JP3946929B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）を処理液に浸漬して処理する基板処理装置において、基板を処理液から引き上げるに際して、基板保持用ガイドと基板との接触領域に残留する処理液を減少させることが可能な基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬して処理する基板処理装置が存在する。このような基板処理装置においては、フッ酸等の薬液および純水（以下、薬液および純水を総称して処理液とする）へのロット（バッチ処理を行うときの一組の複数の基板）の浸漬処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする一連の基板処理を達成している。
【０００３】
図１６は、処理槽１６１内に貯留された処理液Ｌに基板Ｗを浸漬させて処理する従来の基板処理装置の一例を示す図である。このような基板処理装置においては、基板保持用ガイド１６２により保持した状態の基板Ｗを所定の処理液Ｌに浸漬して処理を施した後、基板保持用ガイド１６２を処理槽に対して昇降させることにより、処理液Ｌから基板Ｗを引き上げる。ここにおいて、基板用ガイド１６２には、複数の基板Ｗを保持するための溝Ｇが設けられており、図１７の側断面図に示すように、この溝Ｇにおいて基板Ｗの端を挟むことにより基板Ｗを保持する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板Ｗを処理液Ｌから引き上げるにあたって、基板保持用ガイド１６２と基板Ｗとが接触する領域（接触領域）Ｒ０（図１７の破線で囲まれる領域）においては、処理液Ｌが残留してしまうという問題が存在する。そして、この接触領域Ｒ０における残留処理液は、様々な処理においてさらなる問題を発生させることになる。
【０００５】
たとえば、所定の処理液から引き上げた後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給して基板を乾燥させる処理を行う場合には、この残留処理液を完全に除去することが困難であり、また、その除去のためにはより多量のＩＰＡの供給が必要になるなどの二次的な問題を発生させることになるという問題がある。あるいは、処理槽内の貯留薬液により薬液処理を施した基板を当該薬液から引き上げた後に、当該基板に対して純水リンス処理を行う場合には、この残留処理液（薬液）が純水リンス処理に悪影響を及ぼすなどの問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板を処理液から引き上げるに際して、基板保持用ガイドと基板との接触領域に残留する処理液を減少させることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の基板処理装置は、基板を処理液に浸漬して処理する基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を前記処理槽に対して昇降させることにより前記基板の浸漬状態と非浸漬状態とを切り替えることが可能な昇降手段と、を備え、前記基板保持手段は、互いに独立に基板を保持することが可能な第１の基板保持用ガイドと第２の基板保持用ガイドとを有しており、前記第２の基板保持用ガイドの駆動により、前記第２の基板保持用ガイドと前記基板保持手段に固定された前記第１の基板保持用ガイドとの相互間の高さ方向の相対位置を変更することによって、前記第１の基板保持用ガイドが第１の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態と、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の接触領域よりも低い位置の第２の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態とを切り換えることが可能であり、前記処理液に浸漬された基板を前記昇降手段を用いて当該処理液から引き上げるにあたって、前記基板の前記第１の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の基板保持用ガイドに対して相対的に上昇して前記第２の基板保持用ガイドが前記基板を持ち上げることによって、前記第２の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して前記第１の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除し、前記基板の前記第２の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の基板保持用ガイドに対して相対的に下降することによって、前記第１の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して前記第２の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理液からの引き上げにあたって、前記気液界面上方において有機溶媒の蒸気を供給することにより基板を乾燥させることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．第１実施形態＞
＜Ａ１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示のように、この基板処理装置１は、未処理基板を収納しているカセットＣＳが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載置され内部から複数の基板（ロット）が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣＳから取り出された未処理基板が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、浸漬処理前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００１０】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。
【００１１】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣＳ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に設けられた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００１２】
基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留して薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽ＭＢを有する多機能処理部５６とを備える。なお、本明細書においては、基板に何らかの処理を行う薬液槽ＣＢ、水洗槽ＷＢ、多機能槽ＭＢを総称して処理用槽とする。
【００１３】
基板処理部５において、薬液処理部５２および水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リフターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板を搬送することが可能であるとともに、それら処理用槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理用槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。
【００１４】
また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＭＢ内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して多機能槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに多機能槽ＭＢから当該基板を搬出する役割を担っており、多機能槽ＭＢに対して基板を昇降させることによって当該基板を多機能槽ＭＢに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。なお、５２ａ、５６ａはリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けられた基板を支持するための基板受部を示す。
【００１５】
また、多機能処理部５６には、蓋５８が設けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省略）を有しており、当該駆動機構によって多機能槽ＭＢの上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５８は、多機能槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、多機能槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防止するとともに、多機能槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩するのを防ぐ役割を有している。
【００１６】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣＳ中に収納する。
【００１７】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００１８】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２よってロットを把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載したり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに基板を移載したりする。
【００１９】
＜Ａ２．処理用槽の構成＞
次に、基板処理装置１に設けられている処理用槽の構成について説明する。ここでは、処理用槽の一例として多機能処理部５６の多機能槽ＭＢについて説明する。図２は、多機能槽ＭＢの構成を示す図（側面図）である。多機能槽ＭＢは、主として処理槽６１、およびそれらに付随する注排液機構（処理液供給管６９ａ（図４）など）によって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液Ｌ中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。また、処理槽６１に供給される処理液Ｌは、処理槽６１の上方から溢れ出て（オーバーフローして）、図示しない回収部により回収されて排出される。したがって、このオーバーフロー処理の際の処理液Ｌの液面（気液界面）Ｆは、処理槽６１のオーバーフロー位置において一定に維持される。
【００２０】
また、複数の基板Ｗは、基板保持機構Ｈによって保持された状態で、処理槽６１に貯留される処理液Ｌに対して浸漬される。図３は、基板保持機構Ｈを表す斜視図である。基板保持機構Ｈは、第１の基板保持用ガイド（以下、「基板ガイド」とも称する）６２と第２の基板保持用ガイド（以下、「補助ガイド」とも称する）６３とを有している。ここでは、基板保持機構Ｈが４本の基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）と２本の補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）とを有する場合が示されている。
【００２１】
４本の基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄは、それぞれ、基板Ｗの配列方向に延びており、その一端（図３の手前側）は板状部材６８ａに接続されており、他端（図３の奥側）は板状部材６８ｂに接続されて固定されている。また、各基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄは、複数の基板Ｗを保持するための複数の溝Ｇを有しており、４本の基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄのみによって、基板Ｗを起立姿勢で保持することが可能である。
【００２２】
また、補助ガイド６３ａ，６３ｂも、それぞれ、基板Ｗの配列方向に延びており、複数の基板Ｗを保持するための複数の溝Ｇを有している。したがって、２本の補助ガイド６３ａ，６３ｂのみによって、基板Ｗを起立姿勢で保持することが可能である。このように、基板ガイド６２および補助ガイド６３は、それぞれ、互いに独立に基板を保持することが可能である。
【００２３】
さらに、補助ガイド６３ａ，６３ｂは、それぞれ、連結棒６４を介して棒状部材６５（６５ａ，６５ｂ）に接続されて固定されている。また、棒状部材６５は、板状部材６８ａ，６８ｂに設けられた軸受部に嵌挿されており、軸ＡＸ１を中心に回転することが可能である。また、図２に示すように、棒状部材６５は、板状部材６８ｂを貫通しており、連結棒６６ａ（図４も参照）の一端に対して接続されている。また、連結棒６６ａの他端は凸部６６ｂを有しており、この凸部６６ｂは、背板６７に設けられた所定形状の溝部（凹部）６７ｂ（図４）に対して挿入されている。
【００２４】
また、板状部材６８ｂは天板６８ｄを介して昇降軸６８ｃに接続されており、昇降軸６８ｃはギアおよびモータなどの駆動機構により図の矢印ＡＺ１の向きに移動する。したがって、昇降軸６８ｃの昇降に伴って、板状部材６８ａ，６８ｂ、基板ガイド６２、補助ガイド６３などを有する基板保持機構Ｈが一体的に昇降することになる。この昇降動作に伴って、基板保持機構Ｈによって保持された複数の基板Ｗは、その浸漬状態と非浸漬状態とを切り替えることができる。
【００２５】
図４は、多機能槽ＭＢの構成を示す正面図である。図４に示すように、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）、連結棒６４、棒状部材６５、および連結棒６６ａは、互いに固定されており、これらは一体となって軸ＡＸ１を中心に回転することができる。また、背板６７には、左右に対称形状の２つの溝部（凹部）６７ｂが設けられており、この２つの凹部６７ｂの間隔は、その一部において広くなっている構成を有している。したがって、後述するように、基板保持機構Ｈの上昇に伴って、連結棒６６ａの凸部６６ｂがこの凹部６７ｂの形状に従って案内されて上方向に移動し、２つの凹部６７ｂの間隔が比較的広くなっている部分に到達すると、連結棒６６ａが図４の矢印ＡＲ１の向きに移動し、これに伴い補助ガイド６３ａ，６３ｂは図４の矢印ＡＲ２の向きに移動する。このとき、補助ガイド６３ａ，６３ｂが上昇して、基板Ｗは補助ガイド６３ａ，６３ｂのみによって保持される。また、再び、２つの凹部６７ｂの間隔が比較的狭くなっている部分に到達すると、連結棒６６ａが矢印ＡＲ１の逆向きに移動し、これに伴い補助ガイド６３ａ，６３ｂは矢印ＡＲ２の逆向きに移動する。このとき、補助ガイド６３ａ，６３ｂが下降して、基板Ｗは基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄのみによって保持される。
【００２６】
このように、昇降軸６８ｃの昇降動作と連結棒６６ａの揺動動作とを組み合わせることにより、基板ガイド６２と補助ガイド６３との相互間の高さ方向（鉛直方向）における相対位置を変更することが可能である。
【００２７】
図５は、基板ガイド６２および補助ガイド６３と基板Ｗとの位置関係を示す図である。図５においては、基板Ｗが基板ガイド６２によって保持されている場合が示されている。
【００２８】
図５に示すように、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）は、第１の接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４）において基板Ｗに接触することにより基板Ｗを保持している。また、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）は、図５においては基板Ｗとは接触していないものとして示されているが、上述した動作により、第２の接触領域Ｒ２（Ｒ２１，Ｒ２２）において基板Ｗに接触することにより基板Ｗを保持することが可能である。ここで、接触領域Ｒ２は、接触領域Ｒ１よりも下方に存在する。言い換えれば、接触領域Ｒ１の高さ方向（鉛直方向（Ｚ方向））における位置は、接触領域Ｒ２の高さ方向の位置よりも低くなっている。
【００２９】
このように、基板保持機構Ｈにおいては、基板ガイド６２と補助ガイド６３との相互間の高さ方向の相対位置を変更することにより、基板ガイド６２が第１の接触領域Ｒ１において基板Ｗに接触することにより基板Ｗを保持する状態と、補助ガイド６３が第１の接触領域Ｒ１よりも低い位置の第２の接触領域Ｒ２において基板Ｗに接触することにより基板Ｗを保持する状態とを切り換えることが可能である。
【００３０】
＜Ａ３．基板の引き上げ動作＞
つぎに、基板Ｗの引き上げ動作について説明する。ここでは、処理槽６１において純水によるリンス処理を行った後、基板保持機構Ｈを用いて、処理液Ｌ（純水）に浸漬された基板Ｗを処理液Ｌから引き上げるに際して、図４のＩＰＡ供給管６９ｂを用いてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気の状態で供給することにより、基板Ｗの表面を乾燥させる処理を行う場合について説明する。このＩＰＡの供給は、処理液Ｌの液面（気液界面）Ｆ（図４）の上方に引き上げられた基板Ｗの表面に対して行われ、好ましくは液面（気液界面）Ｆの直上付近において行われる。
【００３１】
図６は、前工程の純水リンス処理の終了時点の状態を示す概念図である。この状態においては、基板Ｗは、基板保持機構Ｈの４本の基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによって保持されている。この状態から上記の昇降機構を用いて基板保持機構Ｈを上昇させる動作を開始する。この上昇動作は、ＩＰＡ供給管６９ｂ（図４）からのＩＰＡの供給を伴いつつ行われる。
【００３２】
図７は、基板保持機構Ｈの上昇に伴って、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによって保持された基板Ｗが所定の位置にまで到達した状態を示す図であり、連結棒６６ａの凸部６６ｂは、凹部６７ｂの屈曲部Ｂ１に到達している。ただし、この状態においては、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによる基板Ｗとの接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４）は、未だ、いずれも気液界面Ｆの下方位置に存在する。
【００３３】
そして、基板保持機構Ｈがさらに上昇を続けると、この上昇動作に伴って、連結棒６６ａの凸部６６ｂは屈曲部Ｂ１に沿って移動するため、連結棒６６ａは軸ＡＸ１を中心に揺動運動をして矢印ＡＲ１の向きに移動する。これに伴い、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）は、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）に対して相対的に上方（矢印ＡＲ２の向き）に移動し、基板Ｗはこれらの補助ガイド６３ａ，６３ｂによって保持される。この際、この補助ガイド６３ａ，６３ｂは、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによって保持されていた基板Ｗを持ち上げることによって基板Ｗを保持する。
【００３４】
図８は、このような状態（すなわち補助ガイド６３による保持状態）を示す図である。基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによる基板保持状態が解除され（言い換えれば、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと基板Ｗとの接触状態が解除され）、基板Ｗは、これらの補助ガイド６３ａ，６３ｂによってのみ保持されている。
【００３５】
このような保持状態に移行した後、基板保持機構Ｈのさらなる上昇動作に伴って、基板Ｗと基板ガイド６２ａ，６２ｂとの接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２）が気液界面Ｆを通過する。図９は、図８における気液界面Ｆ付近の拡大図である。図９に示すように、基板ガイド６２ａ，６２ｂと基板Ｗとの接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２）が気液界面Ｆを通過する際においては、各基板ガイド６２ａ，６２ｂは、基板Ｗに接触していない（図１０も参照）。したがって、図１０の断面図に示すように、基板ガイド６２と基板Ｗとが接触する部分（溝Ｇ）に処理液が残留することを防止できる。
【００３６】
引き続き基板保持機構Ｈによる上昇動作が進行し、基板Ｗにおける基板ガイド６２ｃ，６２ｄとの接触領域が気液界面Ｆを通過する。図１１および図１２は、基板Ｗと基板ガイド６２ｃ，６２ｄとの接触領域が気液界面Ｆを通過する場合を示す図である。図１１に示されるように、この際、基板Ｗは、引き続き、補助ガイド６３ｃ，６３ｄのみによって保持される。すなわち、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによる基板保持状態が解除された状態（言い換えれば、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと基板Ｗとの接触状態が解除された状態）で、これらの補助ガイド６３ａ，６３ｂのみによって保持されている。図１２は、図１１における気液界面Ｆ付近の拡大図である。図１２に示すように、基板ガイド６２ｃ，６２ｄと基板Ｗとの接触領域Ｒ１（Ｒ１３，Ｒ１４）が気液界面Ｆを通過する際においても、各基板ガイド６２ｃ，６２ｄは、基板Ｗに接触していない。したがって、上述したように、基板ガイド６２と基板Ｗとが接触する部分（溝Ｇ）に処理液が残留することを防止できる（図１０参照）。
【００３７】
このようにして、気液界面Ｆが基板Ｗの接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４）を通過した後、さらに基板保持機構Ｈが上昇すると、今度は、連結棒６６ａの凸部６６ｂが、凹部６７ｂの屈曲部Ｂ２（図１３参照）に到達する。
【００３８】
そして、基板保持機構Ｈがさらに上昇を続けると、図１３に示すように、この上昇動作に伴って、連結棒６６ａの凸部６６ｂは、屈曲部Ｂ２に沿って移動するため、連結棒６６ａは軸ＡＸ１を中心に揺動運動をして、矢印ＡＲ３の向き（矢印ＡＲ１の逆向き）に移動する。また、これに伴い、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）は、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）に対して相対的に下方（矢印ＡＲ４の向き）に移動し、これらの補助ガイド６３ａ，６３ｂによる基板Ｗの保持状態が解除され、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）による基板Ｗの保持状態へと移行する。
【００３９】
図１４は、このような保持状態を示す拡大図である。この際、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）の基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）に対する相対的な下降動作に応じて、補助ガイド６３ａ，６３ｂによって持ち上げられていた基板Ｗが所定距離だけ下降する。これに伴い、基板Ｗは、再び、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによって保持された後、さらに補助ガイド６３ａ，６３ｂが下降することにより、補助ガイド６３ａ，６３ｂによる基板保持状態が解除（言い換えれば、補助ガイド６３ａ，６３ｂと基板Ｗとの接触状態が解除）される。すなわち、基板Ｗはこれらの基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄによってのみ保持される状態になる。
【００４０】
ここにおいて、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄが基板Ｗとの接触状態に戻る際においては、上述のＩＰＡ蒸気の供給によって、既に基板Ｗの溝Ｇには処理液（純水）がほとんど残留しない状態（理想的には全く残留していない状態）となっている。
【００４１】
そして、このような保持状態に移行した後、基板保持機構Ｈのさらなる上昇動作に伴って、基板Ｗと補助ガイド６３ａ，６３ｂとの接触領域Ｒ２（Ｒ２１，Ｒ２２）が気液界面Ｆを通過する。図１４に示すように、補助ガイド６３ａ，６３ｂと基板Ｗとの接触領域Ｒ２（Ｒ２１，Ｒ２２）が気液界面Ｆを通過する際においては、各補助ガイド６３ａ，６３ｂは、基板Ｗに接触していない。したがって、基板Ｗと接触する部分に処理液が残留することを防止できる。
【００４２】
以上のように、この実施形態においては、処理液Ｌに浸漬された基板Ｗを処理液Ｌから引き上げるにあたって、基板の第１の接触領域Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４）が気液界面Ｆを通過する際には、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）による基板保持状態に移行することにより、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）と基板Ｗとの接触状態を解除する。また、基板の第２の接触領域Ｒ２（Ｒ２１，Ｒ２２）が気液界面Ｆを通過する際には、基板ガイド６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ）による基板保持状態に移行することにより、補助ガイド６３（６３ａ，６３ｂ）と基板との接触状態を解除する。したがって、各基板ガイド６２および補助ガイド６３のそれぞれは、気液界面Ｆの通過時において基板Ｗと接触していない。これにより、基板保持用ガイド（基板ガイド６２および補助ガイド６３）と基板Ｗとの接触領域に残留する処理液を減少させること（最も理想的には残留処理液が存在しない状態にすること）が可能である。
【００４３】
また、ＩＰＡの引き上げ乾燥処理において、上述した動作を適用することにより、各基板保持用ガイド（基板ガイド６２および補助ガイド６３）と基板Ｗとの接触領域において処理液が残存しないので、当該接触領域を乾燥させるために、より多くの量のＩＰＡ蒸気を供給する必要が無くなり、供給すべきＩＰＡ蒸気の量を抑制することができる。
【００４４】
なお、基板ガイド６２および補助ガイド６３は、基板Ｗの処理時において、処理槽６１に貯留された処理液Ｌに浸漬されているため、これらの基板ガイド６２および補助ガイド６３を洗浄するための洗浄専用槽を別個に設ける必要はない。
【００４５】
＜Ｂ．変形例など＞
上記実施形態においては、基板保持機構Ｈの上昇動作に同期させて、（連結棒６６ａの）凸部６６ｂを（背板６７に設けられた）凹部６７ｂに沿って案内することによって、補助ガイド６３ａ，６３ｂと基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄとの高さ方向の相対移動を実現していたが、これに限定されない。２種類の基板保持用ガイド（基板ガイド６２および補助ガイド６３）の相互間の相対運動を実現することにより、いずれか一の種類の基板保持用ガイドで基板Ｗを保持する状態を実現できればよく、たとえば、図１５の基板保持機構Ｈ２のように、３本の補助ガイド６３（６３ｃ，６３ｄ，６３ｅ）を突き上げ部材ＰＵの上端部に設け、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄを昇降させる昇降駆動機構とは別個に設けた昇降駆動機構により、この突き上げ部材ＰＵの補助ガイド６３を基板ガイド６２に対して相対的に昇降させてもよい。より具体的には、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄの上昇動作に伴い、補助ガイド６３の昇降速度を変化させることなどにより、基板ガイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと補助ガイド６３ｃ，６３ｄ，６３ｅとの相対位置関係を変更し、上述したような、いずれか一方の基板保持用ガイド（基板ガイド６２または補助ガイド６３）で基板Ｗを保持する状態を実現することができる。
【００４６】
また、上記実施形態においては、純水から基板Ｗを引き上げた後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給して基板Ｗを乾燥させる処理を行う場合について説明したが、このような処理に限定されない。たとえば、処理槽内の貯留薬液により薬液処理を施した基板を当該薬液から引き上げた後に、当該基板に対して純水リンス処理を行う場合にも適用可能である。この場合には、溝Ｇにおいて処理液（薬液）が残留することに起因して後工程の純水リンス処理において生じ得る悪影響を排除することができる。あるいは、処理槽内の所定の薬液により基板Ｗに対する薬液処理を行った後、その基板Ｗを別の薬液に浸漬する処理を行う場合にも適用することが可能である。
【００４７】
さらに、上記実施形態においては、有機溶媒の蒸気として、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気を用いる場合を例示したが、これ以外の有機溶媒（たとえばエタノールやメタノールなど）の蒸気を用いてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態においては、多機能槽ＭＢにおいて本発明を適用したが、他の処理用槽、すなわち、薬液槽ＣＢや水洗槽ＷＢに対して本発明を適用してもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に記載の基板処理装置によれば、処理液に浸漬された基板を昇降手段を用いて処理液から引き上げるにあたって、基板の第１の接触領域が気液界面を通過する際には、第２の基板保持用ガイドが第１の基板保持用ガイドに対して相対的に上昇して第２の基板保持用ガイドが基板を持ち上げることによって、第２の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して第１の基板保持用ガイドと基板との接触状態を解除し、基板の第２の接触領域が気液界面を通過する際には、第２の基板保持用ガイドが第１の基板保持用ガイドに対して相対的に下降することによって、第１の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して第２の基板保持用ガイドと基板との接触状態を解除する。したがって、各基板保持用ガイドは、気液界面通過時において基板と接触していない。これにより、基板保持用ガイドと基板との接触領域に残留する処理液を減少させることが可能である。
【００５０】
請求項２に記載の基板処理装置によれば、各基板保持用ガイドと基板との接触領域において処理液が残存しないので、当該接触領域を乾燥させるためにより多量の有機溶媒の蒸気を供給する必要が無くなり、供給すべき有機溶媒の蒸気の量を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。
【図２】多機能槽ＭＢの構成を示す図（側面図）である。
【図３】基板保持機構Ｈを表す斜視図である。
【図４】多機能槽ＭＢの構成を示す正面図である。
【図５】基板ガイド６２および補助ガイド６３と基板Ｗとの位置関係を示す図である。
【図６】純水リンス処理（前工程）の終了時点の状態を示す概念図である。
【図７】基板保持機構Ｈの上昇に伴う動作を説明するための図である。
【図８】基板Ｗと基板ガイド６２ａ，６２ｂとの接触領域が気液界面Ｆを通過する場合を示す図である。
【図９】図８における気液界面Ｆ付近の拡大図である。
【図１０】引き上げ処理の際における基板Ｗと基板ガイド６２（または補助ガイド６３）との接触状態を示す側断面図である。
【図１１】基板Ｗと基板ガイド６２ｃ，６２ｄとの接触領域が気液界面Ｆを通過する場合を示す図である。
【図１２】図１１における気液界面Ｆ付近の拡大図である。
【図１３】基板Ｗと補助ガイド６３ａ，６３ｂとの接触領域が気液界面Ｆを通過する場合を示す図である。
【図１４】図１３における気液界面Ｆ付近の拡大図である。
【図１５】変形例に係る基板保持機構Ｈを説明する概念図である。
【図１６】従来の基板処理装置の一例を示す図である。
【図１７】従来の引き上げ処理の際における基板Ｗと基板用ガイドとの接触状態を示す側断面図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
５ 基板処理部
５６ 多機能処理部
６１ 処理槽
６２，６２ａ〜６２ｄ 基板ガイド（第１の基板保持用ガイド）
６３，６３ａ〜６３ｅ 補助ガイド（第２の基板保持用ガイド）
６９ａ 処理液供給管
６９ｂ ＩＰＡ供給管
Ｆ 気液界面
Ｇ 溝
Ｈ，Ｈ２ 基板保持機構
Ｌ 処理液
ＭＢ 多機能槽
Ｒ０，Ｒ１，Ｒ２ 接触領域
Ｗ 基板

Claims (2)

1. 基板を処理液に浸漬して処理する基板処理装置であって、
   処理液を貯留する処理槽と、
   基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段を前記処理槽に対して昇降させることにより前記基板の浸漬状態と非浸漬状態とを切り替えることが可能な昇降手段と、
   を備え、
   前記基板保持手段は、互いに独立に基板を保持することが可能な第１の基板保持用ガイドと第２の基板保持用ガイドとを有しており、前記第２の基板保持用ガイドの駆動により、前記第２の基板保持用ガイドと前記基板保持手段に固定された前記第１の基板保持用ガイドとの相互間の高さ方向の相対位置を変更することによって、前記第１の基板保持用ガイドが第１の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態と、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の接触領域よりも低い位置の第２の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態とを切り換えることが可能であり、
   前記処理液に浸漬された基板を前記昇降手段を用いて当該処理液から引き上げるにあたって、前記基板の前記第１の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の基板保持用ガイドに対して相対的に上昇して前記第２の基板保持用ガイドが前記基板を持ち上げることによって、前記第２の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して前記第１の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除し、前記基板の前記第２の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第２の基板保持用ガイドが前記第１の基板保持用ガイドに対して相対的に下降することによって、前記第１の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行して前記第２の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記処理液からの引き上げにあたって、前記気液界面上方において有機溶媒の蒸気を供給することにより基板を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。

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