JP3357239B2

JP3357239B2 - 基板処理装置

Info

Publication number: JP3357239B2
Application number: JP8530896A
Authority: JP
Inventors: 研二安井
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-04-08
Filing date: 1996-04-08
Publication date: 2002-12-16
Anticipated expiration: 2016-04-08
Also published as: JPH09283476A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板など（以下、「基板」と称する）に所定の処
理を行う処理部と基板受け渡し位置との間で当該基板を
昇降させる昇降手段を備えた基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記のような基板処理装置の一例である
基板洗浄装置においては、レジスト剥離液、エッチング
液などの各種薬液や純水を処理液として収容する複数の
処理槽を備え、これら処理槽中に基板を順次浸漬して当
該基板の表面の汚染やパーティクルの除去を行ってい
る。また、基板洗浄装置は、ＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）蒸気乾燥部を備えており、浸漬処理が終了した
後、基板に付着した水分をＩＰＡを使用して蒸発乾燥さ
せている。

【０００３】以上のような複数工程を経て、一連の基板
洗浄処理が行われるが、一般に上記工程においては、処
理効率を向上させるために、複数の基板に対して同時に
処理（バッチ処理）を行わせるようにしている。そし
て、このときに、複数の基板はその基板面が鉛直方向に
沿う姿勢で並べられた状態で搬送され、処理槽や乾燥部
において処理される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の処理槽や乾燥部
には基板を昇降させるためのリフタが備えられており、
そのリフタによって基板を処理液中に浸漬させたり、乾
燥部への出し入れを行っている。しかしながら、このと
きに、基板の面とリフタに設けられた基板保持部の基板
保持溝とが接触することにより種々の問題が生じる。特
に、基板のパターン面が接触した場合、浸漬処理におい
ては、面の一部が処理液に触れない状態となるため均一
な処理が行えず、また、乾燥処理においては、面の接触
部にゴミが付着したり、乾燥残りに起因するしみが発生
し、その結果、基板面の均一性が損なわれ、処理効率を
低下させることとなる。

【０００５】ところで、上記のような基板洗浄装置に
は、複数の基板をキャリアに保持させ、そのキャリアご
と搬送し基板処理を行うキャリア付洗浄装置と、キャリ
アを使用しないキャリアレス洗浄装置とが存在する。

【０００６】キャリア付洗浄装置においては、上記問題
を解決するため、例えば、処理槽や乾燥部の底面に傾斜
を有する設置台を設けることにより、処理中のキャリア
を傾け、基板のパターン面を上に向けるように構成して
いる。

【０００７】一方、キャリアレス洗浄装置において、リ
フタが基板を傾けるように保持すると、基板搬送装置
（処理槽と乾燥部との間で基板を移載、搬送する装置）
との基板受け渡し時にも基板が傾いているため、受け渡
しが困難になるという問題がある。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑み、キャリアレス
洗浄装置においても均一な基板処理が行えるとともに、
基板の受け渡しも容易に行える基板処理装置を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処
理装置において、(a)前記基板を保持する保持手段と、
(b)前記保持手段によって保持された前記基板に前記処
理を行う処理部と、(c)前記処理部の上方に設定された
基板受け渡し位置と前記処理部の位置との間において前
記保持手段を昇降させる昇降手段と、(d)前記基板受け
渡し位置と前記処理部の位置とで前記保持手段の姿勢を
変更させることにより、前記保持手段で保持された前記
基板の主面を前記受け渡し位置においては略鉛直方向と
させるとともに前記処理部の位置においては傾斜状態と
させる傾斜手段とを備えている。

【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段を、(a-1)
前記基板を保持する保持部と、(a-2)前記保持部を揺動
可能に軸支する軸支部とで構成し、前記傾斜手段を、(d
-1)前記保持部と前記軸支部との間に掛け渡され、前記
主面が前記傾斜状態となるように前記保持部の姿勢を弾
性的に強制する弾性手段と、(d-2)前記保持部に結合さ
れたカム体と、(d-3)前記基板受け渡し位置付近に配設
され、前記基板受け渡し位置において前記カム体に当接
して前記カム体を案内することにより、前記弾性手段の
弾性力に抗して前記保持手段の姿勢を変化させて前記主
面を略鉛直方向とさせる案内部材とで構成している。

【００１１】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段を、(a-1)
前記基板を保持する保持部と、(a-2)前記保持部を揺動
可能に軸支する軸支部とで構成し、前記傾斜手段を、(d
-1)前記保持部と前記軸支部との間に結合されて前記保
持部の姿勢を変化させるアクチュエータで構成してい
る。

【００１２】また、請求項４の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理部を、基板に付着した液を乾燥させる基板乾燥
部としている。

【００１３】また、請求項５の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理部を、基板を所定の処理液に浸漬させて処理を
行う基板処理槽としている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１５】Ａ．基板処理装置の全体構成：図１は、本
発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図であ
る。図示のように、この装置は、未処理基板を収納して
いるキャリアＣが投入されるキャリア搬入部２１と、こ
のキャリア搬入部２１からのキャリアＣが載置されて内
部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部４１
と、キャリアＣから取り出された未処理基板が順次洗浄
処理される基板処理部６と、洗浄処理後の複数の処理済
み基板が同時にキャリア中に収納される基板収納部４２
と、処理済み基板を収納しているキャリアが払い出され
るキャリア搬出部２２とを備える。さらに、装置の前側
には、基板取出部４１から基板収納部４２にかけて基板
移載搬送機構８が配置されており、洗浄処理前、洗浄処
理中および洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬
送したり移載したりする。

【００１６】キャリア搬入部２１は、水平移動、昇降移
動および垂直軸回りの回転が可能なキャリア移載ロボッ
トＣＲ１を備え、キャリアステージ２１ａ上の所定位置
に載置された一対のキャリアＣを基板取出部４１に移載
する。

【００１７】基板取出部４１は、一対のホルダ４１ａ、
４１ｂを備える。これらのホルダ４１ａ、４１ｂは、図
示を省略するアクチュエータによって昇降移動する。そ
して、ホルダ４１ａ、４１ｂの上面にはそれぞれガイド
溝が刻設されており、キャリアＣ中の未処理基板を垂直
に支持することを可能にする。したがって、ホルダ４１
ａ、４１ｂが上昇すると、キャリアＣ中から基板が取り
出される。キャリアＣ中から取り出された基板は、基板
移載搬送機構８に設けられた水平移動および昇降移動可
能な搬送ロボットＴＲの一対のハンド８０、８１に把持
されてこれに受け渡され、水平移動後に基板処理部６に
投入される。

【００１８】基板処理部６は、硫酸、アンモニア、塩
酸、フッ酸などを収容する薬液槽ＣＢを備える薬液処理
部６２と、純水を収容する水洗槽ＷＢを備える水洗処理
部６４と、ＩＰＡ蒸気乾燥部６６とを備える。

【００１９】基板処理部６において、薬液処理部６２お
よび水洗処理部６４の後方側には、それぞれ基板浸漬機
構６２ａ、６４ａが配置されており、これらに設けたリ
フタ（保持手段）ＬＨ１、ＬＨ２によって、搬送ロボッ
トＴＲから受け取った基板を薬液処理部６２の薬液槽Ｃ
Ｂに浸漬したり、水洗処理部６４の水洗槽ＷＢに浸漬し
たりする。

【００２０】また、基板処理部６において、ＩＰＡ蒸気
乾燥部６６は、基板処理装置本体内部（図１中の水洗処
理部６４と基板収納部４２との間）に設けられており、
上記のリフタＬＨ１、ＬＨ２と同様の構造を有するリフ
タを備える。そして、当該リフタは、搬送ロボットＴＲ
から受け取った水洗処理後の基板をＩＰＡ蒸気乾燥部６
６内部に搬入する。これらリフタＬＨ１、ＬＨ２および
ＩＰＡ蒸気乾燥部６６のリフタの構成、動作については
後に詳述する。

【００２１】基板収納部４２は、基板取出部４１と同様
の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ４２ａ、４２ｂ
によって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板
を受け取ってキャリア中に収納する。また、キャリア搬
出部２２は、キャリア搬入部２１と同様の構造を有し、
移動自在のキャリア移載ロボットＣＲ２を備え、基板収
納部４２上に載置された一対のキャリアをキャリアステ
ージ２２ａ上の所定の位置に移載する。

【００２２】Ｂ．昇降手段の構成および動作：図２は、
ＩＰＡ蒸気乾燥部６６を説明するための要部側面図であ
る。ＩＰＡ蒸気乾燥部６６は、ＩＰＡの蒸気を発生させ
る蒸気槽１００と、基板Ｗを保持するリフタＬＨ３と、
リフタＬＨ３を昇降させる昇降手段９０と、基板Ｗの姿
勢を傾斜させる傾斜手段Ｇ３とを備える。なお、図２
は、ＩＰＡ蒸気乾燥処理を行うとき、すなわち、リフタ
ＬＨ３に保持された基板Ｗが降下している状態を示して
いる。

【００２３】蒸気槽１００には、その底部にＩＰＡ１０
３が貯留されるとともに、その底面下方にはＩＰＡ１０
３を加熱して蒸発させるヒータ１０１が配置されてい
る。また、蒸気槽１００の内部には、上昇したＩＰＡ蒸
気を吸着する冷却管１０２と、基板Ｗに付着したＩＰＡ
を回収する受け皿１０４とが設けられている。

【００２４】ヒータ１０１によって加熱されたＩＰＡ１
０３は加熱されて蒸気となり、基板Ｗに付着した水分を
吸着する。そして、水分を吸着したＩＰＡは液滴を形成
し、やがて、受け皿１０４に滴下して、図示を省略する
排出手段によって蒸気槽１００の外部に排出される。こ
のときに、基板Ｗの位置よりもさらに上昇したＩＰＡ蒸
気は、冷却管１０２によって冷却、吸着されるため、当
該蒸気の蒸気槽１００外部へのリークが抑制されてい
る。

【００２５】リフタＬＨ３は、基板Ｗを保持するリフタ
アーム（保持部）１０と、リフタアーム１０を揺動可能
に軸支するアーム支持部材（軸支部）１３とで構成され
ている。

【００２６】リフタアーム１０は、アーム支持部材１３
の支点１３ｄにて回動自在に支持されるとともに、その
支点１３ｄよりも上方に掛け渡された引張りバネ（両端
に引力を作用させるバネ）１２によってアーム支持部材
１３と連結されている。引張りバネ１２は、その両端に
常に引力を作用させているため、当該リフタアーム１０
には支点１３ｄを回動軸として矢印Ｘの向きに回動力が
作用する。そして、リフタアーム１０は、アーム支持部
材１３の端部に設けられたストッパー１４によって規制
される位置まで回動した状態（図２に示す状態）とな
る。すなわち、ＩＰＡ蒸気乾燥処理中は、リフタアーム
１０が鉛直方向から傾いた状態となる。

【００２７】また、リフタアーム１０は、その下部に３
本のアーム部（図２中では、そのうち一本のアーム部１
０ａのみ図示）をリフタアーム本体と垂直に形成してい
る。リフタアーム１０が鉛直方向から傾いた状態では、
アーム部１０ａも水平方向から傾いた状態となり、それ
にともなって基板Ｗも傾斜して保持された状態となる。

【００２８】図３は、基板Ｗが保持される様子を示す図
であり、（ａ）はアーム部１０ａ、１０ｂ、１０ｃの部
分正面図、（ｂ）はアーム部１０ａの部分側面図であ
る。図３（ａ）に示す如く、基板Ｗは３本のアーム部１
０ａ、１０ｂ、１０ｃによって保持されている。３本の
アーム部１０ａ、１０ｂ、１０ｃは互いに離間して設け
られており、ＩＰＡの液滴はアーム部１０ａ、１０ｂ間
あるいはアーム部１０ａ、１０ｃ間から滴下する。ま
た、図３（ｂ）に示すように、アーム部１０ａ、１０
ｂ、１０ｃには基板Ｗの厚さよりも大きい幅を有する保
持溝１９が設けられており（アーム部１０ａについての
み図示）、基板Ｗは保持溝１９に保持される。上述した
ように、ＩＰＡ蒸気乾燥処理中は、基板Ｗが傾斜した状
態で保持されており、このときに、基板Ｗのパターン面
Ｗａが上方、裏面Ｗｂが下方を向くようにすれば、パタ
ーン面Ｗａが保持溝１９と接触するのを防げる。したが
って、パターン面Ｗａについては、均一に乾燥処理がな
され、ゴミの付着や乾燥残りに起因するしみの発生を抑
制することができる。

【００２９】図２に戻って、リフタアーム１０には、支
点１３ｄの上方に円板状のカムフロア（カム体）１１が
設けられているが、この機能については後述する。

【００３０】次に、昇降手段９０は、モータ９１と、モ
ータ９１に連結された雄ねじ９５と、リニアガイド９４
と、リニアガイド９４を支持するリニアガイド支持部９
２とより構成されている。雄ねじ９５は蒸気槽１００の
外部に鉛直方向に沿って配され、その下端がモータ９１
に連結されるとともに、上端は図外の部分で回転自在に
支持されている。リニアガイド９４は蒸気槽１００の外
部に雄ねじ９５と平行に配され、その下端がリニアガイ
ド支持部９２に支持されるとともに、上端は図外の部分
で固定支持されている。

【００３１】一方、アーム支持部材１３には、移動部材
１３ａ、１３ｂが固設され、当該移動部材１３ｂには雌
ねじ１３ｃが固設されている。そして、移動部材１３
ａ、１３ｂはリニアガイド９４に摺動自在に取り付けら
れるとともに、雌ねじ１３ｃは雄ねじ９５に螺合してい
るため、モータ９１の正又は逆回転によりリニアガイド
９４に案内されてリフタＬＨ３が鉛直方向に昇降する。

【００３２】次に、リフタＬＨ３が上昇したときの動作
について説明する。昇降手段９０の上部にはテーパ台９
３（案内部材）が設けられており、乾燥処理の前後にお
いて、基板Ｗの受け渡しを行うときには、リフタＬＨ３
がテーパ台９３近傍まで上昇した状態となる。

【００３３】図４は、リフタＬＨ３が受け渡し位置まで
上昇した状態を示す部分側面図である。既述したよう
に、リフタアーム１０には、支点１３ｄの上方に円板状
のカムフロア（カム体）１１が回転軸１１ａを中心軸と
して回転自在に設けられている。また、テーパ台９３
は、基板Ｗが受け渡し位置Ｈまで上昇したときのカムフ
ロア１１に対向する位置に設けられている。リフタＬＨ
３が蒸気槽１００から上昇してくると、やがて、カムフ
ロア１１がテーパ台９３のテーパ面９３ａに接し、さら
にリフタＬＨ３が上昇すると、カムフロア１１の回転が
リフタアーム１０を矢印Ｙの向きに回動させる。そし
て、カムフロア１１がテーパ台９３の面９３ｂに接する
ようになると、リフタアーム１０が鉛直方向に沿った状
態（アーム部１０ａが水平となる状態）となる。このよ
うなカム機構を用いることにより、基板Ｗが受け渡し位
置Ｈに達した状態においては、当該基板Ｗが鉛直方向に
保持されることとなる。

【００３４】以上のようにすれば、基板受け渡し時に
は、基板Ｗが鉛直方向に保持されているため、容易に基
板の受け渡しが行える。

【００３５】次に、図１に示した基板浸漬機構６２ａ、
６４ａに設けられたリフタＬＨ１、ＬＨ２の構成および
動作について説明する。

【００３６】図５は、基板浸漬機構６２ａに設けられた
リフタＬＨ１の構成および動作を説明するための要部断
面図である。なお、このリフタＬＨ１は、図１に示した
ように、薬液処理部６２の後方側に設けられている。

【００３７】リフタＬＨ１がＩＰＡ蒸気乾燥部６６のリ
フタＬＨ３と相違するのは、リフタＬＨ３がそのリフタ
アーム１０の姿勢を変化させるのに引張りバネ１２とカ
ム機構による傾斜手段Ｇ３を用いているのに対して、リ
フタＬＨ１はアクチュエータＧ１を使用している点であ
る。すなわち、図５に示す如く、アクチュエータＧ１の
シリンダ１６がアーム支持部材１３に固設され、ピスト
ン１６ａがリフタアーム１０に連結されている。このと
きに、ピストン１６ａのピン１６ｂがリフタアーム１０
に設けた摺動溝１６ｃに摺動自在に嵌合されている。こ
のように構成すれば、リフタＬＨ３と同様に、ピストン
１６ａが前後に（図中の矢印Ｚ方向に）移動することに
より、リフタアーム１０が支点１３ｄを回動軸として回
動する。なお、リフタＬＨ１の上記以外の構成について
は、リフタＬＨ３と同じなので説明を省略する。

【００３８】また、リフタＬＨ１の前方側（図５中にお
いては左側）には、薬液処理部６２に設けられた薬液槽
ＣＢが存在する。薬液処理を行う際には、図５に示す如
く、リフタアーム１０がストッパー１４によって規制さ
れる位置まで傾斜されて、薬液槽ＣＢに貯留された薬液
（例えば、アンモニアなど）Ｃ１に浸漬される。このと
きに、基板Ｗのパターン面が上方を向くようにしてお
く。そして、薬液処理終了後は、リフタアーム１０を傾
斜させたまま上昇させ、基板Ｗが受け渡し位置に達する
と、リフタアーム１０を鉛直方向に沿った姿勢（基板Ｗ
が鉛直方向に保持された姿勢）に戻す。

【００３９】以上のようにすれば、薬液処理中は、基板
Ｗのパターン面が上面を向くように傾斜されているた
め、当該パターン面が保持溝と接触しない。そして、そ
の結果、パターン面へのゴミの付着を防止できるととも
に、当該パターン面の全面に均一に薬液が触れるため、
処理の均一性が確保される。また、薬液処理後は、基板
Ｗが傾斜した状態で引き上げられるため、薬液が基板Ｗ
の表面の傾斜に沿って滑らかに流れ落ち、基板Ｗの表面
に残留付着する薬液を低減させることが可能となる。

【００４０】なお、水洗処理部６４の基板浸漬機構６４
ａに設けたリフタＬＨ２および傾斜手段の構成、動作お
よび効果は上記のリフタＬＨ１と同じである。

【００４１】

【変形例】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に示した例に限定されるもの
ではなく、例えば、傾斜手段は以下に示すような構成で
あってもよい。

【００４２】図６は、他の傾斜手段の例を示す部分側面
図である。上記実施形態においては、支点１３ｄよりも
上方に引張りバネ１２を掛け渡していたが、これを図６
に示す如く、支点１３ｄよりも下方に圧縮バネ（両端に
斥力を作用させるバネ）１５を設けるようにしてもよ
い。なお、図６のリフタＬＨ４のバネ以外の構成につい
ては、リフタＬＨ３と同じである。このように構成して
も、圧縮バネ１５の斥力とカム機構によって、リフタＬ
Ｈ３と同様の動作が可能となり、その結果、同様の効果
が得られる。

【００４３】また、上記実施形態においては、リフタＬ
Ｈ３、ＬＨ４にバネ１２、１５を適用していたが、バネ
に限定されるものではなく、弾性を有する弾性部材（例
えば、弾性ゴム）であってもかまわない。

【００４４】また、乾燥部はＩＰＡ蒸気乾燥部６６に限
らず、洗浄液中に浸漬した基板を所定の速度で徐々に引
き上げることにより当該基板表面への液滴の付着を防止
する引き上げ乾燥部であってもよい。この場合は、上記
ＩＰＡ蒸気乾燥部６６におけるのと同様の効果に加え
て、薬液処理部６２に適用されたリフタＬＨ１と同様
に、基板の表面に残留付着する洗浄液を低減させること
ができる。

【００４５】また、上記実施形態においては、ＩＰＡ蒸
気乾燥部６６のリフタＬＨ３に傾斜手段Ｇ３を適用して
いたが、これをアクチュエータＧ１にしてもよい。同様
に、薬液処理部６２のリフタＬＨ１に傾斜手段Ｇ３を適
用してもよい。

【００４６】さらに、上記実施形態は、単一機能の複数
の処理槽に基板を順次浸漬させる多槽式処理装置であっ
たが、本発明に係る基板処理装置は、多機能の単一処理
槽に薬液や純水などの処理液を順次投入する単槽式処理
装置であってもよい。

【００４７】

【発明の効果】請求項１から請求項３の発明によれば、
基板の受け渡し位置において基板を鉛直方向に保持する
とともに、処理部において基板を傾斜させた姿勢で保持
することが可能な傾斜手段を備えているため、キャリア
レスの装置であっても、基板の受け渡し位置において
は、容易に基板の受け渡しができるとともに、処理部に
おいては、基板のパターン面と保持部との接触を防ぐこ
とができ、その結果、ゴミの付着を防止し、均一な基板
処理が可能となる。

【００４８】請求項４の発明によれば、請求項１から請
求項３の発明における効果に加えて、処理部を基板乾燥
部とすることにより、均一に乾燥処理がなされ、乾燥残
りに起因するしみの発生を抑制することができる。

【００４９】請求項５の発明によれば、請求項１から請
求項３の発明における効果に加えて、処理部を基板処理
槽とすることにより、パターン面の全面に均一に処理液
が触れるため、処理の均一性が確保され、さらに、処理
後は、基板が傾斜した状態で引き上げられるため、処理
液が基板の表面の傾斜に沿って滑らかに流れ落ち、基板
の表面に残留付着する処理液を低減させることが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜
視図である。

【図２】図１の基板処理装置に設けられたＩＰＡ蒸気乾
燥部を説明するための要部側面図である。

【図３】基板が保持される様子を示す図である。

【図４】リフタが受け渡し位置まで上昇した状態を示す
部分側面図である。

【図５】図１の基板処理装置の基板浸漬機構に設けられ
たリフタの構成および動作を説明するための要部断面図
である。

【図６】他の傾斜手段の例を示す部分側面図である。

【符号の説明】

１０リフタアーム１１カムフロア１２引張りバネ１５圧縮バネ６２薬液処理部６４水洗処理部６６ＩＰＡ蒸気乾燥部９０昇降手段９３テーパ台Ｇ１アクチュエータＧ２傾斜手段ＬＨ１、ＬＨ２、ＬＨ３、ＬＨ４リフタＨ受け渡し位置Ｗ基板

フロントページの続き (56)参考文献特開平５−267264（ＪＰ，Ａ) 特開平８−64570（ＪＰ，Ａ) 特開平５−160101（ＪＰ，Ａ) 特開平４−296026（ＪＰ，Ａ) 実開昭63−162528（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/68

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に所定の処理を行う基板処理装置に
おいて、 (a)前記基板を保持する保持手段と、 (b)前記保持手段によって保持された前記基板に前記処
理を行う処理部と、 (c)前記処理部の上方に設定された基板受け渡し位置と
前記処理部の位置との間において前記保持手段を昇降さ
せる昇降手段と、 (d)前記基板受け渡し位置と前記処理部の位置とで前記
保持手段の姿勢を変更させることにより、前記保持手段
で保持された前記基板の主面を前記受け渡し位置におい
ては略鉛直方向とさせるとともに前記処理部の位置にお
いては傾斜状態とさせる傾斜手段と、を備えることを特
徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記保持手段は、 (a-1)前記基板を保持する保持部と、 (a-2)前記保持部を揺動可能に軸支する軸支部と、を有
し、前記傾斜手段は、 (d-1)前記保持部と前記軸支部との間に掛け渡され、前
記主面が前記傾斜状態となるように前記保持部の姿勢を
弾性的に強制する弾性手段と、 (d-2)前記保持部に結合されたカム体と、 (d-3)前記基板受け渡し位置付近に配設され、前記基板
受け渡し位置において前記カム体に当接して前記カム体
を案内することにより、前記弾性手段の弾性力に抗して
前記保持手段の姿勢を変化させて前記主面を略鉛直方向
とさせる案内部材と、を有することを特徴とする基板処
理装置。
【請求項３】請求項１記載の基板処理装置において、前記保持手段は、 (a-1)前記基板を保持する保持部と、 (a-2)前記保持部を揺動可能に軸支する軸支部と、を有
し、前記傾斜手段は、 (d-1)前記保持部と前記軸支部との間に結合されて、前
記保持部の姿勢を変化させるアクチュエータ、を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理装置において、前記処理部は、基板に付着した液を乾燥させる基板乾燥
部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理装置において、前記処理部は、基板を所定の処理液に浸漬させて処理を
行う基板処理槽であることを特徴とする基板処理装置。