JP3804932B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水による洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)の乾燥処理を行う基板処理技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピルアルコール(以下、「IPA」と称する)等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年においては、IPA蒸気を供給しつつ純水から基板を引き揚げる引き揚げ乾燥方式が主流になりつつある。
【0003】
従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置は、図9に示すように純水による洗浄処理を行う処理槽92を収容器90の内部に収容している。処理槽92における基板Wの洗浄処理終了後に、収容器90内に窒素ガスを供給しつつ基板Wを昇降機構93によって処理槽92から引き揚げてから、図9中矢印FI9に示すように、供給ノズル91からIPA蒸気を吐出する。これにより、収容器90内がIPA蒸気で満たされて、基板WにIPAが凝縮し、それが乾燥することにより、基板の乾燥処理が行われることとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置においては、収容器90内全体にIPA蒸気を供給することが必要であり、IPA蒸気が基板に効率良く供給されているとは言えず、IPAの消費量が多いという問題が発生していた。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、有機溶剤の消費量を削減できる基板処理技術を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、純水による基板の洗浄処理が終了した後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯留された純水を排水する排水工程と、有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶剤の気流域を形成する有機溶剤吐出手段と、前記排水手段により前記純水を排水しつつ、不活性ガスを前記処理槽内に流入させる不活性ガス流入手段と、前記不活性ガス流入手段による処理槽内への不活性ガスの流入後に、前記排水手段により排水された前記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる引き揚げ手段とを備え、前記引き揚げ手段によって基板を引き揚げる際に、基板が有機溶剤の気流域を通過する。
【0008】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記有機溶剤吐出手段は、前記処理槽の開口部の近傍に設けられ、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出する吐出部を有する。
【0009】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記有機溶剤の気流域は、前記引き揚げ手段によって基板が引き揚げられる経路の一部について形成される。
【0010】
また、請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気である。
【0011】
また、請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記引き揚げ手段は、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引き揚げる。
【0012】
また、請求項6の発明は、純水を貯留可能な処理槽と、前記処理槽を収容する収容器とを有する基板処理装置を利用する基板処理方法であって、前記処理槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理工程と、前記処理槽内で前記基板を保持しつつ前記処理槽に貯留された純水を排水する排水手段により前記純水を排水しつつ、不活性ガスを前記処理槽内に流入させる不活性ガス流入工程と、有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶剤の気流域を形成する有機溶剤吐出工程と、前記不活性ガス流入工程による処理槽内への不活性ガスの流入後に、前記排水手段により排水された前記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる引き揚げ工程とを備え、前記基板を引き揚げる際に、前記基板が有機溶剤の気流域を通過する。
【0014】
また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る基板処理方法において、前記有機溶剤吐出工程は、前記処理槽の開口部の近傍に設けられる吐出部から、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出する吐出工程を有する。
【0015】
また、請求項8の発明は、請求項6または請求項7の発明に係る基板処理方法において、前記有機溶剤吐出工程は、前記有機溶剤の気流域を、前記基板が引き揚げられる経路の一部について形成する工程を有する。
【0016】
また、請求項9の発明は、請求項6ないし請求項8のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気である。
【0017】
また、請求項10の発明は、請求項6ないし請求項9のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記引き揚げ工程では、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引き揚げる。
【0018】
【発明の実施の形態】
<基板処理装置の要部構成>
図1は、本発明の実施形態に係る基板処理装置1の正面図である。また、図2は、図1のII−II位置から見た断面図である。なお、図1および以下の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、XY平面を水平面としZ軸方向を鉛直方向とするXYZ直交座標系を適宜付している。
【0019】
この基板処理装置1は、純水による洗浄処理が終了した基板Wを、有機溶剤であるIPAにより乾燥させる装置であって、主として収容器10と、処理槽20と、昇降機構30と、第1供給ノズル40と、第2供給ノズル50とを備えている。
【0020】
処理槽20は、フッ酸等の薬液または純水(以下、これらを総称して「処理液」とする)を貯留して基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器10の内部に収容されている。処理槽20の底部近傍には処理液吐出ノズル(図示省略)が配置されており、図外の処理液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽20内に処理液を供給することができる。この処理液は処理槽20の底部から供給されてオーバーフロー面、すなわち処理槽20の開口部20pから溢れ出る。また、処理槽20では、後述する排液バルブ47(図3参照)の開放によって処理槽20内に貯留された処理液を排出することも可能である。
【0021】
収容器10は、その内部に処理槽20、昇降機構30、第1供給ノズル40、第2供給ノズル50等を収容する筐体である。収容器10の上部11は、概念的に図示されたスライド式開閉機構12によって開閉可能とされている(以下の図2〜図8は、この開閉機構12を図示省略)。収容器10の上部11を開放した状態では、その開放部分から基板Wの搬出入を行うことができる。一方、収容器10の上部11を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間とすることができる。
【0022】
昇降機構30は、処理槽20に貯留されている処理液に一組の複数の基板W(ロット)を浸漬させる機構である。昇降機構30は、リフター31と、リフターアーム32と、基板Wを保持する3本の保持棒33、34、35とを備えている。3本の保持棒33、34、35のそれぞれには基板Wの外縁部がはまり込んで基板Wを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてX方向に配列して設けられている。それぞれの保持溝は、切欠状の溝である。3本の保持棒33、34、35はリフターアーム32に固設され、リフターアーム32はリフター31によって鉛直方向(Z方向)に昇降可能に設けられている。
【0023】
このような構成により、昇降機構30は3本の保持棒33、34、35によってX方向に相互に平行に配列されて保持された複数の基板Wを処理槽20に貯留されている処理液に浸漬する位置(図1の実線位置)とその処理液から引き揚げた位置(図1の仮想線位置)との間で経路PTに沿って昇降させることができる。なお、リフター31には、リフターアーム32を昇降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリやベルトを用いたベルト機構など種々の公知の機構を採用することが可能である。また、昇降機構30を図1の仮想線位置に位置させるとともに、収容器10の上部11を開放することにより、装置外部の基板搬送ロボットと昇降機構30との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。
【0024】
また、処理槽20の外部には、開口部20pの近傍に2本の第1供給ノズル40が設けられている。2本の第1供給ノズル40は、昇降機構30によって引き揚げられつつある複数の基板Wの両側の側方のそれぞれに設けられている。第1供給ノズル40のそれぞれは、X方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、X方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔41を備えている。複数の吐出孔41のそれぞれは、吐出方向を、オーバーフロー面と平行に向けるように形成されている。そして、第1供給ノズル40のそれぞれは、複数の吐出孔41から水平方向(Y方向)に向けてIPA蒸気、または不活性ガスである窒素ガスを吐出し、処理槽20の上方に当該IPA蒸気、または窒素ガスの雰囲気を形成することができる。
【0025】
さらに、収容器10の内部であって処理槽20の上端よりも外側上方には2本の第2供給ノズル50が設けられている。2本の第2供給ノズル50は、それぞれ第1供給ノズル40の下方に設けられている。第2供給ノズル50のそれぞれは、X方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、X方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔51を備えている。複数の吐出孔51のそれぞれは、吐出方向を処理槽20の開口部20pに向けるように形成されている。そして、第2供給ノズル50のそれぞれは、複数の吐出孔51から処理槽20の開口部20pに向けて窒素ガスを吐出し、処理槽20内に当該窒素ガスを含む雰囲気を形成することができる。
【0026】
第1供給ノズル40および第2供給ノズル50には、収容器10外部の供給機構から、IPA蒸気や窒素ガス等を供給することができる。図3は、基板処理装置1の配管等の構成を示す模式図である。第1供給ノズル40は、IPA供給源42および窒素ガス供給源44と配管を介して接続されている。IPAバルブ43を開放することによって、IPA供給源42から第1供給ノズル40にIPA蒸気を供給することができる。第1供給ノズル40に供給されたIPA蒸気は、複数の吐出孔41のそれぞれから水平方向に、基板Wの主面に平行な流れを形成して吐出される。なお、このときキャリアガスとしては、窒素ガスが使用されている。
【0027】
また、窒素ガスバルブ46を開放することによって、窒素ガス供給源44から第1供給ノズル40に窒素ガスを供給することができる。第1供給ノズル40に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔41のそれぞれから水平方向に、基板Wの主面に平行な流れを形成して吐出される。
【0028】
すなわち、窒素ガスバルブ46を閉鎖してIPAバルブ43を開放すれば第1供給ノズル40から処理槽20のオーバフロー面と平行にIPA蒸気を供給することができ、逆にIPAバルブ43を閉鎖して窒素ガスバルブ46を開放すれば処理槽20のオーバーフロー面と平行に窒素ガスを供給することができる。
【0029】
第2供給ノズル50は、窒素ガス供給源44と配管を介して接続されている。窒素ガスバルブ45を開放することによって、窒素ガス供給源44から第2供給ノズル50に窒素ガスを供給することができる。第2供給ノズル50に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔51のそれぞれから処理槽20の開口部20pに向けて、基板Wの主面に平行な流れを形成して吐出される。
【0030】
また、処理槽20の底部と装置外の排液ラインとは配管を介して接続されており、その配管には排液バルブ47が介挿されている。この排液バルブ47を開放することによって、処理槽20内の処理液が排出されることとなる。
【0031】
収容器10内と装置外の排気ラインとは配管を介して接続されており、その配管には排気バルブ48と排気(減圧)ポンプ49が介挿されている。排気バルブ47を開放して排気ポンプ49を駆動させることによって、収容器10内の雰囲気が排気されることとなる。
【0032】
なお、図3に示すIPAバルブ43、窒素ガスバルブ45、46、排液バルブ47、排気バルブ48および排気ポンプ49は、いずれも制御部60によってその動作が制御される。この制御部60および排液バルブ47が排水手段として機能することとなる。
【0033】
<基板処理装置1における乾燥処理>
図4は、基板処理装置1における基板処理の動作を説明するフローチャートである。また、図5から図8は、基板処理装置1における処理の様子を説明する図である。以下では、基板処理装置1の処理手順について図4から図8を参照しつつ説明する。
【0034】
上記の基板処理装置1において基板Wに処理を行うときは、まず、昇降機構30が図外の基板搬送ロボットから複数の基板Wを受け取る。そして、収容器10が密閉されるとともに、昇降機構30がX方向に相互に間隔を隔てて一括保持した複数の基板Wを降下させ、基板Wを処理槽20内に搬入するための開口部20pから処理槽20に貯留された純水中に浸漬させる(ステップS1)。この段階においては、処理槽20に純水が供給され続けており、処理槽20の上端のオーバーフロー面からは純水が溢れ出し続けている。処理槽20から溢れ出した純水は、処理槽20の上端部外側に設けられた回収部によって回収され、装置外の排液ラインに排出される。
【0035】
ステップS2では、基板の洗浄処理を行う。ここでは、処理槽20に貯留された純水に複数の基板Wを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽20に薬液または純水を順次供給することによりエッチングや洗浄処理を予め定められた順序に従って進行させる(図5の状態)。この段階においても、処理槽20の上端から薬液または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は上記の回収部によって回収される。
【0036】
そして、図5の状態においては、図5中矢印FN41に示すように第1供給ノズル40から窒素ガスを水平方向に吐出するとともに、図5中矢印FN42に示すように第2供給ノズル50から窒素ガスを処理槽20の開口部20pに向けて吐出する。これにより、収容器10の内部が窒素雰囲気となり、窒素雰囲気下で基板Wの処理が進行することとなる。
【0037】
基板Wに対する表面処理が進行すると、やがて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽20に純水を貯留し、その純水中に複数の基板Wを浸漬することによって行われる。なお、最終の仕上洗浄処理の段階においても窒素ガスの供給が行われており、第1供給ノズル40および第2供給バルブ50から窒素ガスが吐出され、窒素雰囲気下にて仕上洗浄処理が行われる。
【0038】
ステップS3では、処理槽20に貯留された純水を排水する。すなわち、処理槽20内における基板Wの洗浄処理(ステップS2)が終了すると、図6に示すように、基板Wを処理槽20内に保持したまま、処理槽20内に貯留された純水を排水する。ここでも、図6中矢印FN51に示すように第1供給ノズル40から窒素ガスを水平方向に吐出するとともに、図6中矢印FN52に示すように第2供給バルブ50から窒素ガスを処理槽20の開口部20pに向けて吐出することによって処理槽20内に窒素ガスを流入させる。これにより、基板Wにおけるウォーターマークの発生を防止できることとなる。また、処理槽20内への窒素ガスの流入により、基板Wの表面全体が窒素で覆われる。
【0039】
上記のように処理槽20内で基板Wを保持した状態で排水する、すなわち処理槽20内の界面(水面)を低下させることで基板Wを収容器10内の雰囲気に露出させる場合には、純水から基板Wを引き揚げることで基板を露出させる場合に対して、引き揚げに伴う基板Wの揺れ(振動)が発生することがないため、界面付近で生じうる基板へのパーティクルの再付着を効果的に防止できる。特に、雰囲気への基板Wの露出速度を上げたい場合には、基板Wを保持して排水する方法が有効となる。
【0040】
ステップS4では、IPA蒸気の気流域ARを形成する。すなわち、処理槽20内の排水(ステップS3)が終了した後、吐出部として機能する第1供給ノズル40からIPA蒸気を処理槽20の上方で略水平方向に吐出し、IPA蒸気の気流域AR(図7の仮想線部)を形成する。このIPA蒸気の気流域ARは、第1供給ノズル40付近において吐出孔41の吐出方向に一定以上の流速を有するIPA蒸気のゾーンとなっている。なお、第2供給ノズル50からは、継続して窒素ガス流FN62を処理槽20内に供給する。
【0041】
ステップS6では、処理槽20から基板Wを引き揚げる。この際、引き揚げ手段として機能する昇降機構30を駆動し、相互に間隔を隔てた複数の基板をWを処理槽20から一括して引き揚げる。ここでは、図7に示すように、第1供給ノズル40により収容器10内の局所において形成された気流域ARを複数の基板Wが通過する。このように引き揚げ経路PT(図1参照)の一部について形成されるIPA蒸気の気流域ARにおいてIPA蒸気が基板Wに直接的に吹き付けられ、複数の基板Wが乾燥されることとなる。この場合、混合気体でなく単一の気体つまりIPAのみが窒素ガスにさらされていた基板Wに作用し、基板Wの表面全体がIPAで覆われることとなる。
【0042】
このように気流域ARを基板Wが通過することにより、基板WにIPA蒸気を効率よく供給できるため、IPA蒸気の消費量が削減できる。すなわち、収容器10内の一部のスペースにIPA蒸気を重点的に供給するため、収容器10内全体にIPA蒸気を供給する従来の方法に比べて、IPAの消費量を著しく減少できることとなる。
【0043】
基板WがIPA蒸気の気流域ARを通過すると、図8中矢印FN71に示すように第1供給ノズル40から窒素ガスを水平方向に吐出する。なお、第2供給ノズル50からは、窒素ガス流FN72を処理槽20内に供給する。そして、第1供給ノズル40および第2供給ノズル50から窒素ガスを収容器10内に供給しつつ、排気ポンプ49を駆動し、図8中矢印EXに示すようにIPA蒸気を収容器10外部に排気する。これにより、基板Wの乾燥が終了し、基板Wの乾燥に使用され残留する収容器10内のIPA蒸気の濃度を下げて除去できることとなる。
【0044】
その後、基板Wを昇降機構30によりさらに引き揚げ、基板Wが図1中の仮想線位置にまで到達した時点で、昇降機構30が停止し、基板Wの引き揚げが完了する。この時点においては、第1供給ノズル40および第2供給ノズル50からのガス供給が停止される。そして、基板Wが図1中の仮想線位置まで引き揚げられると、基板Wは基板搬送ロボットに渡されて一連の処理が終了する。
【0045】
以上の基板処理装置1の動作により、基板WをIPA蒸気の気流域ARを通過させるように引き揚げ、基板Wに対して直接的にIPA蒸気を供給するため、IPAの供給量を削減でき、乾燥効率が向上する。また、IPA蒸気の気流域ARを通過させつつ基板Wを乾燥させるので、より均一な乾燥が可能となる。
【0046】
<変形例>
上記の実施形態については、加熱された窒素ガスを供給するようにしても良い。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1ないし請求項10の発明によれば、排水された処理槽から洗浄処理が終了した基板を引き揚げる際に、基板が有機溶剤の気流域を通過するため、有機溶剤の消費量を削減できる。また、処理槽内で基板を保持しつつ純水を排水するため、基板に対するパーティクルの再付着を抑制できる。
【0048】
さらに、請求項1ないし請求項10の発明においては、有機溶剤の気流域を形成する前に、純水を排水しつつ処理槽内に不活性ガスを流入させるため、有機溶剤の蒸気による基板乾燥が適切に開始できる。
【0049】
また、請求項2および請求項7の発明においては、処理槽の開口部の近傍に設けられる吐出部から開口部に向けて有機溶剤の蒸気を吐出するため、基板に有機溶剤の蒸気を効率よく供給できる。
【0050】
また、請求項3および請求項8の発明においては、有機溶剤の気流域は基板が引き揚げられる経路の一部について形成されるため、基板に有機溶剤の蒸気を適切に供給できる。
【0051】
また、請求項4および請求項9の発明においては、有機溶剤の蒸気がイソプロピルアルコールの蒸気であるため、効率よく基板乾燥が行える。
【0052】
また、請求項5および請求項10の発明においては、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引き揚げるため、基板処理を効率よく行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置1の正面図である。
【図2】図1のII−II位置から見た断面図である。
【図3】基板処理装置1の配管等の構成を示す模式図である。
【図4】基板処理装置1における基板処理の動作を説明するフローチャートである。
【図5】基板処理装置1における処理の様子を説明する図である。
【図6】基板処理装置1における処理の様子を説明する図である。
【図7】基板処理装置1における処理の様子を説明する図である。
【図8】基板処理装置1における処理の様子を説明する図である。
【図9】従来例に係る基板乾燥処理の様子を説明する図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
10 収容器
20 処理槽
30 昇降機構
40 第1供給ノズル
50 第2供給ノズル
FN 窒素ガス流
FI IPA蒸気流
W 基板
Claims (10)
- 純水による基板の洗浄処理が終了した後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、
純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理槽と、
前記処理槽を収容する収容器と、
前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯留された純水を排水する排水手段と、
有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶剤の気流域を形成する有機溶剤吐出手段と、
前記排水手段により前記純水を排水しつつ、不活性ガスを前記処理槽内に流入させる不活性ガス流入手段と、
前記不活性ガス流入手段による処理槽内への不活性ガスの流入後に、前記排水手段により排水された前記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる引き揚げ手段と、
を備え、
前記引き揚げ手段によって基板を引き揚げる際に、基板が有機溶剤の気流域を通過することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記有機溶剤吐出手段は、
前記処理槽の開口部の近傍に設けられ、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出する吐出部、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記有機溶剤の気流域は、前記引き揚げ手段によって基板が引き揚げられる経路の一部について形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記引き揚げ手段は、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引き揚げることを特徴とする基板処理装置。 - 純水を貯留可能な処理槽と、前記処理槽を収容する収容器とを有する基板処理装置を利用する基板処理方法であって、
前記処理槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理工程と、
前記処理槽内で前記基板を保持しつつ前記処理槽に貯留された純水を排水する排水手段により前記純水を排水しつつ、不活性ガスを前記処理槽内に流入させる不活性ガス流入工程と、
有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶剤の気流域を形成する有機溶剤吐出工程と、
前記不活性ガス流入工程による処理槽内への不活性ガスの流入後に、前記排水手段により排水された前記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる引き揚げ工程と、
を備え、
前記基板を引き揚げる際に、前記基板が有機溶剤の気流域を通過することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項6に記載の基板処理方法において、
前記有機溶剤吐出工程は、
前記処理槽の開口部の近傍に設けられる吐出部から、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出する吐出工程、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項6または請求項7に記載の基板処理方法において、
前記有機溶剤吐出工程は、
前記有機溶剤の気流域を、前記基板が引き揚げられる経路の一部について形成する工程、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気であることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記引き揚げ工程では、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引き揚げることを特徴とする基板処理方法。
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