CN115966504A - 处理基板的装置和方法 - Google Patents

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崔峻荣
高镛璿
林俊铉
朴贵秀
张瑛珍
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Abstract

本发明提供一种处理基板的装置和方法，该装置包括：加工罐，该加工罐具有容纳空间，在容纳空间中容纳加工液体；以及支承构件，该支承构件用于支承接收空间中竖直姿态的至少一个基板；以及姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于将处于浸入液体状态中的状态的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；其中姿态改变机械手包括：手部，该手部配置为抓握基板；以及臂，该臂用于移动手部。

Description

处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月8日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0133699的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明构思涉及一种处理基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体设备，所希望的图案通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子植入、以及薄膜沉积等的各种工艺而形成在基板(诸如，晶圆等)上。在各工艺中使用各种加工液体和加工气体，并且在工艺期间会产生颗粒和工艺副产物。为了从基板去除这些薄膜、颗粒和工艺副产物，在各工艺之前和之后执行液体加工工艺。在一般的液体加工工艺中，用化学品和冲洗液处理基板，然后干燥。在液体加工工艺中，基板上的SiN可能被剥离。
此外，用诸如化学剂和/或冲洗液等加工液体来处理基板的方法可以分为批量式处理方法(batch type treating method)以及单晶圆式处理方法，在批量式处理方法中批量处理多个基板，在单晶圆式处理方法中逐一处理基板。
在用于集体处理多个基板的批量式处理方法中，基板处理通过将多个竖直姿态的基板集体浸入储存有化学剂或冲洗液的加工罐中来执行。因此，基板处理的量产性优异，基板间的工艺质量均匀。然而，在批量式处理方法中，将在其上形成有图案的多个基板以竖直姿态浸入。因此，当形成在基板上的图案具有高纵横比时，在提升基板等的工艺中形成在基板上的图案可能会发生图案倾斜。此外，在多个基板同时暴露在空气中的状态下、在短时间内不执行干燥工艺时，在暴露至空气中的多个基板中的一部分基板上可能产生水印。
另一方面，在逐个处理基板的单晶圆式处理方法的情况下，通过向以水平姿态旋转的单个基板供应化学剂或冲洗液来执行基板处理。此外，在单晶圆式处理方法中，由于传送的基板保持水平姿态，上述的图案倾斜现象的风险低，对基板进行逐个处理，处理后的基板立即干燥或进行液体加工，使得出现上述水印的风险小。然而，在单晶圆式处理法的情况下，基板处理的量产性低，在与批量式处理法相比时，基板间的处理质量相对是不均匀的。
此外，在使基板旋转并离心干燥(spin-dried)的情况下，在形成于基板上的图案具有高纵横比时，可能发生形成于基板上的图案倒塌的倾斜现象。
发明内容
本发明致力于提供一种能够有效加工基板的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够改善基板处理的量产性的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够进一步增强相应的基板之间加工质量均匀性的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够使在基板上产生水印的风险最小化的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够使形成在基板上的图案中倾斜现象的发生最小化的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够有效加工其上形成有具有高纵横比的图案的基板处理装置和方法。
本发明所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从以下说明书中清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置，该装置包括：加工罐，该加工罐具有容纳空间，在该容纳空间中容纳加工液体；支承构件，该支承构件用于支承接收空间(receiving space)中竖直姿态的至少一个基板；以及姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于将处于浸入液体状态中状态的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；其中姿态改变机械手包括：手部，该手部配置为抓握基板；以及臂，该臂用于移动手部。
在示例性实施方案中，该装置还可以包括控制器，其中，当改变基板的姿态时，控制器可以控制姿态改变机械手、以在围绕一个轴旋转基板的情况下沿一个方向移动基板。
在示例性实施方案中，当改变基板的姿态时，控制器可以控制姿态改变机械手，使得手部在保持基板并围绕一个轴旋转的情况下、沿一个方向线性移动。
在示例性实施方案中，控制器可以控制姿态改变机械手，使得基板的旋转结束的时间点与基板沿一个方向的移动结束的时间点之间的差等于或小于设定时间。
在示例性实施方案中，控制器可以控制姿态改变机械手，使得基板的旋转结束的时间点和基板沿一个方向的位置改变结束的时间点彼此相同。
在示例性实施方案中，手部可以包括支承体，该支承体用于支承该基板；以及夹持体，该夹持体设置成在夹持基板的夹持位置与待机位置之间为可移动的，该待机位置比夹持位置更远离基板。
在示例性实施方案中，手部还可以包括紧固体，该紧固体用于将支承体和夹持体紧固到臂。
在示例性实施方案中，手部进一步可以包括视觉构件，该视觉构件用于拍摄由支承体支承的基板。
在示例性实施方案中，臂可以是由至少两个轴构成的铰接臂。
在示例性实施方案中，该装置还可以包括缓冲单元，该缓冲单元用于临时储存基板，其中，控制器控制姿态改变机械手、以将姿态从竖直姿态改变为水平姿态的基板传送到缓冲单元。
在示例性实施方案中，姿态改变机械手还可以包括润湿喷嘴，该润湿喷嘴用于供应润湿液，该润湿液用于保持放置在手部上的基板的润湿性。
在示例性实施方案中，润湿液可以是与加工液体相同类型的液体。
本发明的另一个示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置，该装置包括：第一工艺加工单元，该第一工艺加工单元用于以批量方式加工基板；以及第二工艺加工单元，该第二工艺加工单元用于以单晶圆式加工基板；其中第一工艺加工单元包括：姿态改变加工罐，该姿态改变加工罐具有在其中容纳液体的容纳空间；支承构件，该支承构件用于支承接收空间中竖直姿态的至少一个基板；以及姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于将处于浸入液体中的状态的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态，其中姿态改变机械手包括手部和移动手部的臂。
在示例性实施方案中，该装置还可以包括控制器，其中控制器可以控制姿态改变机械手，使得姿态改变机械手完成基板的姿态改变、并将已改变姿态的基板传送到第二工艺加工单元。
在示例性实施方案中，第二工艺加工单元可以包括缓冲单元，该缓冲单元用于临时储存已改变姿态的基板，并且控制器可以控制姿态改变机械手，使得姿态改变机械手完成基板的姿态改变、并将已改变姿态的基板传送到缓冲单元。
在示例性实施方案中，该容纳空间可以具有支承区域，该支承构件在支承区域中支承基板；以及姿态改变区域，该姿态改变机械手在姿态改变区域中改变基板的姿态。
在示例性实施方案中，姿态改变机械手可以设置为在支承区域与姿态改变区域之间更靠近姿态改变区域。
在示例性实施方案中，该第一工艺加工单元还可以包括批量加工罐，该批量加工罐用于使用加工液体加工多个基板，并且当从上方观察时，该批量加工罐的宽度中的一个方向上的宽度可以小于姿态改变加工罐的宽度中的一个方向上的宽度。
在示例性实施方案中，可以设置多个该批量加工罐，并且该第一工艺加工单元还可以包括：第一传送单元，该第一传送单元用于将未加工的基板传送到批量加工罐；和第二传送单元，该第二传送单元用于在批量加工罐与姿态改变加工罐之间传送基板；以及批量传送单元，该批量传送单元用于在批量加工罐之间传送基板。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置，该装置包括：第一工艺加工单元，该第一工艺加工单元用于以批量方式加工基板；第二工艺加工单元，该第二工艺加工单元用于以单晶圆式加工基板；以及控制器，其中，第一工艺加工单元包括：批量加工罐，该批量加工罐用于加工竖直姿态的基板；姿态改变加工罐，该姿态改变加工罐用于将竖直姿态的基板改变为水平姿态，其中，姿态改变加工罐具有容纳空间以及支承构件，在该容纳空间中容纳液体，该支承构件用于支承设置在容纳空间中竖直姿态的基板；以及姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于将处于浸入液体中的状态的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态，其中姿态改变机械手包括手部和用于移动该手部的臂；并且第二工艺加工单元包括：缓冲单元，该缓冲单元用于提供临时储存基板的空间；单晶圆式液体加工腔室，该单晶圆式液体加工腔室用于通过向旋转基板供应加工液体来对基板进行液体加工；单晶圆式干燥腔室，该单晶圆式干燥腔室用于通过向基板供应超临界流体来对基板进行干燥；以及传送机械手，该传送机械手用于在缓冲单元与单晶圆式液体加工腔室之间、或在缓冲单元与单晶圆式干燥腔室之间传送基板，当改变基板的姿态时，控制器控制姿态改变机械手，使得基板在以浸入容纳在容纳空间中的液体中的状态围绕一个轴旋转的情况下、沿水平方向移动，并且控制器控制姿态改变机械手，使得姿态改变机械手完成基板的姿态变化、并将已改变姿态的基板传送至缓冲单元。
本发明的又一示例性实施方案提供一种处理基板的方法，该方法包括：批量式加工操作，在该批量式加工操作中、对多个竖直姿态的基板执行液体加工；姿态改变操作，在该姿态改变操作中、将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；以及单晶圆式加工操作，在该单晶圆式加工操作中、对水平姿态的单个基板执行加工，其中在将基板浸入液体中的情况下执行姿态改变操作。
在示例性实施方案中，在姿态改变操作中，基板的姿态改变可以逐个执行。
在示例性实施方案中，姿态改变操作可以包括在使基板围绕一个轴旋转的情况下、沿一个方向移动。
在示例性实施方案中，在姿态改变操作中，基板的旋转可以在基板的一端远离旋转基板的机械手的手部的方向上进行。
在示例性实施方案中，该方法还可以包括将润湿液喷射至基板的润湿操作，润湿操作在姿态改变操作与单晶圆式加工操作之间执行。
在示例性实施方案中，润湿操作可以通过从润湿喷嘴喷射润湿液来执行，该润湿喷嘴安装在改变基板姿态的姿态改变机械手中。
在示例性实施方案中，润湿操作可以通过从润湿喷嘴喷射润湿液来执行，该润湿喷嘴安装在用于临时储存基板的缓冲单元中。
在示例性实施方案中，批量式加工操作包括预处理以及在预处理之后执行的后处理，并且在预处理中使用的化学品的类型和在后处理中使用的化学品的类型可以彼此不同。
在示例性实施方案中，在预处理的时候，可以用第一化学液体处理多个基板，此后，可以用与第一化学液体不同的第二化学液体处理多个基板，在后处理中，可以用第一化学液体和与第一化学液体不同的第二化学液体处理多个基板液体，此后，可以用冲洗液处理多个基板。
在示例性实施方案中，冲洗液和在姿态改变操作中基板被浸入的液体可以是相同类型的液体。
本发明的又一示例性实施方案提供一种处理基板的方法，该方法包括：将未加工的基板装载到第一装载端口单元的基板装载操作；将多个基板的姿态同时改变为竖直姿态的第一姿态改变操作；在第一姿态改变操作之后、对处于竖直姿态的多个基板执行液体加工的批量式加工操作；以及将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态的第二姿态改变操作，其中，第二姿态改变操作可以在基板浸入加工液体中的情况下执行。
在示例性实施方案中，在第二姿态改变操作中，基板的姿态改变可以逐个执行。
在示例性实施方案中，第二姿态改变操作可以包括在使基板围绕一个轴旋转的情况下、沿一个方向移动基板。
在示例性实施方案中，在第二姿态改变操作中，基板的旋转和基板的移动可以在同一时间点终止。
在示例性实施方案中，该方法还可以包括单晶圆式加工操作，在该单晶圆式加工操作中、加工处于水平姿态的单个基板，在第二姿态改变操作之后执行单晶圆式加工操作。
在示例性实施方案中，单晶圆式加工操作可以包括以单晶圆方式对基板进行液体处理的液体加工操作；以及以单晶圆方式干燥基板的干燥操作。
在示例性实施方案中，液体加工操作可以通过旋转基板并向旋转基板供加工液体来执行，并且干燥操作可以通过向基板供应超临界流体来执行。
在示例性实施方案中，液体加工操作可以在第二姿态改变操作与单晶圆式加工操作之间执行，并且可以向姿态已经改变为水平姿态的基板供应润湿液。
根据示例性实施方案，润湿液和在第二姿态改变操作中基板被浸入的加工液体可以是相同类型的液体。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种处理基板的方法，该方法包括：将处于未加工状态的基板装载到第一装载端口单元的基板装载操作；将装载到第一装载端口单元的基板的姿态从水平姿态改变为竖直姿态的第一姿态改变操作，其中在第一姿态改变操作中，多个基板的姿态同时改变；对处于竖直姿态的多个基板执行液体加工的批量式加工操作；将在其上已经执行了批量式加工操作的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态的第二姿态改变操作，其中在基板以浸入至在姿态改变加工处理罐内容纳的水中的状态执行第二姿态改变操作；向在其上执行了第二姿态改变操作的基板供应水的润湿操作；向在其上已执行润湿操作的基板供应超临界流体来执行干燥加工的单晶圆式加工操作；以及在执行单晶圆式加工操作之后、将经加工的基板传送到与第一装载端口单元不同的第二装载端口单元的基板卸载操作。
根据本发明的示例性实施方案，能够有效地处理基板。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够改善基板处理的量产性。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，还能够改善相应的基板之间加工质量的均匀化。
此外，根据本发明的示例性实施方案，能够使在基板上产生水印的风险最小化。
此外，根据本发明的示例性实施方案，能够使形成在基板上的图案中倾斜现象的发生最小化。
此外，根据本发明的示例性实施方案，能够有效地处理在其上形成具有高纵横比的图案的基板。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1为当从上方观察时根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的示意图。
图2为示出了图1的批量加工罐中的一个的状态的图。
图3为示出了图1的姿态改变加工罐的状态的图。
图4为示意性示出了图1的姿态改变机械手的状态的图。
图5为图4的手部的图。
图6为示出了图1的第一缓冲单元的状态的图。
图7是示出了设置在图1的单晶圆式液体加工腔室中的基板处理装置的状态的图。
图8是示出了设置在图1的单晶圆式干燥腔室中的基板处理装置的状态的图。
图9为示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。
图10和图11为示出在图9的第二姿态改变操作中姿态改变机械手将基板的姿态改变为水平姿态的状态的图。
图12为执行图9的润湿操作的姿态改变机械手的状态的图。
图13为示出了在从上方观察的图9的润湿操作中液体供应构件供应润湿液的状态的图。
图14为示出了在从侧面观察的图9的润湿操作中液体供应构件供应润湿液的状态的图。
图15为示出了根据本发明的另一示例性实施方案的手部的状态的图。
图16为示出了图15的从上方观察的向基板供应润湿液的液体供应构件的状态的图。
图17为示出了根据本发明的另一示例性实施方案的姿态改变机械手的状态的图。
图18为示出了从上方观察的根据本发明的另一示例性实施方案的手部的图。
图19为示出了从侧面观察的图18的手部的图。
图20为示出了从上方观察的根据本发明的另一示例性实施方案的手部的图。
图21为从侧面观察的图20的抓握部的图。
具体实施方式
以下，将在下文中参考附图更全面地描述本发明的示例性实施方案，在附图中示出了本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以不同地实施，并且不限于以下示例性实施方案。在本发明的以下描述中，省略了对并入本文的已知的功能和配置的详细描述，以避免使得本发明的主题不清楚。另外，贯穿附图，对于具有相似功能和动作的部件使用相同的附图标记。
除非明确地相反描述，否则术语“包括(comprise)”、以及诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”等变型将理解为意味着包括所陈述的元件但并不排除任何其他元件。应当理解，术语“包括”和“具有”旨在表示存在说明书中描述的特征、数量、操作、操作、构成元件和组件或它们的组合，并且不排除预先存在或添加一个或多个其他特征、数量、操作、操作、构成元件和组件、或它们的组合。
本文中所使用的单数表达包括复数表达，除非它们在上下文中具有明确相反的含义。因此，为了更清晰的描述，可以夸大附图中的元件的形状和大小等。
诸如第一和第二等术语用于描述各种组成元件，但是这些组成元件并不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构成元件与另一个构成元件区分开来。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一构成元件命名为第二构成元件，类似地，可以将第二构成元件命名为第一构成元件。
应当理解的是，当一个构成元件被称为“联接至”或“连接至”另一构成元件时，该一个构成元件可以是直接联接至或连接至其他构成元件，但是可以存在中间元件。相反，当一个构成元件“直接联接至”或“直接连接至”另一组成元件时，应当理解的是，不存在中间元件。描述构成元件之间的关系的其他表达，诸如“在……之间”和“刚好在……之间”或“与～相邻”和“与～直接相邻”应作类似解释。
本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的技术人员所普遍接受的术语相同的含义，除非它们被不同地定义。通用字典中所定义的术语将被解释为它们具有与相关技术上下文中的含义相匹配的含义，除非这些术语在本申请中明确定义，否则它们不应当解释为理想含义或过于正式的含义。
另外，下面描述的传送基板W的构件(例如传送单元或传送机械手)可以被称为传送模块。
在下文中，将参照图1至图19描述本发明的示例性实施方案。
图1为当从上方观察时根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的示意图。
参考图1，根据示例性实施方案的基板处理装置10可以包括第一工艺加工单元100、第二工艺加工单元200和控制器600。当从上方观察时，第一工艺加工单元100和第二工艺加工单元200可以沿第一方向X布置。下文中，当从上方观察时，垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y，并且垂直于第一方向X和第二方向Y的方向被称为第三方向Z。
第一工艺加工单元100可以以批量方式、用液体集体加工多个基板W。例如，第一工艺加工单元100可以以批量方式集体清洁多个基板W。第一工艺加工单元100可以同时加工多个竖直姿态(基板W的上表面或下表面与垂直于地面的方向平行的姿态)的基板W。
第一工艺加工单元100可以包括第一装载端口单元110、索引腔室120、传送单元130、批量式加工单元140和姿态改变部件150。
第一装载端口单元110可以包括至少一个或多个装载端口。其中容纳至少一个基板W的传送容器F可以放置在第一装载端口单元110的装载端口中。多个基板W可以容纳在传送容器F中。例如，25个基板可以容纳在传送容器F中。传送容器F可以被称为盒、荚或FOUP(前开式晶圆传送盒，Front Opening Unified Pod)。传送容器F可以通过容器传送装置装载到第一装载端口单元110。容纳在放置在第一装载端口单元110上的传送容器F中的基板W可以是未加工的基板W。未加工的基板W可以是例如在其上未执行加工基板W、或者在其上虽然执行了一些加工但需要执行液体处理的基板W。
此外，可以仅将其中容纳未加工基板W的容器F放置在第一装载端口单元110中。也就是说，第一装载端口单元110可以仅执行装载需要被加工的基本W的任务。
第一装载端口单元110可以联接到索引腔室120。索引腔室120和第一装载端口单元110可以布置在第二方向Y上。第一索引腔室120可以包括索引机械手122和姿态改变单元124。索引机械手122可以从安置在第一装载端口单元110上的容器F中取出未加工的基板W或需要被加工的基板W。第一传送机械手122可以从容器F中取出基板W并将基板W装载到设置在第一索引腔室120中的容纳容器C中。第一传送机械手122可以具有能够同时保持和传送多个(例如，25个)基板W的放置手部。
容纳腔室C可以具有大体上圆柱的形状。容纳容器C可以在其中具有容纳空间。容纳容器C的容纳空间中可以容纳多个基板W。例如，容纳容器C的容纳空间中可以容纳50个基板W。容纳容器C可以具有柱形形状，在该柱形形状中容纳容器C的至少两个或多个表面是敞开的。用于支承/保持基板W的支承构件可以设置在容纳容器C的容纳空间中。
当完成将从传送容器F载出的基板W载入容纳容器C时，容纳容器C可以通过传送装置(未示出)传送到设置在索引腔室120中的姿态改变单元124。姿态改变单元124可以旋转容纳容器C。例如，姿态改变单元124可以旋转容纳容器C，使得容纳容器C的敞开部面向顶部。当使收纳容器C的敞开部被旋转以面向顶部时，容纳于容纳容器C的基板W的姿态可以从水平姿态(基板W的上表面和下表面与地面成水平的姿态)变为垂直姿态。水平姿态可以指基板W的上表面(例如，在其上形成有图案的面)与X-Y平面(即地面)平行的状态，竖直姿态可以指基板W的上表面与X-Z平面或Y-Z平面(即与地面垂直的平面)平行的状态。
传送单元130可以包括第一传送单元132以及第二传送单元134，该第一传送单元用于在索引腔室120与批量式加工单元140之间传送基板W，该第二传送单元用于在批量式加工单元140与姿态改变单元150(将在后面进行描述)之间传送基板W。
第一传送单元132可以包括轨道和手部，该轨道沿第一方向X延伸，该手部配置为同时传送多个基板W。第一传送单元132可以保持通过姿态改变单元124改变了姿态的基板W，并将所保持的基板W传送到批量式加工单元140。例如，第一传送单元132可以将通过姿态改变单元124改变了姿态的基板W传送到选自批量式加工单元140的批量加工罐141-B1至143-B2中的任一个。例如，第一传送单元132也可以将通过姿态改变单元124改变了姿态的基板W传送到第一批量加工罐141-B1。
第二传送单元134可以包括轨道和手部，该轨道沿第一方向X延伸，该手部配置为同时传送多个基板W。第二传送单元134可以配置为在批量式加工单元140的第一批量式加工单元141、第二批量式加工单元142与第三批量式加工单元143之间传送基板W。此外，第二传送单元134可以配置为在批量式加工单元140与姿态改变单元150之间传送基板W。
此外，当从上面观察时，由姿态改变单元124改变了姿态且容纳于容纳容器C的基板W和容纳于批量式加工单元140的批量加工罐的基板W可以在第一方向X上并排布置。
此外，当从上面观察时，批量式加工单元140的批量加工罐141-B1至143-B2中容纳的基板W和姿态改变单元150的姿态改变加工罐151中容纳的基板W可以在第一方向X上并排布置。此外，当从上面观察时，容纳在批量式加工单元140的批量加工罐141-B1至143-B2中的基板W也可以在第一方向X上并排布置。也就是说，当从上面观察时，批量加工罐141-B1至143-B2中的每一个的支承构件141-B1-6和姿态改变加工罐151的支承构件153可以在第一方向X上并排布置。
批量加工单元140可以同时对多个基板W进行液体加工。批量加工单元140可以使用加工液体同时对多个基板W进行清洁。批量加工单元140可以使用加工液体同时对多个基板W进行液体加工。在批量式加工单元140中使用的加工液体可以是化学品和/或冲洗液。例如，化学品可以为具有强酸或强碱性质的化学品。此外，冲洗液可以是纯的。例如，该化学品可以适当地选自去除氨-过氧化氢混合物(Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture，APM)、盐酸-过氧化氢混合物(Hydrochloricacid-Hydrogen Peroxide Mixture，HPM)、氢氟酸-过氧化氢混合物(Hydrofluoricacid-Hydrogen Peroxide Mixture，FPM)、稀释的氢氟酸(Diluted Hydrofluoric acid，DHF)、稀释的硫酸过氧化物(Diluted Sulfuric acidPeroxide，DSP)或SiN、含磷酸的化学品、含硫酸的化学品等。冲洗液可以为含水的液体。例如，冲洗液可以适当地选自纯水或臭氧水。
批量式加工单元140可以包括第一批量式加工单元141、第二批量式加工单元142和第三批量式加工单元143。
第一批量式加工单元141可以包括1-1批量加工罐141-B1、1-2批量加工罐141-B2和第一批量传送单元141-TR。
在1-1批量加工罐141-B1中，多个基板W可以同时用诸如DSP的化学品进行液体加工。在1-2批量加工罐141-B2中，多个基板W可以同时用诸如DHF的化学品进行处理。然而，本发明不限于此，1-1批量加工罐141-B1和1-2批量加工罐141-B2中使用的加工液体可以不同地改变为从上述的加工液体中选择的加工液体。
第一批量传送单元141-TR可以配置为在1-1批量加工罐141-B1和1-2批量加工罐141-B2之间传送基板W。
第二批量式加工单元142可以包括2-1批量加工罐142-B1、2-2批量加工罐142-B2和第二批量传送单元142-TR。
在2-1批量加工罐142-B1中，多个基板W可以同时用含磷酸的化学品进行处理。在2-2批量加工罐142-B2中，多个基板W可以同时用冲洗液进行处理。然而，本发明不限于此，2-1批量加工罐142-B1和2-2批量加工罐142-B2中使用的加工液体可以不同地改变为从上述的加工液体中选择的加工液体。
第二批量传送单元142-TR可以配置为在2-1批量加工罐142-B1和2-2批量加工罐141-B2之间传送基板W。
第三批量式加工单元143可以包括3-1批量加工罐143-B1、3-2批量加工罐143-B2和第三批量传送单元143-TR。
在3-1批量加工罐143-B1中，多个基板W可以同时用含磷酸的化学品进行处理。在3-2批量加工罐143-B2中，多个基板W可以同时用冲洗液进行处理。然而，本发明不限于此，3-1批量加工罐143-B1和3-2批量加工罐143-B2中使用的加工液体可以不同地改变为从上述的加工液体中选择的加工液体。
第三批量传送单元143-TR可以配置为在3-1批量加工罐143-B1和3-2批量加工罐143-B2之间传送基板W。
由于批量加工罐141-B1至143-B2除了所使用的加工液体L的种类不同以外，具有相同或相似的结构，因此以下描述了1-1批量加工罐141-B1，并且将省略其余批量加工罐141-B2至143-B2的重复描述。
图2为示出了图1的批量加工罐中的一个的状态的图。例如，在图2中，示出了批量加工罐141-B1至143-B2中的1-1批量加工罐141-B1。
参考图2，1-1批量加工罐141-B1可以包括加工罐141-B1-1、加热构件141-B1-3、供应管线141-B1-4、回收管线141-B1-5和支承构件141-B1-6。
加工罐141-B1-1可以在其中具有容纳空间141-B1-2。加工罐141-B1-1可以具有带有敞开顶部的柱形形状。加工液体L可以容纳(储存)在加工罐141-B1-1的容纳空间141-B1-2中。为了调节容纳空间141-B1-2内储存的加工液体L的温度，可以在加工罐141-B1-1中设置加热构件141-B1-3。加热构件141-B1-3可以基于由温度传感器(未示出)感测到的加工液体L的温度，将加工罐141-B1-1的容纳空间141-B1-2内储存的加工液体L的温度加热到预设温度。
供应管线141-B1-4可以向容纳空间141-B1-2供应加工液体L。回收管线141-B1-5可以从容纳空间141-B1-2排出加工液体L。在供应管线141-B1-4和回收管线141-B1-5的每一者中安装阀，向容纳空间141-B1-2供应的加工液体L的液位(即，储存在容纳空间141-B1-2的加工液体L的量)可以调节到设定水平。
支承构件141-B1-6可以设置在容纳空间141-B1-2中以支承基板W。支承构件141-B1-6可以配置为支承多个基板W。例如，支承构件141-B1-6可以配置为支承50个基板W。支承构件141-B1-6可以配置为使得一对棒状体布置成面向彼此，并且在各棒状体中形成有支承凹部(未示出)，基板W在支承凹部中为可支承的。
返回参考图1，姿态改变单元150可以改变基板W的姿态。姿态改变单元150可以将基板W的竖直姿态改变为水平姿态。姿态改变单元150可以改变基板W的姿态，使得在批量式加工单元140中垂直位置加工的基板W可以在单晶圆式加工腔室230和240中预加工，该单晶圆式加工腔室对水平位置的单个基板W进行加工。姿态改变单元150可以设置在批量式加工单元140与第二工艺加工单元200之间。
姿态改变单元150可以包括姿态改变加工罐151和姿态改变机械手156。当从上方观察时，姿态改变加工罐151具有的宽度可以大于批量加工罐141-B1和143-B2的宽度。例如，当从上方观察时，姿态改变加工罐151在第二方向Y(一个方向)上具有的宽度可以比批量加工罐141-B1至143-B2的宽度更大。另外，当从上方观察时，姿态改变加工罐151在第一方向X(另一方向)上具有的宽度可以与批量加工罐141-B1至143-B2的宽度相同。
图3为示出了图1的姿态改变加工罐的状态的图。
参考图3，姿态改变加工罐151可以包括加工罐152、支承构件153、供应管线154和回收管线155。
加工罐152可以具有带有敞开顶部的柱形形状。加工罐152可以具有带有敞开顶部的矩形管状。加工罐152可以具有容纳空间A和B，加工液体L可以容纳(储存)在容纳空间中。储存在加工罐152中的加工液体L可以是含水的液体。储存在加工罐152中的加工液体L的类型可以是与从第一缓冲单元210(将在后面进行描述)喷射的润湿液相同种类的液体。例如，储存在加工罐152中的加工液体L和从第一缓冲单元210喷射的润湿液都可以是包括水的液体。
支承构件153可以设置在容纳空间A和B中以支承基板W。支承构件A和B可以配置为支承多个基板W。例如，支承构件153可以配置为支承50个基板W。支承构件153可以配置为使得一对棒状体布置成面向彼此，并且在各棒状体中形成有支承凹部(未示出)，基板W在支承凹部中为可支承的。
供应管线154可以向容纳空间A和B供应加工液体L。回收管线155可以将加工液体L从容纳空间A和B中排出。在供应管线154和回收管线155的每一者中安装阀，并且基于由液位传感器(未图示)感测到的加工液体L的液位，向容纳空间A和B供应的加工液体L的液位(即，储存在容纳空间A和B中的加工液体L的量)可以被调节到设定水平。
此外，容纳空间A和B可以包括支承区域A和姿态改变区域B。支承区域A可以是支承构件153支承基板W的区域。姿态改变区域B可以是由姿态改变机械手156(将在后面进行描述)改变基板W姿态的区域。
返回参考图1，姿态改变机械手156可以设置在姿态改变加工罐151的一侧。姿态改变机械手156可以设置在姿态改变加工罐151与第一缓冲单元210(将在后面进行描述)之间。姿态改变机械手156可以包括手部156-H和接合部件156-R。手部156-H可以联接到接合部件156-R。接合部件156-R可以改变手部156-H的位置。
图4为示意性示出了图1的姿态改变机械手的状态的图。参考图4，根据本发明的示例性实施方案的姿态改变机械手156可以在姿态改变加工罐151中将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态，并且将姿态已改变为水平姿态的基板W传送到第二工艺加工单元200的第一缓冲单元210。另外，姿态改变机械手156可以是多接合机械手。姿态改变机械手156可以是6轴铰接机械手。
接合部件156-R可以是配置有至少两个或更多个轴的多接合臂。例如，接合部件156-R可以是六轴铰接臂。接合部件156-R可以通过沿第一方向X、第二方向Y和第三方向Z中的至少一个移动手部156-H来改变手部156-H的位置。此外，接合部件156-R基于第一方向X、第二方向Y、第三方向Z中的一个的轴旋转手部156-H。
姿态改变机械手156可以包括基座171、旋转体172、第一臂173、第二臂174、第三臂175和第四臂176。
基座171可以联接到旋转体172。旋转体172可以基于基座171旋转。旋转体172可以以垂直于地面的方向作为旋转轴旋转。第一臂173可以联接到旋转体172。第一臂173可以相对于旋转体、以水平方向作为旋转轴旋转。第二臂174可以联接到第一臂173。第二臂174可以相对于第一臂173、以水平方向作为旋转轴旋转。第三臂175可以联接到第二臂174。第三臂175可以使用第二臂174的纵向方向(或第三臂175的纵向方向)作为旋转轴来旋转。第四臂176可以使用垂直于第三臂175的纵向方向作为旋转轴来旋转。另外，第四臂176可以旋转手部156-H。例如，第四臂176可以包括能够旋转手部156-H的旋转轴(未示出)。手部156-H可以使用垂直于第四臂176的旋转轴的方向作为旋转轴线来旋转。
图5为图4的手部的图。参考图5，姿态改变机械手156的手部156-H可以包括支承体161、第一引导部件162、第二引导部件163、驱动构件164、夹持体165、紧固体166、视觉构件167和液体供应构件168。
支承体161可以支承基板W的下表面。支承体161可以在其上形成有图案的上表面与其上未形成有图案的下表面之间支承基板W的下表面。也就是说，基板W可以放置在支承体161上。
支承体161可以设置有第一引导部件162和第二引导部件163。第一引导部件162可以是与紧固体166(将在后面进行描述)相邻的支承垫。第二引导部件163可以是远离紧固体166(将在后面进行描述)的支承垫。第一引导部件162和第二引导部件163可以成对设置。第一引导部件162和第二引导部件163可以支承基板W的下表面和/或侧表面。第一引导部件162和第二引导部件163的上表面可以具有阶梯状。例如，在第一引导部件162的上表面中、支承基板W的下表面的内部区域的高度可以低于不支承基板W的下表面的外部区域的高度。类似地，在第二引导部件163的上表面中、支承基板W的下表面的内部区域的高度可以低于不支承基板W的下表面的外部区域的高度。也就是说，基板W可以通过安装在支承体161上的第一引导部件162和第二引导部件163而放置在支承体161上。将基板W放置在支承体161上意味着支承体161和基板W彼此直接接触的情况以及将基板放置在安装在支承体161中的第一引导部件162和第二引导部件163上的情况。
驱动构件164可以紧固至紧固体166。驱动构件164可以是能够横向移动夹持体165的驱动器。驱动构件164可以成对设置。例如，驱动构件164可以设置为对应于成对设置的各夹持体165。一对驱动构件164可以使一对夹持体165沿横向方向移动。夹持体165可以在更靠近基板W侧的方向和远离基板W侧的方向上移动。因此，夹持体165可以夹持放置在支承体161上的基板W。换而言之，支承体161和夹持体165可以是抓握基板W的本体。
紧固体166可以是将夹持体165和支承体161联接到接合部件156-R的本体。紧固体166可以是将夹持体165和支承体161联接到接合部件156-R的第四臂176的本体。紧固体166可以紧固到接合部件156-R的第四臂176的旋转轴。
第一引导部件162和第二引导部件163可以设置在各支承体161中。第一引导部件162可以是与紧固体166相邻的突出物(将在后面进行描述)。第二引导部件163可以是远离紧固体166的突出物(将在后面进行描述)。第二引导部件163可以设置得比第一引导部件162更远离紧固体166。第一引导部件162和第二引导部件163可以支承基板W的侧面。第一引导部件162和第二引导部件163支承基板W的侧面，并且第一引导部件162与第二引导部件163之间的间隙可以略小于基板W的直径。
视觉构件167可以通过拍摄基板W和/或支承体161来获取图像。获取的图像可以被发送到控制器600(将在后面进行描述)。控制器600可以基于由视觉构件167获取的图像来产生用于控制姿态改变机械手156的驱动的控制信号。
液体供应构件168可以向放置在支承体161上的基板W供应润湿液WL。润湿液WL可以包括水。由液体供应构件168供应的润湿液WL可以是与储存在容纳空间A、B中的加工液体L相同种类的液体。另外，由液体供应构件168供应的润湿液WL可以是与由第一缓冲单元210(将在后面进行描述)供应的润湿液WL相同种类的润湿液WL。
液体供应构件168可以包括第一喷嘴168a和第二喷嘴168b。可以设置第一喷嘴168a和第二喷嘴168b中的至少一个。第一喷嘴168a和第二喷嘴168b中的每一个都可以设置多个。第一喷嘴168a可以向放置在支承体161上的基板W的第一区域供应润湿液WL。第二喷嘴168b可以向放置在支承体161上的基板W的第二区域供应润湿液WL。第一区域和第二区域可以是不同的区域。如将在后面进行描述的，第一区域和第二区域可以是基板W的边缘区域。第一区域可以与第一喷嘴168a相邻，第二区域可以与第二喷嘴168b相邻。
第一区域与第一喷嘴168a之间的距离可以短于第二区域与第二喷嘴168b之间的距离。也就是说，从第一喷嘴168a供应的润湿液WL的喷射距离可以与从第二喷嘴168b供应的润湿液WL的喷射距离不同。例如，从第一喷嘴168a供应的润湿液WL的喷射距离可以比从第二喷嘴168b供应的润湿液WL的喷射距离更短。
另外，当从上方观察时，第一喷嘴168a可以设置在第二喷嘴168b之间。第二喷嘴168b可以设置在相对靠近夹持体165的位置(即，外侧)。第一喷嘴168a可以设置在相对远离夹持体165的位置(即，内侧)。
第一喷嘴168a和第二喷嘴168b的润湿液WL的喷射方向可以彼此不同。例如，当从上方观察时，基于穿过基板W的中心和视觉构件167的中心的虚拟参考线，第一喷嘴168a可以在平行于该参考线的方向上供应润湿液WL，并且，第二喷嘴168b可以在倾斜于参考线的方向供应润湿液WL。
第一喷嘴168a和第二喷嘴168b的喷射孔的直径可以彼此不同。例如，第一喷嘴168a的喷射孔的直径可以大于第二喷嘴168b的喷射孔的直径。例如，输送到第一喷嘴168a和第二喷嘴168b的润湿液WL的每单位时间供应流量可以相同。因此，从第一喷嘴168a喷射的润湿液WL的喷射距离可以比从第二喷嘴168b喷射的润湿液WL的喷射距离更短。
另外，第一喷嘴168a和第二本体168b可以安装在支承体161上。
返回参考图1，第二工艺加工单元200可以加工由第一工艺加工单元100加工的基板W。第二工艺加工单元200可以加工由第一工艺加工单元100加工的基板W，并且可以以单晶圆式的方式对基板W进行液体加工或干燥。
第二工艺加工单元200可以包括第一缓冲单元210、第一传送腔室220、单晶圆式液体加工腔室230、干燥腔室240、第二缓冲单元250和第二传送腔室260、以及第二装载端口单元270。单晶圆式液体加工腔室230和干燥腔室240都可以被称为单晶圆式加工腔室。
第一缓冲单元210可以提供用于临时储存基板W的储存空间。当从上面观察时，第一缓冲单元210可以朝向姿态改变单元150敞开。当从上面观察时，第一缓冲单元210可以朝向第一传送腔室220敞开。因此，姿态改变机械手156可以改变姿态改变加工罐151中的基板W的姿态，并将改变了姿态的基板W传送到第一缓冲单元210。此外，传送到第一缓冲单元210的基板W可以由第一传送腔室220的第一传送机械手222卸载。卸载的基板W可以传送到单晶圆式液体加工腔室230或单晶圆式干燥腔室240。
此外，第一缓冲单元210可以设置在比上述姿态改变加工罐151相对更高的高度处。例如，当姿态改变加工罐151布置在第一层时，第一缓冲单元210可以布置在对应于两层或约1.5层的高度处。
如果需要，可以将第一缓冲单元210设置为与至少一些单晶圆加工腔室堆叠。例如，干燥腔室240或单晶圆式液体加工腔室230(将在后面进行描述)可以设置在第一缓冲单元210下方。例如，单晶圆式液体加工腔室230(将在后面进行描述)可以设置在第一缓冲单元210下方。可以有一个或多个单晶圆式液体加工腔室230设置在第一缓冲单元210下方。也就是说，第一缓冲单元210设置为与单晶圆式加工腔室堆叠，以便立即接收由第二传送单元134传送的基板W，并且可以设置在单晶圆式加工腔室上方。
第一传送腔室220可以设置在第一缓冲单元210与单晶圆加工腔室之间。第一传送腔室220可以包括第一传送机械手222。第一传送机械手222可以将基板W从第一缓冲单元210中卸载、并将卸载的基板W传送到单晶圆加工腔室。第一传送机械手222可以具有逐个传送基板W的单晶圆传送手部。
单晶圆加工腔室可以设置在第一传送腔室220的一侧处。单晶圆加工腔室可以包括单晶圆式液体加工腔室230和单晶圆式干燥腔室240。
可以设置多个单晶圆式液体加工腔室230。单晶圆式液体加工腔室230可以设置为多个且在竖直方向上堆叠。单晶圆式液体加工腔室230以水平姿态旋转基板W，向旋转的基板W供应加工液体以加工基板W。在单晶圆式液体加工腔室230中，可以逐个加工基板W。从单晶圆式液体加工腔室230供应的加工液体可以是有机溶剂。例如，从单晶圆式液体加工腔室230供应的加工液体可以是异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。单晶圆式液体加工腔室230可以向旋转基板W供应有机溶剂、且旋转基板W以干燥基板W。相反地，单晶圆式液体加工腔室230可以向旋转基板W供应有机溶剂，并且可以在基板W用有机溶剂润湿的状态下、将基板W传送到干燥腔室240(将在后面进行描述)，并且可以在干燥腔室240中干燥基板W。单晶圆式液体加工腔室230的详细描述将在后面进行描述。
可以设置多个单晶圆式干燥腔室240。单晶圆式干燥腔室240可以设置为多个且在竖直方向上堆叠。单晶圆式干燥腔室240中，可以使用超临界流体处理基板W。单晶圆式干燥腔室240可以是用于干燥单晶圆式的一个基板W的超临界腔室。单晶圆式干燥腔室240可以是用于通过使用超临界流体干燥基板W的超临界腔室。单晶圆式干燥腔室240的详细描述将在后面进行描述。
在单晶圆加工腔室中加工的基板W可以由第一传送机械手222传送到第二缓冲单元250。第二缓冲单元250可以设置在第一传送腔室220与第二传送腔室260之间。第二缓冲单元250可以设置在单晶圆加工腔室与第二装载端口单元270之间。
类似于第一缓冲单元210，第二缓冲单元250可以提供临时储存或储存基板W的空间。例如，第二缓冲单元250可以临时储存在单晶圆式液体加工腔室230和/或单晶圆式干燥腔室240(称为单晶圆加工腔室)中加工的基板W。
第二传送腔室260可以设置在第二缓冲单元250与第二装载端口单元270之间。第二传送机械手262可以设置在第二传送腔室260中。第二传送机械手262可以将已经完全处理并容纳在第二缓冲单元250中的基板W传送到传送容器F。
第二传送机械手262的手部可以是逐个传送基板W的单晶圆手部。第二传送机械手262的传送手部可以设置为在第一方向X、第二方向Y和第三方向Z上为可移动的。此外，第二传送机械手262的传送手部可以设置为以第三方向Z作为旋转轴而可旋转的。
第二装载端口单元270可以包括至少一个或多个装载端口。能够容纳多个基板W的传送容器F可以放置在第二装载端口单元270的装载端口中。例如，放置在第二装载端口单元270上的传送容器F可以容纳已经由第一工艺加工单元100和第二工艺加工单元200完全加工的基板W。放置在第二装载端口单元270上的传送容器F可以仅容纳已经由第一工艺加工单元100和第二工艺加工单元200完全加工的基板W。也就是说，第二装载端口单元270可以执行从基板处理装置卸载加工过的基板W的功能。
上述第二传送机械手262可以将经加工的基板W装载到放置在第二装载端口单元270的装载端口中的容器F中。容器F可以通过上述物品传送装置(例如，OHT(OverheadHoist Transport，空中走行式无人搬送车))传送到基板处理装置10的外部。
控制器600可以控制基板处理装置10。例如，控制器600可以控制基板加工装置10的组件。例如，控制器600可以控制基板加工装置10，使得基板加工装置10可以执行处理基板W的工艺。
此外，控制器600可以包括：由微处理器(计算机)形成的工艺控制器，该工艺控制器执行基板处理装置10的控制；由键盘形成的用户接口，操作者在该用户接口中执行命令输入操作等，从而管理基板处理装置10；显示器，该显示器用于可视化和显示基板处理装置10等的操作状况；以及存储单元，该存储单元存储用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理装置10中执行的工艺的控制程序、或者存储用于根据各种数据和加工条件在各组件中执行工艺的程序(即，处理方案)。进一步地，用户接口和存储单元可以连接至工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘，也可以是便携式磁盘(诸如，CD-ROM或DVD)，或半导体存储器(诸如，闪存)。
图6为示出了图1的第一缓冲单元的状态的图。
参考图6，第一缓冲单元210可以具有向储存设备供应润湿液以防止装载到储存空间中的基板W被干燥(以保持基板W的润湿性)的结构。另外，储存在第一缓冲单元210中的基板W可以储存在第一缓冲单元210中隔断的相应储存空间中。
第一缓冲单元210可包括支承架212、排放隔断壁214、润湿喷嘴216(第二润湿喷嘴的示例)和排放管线218。
可以对应于装载到第一缓冲单元210中的各基板W来设置多个支承架212、排放隔断壁214和润湿喷嘴216。支承架212可以在由第一缓冲单元210提供的空间中支承基板W。此外，重量传感器212a可以安装在支承架212上。重量传感器感测由支承架212支承的基板W的重量，并允许用户检查供应到基板W上的润湿液WL的量。
控制器600可以基于由支承架212支承的基板W的重量来控制每单位时间从润湿喷嘴216喷射的润湿液WL的量。支承架212可以设置为支承基板W的一侧和另一侧的下表面。
润湿喷嘴216可以配置成以流或喷射方式喷射润湿液。可以设置多个润湿喷嘴216。一对润湿喷嘴216可以将润湿液喷射到各基板W上。润湿喷嘴216可以包括用于供应化学液体或雾的喷嘴，该化学液体或雾能够维持传送到第一缓冲单元210的储存空间的基板W的润湿性。化学液体或雾可以供应选自异丙醇(IPA)、前述化学品和前述冲洗液的润湿液。
排放隔断壁214可以设置在支承架212下方。排放隔断壁214可以设置在支承架212上支承的各基板W的下方。排放隔断壁214可以用来接收液体、以接收由润湿喷嘴216喷射的润湿液液体，并且可以隔断设置各基板W的空间。排放隔断壁214具有带有敞开顶部的矩形管状形状，以便具有液体接收空间(liquid receiving space)，并且排放隔断壁214的液体接收空间可以连接到排放管线218。因此，由润湿喷嘴216喷射的润湿液可以排放到外部。
图7是示出了设置在图1的单晶圆式液体加工腔室中的基板处理装置的状态的图。
参考图7，设置在单晶圆式液体加工腔室230中的基板加工装置400可以包括壳体410、加工容器420、支承单元440、升降单元460和液体供应单元480。
壳体410在其中具有加工空间412。壳体410可以具有在其中带有空间的柱形形状。加工容器420、支承单元440、升降单元460和液体供应单元480可以设置在壳体410的内部空间412中。当从前截面观察时，壳体410可以具有矩形形状。然而，本发明不限于此，壳体410可以变形为能够具有加工空间412的各种形状。
加工容器420可以具有带有敞开顶部的柱形形状。加工容器420具有内部回收容器422和外部回收容器426。回收容器422和426中的每一个回收在工艺中使用的加工液体中的不同加工液体。内部回收容器422设置为围绕基板支承单元440的圆环状形状，并且外部回收容器426设置为围绕内部回收容器422的圆环状形状。内部回收容器422的内部空间422a和内部回收容器422充当第一入口422a，加工液体通过该第一入口流入内部回收容器422。内部回收容器422与外部回收容器426之间的空间426a充当第二入口426a，加工液体通过该第二入口流入外部回收容器426。根据实施例，入口422a和426a中的每一者可以位于不同的高度处。回收管线422b和426b连接在回收容器422和426的每一者的底部下方。引入到回收容器422和426的每一者中的加工液体可以通过回收管线422b和426b提供给外部加工液体再生系统(未示出)并被重新使用。
支承单元440在加工空间412中支承基板W。在工艺期间，支承单元440支承并旋转基板W。支承单元440包括支承板442、支承销444、卡盘销446、以及旋转驱动构件448和449。
支承板442设置成大致圆板状，并具有上表面和下表面。下表面具有的直径小于上表面的直径。也就是说，支承板442可以具有窄上表面和窄下表面的形状。上表面和下表面定位成使得它们的中心轴彼此重合。此外，可以在支承板442上设置加热装置(未示出)。设置在支承板442上的加热装置可以加热放置在支承板442上的基板W。加热装置可以产生热量。由加热装置产生的热量可以是热的或冷的。由加热装置产生的热量可以传送到放置在支承板442上的基板W。此外，传送到基板W的热也可以对供应到基板W的加工液体进行加热。加热装置可以是加热器和/或冷却盘管。然而，本发明不限于此，并且加热装置可以用已知设备不同地修改。
设置多个支承销444。支承销444以预定的间隙彼此间隔开地设置在支承板442的上表面的边缘上、并且从支承板442向上突出。支承销444布置成通过彼此组合而作为整体来具有圆环形状。支承销444可以支承基板W的后边缘，使得基板W与支承板442的上表面以预定距离间隔开。
设置多个卡盘销446。卡盘销446设置成比支承销444更远离支承板442的中心。卡盘销446设置为从支承板442的上表面向上突出。卡盘销446支承基板W的侧部，使得当支承板442旋转时，基板W不会从原始位置侧向分开。卡盘销446设置为沿支承板442的径向方向、在外部位置与内部位置之间能够线性运动。外部位置是与内部位置相比、更远离支承板442的中心的位置。当基板W装载至支承板442上或从该支承板卸载时，卡盘销446定位在外部位置处，并且当在基板W上执行工艺时，卡盘销446定位在内部位置处。内部位置是卡盘销446和基板W的侧部彼此接触的位置，外部位置是卡盘销446和基板W彼此分离的位置。
旋转驱动构件448和449旋转支承板442。支承板442可以通过旋转驱动构件448和449绕磁中心轴旋转。旋转驱动构件448和449包括支承轴448和驱动单元449。支承轴448具有面向第四方向16的柱形形状。支承轴448的上端固定联接到支承板442的底表面。根据实施例，支承轴448可以固定联接到支承板442的底表面的中心。驱动单元449提供驱动力、以旋转支承轴448。支承轴448由驱动单元449旋转，支承板442与支承轴448一起旋转。
升降单元460向上和向下线性移动加工容器420。当加工容器420向上和向下移动时，加工容器420相对于支承板442的相对高度改变。当基板W从支承板442装载或卸载时，升降单元460降低加工容器420，使得支承板442突出到加工容器420上方。此外，在工艺进行中时，根据向基板W供应的加工液体的种类来调整加工容器420的高度，使得加工液体引入预定的回收容器422、426。升降单元460包括支架462、移动轴464和驱动器466。支架462固定安装在加工容器420的外壁上，由驱动器466在竖直方向上移动的移动轴464固定联接至支架462。可选地，升降单元460可以在竖直方向上移动支承板442。
液体供应单元480可以向基板W供应加工液体。加工液体可以是有机溶剂、上述化学品或冲洗液。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)液体。
液体供应单元480可以包括移动构件481和喷嘴489。移动构件481将喷嘴489移动到工艺位置和待机位置。工艺位置是喷嘴489面向由支承单元440支承的基板W的位置。根据实施例，工艺位置是加工液体被排出到基板W的上表面的位置。进一步地，工艺位置还包括第一供应位置和第二供应位置。第一供应位置可以是比第二供应位置更靠近基板W的中心的位置，第二供应位置可以是包括基板的端部的位置。可选地，第二供应位置可以是邻近基板端部的区域。待机位置定义为喷嘴489脱离工艺位置的位置。根据该实施例，待机位置可以是在基板W上的工艺加工完成之前或之后喷嘴489等待的位置。
移动构件481包括臂482、支承轴483和驱动器484。支承轴483位于加工容器420的一侧上。支承轴483具有杆状，该杆状的纵向方向指向第四方向。支承轴483设置成通过驱动器484为可旋转的。支承轴483设置为能够进行提升和降低运动。臂482联接至支承轴483的上端。臂482从支承轴484垂直延伸。喷嘴489联接至臂482的一端。当支承轴483旋转时，喷嘴489可以沿臂482一起摆动。喷嘴489可以摆动地移动到工艺位置和待机位置。可选地，臂482可以设置成能够在其纵向方向上向前和向后运动。当从上方观察时，喷嘴489移动的路径可以与工艺位置处的基板W的中心轴一致。
图8是示出了设置在图1的单晶圆式干燥腔室中的基板处理装置的状态的图。
参考图8，设置在单晶圆式干燥腔室240中的基板加工装置500可以通过使用处于超临界状态的干燥流体G来去除残留在基板W上的加工液体。干燥腔室500可以是超临界腔室，在该超临界腔室中通过使用超临界流体去除残留在基板W上的加工液体(例如，冲洗液或有机溶剂)。例如，单晶圆式干燥腔室240中的基板加工装置500可以通过使用处于超临界状态的二氧化碳(CO2)来执行去除残留在基板W上的有机溶剂的干燥工艺。
设置在单晶圆式干燥腔室240中的基板加工装置500包括本体510、加热构件520、流体供应单元530、流体排放单元550和升降构件560。本体510可以具有内部空间518，基板W在该内部空间中进行加工。本体510可以设置内部空间518，基板W在该内部空间中进行加工。本体510可以提供内部空间518，在该内部空间中，基板W由处于超临界状态的干燥流体G进行干燥。
本体510包括上本体512和下本体514。上本体512和下本体514可以彼此结合以形成内部空间518。基板W可以支承在内部空间518中。例如，基板W可以由内部空间518中的支承构件(未示出)支承。支承构件可以配置为支承基板W的边缘区域的下表面。上本体512和下本体514中的任何一个可以联接到升降构件560、以在竖直方向上移动。例如，下本体514可以联接至升降构件560、以通过升降构件560竖直移动。因此，本体510的内部空间518可以选择性地密封。在上述实施例中，作为实施例，描述了下本体514联接至升降构件560以沿竖直方向移动的情况，但本发明不限于此。例如，上本体512可以联接至升降构件560、以在竖直方向上移动。
加热构件520可以加热向内部空间518供应的干燥流体G。加热构件520可以增加本体510的内部空间518的温度，从而使向内部空间518供应的干燥流体G相变为超临界状态。此外，加热构件520可以增加本体510的内部空间518的温度，从而使向内部空间518供应的干燥流体G保持在超临界状态。
此外，加热构件520可以嵌入本体510中。例如，加热构件520可以嵌入上本体512和下本体514中的任何一者中。例如，加热构件520可以设置在下本体514中。然而，本发明不限于此，且加热构件520可以设置在能够增加内部空间518的温度的各种位置处。另外，加热构件520可以是加热器。然而，本发明不限于此，且加热构件520可以各自修改为能够增加内部空间518的温度的已知设备。
流体供应单元530可以向本体510的内部空间518供应干燥流体G。由流体供应单元530供应的干燥流体G可以包括二氧化碳(CO2)。流体供应单元530可以包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537和第二供应阀539。
流体供应源531可以储存和/或供应向本体510的内部空间518供应的干燥流体G。流体供应源531可以向第一供应管线533和/或第二供应管线537供应干燥流体G。例如，第一供应阀535可以安装在第一供应管线533中。此外，第二供应阀539可以安装在第二供应管线537中。第一供应阀535和第二供应阀539可以是开/关阀。根据第一供应阀535和第二供应阀539的开/关，干燥流体G可以选择性地流入第一供应管线533或第二供应管线537。
在上述的实施例中，作为实施例，已经描述了第一供应管线533和第二供应管线537连接至一个流体供应源531的情况，但本发明不限于此。例如，可以设置多个流体供应源531，第一供应管线533可以连接到多个流体供应源531中的任何一个，且第二供应管线537还可以连接到流体供应源531中的另一个。
另外，第一供应管线533可以是上供应管线，该上供应管线用于从本体510的内部空间518上部供应干燥气体。例如，第一供应管线533可以在从顶部至底部的方向上、向本体510的内部空间518供应干燥气体。例如，第一供应管线533可以连接至上本体512。此外，第二供应管线537可以是下供应管线，该下供应管线用于从本体510的内部空间518下部供应干燥气体。例如，第二供应管线537可以在从底部至顶部的方向上、向本体510的内部空间518供应干燥气体。例如，第二供应管线537可以连接至下本体514。
流体排放单元550可以从本体510的内部空间518排放干燥流体G。
图9为示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。
参考图9，根据本发明示例性实施方案的基板加工方法可以包括基板装载操作S10、第一姿态改变操作S20、批量式加工操作S30、以及第二姿态改变操作S40、润湿操作S50、单晶圆加工操作S60、以及基板卸载操作S70。
在基板装载操作S10中，可以将需要处理的处于未处理状态的基板W装载到基板加工装置10中。在基板装载操作S10中，传送容器F可以放置在第一装载端口单元110上。
容纳在传送容器F中的基板W可以由索引机械手122卸载并传送到储存容器C。
在第一姿态改变操作S20中，基板W的姿态可以从水平姿态改变为竖直姿态。在第一姿态改变操作S20中，基板W的姿态可以通过姿态改变单元124围绕第一方向X旋转储存容器C来改变。姿态改变单元124可以具有能够使储存容器C围绕第一方向X旋转的旋转轴。在第一姿态改变操作S20中，可以同时改变多个基板W的姿态。
姿态已经改变为竖直姿态的基板W可以通过第一传送单元132传送到第一批量式加工单元141。
在批量式加工操作S30中，可以在多个竖直姿态的基板W上执行液体加工。在批量式加工操作S30中，将基板W传送到至少一个或多个批量加工罐141-B1至143-B2、以在基板W上执行液体加工。批量式加工操作S30可以以这样的方式执行：基板W在第一批量式加工单元141中进行预加工、且在第二批量式加工单元142或第三批量式加工单元143中进行后加工。
例如，传送到第一批量式加工单元141的基板W可以在1-1批量加工罐141-B1和/或1-2批量加工罐141-B2中进行液体加工。可以将在1-1批量加工罐141-B1和/或1-2批量加工罐141-B2中进行了液体加工的基板W传送至在第二批量式加工单元142和第三批量式加工单元143之间选择的任意一个处理单元中并进行加工。在1-1批量加工罐141-B1中，基板W可以用诸如DSP的化学品(第1化学液体的实施例)进行加工，在1-2批量加工罐141-B2中，基板W可以用诸如DHF的化学品(第二化学液体的实施例)进行处理。
例如，当将基板W传送至第二批量式加工单元142时，基板W首先在2-1批量加工罐142-B1中、用含磷酸的化学品(第三化学液体的实施例)进行加工，此后，基板W可以在2-2批量加工罐142-B2中用含水的冲洗液进行冲洗。
经冲洗的基板W可以通过第二传送单元134传送到姿态改变加工罐151。
第二姿态改变操作S40可以由姿态改变单元150执行。第二姿态改变操作S40可以包括抓握基板W的抓握操作和改变基板W姿态的旋转操作。在第二姿态改变操作S40中，可以逐个执行基板W姿态的改变。
例如，如图10所示，在第二姿态改变操作S40的抓握操作中，手部156-H可以进入由支承构件153支承的竖直姿态的基板W中的任一个基板W。可以移动手部156-H，使得基板W可以定位在第一引导部件162与第二引导部件163之间。当基板W被定位在第一引导部件162与第二引导部件163之间时，夹持体165可以移动到夹持位置以抓握基板W。
当手部156-H抓握基板W时，基板W可以向上移动，使得基板W可以与形成在支承构件153中的支承凹部分离。
此后，如图11所示，在第二姿态改变操作S40的旋转操作中，在基于紧固体166在其上旋转的一个轴来旋转基板W的情况下，可以通过在一个方向(例如，水平方向)上线性移动基板W来改变基板W的位置。也就是说，在旋转操作中，随着姿态改变机械手156的手部156-H围绕一个轴旋转，手部156-H可以沿水平方向线性移动。在这种情况下，可以在以基板W的一端处于浸入在加工液体L中的状态描绘假想曲线(例如，切削抛物线)的情况下，将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态。此外，基板W可以在基板W的一端远离手部156-H的方向上旋转。
此外，基板W的旋转结束的时间点与基板W的线性移动结束的时间点之间的差可以等于或小于设定时间。例如，这两个时间点可以是相同的时间点。也就是说，在基板W的线性移动结束的同时，也可以使基板W通过紧固件166的旋转全部结束。
另外，在抓握基板W且旋转基板W的情况下，也可以不使视觉构件167浸入在加工液体L中。也就是说，视觉构件167也可以安装在不浸入储存在姿态改变加工罐151中的加工液体L中的位置。因此，可以使视觉构件167被加工液体L损坏的问题最小化。
当基板W在浸入在加工液体L中的情况下、改变基板W的姿态时，基板W可能因加工液体L的阻力而损坏。但是，如本发明那样，在基板W以浸入在加工液体L中的状态线性移动和旋转的情况下，在改变基板W的姿态时，可以尽可能地抑制加工液体L向基板W的阻力传递。此外，当通过向远离加工液体L而移动基板W(即，在使基板W暴露至空气的状态下)来改变基板W的姿态时，由于未能保持基板W的润湿性，因此在基板W上可能会产生水印，并且在本发明中，通过在基板W处于浸入在加工液体L中的状态下、改变基板W的姿态，能够使这种问题最小化。
在执行第二姿态改变操作S40之后，可以执行润湿操作S50。润湿操作S50可以在第二姿态改变操作S40与单晶圆加工操作S60之间执行。
润湿操作S50可以由姿态改变机械手156和/或第一缓冲单元210执行。在润湿操作S50中，可以通过向从加工液体L暴露至外部的基板W喷射润湿液来防止基板W的自然干燥。润湿液可以是与储存在上述姿态改变加工罐151中的加工液体L相同类型的液体。替代地，润湿液可以是与上述加工液体L不同的液体。
例如，如图12所示，完成了基板W的姿态改变、且姿态改变机械手156可以在向上方向移动基板W，从而移动基板W以远离容纳在姿态改变加工罐152中的加工液体L。当基板W远离加工液体L移动时，液体供应构件168可以供应润湿液WL。在这种情况下，可以向第一区域和第二区域供应润湿液WL，该第一区域和第二区域为如图13和14所示的基板W的边缘区域。向基板W的边缘区域供应的润湿液WL可以在沿基板W的上表面流动的情况下、在基板W的上表面形成液膜。如此一来，当润湿液WL沿基板W的边缘区域流动而形成液膜时，润湿液WL的飞溅现象被尽可能地抑制，且可以更有效地处理基板W。
另外，如上所述，也可以在第一缓冲单元210中执行润湿操作S50。在其上已经执行了第二姿态改变操作S40的基板W可以通过姿态改变机械手156传送到第一缓冲单元210。在润湿操作S30中，当基板W装载到第一缓冲单元210中时，第一缓冲单元210的润湿喷嘴216可以将润湿液喷射到基板W上。
由于执行了润湿操作S30，因此可以在将基板W装载到单晶圆式加工腔室之前使基板W的自然干燥最小化。
在单晶圆加工操作S60中，可以在竖直姿态的单个基板W上执行加工。单晶圆加工操作S60可以包括液体加工操作S61和干燥操作S62。
在液体加工操作S61中，可以以单晶圆式对基板W进行液体加工。当临时储存在第一缓冲单元210中的基板W被传送到单晶圆式液体加工腔室230时，可以在单晶圆式液体加工腔室230中执行液体加工操作S61。在液体加工操作S40中，可以将诸如IPA的有机溶剂供应到基板W上。
在干燥操作S62中，可以以单晶圆式对基板W进行干燥。当在液体加工操作S61中将液体加工的基板W传送到干燥腔室240时，可以在干燥腔室240中执行干燥操作S62。在干燥操作S50中，可以通过向基板W供应处于超临界状态的加工液体(例如，处于超临界状态的二氧化碳)来去除残留在基板上的有机溶剂、润湿液或加工液体L。
在一些情况下，不在干燥腔室240中执行干燥操作S50，但是可以通过在单晶圆式液体加工腔室230中高速旋转基板W来干燥基板W(所谓的离心干燥)。
在单晶圆加工操作S60之后执行的基板卸载操作S70中，在其上已经执行了单晶圆加工操作S60的基板W被传送到第二缓冲单元250，此后，放置在第二装载端口单元270的传送容器F可以通过第二传送腔室260的第二传送机械手262传送，并且放置在第二装载端口单元270上的传送容器F可以由诸如OHT的传送设备抓握，并且从基板加工装置10卸载。
如上所述，根据本发明示例性实施方案的基板加工装置10可以包括批量式加工单元140和单晶圆式液体加工腔室230。因此，本发明可以具有批量式加工方法和单晶圆式液体加工方法的所有优点。
例如，批量式加工单元140能够同时加工多个基板W，因此基板W的处理量产性非常好，基板W之间的加工均匀度也非常高。此外，当形成在基板W上的图案具有高纵横比时，可以通过在单晶圆式液体加工腔室230中供应化学品、冲洗液等来补充没有被批量式加工单元140加工的部分(例如，没有被蚀刻的部分)。此外，从单晶圆式液体加工腔室230或第一缓冲单元210供应的有机溶剂润湿的基板(W，例如晶圆)可以传送到用于通过供应超临界流体来干燥基板W的干燥腔室240。超临界流体相对于形成在基板W上的图案之间的空间具有高穿透力，并且可以在不旋转基板W的情况下干燥基板W，从而使上述图案倾斜现象的发生最小化。此外，本发明的基板处理装置10能够执行所有单晶圆式液体加工方法、批量液体加工方法、以及通过使用超临界流体来干燥基板W的方法，因此可以改善由颗粒、滴落和流动引起的缺陷。此外，由于可以由批量式加工单元140加工的基板W的数量相对较大，所以不需要大量的液体加工腔室，因此具有减小基板加工装置10的占地面积的优点。此外，本发明的基板加工装置10还包括如上所述的单晶圆式液体加工腔室230，因此可以解决当仅使用批量式加工单元140处理基板W时可能发生的基板W上的图案中SiO2异常生长的问题。
此外，如在根据本发明的示例性实施方案的基板加工装置10中，当提供批量式加工单元140和单晶圆式液体加工腔室230两者时，必须将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态。因此，根据本发明示例性实施例的基板加工装置10包括姿态改变机械手156，以将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态。此时，为了尽可能地保持基板W的润湿性(否则，基板W可能会干燥而产生水印)，基板W以浸入在加工液体L中的状态来改变基板W的姿态。
在上述实施例中，作为实施例，已经描述了液体供应构件168安装在支承体161的情况，但本发明不限于此。例如，如图15所示，液体供应构件169可以安装在紧固体166上。液体供应构件169可以是形成有第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c的供应管线。第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c可以沿向下倾斜的方向朝向基板W喷射润湿液WL。可以分别形成第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c中的至少一个。例如，可以形成多个第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c。第一喷嘴169a可以设置在第二喷嘴169b之间，第二喷嘴169b可以设置在第三喷嘴169c之间。第一喷嘴169a可以设置在相对内侧，第三喷嘴169c可以设置在相对外侧。另外，如图16所示，第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c的喷射孔的直径可以彼此不同。第一喷嘴169a的喷射孔的直径可以大于第二喷嘴168b的喷射孔的直径，并且第二喷嘴169b的喷射孔的直径可以大于第三喷嘴168c的喷射孔的直径。另外，输送到第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c的每单位时间的润湿液WL的供应流量可以是相同的。因此，在从第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c供应的润湿液WL的喷射距离中，第一喷嘴169a的喷射距离最短，第三喷嘴169c的喷射距离最长。此外，第一喷嘴169a、第二喷嘴168b和第三喷嘴168c可以向基板W的边缘区域供应润湿液WL。
在上述实施例中，作为实施例，描述了姿态改变机械手156向基板W的边缘区域供应润湿液WL，但本发明不限于此。例如，如图17所示，液体供应构件177可以联接至第三臂175。并且，液体供应构件177可以配置为在与第四臂176作为旋转轴旋转的方向平行的方向上可旋转地设置，并且向放置在手部156-H上的基板W的中心区域供应湿润液WL。
图18为示出了从上方观察的根据本发明的另一示例性实施方案的手部的图，以及图19为示出了从侧面观察的图18的手部的图。
参考图18和图19，根据姿态改变机械手156可能具有的另一示例性实施方案，手部156-H1可以包括支承体181、引导部件182、夹持体183、驱动构件184、旋转构件185、旋转马达186、连接体187和视觉构件188。
支承体181可以具有手指形状。引导部件182可以设置在支承体181的远端处。引导部件182可以支承基板W的侧面，并且支承体181可以支承基板W的下表面。
夹持体183可以通过驱动构件184沿一个方向移动。夹持体183可以在基板W被驱动构件184夹持的夹持位置与基板W未被夹持的待机位置之间移动。旋转构件185可以围绕一个轴旋转支承体181和基板W，并且旋转马达186可以传递用于使旋转构件185旋转的驱动力。连接体187可以连接到姿态改变机械手156的接合部件156-R。视觉构件188可以执行与上述视觉构件167相同或相似的功能。另外，与视觉构件167相似，视觉构件188也可以设置在当改变基板W的姿态时、不会浸入储存在姿态改变加工罐151中的加工液体L中的位置处。
图20为示出了从上方观察的根据本发明的另一示例性实施方案的手部的图，以及图21为从侧面观察的图20的抓握部的图。参考图20和图21，根据本发明另一示例性实施方案的姿态改变机械手156的手部156-H2可以包括紧固体190、旋转构件191、夹持体192、和抓握部193。紧固体190可以联接到姿态改变机械手156的接合部件156-R。旋转构件191可以旋转夹持体192。多个抓握部193可以安装在夹持体192上。可以在抓握部193中形成用于抓握基板W的侧面的抓握槽194。
在上述实施例中，作为实施例，已经描述了根据本发明示例性实施方案的基板加工装置10包括单晶圆式液体加工腔室230和干燥腔室240两者的情况，但是本发明是不限于此。例如，基板加工装置10可以仅包括单晶圆式液体加工腔室230和干燥腔室240的一者。
在上述实施例中，作为实施例，已经描述了在从批量式加工单元140卸载的基板W被传送到单晶圆式液体加工腔室230，在基板W在单晶圆式液体加工腔室230中加工后、将基板W传送至干燥腔室240的情况，但本发明不限于此。例如，当颗粒水平良好时，可以将基板W从批量液体加工腔室140直接传送到干燥腔室240。
前述详细描述示出了本发明。进一步地，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以用于各种其他结合、修改和环境中。也就是说，前述内容可以在本说明书公开的本发明构思的范围内、等同于本发明的范围内和/或本领域的技术或知识的范围内进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。因此，本发明的上述详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。进一步地，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
加工罐，所述加工罐具有容纳空间，在所述容纳空间中容纳加工液体；
支承构件，所述支承构件用于支承在所述接收空间中竖直姿态的至少一个基板；以及
姿态改变机械手，所述姿态改变机械手用于将处于浸入所述液体状态中的状态的基板的姿态从所述竖直姿态改变为水平姿态，
其中所述姿态改变机械手包括：
手部，所述手部配置为抓握所述基板；以及
臂，所述臂用于移动所述手部。
2.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括：
控制器，
其中，当改变所述基板的所述姿态时，所述控制器控制所述姿态改变机械手、以在围绕一个轴旋转所述基板的情况下沿一个方向移动所述基板。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，当改变所述基板的所述姿态时，所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述手部在保持所述基板并围绕所述一个轴旋转的情况下、沿所述一个方向线性移动。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述基板的旋转结束的时间点与所述基板沿所述一个方向的移动结束的时间点之间的差等于或小于设定时间。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述基板的旋转结束的时间点和所述基板沿所述一个方向的位置改变结束的时间点彼此相同。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的装置，其中，所述手部包括：
支承体，所述支承体用于支承所述基板；以及
夹持体，所述夹持体设置成在夹持位置与待机位置之间为可移动的，所述夹持位置用于夹持基板，所述待机位置比所述夹持位置更远离所述基板。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述手部还包括紧固体，所述紧固体用于将所述支承体和所述夹持体紧固到所述臂。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述手部还包括视觉构件，所述视觉构件用于拍摄由所述支承体支承的所述基板。
9.根据权利要求2至5中任一项所述的装置，其中，所述臂是由至少两个轴构成的接合臂。
10.根据权利要求2至5中任一项所述的装置，所述装置还包括：
缓冲单元，所述缓冲单元用于临时储存所述基板，
其中，所述控制器控制所述姿态改变机械手、以将所述姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态的所述基板传送到缓冲单元。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，所述姿态改变机械手还包括润湿喷嘴，所述润湿喷嘴用于供应润湿液，所述润湿液用于保持放置在所述手部上的所述基板的润湿性。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述润湿液是与所述加工液体相同类型的液体。
13.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
第一工艺加工单元，所述第一工艺加工单元用于以批量方式加工基板；以及
第二工艺加工单元，所述第二工艺加工单元用于以单晶圆式加工所述基板，
其中所述第一工艺加工单元包括：
姿态改变加工罐，所述姿态改变加工罐具有容纳空间，在所述容纳空间中容纳液体；
支承构件，所述支承构件用于支承所述接收空间中竖直姿态的至少一个基板；以及
姿态改变机械手，所述姿态改变机械手用于将处于浸入所述液体中的状态的所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为水平姿态，其中所述姿态改变机械手包括手部和移动所述手部的臂。
14.根据权利要求13所述的装置，所述装置还包括：
控制器，
其中，所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述姿态改变机械手完成所述基板的姿态改变、并将已改变姿态的所述基板传送到所述第二工艺加工单元。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第二工艺加工单元包括缓冲单元，所述缓冲单元用于临时储存已改变姿态的所述基板，并且
所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述姿态改变机械手完成所述基板的姿态改变、并将已改变姿态的所述基板传送到所述缓冲单元。
16.根据权利要求13所述的装置，其中，所述容纳空间具有：
支承区域，所述支承构件在所述支承区域支承所述基板；以及
姿态改变区域，所述姿态改变机械手在所述姿态改变区域改变所述基板的姿态。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述姿态改变机械手设置为在所述支承区域与所述姿态改变区域之间更靠近所述姿态改变区域。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的装置，其中，所述第一工艺加工单元还包括批量加工罐，所述批量加工罐用于使用加工液体加工多个基板，并且
在从上方观察时，所述批量加工罐的宽度中的一个方向上的宽度小于所述姿态改变加工罐的宽度中的所述一个方向上的宽度。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，设置多个所述批量加工罐，并且
所述第一工艺加工单元还包括：
第一传送单元，所述第一传送单元用于将未加工的基板传送到所述批量加工罐；
第二传送单元，所述第二传送单元用于在所述批量加工罐与所述姿态改变加工罐之间传送所述基板；以及
批量传送单元，所述批量传送单元用于在所述批量加工罐之间传送所述基板。
20.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
第一工艺加工单元，所述第一工艺加工单元用于以批量方式加工基板；和
第二工艺加工单元，所述第二工艺加工单元用于以单晶圆式加工所述基板，以及
控制器，
其中所述第一工艺加工单元包括：
批量加工罐，所述批量加工罐用于加工竖直姿态的基板；
姿态改变加工罐，所述姿态改变加工罐用于将所述竖直姿态的所述基板改变为水平姿态，其中，所述姿态改变加工罐具有容纳空间以及支承构件，在所述容纳空间中容纳液体，所述支承构件用于支承设置在所述容纳空间中竖直姿态的所述基板；以及
姿态改变机械手，所述姿态改变机械手用于将处于浸入所述液体中的状态的所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态，其中所述姿态改变机械手包括手部和移动所述手部的臂；
所述第二工艺加工单元包括：
缓冲单元，所述缓冲单元用于提供临时储存所述基板的空间；
单晶圆式液体加工腔室，所述单晶圆式液体加工腔室用于通过向旋转基板供应加工液体来对基板进行液体加工；
单晶圆式干燥腔室，所述单晶圆式干燥腔室用于通过向所述基板供应超临界流体来干燥所述基板；和
传送机械手，所述传送机械手用于在所述缓冲单元与所述单晶圆式液体加工腔室之间、或在所述缓冲单元与所述单晶圆式干燥腔室之间传送所述基板，并且
当改变所述基板的所述姿态时，所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述基板在以浸入容纳在所述容纳空间中的所述液体中的状态围绕一个轴旋转的情况下、沿水平方向移动；并且所述控制器控制所述姿态改变机械手，使得所述姿态改变机械手完成所述基板的姿态变化、并将已改变姿态的所述基板传送至所述缓冲单元。
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KR102207397B1 (ko) * 2014-07-31 2021-01-26 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 공정을 마친 웨이퍼의 반전 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법
JP7205966B2 (ja) * 2018-06-29 2023-01-17 川崎重工業株式会社 基板搬送装置及びその運転方法
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