また、上述の基板処理装置は、前記チャンバ内を排気する排気ポンプを更に備え、前記洗浄液ノズルは、前記チャンバ内の下部に設けられ、前記チャンバ内に前記洗浄液を供給し、前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバ内を減圧した状態で、前記チャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。
これにより、排気ポンプでチャンバ内を減圧した状態で、チャンバ内の洗浄処理を行うことができる。また、処理槽に洗浄液を供給しながら処理槽から洗浄液を溢れさせて、チャンバ内に洗浄液を貯留させる場合があるとする。チャンバ内が減圧された状態では、処理槽に貯留された洗浄液からミストが発生し易く、発生したミストが基板に付着し易くなる問題がある。また、付着したミストが基板に悪影響を与える可能性がある。本発明によれば、チャンバの下部に設けられた洗浄液ノズルからチャンバ内に直接供給できるため、洗浄液を基板から離すことができる。そのため、発生したミストが基板に付着することを抑制できる。
また、上述の基板処理装置において、前記排気ポンプは、前記処理槽の側方の前記チャンバの側壁に設けられた排気口を通じて、前記チャンバ内を排気し、前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバ内を排気しながら前記チャンバ内を減圧した状態で、前記チャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。洗浄液からミストが発生しても、排気ポンプにより排気口からミストを排出できる。
また、上述の基板処理装置は、前記処理槽の外側壁と前記チャンバの内側壁との間に設けられ、前記チャンバ内の上部と前記チャンバ内の下部との間で雰囲気を遮蔽するシールド板であって、前記処理槽から溢れた処理液を前記チャンバ内の下部に流通させる開口を有する前記シールド板を更に備えていることが好ましい。シールド板を備えることにより、チャンバに貯留した洗浄液からミストが生じても、チャンバの下部から上部にミストが向かうことを抑制することができる。また、巻き上げられるパーティクルがチャンバの下部から上部に向かうことを抑制することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記洗浄液ノズルは、前記チャンバ内の底部であって、平面視で前記処理槽と重なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、処理槽の陰に洗浄液ノズルを隠すことができる。また、チャンバ上部の基板からより離すことができるので、ミストが発生しても、基板に付着することを抑制できる。
また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、前記溶剤蒸気ノズルから前記溶剤蒸気が前記チャンバ内に供給されているときに、前記チャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。溶剤蒸気をチャンバ内に供給する処理と並行して、チャンバ洗浄処理を行うことができるので、効率的に基板を処理することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバを減圧した状態で、前記チャンバに設けられた排出口から前記洗浄液を排出する排出処理を行い、前記制御部は、前記チャンバ洗浄処理と前記排出処理とを予め設定された回数繰り返すことが好ましい。チャンバ洗浄処理を繰り返すほど、チャンバ内を良好に洗浄することができる。
また、上述の基板処理装置は、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガスノズルを更に備え、前記制御部は、前記乾燥処理を行った後に、前記不活性ガスノズルから前記チャンバ内に不活性ガスを供給することで、減圧状態の前記チャンバ内を大気圧に戻すことが好ましい。チャンバ内の洗浄処理が行われることで、不活性ガスにより巻き上げられるパーティクルを低減することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記洗浄液ノズルは、前記処理槽の外壁を向く姿勢で配置されており、前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバを減圧した状態で、前記処理槽の外壁に前記洗浄液を当てながら前記洗浄液ノズルから前記チャンバ内に前記洗浄液を供給することが好ましい。
チャンバ内の底面は比較的に液が流れるので、チャンバ内の底面には、パーティクルが比較的蓄積しにくい。しかし、例えば処理槽の外壁は、浮遊したパーティクルが付着しても液が流れにくい部分であるので、パーティクルが蓄積される。その部分に洗浄液を当てながらチャンバ内に洗浄液を貯留させるので、処理槽の外壁に付着したパーティクルを除去しやすい。
また、上述の基板処理装置において、前記洗浄液ノズルの上向きの吐出口に対向するように、前記チャンバ内の底部に設けられたノズルカバーを更に備え、前記ノズルカバーは、天井壁と、前記天井壁に接続すると共に前記洗浄液を通す孔部が形成された複数の側壁とを備えることが好ましい。ミストの拡散を抑えながらチャンバ内に洗浄液を貯留させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記洗浄液ノズルは、前記処理槽内の底部に設けられ、前記処理槽内に前記洗浄液を供給し、前記制御部は、前記チャンバ内が大気圧である状態で、前記洗浄液ノズルから前記処理槽内に前記洗浄液を供給しながら前記処理槽から溢れた前記洗浄液を前記チャンバに貯留させ、更に、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで前記処理槽の外壁を含む前記チャンバを洗浄するチャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。これにより、チャンバ内が大気圧である状態において、チャンバ内の洗浄処理を行うことができる。また、処理槽にも洗浄液が供給されるので、処理槽の洗浄処理とチャンバ内の洗浄処理を並行して行うことができる。
また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板に対して前記浸漬処理および前記乾燥処理を含む一連の基板処理を行うごとに、連続する２つの前記一連の基板処理の間において、前記チャンバ洗浄処理を行うことが好ましい。予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板に対して一連の基板処理を行うごとに、連続する２つの一連の基板処理の間において、チャンバ内の洗浄処理を行うことができる。
また、上述の基板処理装置において、前記洗浄液ノズルは、前記処理槽内の底部に設けられ、前記処理槽内に前記洗浄液を供給し、前記制御部は、前記チャンバ内が大気圧である状態で、前記洗浄液ノズルから前記処理槽内に前記洗浄液を供給すると共に、前記処理槽から溢れた前記洗浄液を前記チャンバに貯留させることが好ましい。処理槽およびチャンバを同時に洗浄することができる。
また、本発明に係る基板処理方法は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を囲うチャンバと、を備えた基板処理装置の基板処理方法であって、予め設定された期間、前記処理槽に貯留された前記処理液に基板を浸漬させる浸漬工程と、前記溶剤蒸気ノズルから供給された前記溶剤蒸気を用いて、前記処理液で処理されて前記処理槽から引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程と、前記洗浄液ノズルから前記チャンバ内に前記洗浄液を供給し、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで前記処理槽の外壁を含む前記チャンバを洗浄するチャンバ洗浄工程と、を備えているものである。
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、パーティクルが基板に付着することを防止することができる。
実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。 実施例１に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例１に係る基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。 （ａ）は、ミストの問題を説明するための図であり、（ｂ）は、基板処理装置１の効果を説明するための図である。 実施例２に係る基板処理装置の概略構成図である。 実施例２に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例２に係る基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。 実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例３に係る基板処理装置の動作（一連の基板処理）を示すタイミングチャートである。 実施例３に係る基板処理装置の動作（チャンバ内の洗浄）を示すタイミングチャートである。 変形例に係るノズルカバーを備えたチャンバを示す図である。 変形例に係る２本の洗浄液ノズルを備えたチャンバを示す図である。 変形例に係る２本の洗浄液ノズルを備えたチャンバを示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。
（１）基板処理装置１の構成
図１を参照する。基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、リフタ４とを備える。処理槽２は、起立姿勢（鉛直姿勢）とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成される。処理槽２は、チャンバ３の底面から離れて配置される。
リフタ４は、起立姿勢でＹ方向に等間隔に並べられた複数枚の基板Ｗを保持する保持部材４Ａと、保持部材４Ａを上下方向（Ｚ方向）に昇降させる昇降機構４Ｂとを備える。昇降機構４Ｂは、例えば電動モータまたはエアシリンダを備える。昇降機構４Ｂは、チャンバ３の上方にあたる「待機位置Ｈ１」と、処理槽２の上方であってチャンバ３内の「乾燥位置Ｈ２」と、処理槽２の内部の「処理位置Ｈ３」との間で、基板Ｗを昇降させる。
処理槽２内の底部には、処理槽２内に処理液を供給する２本の噴出管５が設けられる。各噴出管５は、複数枚の基板Ｗが整列されるＹ方向（紙面の奥手前方向）に沿って直線状に形成される。各噴出管５は、Ｙ方向に並ぶ複数の吐出口を有する。
各噴出管５には、処理液配管７の先端が接続される。処理液配管７の基端は、処理液供給源９に接続される。処理液供給源９は、処理液として純水を処理液配管７に送る。純水として、例えば脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）が用いられる。処理液配管７には、開閉弁Ｖ１が設けられる。開閉弁Ｖ１は、純水の供給およびその停止を行う。具体的には、開閉弁Ｖ１が開状態になると、２本の噴出管５から処理槽２に純水が供給される。また、開閉弁Ｖ１が閉状態になると、２本の噴出管５からの純水の供給が停止される。
また、２本の噴出管５と開閉弁Ｖ１の間の処理液配管７には、第２処理液配管１１の先端が接続される。第２処理液配管１１の基端は、第２処理液供給源１３に接続される。第２処理液供給源１３は、第２処理液として、純水（例えばＤＩＷ）で希釈されたイソプロピルアルコール液（すなわち、イソプロピルアルコールと純水の混合液）を第２処理液配管１１に送る。なお、純水で希釈されたイソプロピルアルコール液は、以下、「希釈ＩＰＡ液」と呼ぶ。第２処理液配管１１には、開閉弁Ｖ２が設けられている。開閉弁Ｖ２は、希釈ＩＰＡ液の供給およびその停止を行う。２本の噴出管５は、２つの開閉弁Ｖ１，Ｖ２により、純水と希釈ＩＰＡ液とを選択的に供給できるように構成される。
処理槽２の底部には、処理槽２内の処理液をチャンバ３内の底面に放出するＱＤＲ弁（開閉弁）１４が設けられている。ＱＤＲ弁１４を開状態にすると、処理槽２内の処理液がチャンバ３内の底面に急速放出される。ＱＤＲ弁１４を閉状態にすると、処理槽２に処理液を貯留することができる。
チャンバ３の底部には、２本の洗浄液ノズル１６が設けられる。２本の洗浄液ノズル１６は、平面視で処理槽２と重なる位置に設けられる。なお、平面視で、２本の洗浄液ノズル１６の全体が処理槽２と重なるように設けられてもよい。２本の洗浄液ノズル１６は、チャンバ３内に洗浄液を直接供給する。各洗浄液ノズル１６は、噴出管５と同様に構成される。各洗浄液ノズル１６は、Ｙ方向に沿って直線状に形成された管である。各洗浄液ノズル１６は、Ｙ方向に並ぶ複数の吐出口を有する。
２本の洗浄液ノズル１６には、洗浄液配管１８の先端が接続される。洗浄液配管１８の基端は、洗浄液供給源２０に接続される。洗浄液供給源２０は、洗浄液として、純水、希釈ＩＰＡ液または、純水（例えばＤＩＷ）で希釈された過酸化水素水（以下、「希釈Ｈ２Ｏ２液）と呼ぶ）を洗浄液配管１８に供給する。洗浄液配管１８には、開閉弁Ｖ３が設けられる。開閉弁Ｖ３は、洗浄液の供給およびその停止を行う。
チャンバ３は、処理槽２を収容する。チャンバ３は、その上面に開閉自在の上部カバー２３を備えている。チャンバ３内には、２本の不活性ガスノズル２５、２本の溶剤蒸気ノズル２７および２本の撥水剤蒸気ノズル２９が設けられる。上部カバー２３と処理槽２との間には、２本の不活性ガスノズル２５、２本の溶剤蒸気ノズル２７および２本の撥水剤蒸気ノズル２９は、この順番で上から配置される。
６本のノズル２５，２７，２９は、Ｙ方向に沿って延びるように直線状に形成される。２本の不活性ガスノズル２５は各々、不活性ガスを吐出するために、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の吐出口（図示しない）を有する。同様に、４本のノズル２７，２９も複数の吐出口を有する。
２本の不活性ガスノズル２５は各々、チャンバ３内に不活性ガスを供給する。各不活性ガスノズル２５には、供給管３１の先端が接続される。供給管３１の基端は、不活性ガス供給源３３に接続される。不活性ガス供給源３３は、不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給管３１に送る。供給管３１には、開閉弁Ｖ４が設けられる。開閉弁Ｖ４は、不活性ガスの供給およびその停止を行う。
２本の溶剤蒸気ノズル２７は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を供給する。各溶剤蒸気ノズル２７には、供給管３５の先端が接続される。供給管３５の基端は、溶剤蒸気供給源３７に接続される。溶剤蒸気供給源３７は、溶剤蒸気として例えばイソプロピルアルコール蒸気（以下「ＩＰＡ蒸気」と呼ぶ）を供給管３５に送る。溶剤蒸気は、ヒータによって液体の溶剤を蒸発させて生成される。溶剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管３５には、開閉弁Ｖ５が設けられる。開閉弁Ｖ５は、溶剤蒸気の供給およびその停止を行う。
２本の撥水剤蒸気ノズル２９は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する。各撥水剤蒸気ノズル２９には、供給管３９の先端が接続される。供給管３９の基端は、撥水剤蒸気供給源４１に接続される。撥水剤蒸気供給源４１は、撥水剤蒸気を供給管３９に送る。撥水剤蒸気は、ヒータによって液体の撥水剤を蒸発させて生成される。撥水剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管３９には、開閉弁Ｖ６が設けられる。開閉弁Ｖ６は、撥水剤蒸気の供給およびその停止を行う。
撥水剤（シリル化剤）は、シリコン自体およびシリコンを含む化合物を含む疎水化させるシリコン系撥水剤、または金属自体および金属を含む化合物を疎水化させるメタル系撥水剤である。撥水剤は、ＩＰＡ等の親水性有機溶媒と相溶解性のある溶媒とで希釈した状態で使用することが好ましい。
メタル系撥水剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
シリコン系撥水剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系撥水剤の少なくとも一つを含む。
チャンバ３の側壁には、排気口４３が設けられている。排気口４３は、処理槽２の外側面２Ａに対向するような高さに配置される。言い換えると、排気口４３は、後述するシールド板６３と処理槽２の下面２Ｂとの間の高さに配置される。これにより、排気口４３よりも低い位置で例えば洗浄液を貯留させながら、チャンバ３内の気体を排気口４３から排気することができる。排気口４３には、排気管４５が接続される。排気管４５には、排気口４３側から順番に、開閉弁Ｖ７および排気ポンプ４７が設けられる。排気ポンプ４７は、チャンバ３内の気体を排気して、チャンバ３内を減圧する。
さらに、チャンバ３の底壁には、排出口４９が設けられる。排出口４９には、排出管５１の上端が接続される。排出管５１の下端は、排液タンク５３の上部外壁に接続される。排出管５１には、開閉弁Ｖ８が設けられる。開閉弁Ｖ８は、チャンバ３内の処理液または洗浄液などを排液タンク５３に送るときに用いられる。排液タンク５３は、チャンバ３内から排出された処理液を貯留する容器である。排液タンク５３には、排気管５５が接続されている。排気管５５には、排液タンク５３側から順番に開閉弁Ｖ９および排気ポンプ５７が設けられる。
また、排液タンク５３には、気体配管５９および排出管６１が接続される。気体配管５９には、開閉弁Ｖ１１が設けられる。また、排出管６１には、開閉弁Ｖ１２が設けられる。気体配管５９は、不活性ガス（例えば窒素ガス）または外気を排液タンク５３に送る。開閉弁Ｖ１１は、不活性ガス等の供給およびその停止を行う。排出管６１は、排液タンク５３内の処理液などを排出する。
排液タンク５３は、適当なタイミングで処理液などを排出する。排液タンク５３に貯留された処理液を排出する場合、例えば、開閉弁Ｖ８，Ｖ９，Ｖ１２を閉じた状態で、開閉弁Ｖ１１を開いて排液タンク５３内を大気圧に戻す。その後、開閉弁Ｖ８，Ｖ９を閉じた状態で、開閉弁Ｖ１１，Ｖ１２を開いて排液タンク５３内の処理液などを排出する。
また、チャンバ３は、シールド板６３を備える。シールド板６３は、処理槽２の上縁（または開口２Ｃ）からやや下方に、処理槽２の外側面２Ａの全周にわたって設けられる。言い換えると、シールド板６３は、処理槽２の外側壁とチャンバ３の内側壁との間に設けられる。シールド板６３は、チャンバ３内の上部（上部空間）とチャンバ３内の下部（下部空間）との間で雰囲気を遮蔽する。シールド板６３は、処理槽２から溢れた処理液をチャンバ３内の下部に流通させる隙間Ｇ１，Ｇ２（開口）を有する。すなわち、シールド板６３は、処理槽２の外側壁との間に隙間Ｇ１を有すると共に、チャンバ３の内側壁との間に隙間Ｇ２を有する。なお、必要により、隙間Ｇ１，Ｇ２の一方は設けられていなくてもよい。シールド板６３は、処理槽２の外側壁またはチャンバ３の内側壁に取り付けられていてよい。
チャンバ３には、チャンバ３内の圧力を測定する圧力センサＰＳ１が設けられる。また、排液タンク５３には、排液タンク５３内の圧力を測定する圧力センサＰＳ２が設けられる。更に、チャンバ３には、チャンバ３内に貯留された例えば洗浄液の液面の高さを検出する液面センサＬＳが設けられる。圧力センサＰＳ１，ＰＳ２で測定された圧力値、および液面センサＬＳで検出された液面高さの値は、後述する制御部８１に送信される。
基板処理装置１は、制御部８１と記憶部（図示しない）を備えている。制御部８１は、基板処理装置１の各構成を制御する。制御部８１は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つまたは複数のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。
なお、基板処理装置１は、２本の洗浄液ノズル１６を備えている。この点、基板処理装置１は、１本又は３本以上の洗浄液ノズル１６を備えていてもよい。２本の噴出管５、２本の不活性ガスノズル２５、２本の溶剤蒸気ノズル２７および２本の撥水剤蒸気ノズル２９も同様である。
（２）基板処理装置１の動作
次に、図２、図３を参照しつつ、基板処理装置１の動作を説明する。なお、図２において、リフタ４の図示を省略する。なお、図２において、排気ポンプ４７等による排気動作を符号「ＶＡＣ」で示す。図３において、希釈ＩＰＡ液を「ｄＩＰＡ液」と記す。
〔ステップＳ０１〕第１の浸漬処理（チャンバへの基板の搬入）
処理槽２内には、処理液として純水が貯留されている。純水は、噴出管５から供給される。まず、上部カバー２３が移動されてチャンバ３の上面開口が解放される。リフタ４は、保持部材４Ａで保持された基板Ｗを待機位置Ｈ１から処理位置Ｈ３に下降させる。すなわち、リフタ４は、予め設定された時間、処理槽２に貯留された純水に基板Ｗ全体を浸漬させる。基板Ｗを純水に浸漬させることにより、基板Ｗは洗浄される。基板Ｗが純水に浸漬された後、上部カバー２３が移動されてチャンバ３の上面開口が塞がれる。
〔ステップＳ０２〕窒素ガスの供給
その後、開閉弁Ｖ４を開いて、不活性ガスノズル２５から窒素をチャンバ３内に供給する。更に、排気ポンプ４７を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、排気口４３および排気管４５を通じて、チャンバ３内の気体が排気される。これにより、チャンバ３内が大気圧より低い圧力である減圧状態になる。
〔ステップＳ０３〕第１のＩＰＡ蒸気の供給（ＩＰＡ蒸気の雰囲気の形成）
排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。開閉弁Ｖ４を閉じて、不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給を停止する。更に、チャンバ３内をＩＰＡ蒸気の雰囲気にするため、開閉弁Ｖ５を開いて、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気をチャンバ３内に供給する。
〔ステップＳ０４〕第１のＩＰＡ蒸気の供給（ＩＰＡ置換）
排気ポンプ４７を停止させると共に、開閉弁Ｖ７を閉じる。チャンバ３内は減圧された状態である。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給は継続される。このような状態において、リフタ４は、処理槽２の純水から基板Ｗを引き上げながら、処理位置Ｈ３から乾燥位置Ｈ２に基板Ｗを上昇させる。基板ＷがＩＰＡ蒸気に曝されると、基板Ｗに付着した純水がＩＰＡに置換される。なお、撥水剤と水とが接触すると撥水剤の効力が落ちる。しかし、ＩＰＡ置換を行うことで、効力が落ちることを防止できる。
〔ステップＳ０５〕第１のＩＰＡ蒸気の供給（処理槽からの処理液の放出）
チャンバ３内は減圧された状態である。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給は継続される。このような状態において、ＱＤＲ弁１４を開いて、処理槽２内からチャンバ３内の底面に純水を急速放出する。その後、処理槽２内が空になった後、ＱＤＲ弁１４は、閉じられる。
〔ステップＳ０６〕撥水剤蒸気の供給
排気ポンプ４７を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内の気体が排気される。これにより、チャンバ３内が減圧される。また、開閉弁Ｖ５を閉じて、溶剤蒸気ノズル２７からの溶剤蒸気の供給を停止する。更に、開閉弁Ｖ６を開いて、撥水剤蒸気ノズル２９からチャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する。この際、基板Ｗは、リフタ４によって、２本の撥水剤蒸気ノズル２９の間を上下動される。これにより、基板Ｗ全体に均一に撥水剤蒸気を供給する。これにより、基板Ｗに付着したＩＰＡを撥水剤に置換する。撥水剤により、基板Ｗの表面は、改質される。
〔ステップＳ０７〕第２のＩＰＡ蒸気の供給
排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。開閉弁Ｖ６を閉じて、撥水剤蒸気ノズル２９からの撥水剤蒸気の供給を停止する。また、開閉弁Ｖ５を開いて、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気を供給する。ＩＰＡ蒸気の供給（ＩＰＡ蒸気によるリンス）は、ステップＳ０７（本ステップ）からステップＳ１１まで行われる。これにより、チャンバ３内の雰囲気が撥水剤蒸気からＩＰＡ蒸気に置換される。更に、基板ＷがＩＰＡ蒸気に曝されると、基板Ｗに液化したＩＰＡが付着する。これにより、基板Ｗの表面に付着した撥水剤がＩＰＡに置換されながら、撥水剤由来のパーティクル、および有機物が基板ＷからＩＰＡにより洗い流される。撥水剤由来のパーティクル（異物）は、例えば、水分と撥水剤が直接接触されることで発生する。
〔ステップＳ０８〕第２のＩＰＡ蒸気の供給と、チャンバ外への処理液の排出
排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給が継続される。このような状態において、チャンバ洗浄のために、チャンバ３の底部に貯留する純水をチャンバ３の外部に排出する。
具体的に説明する。図１において、例えば、排液タンク５３内の圧力値Ｐ２がチャンバ３内の圧力値Ｐ１よりも高い場合に開閉弁Ｖ８を開くと、排液タンク５３からチャンバ３に向かう逆向きの流れが生じる。そのため、チャンバ３内の純水を排液タンク５３に排出することができない。そこで、まず、３つの開閉弁Ｖ８，Ｖ１１，１２が閉じた状態において、開閉弁Ｖ９を開けると共に、排気ポンプ５７を作動して、排液タンク５３内を排気する。
チャンバ３内の圧力値Ｐ１は、圧力センサＰＳ１により測定される。また、排液タンク５３内の圧力値Ｐ２は、圧力センサＰＳ２により測定される。排気ポンプ５７は、排液タンク５３内の圧力値Ｐ２がチャンバ３内の圧力値Ｐ１よりも低くなるように、排液タンク５３内を排気する。排液タンク５３内の圧力値Ｐ２がチャンバ３内の圧力値Ｐ１よりも低くなった後に、開閉弁Ｖ８を開くことで、チャンバ３内の純水を排液タンク５３に排出することができる。
なお、チャンバ３内の圧力値Ｐ１は、排気ポンプ４７が排気の流量を制御することで行ってもよい。また、チャンバ３内の圧力値Ｐ１は、開閉弁Ｖ７が排気管４５を通過する気体の流量を制御することで行ってもよい。また、排液タンク５３の圧力値Ｐ２は、排気ポンプ５７が排気の流量を制御することで行ってもよい。また、排液タンク５３の圧力値Ｐ２は、開閉弁Ｖ９が排気管５５を通過する気体の流量を制御することで行ってもよい。
〔ステップＳ０９〕第２のＩＰＡ蒸気の供給と、チャンバ外への処理液の排出の停止
排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給が継続される。チャンバ３内が空になると、開閉弁Ｖ８を閉じる。
〔ステップＳ１０〕第２のＩＰＡ蒸気の供給と、チャンバ内の洗浄処理
制御部８１は、排気ポンプ４７によりチャンバ３を減圧した状態で、洗浄液ノズル１６からチャンバ３内に純水（洗浄液）を供給し、チャンバ３に貯留された純水に処理槽２を浸漬させることで処理槽２の外壁を含むチャンバ３内を洗浄する。
具体的に説明する。排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給が継続される。このような状態において、開閉弁Ｖ３を開くことで、洗浄液ノズル１６からチャンバ３内に純水（洗浄液）を供給する。液面センサＬＳが排気口４３よりも少し下の高さに純水の液面が到達したことを検出すると、開閉弁Ｖ３を閉じることで、洗浄液ノズル１６からの純水の供給を停止する。
予め設定された期間、処理槽２の外壁を浸漬させる。チャンバ３内の下部に貯留された純水により、チャンバ３内の下部（処理槽２の外側面２Ａおよび下面２Ｂ、並びにチャンバ３の内側面３Ａ）を洗浄することができる。
ここで、洗浄液ノズル１６により、チャンバ３に純水（洗浄液）を直接供給することの効果を説明する。チャンバ３内の下部に純水（洗浄液）を供給するために、噴出管５から処理槽２に純水を供給しながら、処理槽２から溢れた純水をチャンバ３の下部に送る方法がある。この場合、図４（ａ）に示すように、大気圧よりも低い減圧下において、処理槽２に貯留される純水から生じたミストが基板Ｗに付着しやすい。ミストが基板Ｗに付着すると、ミストの水分が撥水剤と直接接触することにより、撥水剤の効力を低下させ、また、パーティクル（異物）を発生させるおそれがある。そのため、基板Ｗにミストが付着することは好ましくない。
そこで、チャンバ３の底部に洗浄液ノズル１６を設けている。これにより、チャンバ３に純水を貯留させても、純水の水面から基板Ｗまで比較的離れているので、ミストが生じても、ミストが基板Ｗに付着することを抑制できる（図４（ｂ）参照）。また、シールド板６３により、ミストがチャンバ３の上部に移動すること妨げる。また、チャンバ３内は、排気ポンプ４７により排気されている。そのため、ミストが排気口４３から排気される。また、チャンバ３の上部では、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気が供給されており、排気ポンプ４７により排気されている。そのため、シールド板６３の隙間Ｇ１，Ｇ２に下向きの気流が生じ、ミストがチャンバ３の上部に移動することを妨げることができる。
〔ステップＳ１１〕第２のＩＰＡ蒸気の供給と、チャンバ外への洗浄液の排出
制御部８１は、排気ポンプ４７によりチャンバ３を減圧した状態で、チャンバ３の底壁に設けられた排出口４９から純水（洗浄液）を排出する排出処理を行う。すなわち、排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気が継続される。また、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給が継続される。このような状態において、開閉弁Ｖ８を開いて、チャンバ３内の純水を排液タンク５３に排出する。この際、排気ポンプ５７により、排液タンク５３内の圧力値Ｐ２は、チャンバ３内の圧力値Ｐ１よりも低くなっている。チャンバ３内が空になると、開閉弁Ｖ８は閉じられる。
また、２つのステップＳ１０，Ｓ１１は、予め設定された回数（１回または２回以上）繰り返されてもよい。すなわち、ステップＳ１０とステップＳ１１が交互に行われる。なお、ステップＳ１０，Ｓ１１は各々、１回のみ行い、ステップＳ１０，Ｓ１１は繰り返して行われなくてもよい。
〔ステップＳ１２〕処理槽の洗浄（窒素ガス供給）
排気ポンプ４７を停止させると共に、開閉弁Ｖ７を閉じる。また、開閉弁Ｖ５を閉じて、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する。更に、開閉弁Ｖ４を開いて、不活性ガスノズル２５から窒素ガスを供給する。これにより、チャンバ３内を減圧状態から大気圧に戻す。
〔ステップＳ１３〕処理槽の洗浄（洗浄液の供給）
不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給が継続される。このような状態において、開閉弁Ｖ１を開いて、噴出管５から処理槽２内に洗浄液として純水を供給する。処理槽２に貯留された純水によって、処理槽２内が洗浄される。なお、処理槽２内に純水を貯留させる際に、噴出管５から処理槽２内に供給された純水を、処理槽２から溢れさせてもよい。
〔ステップＳ１４〕処理槽の洗浄（洗浄液の排出）
不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給が継続される。このような状態において、ＱＤＲ弁１４を開いて、処理槽２内からチャンバ３内の底面に純水を急速放出する。また、開閉弁Ｖ８を開いて、チャンバ３内の底部に貯留する純水（洗浄液）を排液タンク５３に排出する。処理槽２内が空になった後、ＱＤＲ弁１４は閉じられる。また、チャンバ３内が空になった後、開閉弁Ｖ８は閉じられる。
〔ステップＳ１５〕第２の浸漬処理
不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給が継続される。このような状態において、開閉弁Ｖ２を開いて、噴出管５から処理槽２内に希釈ＩＰＡ液が供給される。処理槽２に予め設定された量の希釈ＩＰＡ液が貯留されると、リフタ４は、乾燥位置Ｈ２から処理位置Ｈ３に基板Ｗを下降させることで、予め設定された期間、処理槽の希釈ＩＰＡ液に基板Ｗを浸漬させる。これにより、基板Ｗを更に洗浄する。希釈ＩＰＡ液の供給後は、開閉弁Ｖ２を閉じる。
〔ステップＳ１６〕第３のＩＰＡ蒸気の供給（乾燥処理）
排気ポンプ４７を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内の気体が排気される。これにより、チャンバ３内が減圧される。また、開閉弁Ｖ５を開いて、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気を供給する。そして、チャンバ３内がＩＰＡ蒸気の雰囲気になった後、リフタ４は、処理槽２の希釈ＩＰＡ液から基板Ｗを取り出しながら、処理位置Ｈ３から乾燥位置Ｈ２に基板Ｗを上昇させる。これにより、基板Ｗに付着した希釈ＩＰＡ液がＩＰＡに置換される。
排気ポンプ４７等によるチャンバ３内の排気を継続させた状態で、開閉弁Ｖ５を閉じて溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する。ＩＰＡ蒸気の供給が停止され、かつ、チャンバ３内が減圧されていることで、基板Ｗに付着したＩＰＡが活発に揮発して基板Ｗが乾燥処理される。なお、図３の符号ＮＳに示すように、ＩＰＡ蒸気の供給が停止された後、不活性ガスノズル２５から窒素ガスを供給してもよい。
〔ステップＳ１７〕窒素の供給
排気ポンプ４７を停止させると共に、開閉弁Ｖ７を閉じる。また、開閉弁Ｖ４を開いて、不活性ガスノズル２５から窒素ガスを供給する。これにより、チャンバ３内を減圧状態から大気圧に戻す。
なお、チャンバ３内が汚染されている場合に、チャンバ３内が大気圧の状態で窒素ガスを供給すると、チャンバ３内の下部のパーティクルが巻き上げられて、シールド板６３が設けられているにも関わらず、隙間Ｇ１，Ｇ２を通過したパーティクルが基板Ｗに付着することがあった。チャンバ３の洗浄処理が行われることで、窒素ガスにより巻き上げられるパーティクルを低減させることができ、その結果、パーティクルが基板に付着することを防止できる。
〔ステップＳ１８〕チャンバからの基板の搬出
上部カバー２３が移動されてチャンバ３の上面開口が解放される。リフタ４は、保持部材４Ａで保持された基板Ｗを乾燥位置Ｈ２から待機位置Ｈ１に基板Ｗを上昇させる。待機位置Ｈ１に上昇された基板Ｗは、図示しない搬送ロボットにより、次の目的地に移動される。
なお、ステップＳ１０，Ｓ１１において、チャンバ３の洗浄処理と洗浄液の排出処理は、第２のＩＰＡ蒸気の供給処理と並行に行われていた。この点、ステップＳ０７～Ｓ１１の第２のＩＰＡ蒸気の供給処理の後に、ステップＳ１０，Ｓ１１のチャンバ３の洗浄処理と洗浄液の排出処理を行ってもよい。並列で行うことで、一連の基板処理を効率よく行うことができる。
すなわち、制御部８１は、溶剤蒸気ノズル２７から溶剤蒸気がチャンバ３内に供給されているときに（ステップＳ１０，Ｓ１１）、チャンバ洗浄処理を行う。溶剤蒸気をチャンバ３内に供給する処理と並行して、チャンバ洗浄処理を行うことができるので、効率的に基板Ｗを処理することができる。
本実施例によれば、洗浄液ノズル１６からチャンバ３内に洗浄液を供給し、チャンバ３に貯留された洗浄液に処理槽２を浸漬させることで、処理槽２の外壁を含むチャンバ３内を洗浄するチャンバ洗浄処理を行う。これにより、処理槽２の外壁（外側面２Ａと下面２Ｂ含む）だけでなくチャンバ３内の側壁および底壁に付着したパーティクルを洗浄することができる。そのため、チャンバ３内の下部のパーティクルが巻き上げられて基板Ｗに付着することを防止することができる。
また、基板処理装置１は、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気ノズル２９を更に備える。制御部８１は、浸漬処理（ステップＳ０１）を行った後に、基板Ｗを撥水性にするために、２本の撥水剤蒸気ノズル２９からチャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気供給処理を行う（ステップＳ０６）。制御部８１は、撥水剤蒸気供給処理を行った後にチャンバ洗浄処理を行う（ステップＳ１０）。
これにより、一連の基板処理（ステップＳ０１～Ｓ１８）の途中で、チャンバ３の洗浄処理を行うことができる。また、基板Ｗを撥水性にするための撥水剤蒸気供給処理（ステップＳ０６）は、撥水剤の由来のパーティクルを多く発生させる。このパーティクルがチャンバ３内の下部に蓄積される。そして、チャンバ３内の下部のパーティクルが巻き上げられ、そのパーティクルが基板Ｗに付着する問題がある。本実施例によれば、一連の基板処理の途中で、チャンバ３の洗浄処理を行うことができる。そのため、チャンバ３内の下部のパーティクル（撥水剤由来のパーティクルを含む）が巻き上げられて基板Ｗに付着することを防止することができる。
また、基板処理装置１は、チャンバ３内を排気する排気ポンプ４７を更に備える。洗浄液ノズル１６は、チャンバ３内の下部に設けられ、チャンバ３内に洗浄液を供給する。制御部８１は、排気ポンプ４７によりチャンバ３内を減圧した状態で、チャンバ洗浄処理を行う。
これにより、排気ポンプ４７でチャンバ３内を排気しながらチャンバ３が減圧された状態で、チャンバ３の洗浄処理を行うことができる。また、処理槽２に洗浄液を供給しながら処理槽２から洗浄液を溢れさせて、チャンバ３内に洗浄液を貯留させる場合があるとする。この場合、チャンバ３が減圧された状態において、処理槽２に貯留された洗浄液からミストが発生し易く、発生したミストが基板Ｗに付着し易くなる問題がある。例えば、ミストの水分が基板Ｗに付着した撥水剤に直接触れると、撥水剤の効力が低下してしまう可能性がある。また、水分が撥水剤に直接触れると、パーティクルが発生する場合がある。また、その他のパーティクル付着の原因になる場合がある。本実施例によれば、チャンバ３の下部に設けられた洗浄液ノズル１６からチャンバ３内に直接供給できるため、洗浄液を基板Ｗから離すことができる。そのため、発生したミストが基板に付着することを抑制できる。
また、排気ポンプ４７は、処理槽２の側方のチャンバ３の側壁に設けられた排気口４３を通じて、チャンバ３内を排気する。制御部８１は、排気ポンプ４７によりチャンバ３内を排気しながらチャンバ３内を減圧した状態で、チャンバ洗浄処理を行う。洗浄液からミストが発生しても、排気ポンプ４７により排気口４３からミストを排出できる。
また、基板処理装置１は、処理槽２の外側壁とチャンバ３の内側壁との間に設けられ、チャンバ３内の上部とチャンバ３内の下部との間で雰囲気を遮蔽するシールド板６３を備えている。シールド板６３は、処理槽２から溢れた処理液をチャンバ３内の下部に流通させる隙間（開口）Ｇ１，Ｇ２を有する。シールド板６３を備えることにより、チャンバ３に貯留した洗浄液からミストが生じても、チャンバ３の下部から上部にミストが向かうことを抑制することができる。また、巻き上げられるパーティクルがチャンバ３の下部から上部に向かうことを抑制することができる。
また、洗浄液ノズル１６は、チャンバ３内の底部であって、平面視で処理槽２と重なる位置に設けられている。これにより、処理槽２の陰に洗浄液ノズル１６を隠すことができる。また、チャンバ３上部の基板Ｗからより離すことができるので、ミストが発生しても、基板Ｗに付着することを抑制できる。
また、制御部８１は、排気ポンプ４７によりチャンバ３を減圧した状態で、チャンバ３に設けられた排出口４９から洗浄液を排出する排出処理を行う。制御部８１は、チャンバ洗浄処理（ステップＳ１０）と排出処理（ステップＳ１１）とを予め設定された回数繰り返す。チャンバ洗浄処理を繰り返すほど、チャンバ３内を良好に洗浄することができる。
また、基板処理装置１は、チャンバ３内に不活性ガスを供給する不活性ガスノズル２５を更に備える。制御部８１は、乾燥処理（ステップＳ１６）を行った後に、不活性ガスノズル２５からチャンバ３内に不活性ガスを供給することで、減圧状態のチャンバ３内を大気圧に戻す（ステップＳ１７）。チャンバ３の洗浄処理が行われるので、不活性ガスにより巻き上げられるパーティクルを低減することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。実施例１では、図２のステップＳ０１～Ｓ１８に示される一連の基板処理の途中で、第２のＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ０７～Ｓ１１）と並行して、チャンバ３内が減圧された状態で、チャンバ３の洗浄を行った。この点、実施例２では、処理槽２の洗浄（ステップＳ２８～Ｓ３１）と並行して、チャンバ３内が大気圧となっている状態で、チャンバ３の洗浄を行う。
図５は、実施例２に係る基板処理装置１の概略構成図である。図５に示す基板処理装置１は、図１に示す実施例１の基板処理装置１と異なり、チャンバ３の底部に設けられた洗浄液ノズル１６等が設けられていない。これ以外の構成は、実施例１の基板処理装置１と同じである。なお、噴出管５は、本発明の洗浄液ノズルに相当する。
（３）基板処理装置１の動作
次に、図６、図７を参照しつつ、基板処理装置１の動作を説明する。なお、図６に示すステップＳ２１～Ｓ２７，Ｓ３２～Ｓ３５は、図２に示す実施例１のステップＳ０１～Ｓ０７，Ｓ１５～Ｓ１８と同じなので、これらの詳細な説明は省略する。なお、ステップＳ２７では、ＩＰＡ蒸気の供給が十分に行われる。
リフタ４は、処理槽２内に貯留された純水に基板Ｗを浸漬させる（ステップＳ２１）。その後、上部カバー２３が閉じた状態で、不活性ガスノズル２５から窒素ガスを供給する（ステップＳ２２）。その後、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ２３）。その後、リフタ４は、処理槽２から基板Ｗを取り出し、ＩＰＡ蒸気の雰囲気に基板Ｗを曝す（ステップＳ２４）。その後、ＱＤＲ弁１４を開いて処理槽２内の純水をチャンバ３の下面に放出する（ステップＳ２５）。
その後、撥水剤蒸気ノズル２９から撥水剤蒸気を供給し、基板Ｗを撥水性にする（ステップＳ２６）。その後、溶剤蒸気ノズル２７からＩＰＡ蒸気を供給して、基板Ｗの表面に付着した撥水剤および撥水剤由来のパーティクル等をＩＰＡ蒸気により洗い流す（ステップＳ２７）。なお、ステップＳ２２，Ｓ２３，Ｓ２６，Ｓ２７は、排気ポンプ４７によりチャンバ３内が排気されて減圧される。また、ステップＳ２２～Ｓ２７において、チャンバ３内は減圧状態である。
〔ステップＳ２８〕処理槽の洗浄（窒素ガス供給）および処理液の排出
排気ポンプ４７を停止させると共に、開閉弁Ｖ７を閉じる。また、開閉弁Ｖ５を閉じて、溶剤蒸気ノズル２７からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する。更に、開閉弁Ｖ４を開いて、不活性ガスノズル２５から窒素ガスを供給する。これにより、チャンバ３内を減圧状態から大気圧に戻す。
チャンバ３内を大気圧に戻した後、開閉弁Ｖ８を開いてチャンバ３内に貯留される純水（処理液）を排液タンク５３に排出する。チャンバ３内に貯留された純水を全て排出すると、すなわち、チャンバ３内が空になったことを液面センサＬＳが検出すると、開閉弁Ｖ８を閉じる。
〔ステップＳ２９〕処理槽の洗浄（処理槽への洗浄液の供給）
その後、不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給が継続される。チャンバ３内は、大気圧の状態である。このような状態において、開閉弁Ｖ１を開いて、噴出管５から処理槽２内に洗浄液として純水を供給する。純水は処理槽２に貯留される。
〔ステップＳ３０〕処理槽の洗浄（チャンバへの洗浄液の供給、チャンバ内の洗浄）
その後、噴出管５から純水を供給しながら、処理槽２の開口２Ｃから溢れた純水をチャンバ３に貯留させる。なお、処理槽２の側方には、シールド板６３が設けられる。シールド板６３の隙間Ｇ１，Ｇ２は、処理槽２から溢れた純水をチャンバ３内の下部に流通させる。処理槽２の開口２Ｃの少し下、具体的には、シールド板６３の少し下の位置まで純水を貯留する。予め設定された液面高さになったことを液面センサＬＳが検出すると、開閉弁Ｖ１を閉じて噴出管５からの純水の供給を停止する。そして、処理槽２およびチャンバ３に純水が貯留された状態を予め設定された時間、保持する。
〔ステップＳ３１〕処理槽の洗浄（洗浄液の排出）
その後、不活性ガスノズル２５からの窒素ガスの供給が継続される。開閉弁Ｖ８を開いて、チャンバ３内に貯留された純水を排液タンク５３に排出する。更に、ＱＤＲ弁１４を開いて、処理槽２内からチャンバ３内の底面に純水を放出する。処理槽２内の純水も排出管５１を介して排液タンク５３に排出される。処理槽２内が空になった後、ＱＤＲ弁１４は閉じられる。また、チャンバ３内が空になった後、開閉弁Ｖ８は閉じられる。なお、処理槽２の清浄度を保つために、最初に、チャンバ３内の純水を排液タンク５３に排出し、その後、処理槽２内の純水を排液タンクに排出してもよい。
また、３つのステップＳ２９～Ｓ３１は、予め設定された回数（１回または２回以上）繰り返されてもよい。ステップＳ２９，３０の処理槽２およびチャンバ３の洗浄処理と、ステップＳ３１の排出処理とを予め設定された回数繰り返す。なお、ステップＳ２９～Ｓ３１は各々、１回のみ行い、ステップＳ２９～Ｓ３１は繰り返して行われなくてもよい。
その後、噴出管５から処理槽２内に希釈ＩＰＡ液を供給させ、処理槽２に貯留された希釈ＩＰＡ液に基板Ｗを浸漬させる（ステップＳ３２）。その後、溶剤蒸気ノズル２７から供給されたＩＰＡ蒸気を用いて、純水で処理された基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ３３）。その後、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻す（ステップＳ３４）。その後、基板Ｗをチャンバ３から取り出して、次の目的地に移動させる（ステップＳ３５）。
本実施例によれば、噴出管５は、処理槽２内の底部に設けられる。噴出管５は、処理槽２内に洗浄液を供給し、処理槽２を介してチャンバ３内に洗浄液を供給する。制御部８１は、チャンバ３内が大気圧である状態で、噴出管５から処理槽２内に洗浄液を供給すると共に、処理槽２から溢れた洗浄液をチャンバ３に貯留させ、更に、チャンバ３に貯留された洗浄液に処理槽２を浸漬させることで処理槽２の外壁を含むチャンバ３を洗浄するチャンバ洗浄処理を行う。これにより、チャンバ３内が大気圧である状態において、チャンバ３の洗浄処理を行うことができる。そのため、チャンバ３内の下部のパーティクルが巻き上げられて基板Ｗに付着することを防止することができる。また、処理槽２にも洗浄液が供給されるので、処理槽２の洗浄処理とチャンバ３の洗浄処理を並行して行うことができる。
なお、ステップＳ２９～Ｓ３１において、処理槽２への洗浄液の供給、チャンバ３への洗浄液の供給（チャンバ３の洗浄）および洗浄液の排出は、処理槽２の洗浄と並列で行っていた。この点、処理槽２の洗浄の前後に、チャンバ３への洗浄液の供給（チャンバ３の洗浄）等を行ってもよい。並列で行うことで、一連の基板処理を効率よく行うことができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。実施例１では、図２のステップＳ０１～Ｓ１８に示される一連の基板処理の途中で、チャンバ３の洗浄を行った。この点、実施例３では、連続する２つの一連の基板処理の間で、チャンバ３の洗浄を行う。
実施例３の基板処理装置１の構成は、図５に示す実施例２の基板処理装置１の構成と同じである。
（４）基板処理装置１の動作
次に、図８～図１０を参照しつつ、基板処理装置１の動作を説明する。図８は、実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。図９は、実施例３に係る基板処理装置の動作（一連の基板処理）を示すタイミングチャートである。図１０は、実施例３に係る基板処理装置の動作（チャンバ３の洗浄）を示すタイミングチャートである。
本実施例において、チャンバ３の洗浄処理は、所定の一連の基板処理（図９のステップＳ４１～Ｓ５４）と、次の一連の基板処理（図９のステップＳ４１～Ｓ５４）との間に行われる。また、チャンバ３の洗浄処理は、予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板Ｗに対して浸漬（ステップＳ４１）および乾燥処理（ステップＳ５２）を含む一連の基板処理（ステップＳ４１～Ｓ５４）を行うごとに行われる。
基板Ｗの処理は、ロット単位で行われる。例えば、基板Ｗを搬送するためのキャリアに収容される２５枚の基板Ｗは、１ロットとして扱われる。
図９に示す一連の基板処理において、図９に示すステップＳ４１～Ｓ５４は、図３に示す実施例１のステップＳ０１～Ｓ０７，Ｓ１３～Ｓ１８および、図７に示す実施例２のステップＳ２８と同じなので、これらの説明は省略する。なお、ステップＳ４７では、ＩＰＡ蒸気の供給が十分に行われる。
次に、本実施例のチャンバ３の洗浄処理を説明する。図８、図１０を参照する。制御部８１は、例えば、一連の基板処理を行った基板Ｗの枚数をカウントする。そして、所定（例えば５回目）の一連の基板処理を行ったときに、一連の基板処理を行った基板Ｗの枚数が予め設定された枚数以上になったとする。このとき、制御部８１は、その所定（５回目）の一連の基板処理と次（６回目）の一連の基板処理との間で、チャンバ３の洗浄処理を行う。なお、基板Ｗの枚数のカウント数はリセットされる（０枚になる）。ロット数の場合も同様である。すなわち、制御部８１は、一連の基板処理を行ったロット数をカウントする。そして、そして、所定（例えば５回目）の一連の基板処理を行ったときに、一連の基板処理を行ったロット数が予め設定されたロット数以上になったとする。このとき、制御部８１は、その所定（５回目）の一連の基板処理と次（６回目）の一連の基板処理との間で、チャンバ３の洗浄処理を行う。
〔ステップＳ６１〕洗浄の準備
チャンバ３内は、大気圧の状態になっている。なお、ステップＳ６１からステップＳ６５までの間は、チャンバ３内は大気圧の状態である。また、ステップＳ６１において、チャンバ３内は、処理液などが貯留されておらず空になった状態である。
〔ステップＳ６２〕洗浄液の供給
その後、ＱＤＲ弁１４および開閉弁Ｖ７，Ｖ８が閉じられた状態で、開閉弁Ｖ２を開いて、噴出管５から処理槽２に洗浄液として例えば希釈ＩＰＡ液を供給する。更に、処理槽２の開口２Ｃから希釈ＩＰＡ液を溢れさせて、処理槽２から溢れた希釈ＩＰＡをチャンバに貯留する。そして、チャンバ３内の希釈ＩＰＡが予め設定された液面高さになったことを液面センサＬＳが検出すると、開閉弁Ｖ２を閉じて希釈ＩＰＡ液の供給を停止する。その後、処理槽２およびチャンバ３に希釈ＩＰＡ液が貯留された状態を予め設定された時間、保持する。本実施例では、洗浄液として希釈ＩＰＡ液が供給されるが、この点、希釈Ｈ２Ｏ２液または純水であってもよい。
〔ステップＳ６３〕洗浄液の排出
その後、開閉弁Ｖ８を開いて、チャンバ３内に貯留された希釈ＩＰＡ液を排液タンク５３に排出する。更に、ＱＤＲ弁１４を開いて、処理槽２内からチャンバ３内の底面に希釈ＩＰＡ液を放出する。処理槽２内の希釈ＩＰＡ液も排出管５１を介して排液タンク５３に排出する。処理槽２内が空になった後、ＱＤＲ弁１４は閉じられる。また、チャンバ３内が空になった後、開閉弁Ｖ８は閉じられる。
これらのステップＳ６２，Ｓ６３は、予め設定された回数（１回または複数回）繰り返されてもよい。なお、必要により、ステップＳ６２，Ｓ６３を１回ずつ行い、ステップＳ６２，６３の繰り返しを行わなくてもよい。
〔ステップＳ６４〕リンス液の供給
ステップＳ６３の後、ＱＤＲ弁１４および開閉弁Ｖ７，Ｖ８が閉じられた状態で、開閉弁Ｖ１を開いて、噴出管５から処理槽２にリンス液として例えば純水を供給する。更に、処理槽２の開口２Ｃから純水を溢れさせて、処理槽２から溢れた純水をチャンバ３に貯留させる。そして、チャンバ３内の純水が予め設定された液面高さになったことを液面センサＬＳが検出すると、開閉弁Ｖ１を閉じて純水の供給を停止する。その後、処理槽２およびチャンバ３に純水が貯留された状態を予め設定された時間、保持する。
〔ステップＳ６５〕リンス液の排出
その後、開閉弁Ｖ８を開いて、チャンバ３内に貯留された純水を排液タンク５３に排出する。更に、ＱＤＲ弁１４を開いて、処理槽２内からチャンバ３内の底面に純水を放出する。処理槽２内の純水も排出管５１を介して排液タンク５３に排出する。処理槽２内が空になった後、ＱＤＲ弁１４は閉じられる。また、チャンバ３内が空になった後、開閉弁Ｖ８は閉じられる。
これらのステップＳ６４，Ｓ６５は、予め設定された回数（１回または複数回）繰り返されてもよい。なお、必要により、ステップＳ６４，Ｓ６５を１回ずつ行い、ステップステップＳ６４，Ｓ６５の繰り返しを行わなくてもよい。
ステップＳ６１～Ｓ６５のチャンバ３の洗浄処理を行った後、次の一連の基板処理（Ｓ４１～Ｓ５４）が行われる。
本実施例によれば、制御部８１は、予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板Ｗに対して浸漬および乾燥処理を含む一連の基板処理を行うごとに、連続する２つの一連の基板処理の間において、チャンバ洗浄処理を行う。予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板Ｗに対して一連の基板処理を行うごとに、連続する２つの一連の基板処理の間において、チャンバ３の洗浄処理を行うことができる。そのため、チャンバ３内の下部のパーティクルが巻き上げられて基板Ｗに付着することを防止することができる。
また、噴出管５は、処理槽２内の底部に設けられ、処理槽２内に洗浄液を供給する。制御部８１は、チャンバ３内が大気圧である状態で、噴出管５から処理槽２内に洗浄液を供給すると共に、処理槽２から溢れた洗浄液をチャンバ３に貯留させ、更に、チャンバ３に貯留された洗浄液に処理槽２を浸漬させることで、処理槽２の外壁を含むチャンバ３内を洗浄する。これにより、処理槽２およびチャンバ３を同時に洗浄することができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例３では、ステップＳ６２で噴出管５から洗浄液として希釈ＩＰＡ液を供給していた。洗浄液として純水を用いる場合、ステップＳ６４，Ｓ６５を省略してもよい。
（２）上述した実施例１，２では、連続する２つの一連の基板処理の間で、チャンバ３の洗浄処理を行っていない。この点、実施例１，２の各々において、一連の基板処理の途中にチャンバ３の洗浄処理を行うことに加えて、実施例３のように、連続する２つの一連の基板処理の間で、チャンバ３の洗浄処理を行ってもよい。
すなわち、図８、図１０において、一連の基板処理（ステップＳ４１～Ｓ５４）は、一連の基板処理（図２、図３に示すステップＳ０１～Ｓ１８）に置き換えられてもよい。また、一連の基板処理（ステップＳ４１～Ｓ５４）は、一連の基板処理（図６、図７に示すステップＳ２１～Ｓ３５）に置き換えられてもよい。
（３）上述した実施例２，３では、洗浄液は、噴出管５のみから供給された（図５参照）。この点、チャンバ３の底部には、図１に示す洗浄液ノズル１６が設けられてもよい。洗浄液（例えば純水）を供給する際、噴出管５および洗浄液ノズル１６から処理槽２およびチャンバ３に洗浄液をそれぞれ供給してもよい。これにより、洗浄液を供給する時間を短縮できる。
また、実施例３において、噴出管５および洗浄液ノズル１６から処理槽２およびチャンバ３にリンス液をそれぞれ供給してもよい。
（４）上述した実施例１および変形例（２）、（３）では、洗浄液ノズル１６は、遮るものがない状態で、チャンバ３内に洗浄液（例えば純水）が供給された。この点、図１１に示すように、洗浄液ノズル１６の上向きの吐出口１６Ａに対向するように、チャンバ３内の底部には、洗浄液ノズル１６を覆うノズルカバー７１が設けられてもよい。ノズルカバー７１は、チャンバ３内の底部に取り付けられていてよい。
ノズルカバー７１は、その下面が開口しており、箱状の部材である。ノズルカバー７１は、天井壁７１Ａと、天井壁７１Ａに接続する複数（例えば２枚または４枚）の側壁７１Ｂとを備える。天井壁７１Ａには、孔部７１Ｃが形成されていないが、側壁７１Ｂには、洗浄液を通す孔部７１Ｃが形成されている。側壁７１Ｂは、Ｙ方向に延びるように長手に形成される。孔部７１Ｃの面積は、吐出口１６Ａよりも大きい。
洗浄液ノズル１６の吐出口は例えば上向きであり、上向きに吐出された洗浄液は、天井壁７１Ａで遮蔽されるが、側壁７１Ｂの孔部７１Ｃからノズルカバー７１の外部に洗浄液が供給される。チャンバ３内が減圧されたときに、洗浄液ノズル１６は、ミストの発生源になりやすい。そのため、洗浄液ノズル１６の吐出口１６Ａにノズルカバー７１を対向させる。そのため、洗浄液ノズル１６付近でミストが発生しても、ノズルカバー７１で保持でき、ミストの拡散を抑えながらチャンバ３内に洗浄液を貯留させることができる。また、側壁７１Ｂの孔部７１Ｃから洗浄液が通されるので、洗浄液の流れの勢いを抑えることができる。
なお、チャンバ３の底面で流れを妨げないように、ノズルカバー７１と、チャンバ３の底面との間には、隙間Ｇ３が形成されていてもよい。
（５）上述した実施例１および各変形例（２）～（４）では、２本の洗浄液ノズル１６は各々、チャンバ３内の底部であって、平面視で処理槽２と重なる位置に設けられていた。この点、２本の洗浄液ノズル１６は各々、図１２に示すように、チャンバ３の下部の隅に設けられてもよい。隅に設けられた洗浄液ノズル１６は、横方向に向いて吐出口が形成されてもよい。そのため、洗浄液ノズル１６から横向きに洗浄液が吐出される。
（６）上述した実施例１および各変形例（２）～（４）では、２本の洗浄液ノズル１６は各々、チャンバ３の底部またはチャンバ３内の底面に設けられた。この点、図１３に示すように、２本の洗浄液ノズル１６は各々、チャンバ３内の底面から離れて設けられてもよい。また、２本の洗浄液ノズル１６は各々、シールド板６３よりも下位置であって、チャンバ３内の底面よりも上位置のチャンバ３の内側壁に設けられてもよい。すなわち、２本の洗浄液ノズル１６は各々、チャンバ３内の下部に設けられてもよい。
また、制御部８１は、排気ポンプによりチャンバ３を減圧した状態で、処理槽３の外壁に洗浄液を当てながら洗浄液ノズル１６からチャンバ３内に洗浄液を供給してもよい。チャンバ３内の底面に液が流れるので、チャンバ３内の底面には、パーティクルが比較的蓄積しにくい。しかし、例えば処理槽２の外壁は、浮遊したパーティクルが付着しても液が流れにくい部分であるので、パーティクルが蓄積される。その部分に洗浄液を当てながらチャンバ３内に洗浄液を貯留させるので、処理槽２の外壁に付着したパーティクルを除去しやすい。
（７）上述した各実施例および各変形例では、基板処理装置１は、２つの排気ポンプ４７，５７を備えていた。この点、基板処理装置１は、例えば排気ポンプ５７を備えなくてもよい。すなわち、排気ポンプ４７は、排気管４５を介してチャンバ３内を排気すると共に排気管５５を介して排液タンク５３内を排気してもよい。
例えば開閉弁Ｖ７は、排気管４５を通過する気体の流量を制御できるように構成されている。また、開閉弁Ｖ９は、排気管５５を通過する気体の流量を制御できるように構成されている。そして、制御部８１は、２つの開閉弁Ｖ７，Ｖ９を操作することにより、２つの排気管４５，５５を通過する気体の流量を制御する。これにより、排液タンク５３内の圧力値Ｐ２をチャンバ３内の圧力値Ｐ１よりも小さくする。
（８）上述した各実施例および各変形例では、チャンバ３内の下部のパーティクルの巻き上げは、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻すときに生じると説明した（ステップＳ１７，Ｓ３４，Ｓ５３）。この点、例えば、ステップＳ１２，Ｓ２８，Ｓ４８などでもパーティクルの巻き上げが生じる可能性がある。
（９）上述した各実施例および各変形例では、例えば図２に示すステップＳ０６において、撥水剤の蒸気を供給して基板Ｗを撥水性にした。この点、基板Ｗを撥水性にする必要がない場合は、撥水剤の蒸気を供給するステップＳ０６およびこれに関連するステップを省略してもよい。図６のステップＳ２６および図９のステップＳ４６も同様である。
１ … 基板処理装置
２ … 処理槽
３ … チャンバ
５ … 噴出管
１４ … ＱＤＲ弁
１６ … 洗浄液ノズル
２５ … 不活性ガスノズル
２７ … 溶剤蒸気ノズル
２９ … 撥水剤蒸気ノズル
４３ … 排気口
４７ … 排気ポンプ
６３ … シールド板
Ｇ１，Ｇ２ … 隙間

Claims (16)

  1. 処理液を貯留する処理槽と、
    前記処理槽を囲うチャンバと、
    前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気ノズルと、
    前記チャンバ内に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、予め設定された期間、前記処理槽に貯留された前記処理液に基板を浸漬させる浸漬処理を行い、前記溶剤蒸気ノズルから供給された前記溶剤蒸気を用いて、前記処理液で処理されて前記処理槽から引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥処理を行い、
    前記制御部は、前記洗浄液ノズルから前記チャンバ内に前記洗浄液を供給し、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで、前記処理槽の外壁を含む前記チャンバ内を洗浄するチャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記浸漬処理を行った後に前記チャンバ洗浄処理を行い、
    前記制御部は、前記チャンバ洗浄処理を行った後に前記乾燥処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気ノズルを更に備え、
    前記制御部は、前記浸漬処理を行った後に、前記基板を撥水性にするために、前記撥水剤蒸気ノズルから前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気供給処理を行い、
    前記制御部は、前記撥水剤蒸気供給処理を行った後に前記チャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記チャンバ内を排気する排気ポンプを更に備え、
    前記洗浄液ノズルは、前記チャンバ内の下部に設けられ、前記チャンバ内に前記洗浄液を供給し、
    前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバ内を減圧した状態で、前記チャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記排気ポンプは、前記処理槽の側方の前記チャンバの側壁に設けられた排気口を通じて、前記チャンバ内を排気し、
    前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバ内を排気しながら前記チャンバ内を減圧した状態で、前記チャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記処理槽の外側壁と前記チャンバの内側壁との間に設けられ、前記チャンバ内の上部と前記チャンバ内の下部との間で雰囲気を遮蔽するシールド板であって、前記処理槽から溢れた処理液を前記チャンバ内の下部に流通させる開口を有する前記シールド板を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄液ノズルは、前記チャンバ内の底部であって、平面視で前記処理槽と重なる位置に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記溶剤蒸気ノズルから前記溶剤蒸気が前記チャンバ内に供給されているときに、前記チャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバを減圧した状態で、前記チャンバに設けられた排出口から前記洗浄液を排出する排出処理を行い、
    前記制御部は、前記チャンバ洗浄処理と前記排出処理とを予め設定された回数繰り返すことを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガスノズルを更に備え、
    前記制御部は、前記乾燥処理を行った後に、前記不活性ガスノズルから前記チャンバ内に不活性ガスを供給することで、減圧状態の前記チャンバ内を大気圧に戻すことを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄液ノズルは、前記処理槽の外壁を向く姿勢で配置されており、
    前記制御部は、前記排気ポンプにより前記チャンバを減圧した状態で、前記処理槽の外壁に前記洗浄液を当てながら前記洗浄液ノズルから前記チャンバ内に前記洗浄液を供給することを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄液ノズルの上向きの吐出口に対向するように、前記チャンバ内の底部に設けられたノズルカバーを更に備え、
    前記ノズルカバーは、天井壁と、前記天井壁に接続すると共に前記洗浄液を通す孔部が形成された複数の側壁とを備えることを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記洗浄液ノズルは、前記処理槽内の底部に設けられ、前記処理槽内に前記洗浄液を供給し、
    前記制御部は、前記チャンバ内が大気圧である状態で、前記洗浄液ノズルから前記処理槽内に前記洗浄液を供給しながら前記処理槽から溢れた前記洗浄液を前記チャンバに貯留させ、更に、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで前記処理槽の外壁を含む前記チャンバを洗浄するチャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、予め設定された枚数または予め設定されたロット数の基板に対して前記浸漬処理および前記乾燥処理を含む一連の基板処理を行うごとに、連続する２つの前記一連の基板処理の間において、前記チャンバ洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄液ノズルは、前記処理槽内の底部に設けられ、前記処理槽内に前記洗浄液を供給し、
    前記制御部は、前記チャンバ内が大気圧である状態で、前記洗浄液ノズルから前記処理槽内に前記洗浄液を供給すると共に、前記処理槽から溢れた前記洗浄液を前記チャンバに貯留させることを特徴とする基板処理装置。
  16. 処理液を貯留する処理槽と、
    前記処理槽を囲うチャンバと、
    を備えた基板処理装置の基板処理方法において、
    予め設定された期間、前記処理槽に貯留された前記処理液に基板を浸漬させる浸漬工程と、
    溶剤蒸気ノズルから供給された溶剤蒸気を用いて、前記処理液で処理されて前記処理槽から引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程と、
    洗浄液ノズルから前記チャンバ内に洗浄液を供給し、前記チャンバに貯留された前記洗浄液に前記処理槽を浸漬させることで前記処理槽の外壁を含む前記チャンバを洗浄するチャンバ洗浄工程と、
    を備えていることを特徴とする基板処理方法。
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