JPH09283476A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH09283476A
JPH09283476A JP8530896A JP8530896A JPH09283476A JP H09283476 A JPH09283476 A JP H09283476A JP 8530896 A JP8530896 A JP 8530896A JP 8530896 A JP8530896 A JP 8530896A JP H09283476 A JPH09283476 A JP H09283476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
holding
lifter
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8530896A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3357239B2 (ja
Inventor
Kenji Yasui
研二 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP8530896A priority Critical patent/JP3357239B2/ja
Publication of JPH09283476A publication Critical patent/JPH09283476A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3357239B2 publication Critical patent/JP3357239B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一な基板処理が行えるとともに、基板の受
け渡しも容易に行える基板処理装置を提供する。 【解決手段】 リフタアーム10は、アーム支持部材1
3の支点13dにて回動自在に支持されるとともに、そ
の支点13dよりも上方に掛け渡された引張りバネ12
によってアーム支持部材13と連結されている。また、
アーム支持部材13は、ストッパー14を備えるととも
に、モータ91の正または逆回転により昇降移動可能と
されている。引張りバネ12の引力によって、リフタア
ーム10は、ストッパー14で規制される位置まで回動
し、基板Wは傾斜した状態で保持される。そして、その
結果、基板Wのパターン面と保持溝の接触を防止でき
る。また、リフタアーム10が上昇した状態では、カム
フロア11とテーパ台93とを利用したカム機構によ
り、リフタアーム10を鉛直方向に沿った姿勢に戻す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板など(以下、「基板」と称する)に所定の処
理を行う処理部と基板受け渡し位置との間で当該基板を
昇降させる昇降手段を備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】上記のような基板処理装置の一例である
基板洗浄装置においては、レジスト剥離液、エッチング
液などの各種薬液や純水を処理液として収容する複数の
処理槽を備え、これら処理槽中に基板を順次浸漬して当
該基板の表面の汚染やパーティクルの除去を行ってい
る。また、基板洗浄装置は、IPA(イソプロピルアル
コール)蒸気乾燥部を備えており、浸漬処理が終了した
後、基板に付着した水分をIPAを使用して蒸発乾燥さ
せている。
【0003】以上のような複数工程を経て、一連の基板
洗浄処理が行われるが、一般に上記工程においては、処
理効率を向上させるために、複数の基板に対して同時に
処理(バッチ処理)を行わせるようにしている。そし
て、このときに、複数の基板はその基板面が鉛直方向に
沿う姿勢で並べられた状態で搬送され、処理槽や乾燥部
において処理される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の処理槽や乾燥部
には基板を昇降させるためのリフタが備えられており、
そのリフタによって基板を処理液中に浸漬させたり、乾
燥部への出し入れを行っている。しかしながら、このと
きに、基板の面とリフタに設けられた基板保持部の基板
保持溝とが接触することにより種々の問題が生じる。特
に、基板のパターン面が接触した場合、浸漬処理におい
ては、面の一部が処理液に触れない状態となるため均一
な処理が行えず、また、乾燥処理においては、面の接触
部にゴミが付着したり、乾燥残りに起因するしみが発生
し、その結果、基板面の均一性が損なわれ、処理効率を
低下させることとなる。
【0005】ところで、上記のような基板洗浄装置に
は、複数の基板をキャリアに保持させ、そのキャリアご
と搬送し基板処理を行うキャリア付洗浄装置と、キャリ
アを使用しないキャリアレス洗浄装置とが存在する。
【0006】キャリア付洗浄装置においては、上記問題
を解決するため、例えば、処理槽や乾燥部の底面に傾斜
を有する設置台を設けることにより、処理中のキャリア
を傾け、基板のパターン面を上に向けるように構成して
いる。
【0007】一方、キャリアレス洗浄装置において、リ
フタが基板を傾けるように保持すると、基板搬送装置
(処理槽と乾燥部との間で基板を移載、搬送する装置)
との基板受け渡し時にも基板が傾いているため、受け渡
しが困難になるという問題がある。
【0008】本発明は、上記課題に鑑み、キャリアレス
洗浄装置においても均一な基板処理が行えるとともに、
基板の受け渡しも容易に行える基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う基板処
理装置において、(a)前記基板を保持する保持手段と、
(b)前記保持手段によって保持された前記基板に前記処
理を行う処理部と、(c)前記処理部の上方に設定された
基板受け渡し位置と前記処理部の位置との間において前
記保持手段を昇降させる昇降手段と、(d)前記基板受け
渡し位置と前記処理部の位置とで前記保持手段の姿勢を
変更させることにより、前記保持手段で保持された前記
基板の主面を前記受け渡し位置においては略鉛直方向と
させるとともに前記処理部の位置においては傾斜状態と
させる傾斜手段とを備えている。
【0010】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段を、(a-1)
前記基板を保持する保持部と、(a-2)前記保持部を揺動
可能に軸支する軸支部とで構成し、前記傾斜手段を、(d
-1)前記保持部と前記軸支部との間に掛け渡され、前記
主面が前記傾斜状態となるように前記保持部の姿勢を弾
性的に強制する弾性手段と、(d-2)前記保持部に結合さ
れたカム体と、(d-3)前記基板受け渡し位置付近に配設
され、前記基板受け渡し位置において前記カム体に当接
して前記カム体を案内することにより、前記弾性手段の
弾性力に抗して前記保持手段の姿勢を変化させて前記主
面を略鉛直方向とさせる案内部材とで構成している。
【0011】また、請求項3の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段を、(a-1)
前記基板を保持する保持部と、(a-2)前記保持部を揺動
可能に軸支する軸支部とで構成し、前記傾斜手段を、(d
-1)前記保持部と前記軸支部との間に結合されて前記保
持部の姿勢を変化させるアクチュエータで構成してい
る。
【0012】また、請求項4の発明は、請求項1から請
求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理部を、基板に付着した液を乾燥させる基板乾燥
部としている。
【0013】また、請求項5の発明は、請求項1から請
求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理部を、基板を所定の処理液に浸漬させて処理を
行う基板処理槽としている。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
【0015】A.基板処理装置の全体構成:図1は、本
発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図であ
る。図示のように、この装置は、未処理基板を収納して
いるキャリアCが投入されるキャリア搬入部21と、こ
のキャリア搬入部21からのキャリアCが載置されて内
部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部41
と、キャリアCから取り出された未処理基板が順次洗浄
処理される基板処理部6と、洗浄処理後の複数の処理済
み基板が同時にキャリア中に収納される基板収納部42
と、処理済み基板を収納しているキャリアが払い出され
るキャリア搬出部22とを備える。さらに、装置の前側
には、基板取出部41から基板収納部42にかけて基板
移載搬送機構8が配置されており、洗浄処理前、洗浄処
理中および洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬
送したり移載したりする。
【0016】キャリア搬入部21は、水平移動、昇降移
動および垂直軸回りの回転が可能なキャリア移載ロボッ
トCR1を備え、キャリアステージ21a上の所定位置
に載置された一対のキャリアCを基板取出部41に移載
する。
【0017】基板取出部41は、一対のホルダ41a、
41bを備える。これらのホルダ41a、41bは、図
示を省略するアクチュエータによって昇降移動する。そ
して、ホルダ41a、41bの上面にはそれぞれガイド
溝が刻設されており、キャリアC中の未処理基板を垂直
に支持することを可能にする。したがって、ホルダ41
a、41bが上昇すると、キャリアC中から基板が取り
出される。キャリアC中から取り出された基板は、基板
移載搬送機構8に設けられた水平移動および昇降移動可
能な搬送ロボットTRの一対のハンド80、81に把持
されてこれに受け渡され、水平移動後に基板処理部6に
投入される。
【0018】基板処理部6は、硫酸、アンモニア、塩
酸、フッ酸などを収容する薬液槽CBを備える薬液処理
部62と、純水を収容する水洗槽WBを備える水洗処理
部64と、IPA蒸気乾燥部66とを備える。
【0019】基板処理部6において、薬液処理部62お
よび水洗処理部64の後方側には、それぞれ基板浸漬機
構62a、64aが配置されており、これらに設けたリ
フタ(保持手段)LH1、LH2によって、搬送ロボッ
トTRから受け取った基板を薬液処理部62の薬液槽C
Bに浸漬したり、水洗処理部64の水洗槽WBに浸漬し
たりする。
【0020】また、基板処理部6において、IPA蒸気
乾燥部66は、基板処理装置本体内部(図1中の水洗処
理部64と基板収納部42との間)に設けられており、
上記のリフタLH1、LH2と同様の構造を有するリフ
タを備える。そして、当該リフタは、搬送ロボットTR
から受け取った水洗処理後の基板をIPA蒸気乾燥部6
6内部に搬入する。これらリフタLH1、LH2および
IPA蒸気乾燥部66のリフタの構成、動作については
後に詳述する。
【0021】基板収納部42は、基板取出部41と同様
の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ42a、42b
によって、搬送ロボットTRに把持された処理済み基板
を受け取ってキャリア中に収納する。また、キャリア搬
出部22は、キャリア搬入部21と同様の構造を有し、
移動自在のキャリア移載ロボットCR2を備え、基板収
納部42上に載置された一対のキャリアをキャリアステ
ージ22a上の所定の位置に移載する。
【0022】B.昇降手段の構成および動作:図2は、
IPA蒸気乾燥部66を説明するための要部側面図であ
る。IPA蒸気乾燥部66は、IPAの蒸気を発生させ
る蒸気槽100と、基板Wを保持するリフタLH3と、
リフタLH3を昇降させる昇降手段90と、基板Wの姿
勢を傾斜させる傾斜手段G3とを備える。なお、図2
は、IPA蒸気乾燥処理を行うとき、すなわち、リフタ
LH3に保持された基板Wが降下している状態を示して
いる。
【0023】蒸気槽100には、その底部にIPA10
3が貯留されるとともに、その底面下方にはIPA10
3を加熱して蒸発させるヒータ101が配置されてい
る。また、蒸気槽100の内部には、上昇したIPA蒸
気を吸着する冷却管102と、基板Wに付着したIPA
を回収する受け皿104とが設けられている。
【0024】ヒータ101によって加熱されたIPA1
03は加熱されて蒸気となり、基板Wに付着した水分を
吸着する。そして、水分を吸着したIPAは液滴を形成
し、やがて、受け皿104に滴下して、図示を省略する
排出手段によって蒸気槽100の外部に排出される。こ
のときに、基板Wの位置よりもさらに上昇したIPA蒸
気は、冷却管102によって冷却、吸着されるため、当
該蒸気の蒸気槽100外部へのリークが抑制されてい
る。
【0025】リフタLH3は、基板Wを保持するリフタ
アーム(保持部)10と、リフタアーム10を揺動可能
に軸支するアーム支持部材(軸支部)13とで構成され
ている。
【0026】リフタアーム10は、アーム支持部材13
の支点13dにて回動自在に支持されるとともに、その
支点13dよりも上方に掛け渡された引張りバネ(両端
に引力を作用させるバネ)12によってアーム支持部材
13と連結されている。引張りバネ12は、その両端に
常に引力を作用させているため、当該リフタアーム10
には支点13dを回動軸として矢印Xの向きに回動力が
作用する。そして、リフタアーム10は、アーム支持部
材13の端部に設けられたストッパー14によって規制
される位置まで回動した状態(図2に示す状態)とな
る。すなわち、IPA蒸気乾燥処理中は、リフタアーム
10が鉛直方向から傾いた状態となる。
【0027】また、リフタアーム10は、その下部に3
本のアーム部(図2中では、そのうち一本のアーム部1
0aのみ図示)をリフタアーム本体と垂直に形成してい
る。リフタアーム10が鉛直方向から傾いた状態では、
アーム部10aも水平方向から傾いた状態となり、それ
にともなって基板Wも傾斜して保持された状態となる。
【0028】図3は、基板Wが保持される様子を示す図
であり、(a)はアーム部10a、10b、10cの部
分正面図、(b)はアーム部10aの部分側面図であ
る。図3(a)に示す如く、基板Wは3本のアーム部1
0a、10b、10cによって保持されている。3本の
アーム部10a、10b、10cは互いに離間して設け
られており、IPAの液滴はアーム部10a、10b間
あるいはアーム部10a、10c間から滴下する。ま
た、図3(b)に示すように、アーム部10a、10
b、10cには基板Wの厚さよりも大きい幅を有する保
持溝19が設けられており(アーム部10aについての
み図示)、基板Wは保持溝19に保持される。上述した
ように、IPA蒸気乾燥処理中は、基板Wが傾斜した状
態で保持されており、このときに、基板Wのパターン面
Waが上方、裏面Wbが下方を向くようにすれば、パタ
ーン面Waが保持溝19と接触するのを防げる。したが
って、パターン面Waについては、均一に乾燥処理がな
され、ゴミの付着や乾燥残りに起因するしみの発生を抑
制することができる。
【0029】図2に戻って、リフタアーム10には、支
点13dの上方に円板状のカムフロア(カム体)11が
設けられているが、この機能については後述する。
【0030】次に、昇降手段90は、モータ91と、モ
ータ91に連結された雄ねじ95と、リニアガイド94
と、リニアガイド94を支持するリニアガイド支持部9
2とより構成されている。雄ねじ95は蒸気槽100の
外部に鉛直方向に沿って配され、その下端がモータ91
に連結されるとともに、上端は図外の部分で回転自在に
支持されている。リニアガイド94は蒸気槽100の外
部に雄ねじ95と平行に配され、その下端がリニアガイ
ド支持部92に支持されるとともに、上端は図外の部分
で固定支持されている。
【0031】一方、アーム支持部材13には、移動部材
13a、13bが固設され、当該移動部材13bには雌
ねじ13cが固設されている。そして、移動部材13
a、13bはリニアガイド94に摺動自在に取り付けら
れるとともに、雌ねじ13cは雄ねじ95に螺合してい
るため、モータ91の正又は逆回転によりリニアガイド
94に案内されてリフタLH3が鉛直方向に昇降する。
【0032】次に、リフタLH3が上昇したときの動作
について説明する。昇降手段90の上部にはテーパ台9
3(案内部材)が設けられており、乾燥処理の前後にお
いて、基板Wの受け渡しを行うときには、リフタLH3
がテーパ台93近傍まで上昇した状態となる。
【0033】図4は、リフタLH3が受け渡し位置まで
上昇した状態を示す部分側面図である。既述したよう
に、リフタアーム10には、支点13dの上方に円板状
のカムフロア(カム体)11が回転軸11aを中心軸と
して回転自在に設けられている。また、テーパ台93
は、基板Wが受け渡し位置Hまで上昇したときのカムフ
ロア11に対向する位置に設けられている。リフタLH
3が蒸気槽100から上昇してくると、やがて、カムフ
ロア11がテーパ台93のテーパ面93aに接し、さら
にリフタLH3が上昇すると、カムフロア11の回転が
リフタアーム10を矢印Yの向きに回動させる。そし
て、カムフロア11がテーパ台93の面93bに接する
ようになると、リフタアーム10が鉛直方向に沿った状
態(アーム部10aが水平となる状態)となる。このよ
うなカム機構を用いることにより、基板Wが受け渡し位
置Hに達した状態においては、当該基板Wが鉛直方向に
保持されることとなる。
【0034】以上のようにすれば、基板受け渡し時に
は、基板Wが鉛直方向に保持されているため、容易に基
板の受け渡しが行える。
【0035】次に、図1に示した基板浸漬機構62a、
64aに設けられたリフタLH1、LH2の構成および
動作について説明する。
【0036】図5は、基板浸漬機構62aに設けられた
リフタLH1の構成および動作を説明するための要部断
面図である。なお、このリフタLH1は、図1に示した
ように、薬液処理部62の後方側に設けられている。
【0037】リフタLH1がIPA蒸気乾燥部66のリ
フタLH3と相違するのは、リフタLH3がそのリフタ
アーム10の姿勢を変化させるのに引張りバネ12とカ
ム機構による傾斜手段G3を用いているのに対して、リ
フタLH1はアクチュエータG1を使用している点であ
る。すなわち、図5に示す如く、アクチュエータG1の
シリンダ16がアーム支持部材13に固設され、ピスト
ン16aがリフタアーム10に連結されている。このと
きに、ピストン16aのピン16bがリフタアーム10
に設けた摺動溝16cに摺動自在に嵌合されている。こ
のように構成すれば、リフタLH3と同様に、ピストン
16aが前後に(図中の矢印Z方向に)移動することに
より、リフタアーム10が支点13dを回動軸として回
動する。なお、リフタLH1の上記以外の構成について
は、リフタLH3と同じなので説明を省略する。
【0038】また、リフタLH1の前方側(図5中にお
いては左側)には、薬液処理部62に設けられた薬液槽
CBが存在する。薬液処理を行う際には、図5に示す如
く、リフタアーム10がストッパー14によって規制さ
れる位置まで傾斜されて、薬液槽CBに貯留された薬液
(例えば、アンモニアなど)C1に浸漬される。このと
きに、基板Wのパターン面が上方を向くようにしてお
く。そして、薬液処理終了後は、リフタアーム10を傾
斜させたまま上昇させ、基板Wが受け渡し位置に達する
と、リフタアーム10を鉛直方向に沿った姿勢(基板W
が鉛直方向に保持された姿勢)に戻す。
【0039】以上のようにすれば、薬液処理中は、基板
Wのパターン面が上面を向くように傾斜されているた
め、当該パターン面が保持溝と接触しない。そして、そ
の結果、パターン面へのゴミの付着を防止できるととも
に、当該パターン面の全面に均一に薬液が触れるため、
処理の均一性が確保される。また、薬液処理後は、基板
Wが傾斜した状態で引き上げられるため、薬液が基板W
の表面の傾斜に沿って滑らかに流れ落ち、基板Wの表面
に残留付着する薬液を低減させることが可能となる。
【0040】なお、水洗処理部64の基板浸漬機構64
aに設けたリフタLH2および傾斜手段の構成、動作お
よび効果は上記のリフタLH1と同じである。
【0041】
【変形例】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に示した例に限定されるもの
ではなく、例えば、傾斜手段は以下に示すような構成で
あってもよい。
【0042】図6は、他の傾斜手段の例を示す部分側面
図である。上記実施形態においては、支点13dよりも
上方に引張りバネ12を掛け渡していたが、これを図6
に示す如く、支点13dよりも下方に圧縮バネ(両端に
斥力を作用させるバネ)15を設けるようにしてもよ
い。なお、図6のリフタLH4のバネ以外の構成につい
ては、リフタLH3と同じである。このように構成して
も、圧縮バネ15の斥力とカム機構によって、リフタL
H3と同様の動作が可能となり、その結果、同様の効果
が得られる。
【0043】また、上記実施形態においては、リフタL
H3、LH4にバネ12、15を適用していたが、バネ
に限定されるものではなく、弾性を有する弾性部材(例
えば、弾性ゴム)であってもかまわない。
【0044】また、乾燥部はIPA蒸気乾燥部66に限
らず、洗浄液中に浸漬した基板を所定の速度で徐々に引
き上げることにより当該基板表面への液滴の付着を防止
する引き上げ乾燥部であってもよい。この場合は、上記
IPA蒸気乾燥部66におけるのと同様の効果に加え
て、薬液処理部62に適用されたリフタLH1と同様
に、基板の表面に残留付着する洗浄液を低減させること
ができる。
【0045】また、上記実施形態においては、IPA蒸
気乾燥部66のリフタLH3に傾斜手段G3を適用して
いたが、これをアクチュエータG1にしてもよい。同様
に、薬液処理部62のリフタLH1に傾斜手段G3を適
用してもよい。
【0046】さらに、上記実施形態は、単一機能の複数
の処理槽に基板を順次浸漬させる多槽式処理装置であっ
たが、本発明に係る基板処理装置は、多機能の単一処理
槽に薬液や純水などの処理液を順次投入する単槽式処理
装置であってもよい。
【0047】
【発明の効果】請求項1から請求項3の発明によれば、
基板の受け渡し位置において基板を鉛直方向に保持する
とともに、処理部において基板を傾斜させた姿勢で保持
することが可能な傾斜手段を備えているため、キャリア
レスの装置であっても、基板の受け渡し位置において
は、容易に基板の受け渡しができるとともに、処理部に
おいては、基板のパターン面と保持部との接触を防ぐこ
とができ、その結果、ゴミの付着を防止し、均一な基板
処理が可能となる。
【0048】請求項4の発明によれば、請求項1から請
求項3の発明における効果に加えて、処理部を基板乾燥
部とすることにより、均一に乾燥処理がなされ、乾燥残
りに起因するしみの発生を抑制することができる。
【0049】請求項5の発明によれば、請求項1から請
求項3の発明における効果に加えて、処理部を基板処理
槽とすることにより、パターン面の全面に均一に処理液
が触れるため、処理の均一性が確保され、さらに、処理
後は、基板が傾斜した状態で引き上げられるため、処理
液が基板の表面の傾斜に沿って滑らかに流れ落ち、基板
の表面に残留付着する処理液を低減させることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜
視図である。
【図2】図1の基板処理装置に設けられたIPA蒸気乾
燥部を説明するための要部側面図である。
【図3】基板が保持される様子を示す図である。
【図4】リフタが受け渡し位置まで上昇した状態を示す
部分側面図である。
【図5】図1の基板処理装置の基板浸漬機構に設けられ
たリフタの構成および動作を説明するための要部断面図
である。
【図6】他の傾斜手段の例を示す部分側面図である。
【符号の説明】
10 リフタアーム 11 カムフロア 12 引張りバネ 15 圧縮バネ 62 薬液処理部 64 水洗処理部 66 IPA蒸気乾燥部 90 昇降手段 93 テーパ台 G1 アクチュエータ G2 傾斜手段 LH1、LH2、LH3、LH4 リフタ H 受け渡し位置 W 基板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に所定の処理を行う基板処理装置に
    おいて、 (a)前記基板を保持する保持手段と、 (b)前記保持手段によって保持された前記基板に前記処
    理を行う処理部と、 (c)前記処理部の上方に設定された基板受け渡し位置と
    前記処理部の位置との間において前記保持手段を昇降さ
    せる昇降手段と、 (d)前記基板受け渡し位置と前記処理部の位置とで前記
    保持手段の姿勢を変更させることにより、前記保持手段
    で保持された前記基板の主面を前記受け渡し位置におい
    ては略鉛直方向とさせるとともに前記処理部の位置にお
    いては傾斜状態とさせる傾斜手段と、を備えることを特
    徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記保持手段は、 (a-1)前記基板を保持する保持部と、 (a-2)前記保持部を揺動可能に軸支する軸支部と、を有
    し、 前記傾斜手段は、 (d-1)前記保持部と前記軸支部との間に掛け渡され、前
    記主面が前記傾斜状態となるように前記保持部の姿勢を
    弾性的に強制する弾性手段と、 (d-2)前記保持部に結合されたカム体と、 (d-3)前記基板受け渡し位置付近に配設され、前記基板
    受け渡し位置において前記カム体に当接して前記カム体
    を案内することにより、前記弾性手段の弾性力に抗して
    前記保持手段の姿勢を変化させて前記主面を略鉛直方向
    とさせる案内部材と、を有することを特徴とする基板処
    理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記保持手段は、 (a-1)前記基板を保持する保持部と、 (a-2)前記保持部を揺動可能に軸支する軸支部と、を有
    し、 前記傾斜手段は、 (d-1)前記保持部と前記軸支部との間に結合されて、前
    記保持部の姿勢を変化させるアクチュエータ、を有する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記処理部は、基板に付着した液を乾燥させる基板乾燥
    部であることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記処理部は、基板を所定の処理液に浸漬させて処理を
    行う基板処理槽であることを特徴とする基板処理装置。
JP8530896A 1996-04-08 1996-04-08 基板処理装置 Expired - Fee Related JP3357239B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8530896A JP3357239B2 (ja) 1996-04-08 1996-04-08 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8530896A JP3357239B2 (ja) 1996-04-08 1996-04-08 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09283476A true JPH09283476A (ja) 1997-10-31
JP3357239B2 JP3357239B2 (ja) 2002-12-16

Family

ID=13854979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8530896A Expired - Fee Related JP3357239B2 (ja) 1996-04-08 1996-04-08 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3357239B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100667252B1 (ko) * 2005-12-01 2007-01-11 세메스 주식회사 웨이퍼 반송장치
JP2007180067A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
WO2011005055A3 (ko) * 2009-07-10 2011-04-07 에이펫(주) 웨이퍼 건조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 건조방법
WO2013111358A1 (ja) * 2012-01-25 2013-08-01 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
WO2013179489A1 (ja) * 2012-06-01 2013-12-05 株式会社島津製作所 基板移載装置及び基板移載方法
CN103811374A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶圆浸泡装置
JP2014216383A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
CN110962039A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 康宁股份有限公司 载体晶片和形成载体晶片的方法
CN115274514A (zh) * 2022-09-29 2022-11-01 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种半导体浸泡装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100667252B1 (ko) * 2005-12-01 2007-01-11 세메스 주식회사 웨이퍼 반송장치
JP2007180067A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
WO2011005055A3 (ko) * 2009-07-10 2011-04-07 에이펫(주) 웨이퍼 건조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 건조방법
CN102484055A (zh) * 2009-07-10 2012-05-30 Apet株式会社 晶片干燥装置以及利用该装置的晶片干燥方法
JP2012533173A (ja) * 2009-07-10 2012-12-20 エーペット ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法
CN103858220A (zh) * 2012-01-25 2014-06-11 株式会社岛津制作所 基板移载系统及基板移载方法
WO2013111358A1 (ja) * 2012-01-25 2013-08-01 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
JPWO2013111358A1 (ja) * 2012-01-25 2015-05-11 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
WO2013179489A1 (ja) * 2012-06-01 2013-12-05 株式会社島津製作所 基板移載装置及び基板移載方法
JPWO2013179489A1 (ja) * 2012-06-01 2016-01-18 株式会社島津製作所 基板移載装置及び基板移載方法
CN103811374A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶圆浸泡装置
JP2014216383A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
CN110962039A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 康宁股份有限公司 载体晶片和形成载体晶片的方法
US11919125B2 (en) 2018-09-29 2024-03-05 Corning Incorporated Carrier wafers and methods of forming carrier wafers
CN115274514A (zh) * 2022-09-29 2022-11-01 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种半导体浸泡装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3357239B2 (ja) 2002-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11139192B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
KR102279006B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP4401285B2 (ja) 基板処理装置
JP2020109785A (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
JP3357239B2 (ja) 基板処理装置
JP2020109786A (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
JP3210154B2 (ja) 基板の姿勢変換装置
CN115966504A (zh) 处理基板的装置和方法
JP3346834B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JP3248789B2 (ja) 基板ウェット処理方法および処理システム
JP3766177B2 (ja) 基板処理装置および基板洗浄装置
JP3346823B2 (ja) 基板ウェット処理装置
WO2024062683A1 (ja) 基板処理装置
KR102584514B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법
US20230415191A1 (en) Buffer chamber, substrate treating apparatus and substrate treating method
KR0135395B1 (ko) 기판처리장치
JP2024046372A (ja) 基板処理装置
JP3210133B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JPH07321079A (ja) 基板洗浄用キャリア及び基板洗浄方法
JPH11274270A (ja) 基板移載装置および基板処理装置
JP2024046368A (ja) 基板処理装置
JP2024029982A (ja) 基板処理装置
JP3665516B2 (ja) 載置装置
JP2024046370A (ja) 基板処理装置
CN114222948A (zh) 涂敷显影装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071004

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees