TWI835028B - 用於處理基板之設備 - Google Patents

Abstract

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包含第一處理部件，以批次式處理方法在複數個基板上執行液體處理；及第二處理部件，處理在前述第一處理部件處已處理的基板，並以單一式處理方法在單個基板上執行液體處理或乾燥處理。

Description

用於處理基板之設備

本文描述的本發明概念之例示性實施例係關於用於處理基板之設備。

執行諸如光學微影術製程、蝕刻製程、灰化製程、離子植入製程、及薄膜沉積製程的各個製程，以製造半導體設備。在製程中之各者處，使用各種處理液體及處理氣體，且在處理製程期間，產生顆粒及製程副產品。為了移除此類薄膜、顆粒、及製程副產品，在各個製程之前及之後執行液體處理。在習知液體處理製程中，在乾燥處理之前運用化學品及沖洗液體處理基板。液體處理製程可自基板剝離SiN。

此外，運用化學品及沖洗液體處理基板的方法可大致分為集體處理複數個基板的批次式處理方法、及一次分別處理一個基板的單一式處理方法。

在集體處理複數個基板的批次式處理方法中，基板處理係藉由將複數個基板集體浸入處理槽中來執行的，在處理槽中，化學品或沖洗液體以垂直姿態儲存。為此，基板處理的產量非常突出，且各個基板之間的處理品質係均勻的。然而，在批次式處理方法中，在其頂表面上具有圖案的複數個基板以垂直姿態浸入。因此，當基板上的圖案具有高深寬比時，在諸如提升基板的製程期間可能發生圖案傾斜現象。此外，若在複數個基板暴露於空氣之後的短時間內未執行乾燥處理，則可在暴露於空氣的複數個基板中之一些上產生水印。

另一方面，在逐一處理基板的單一式處理方法的情況下，藉由供應化學品或沖洗液體至以水平姿態旋轉的單個基板來執行基板處理。此外，在單一式處理方法中，因為轉移的基板保持水平姿態，所以上述圖案傾斜的風險低，且因為基板經乾燥處理、或逐一處理之後立即進行液體處理，所以出現上述水印的風險低。然而，在單一式處理方法的情況下，基板處理的產量差，且與批式處理方法相比，各個基板之間的處理品質相對不均勻。

此外，當基板旋轉並旋轉乾燥時，若在基板上形成的圖案具有高深寬比，則可能出現傾斜現象，其中基板上的圖案塌陷。

本發明概念的實施例提供一種用於有效處理基板的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備，其可改善基板處理的產量。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備，其可改善各個基板之間處理品質的均勻性。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備，用於最小化基板上發生水印的風險。

本發明概念的實施例提供一種用於最小化基板上發生圖案傾斜現象之風險的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備，用於有效地處理具有高深寬比圖案的基板。

本發明概念的技術目標不限於上述各者，且其他未提及的技術目標將自以下描述中對熟習此項技術者變得顯而易見。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：第一處理部件，以批次式處理方法在複數個基板上執行液體處理；第二處理部件，處理在第一處理部件處已處理的基板，並以單一式處理方法在單個基板上執行液體處理或乾燥處理。

在實施例中，第一處理部件包括含第一裝載埠單元，在第一裝載埠單元上置放有儲存未處理基板的容器；且第二處理部件包含第二裝載埠單元，在第二裝載埠單元上置放有儲存經處理基板的容器。

在實施例中，第一處理部件包含批次手，轉移自置放於第一裝載埠單元上的容器中轉移的複數個基板；且第二處理部件包含單一手，轉移在第一處理部件處已經液體處理的單個基板。

在實施例中，第二處理部件包含：單一式處理室，以單一式處理方法在基板上執行液體處理或乾燥處理；及第二緩衝單元，其置放於單一式處理室與第二裝載埠單元之間，並暫時儲存在單一式處理室處已處理的基板。

在實施例中，第二處理部件包含：單一式處理室，以單一式處理方法在基板上執行液體處理或乾燥處理；及第一緩衝單元，置放於第一處理部件與單一式處理室之間，並暫時儲存在第一處理部件處已處理的基板。

在實施例中，第一處理部件包含：處理槽，具有容納空間以容納處理液體；儲存容器，浸沒於包含於容納空間中的處理液體中並具有用於儲存基板的儲存空間；及姿態改變構件，旋轉浸沒於處理液體中的儲存容器。

在實施例中，姿態改變構件包含：旋轉單元，可安裝於儲存容器上並旋轉儲存容器；及移動單元，安裝於處理槽處並在水平方向上移動安裝於旋轉單元上的儲存容器。

在實施例中，處理槽具有帶有開口頂部的容器形狀，且移動單元安裝於處理槽的一側處。

在實施例中，移動單元具有「ㄷ」形狀，其開口部件面向底部，以便移動單元可安裝於處理槽的一側處。

在實施例中，第一處理部件進一步包含提升/降低構件，用於在上/下方向上移動由姿態改變構件旋轉的儲存容器，且提升/降低構件可附接至儲存容器/可自儲存容器移除。

在實施例中，第二處理部件包含第一緩衝單元，用於暫時儲存在第一處理部件處已經液體處理的基板；且設備進一步包含轉移單元，用於在儲存容器與第一緩衝單元之間轉移基板。

在實施例中，基板支撐單元進一步包含控制器，控制器組態以控制轉移單元、及提升/降低構件，以向上移動儲存容器，從而使暴露於外部的基板可轉移至第一緩衝單元。

在實施例中，基板支撐單元進一步包含控制器，控制器組態以控制轉移單元，以便將儲存於儲存容器處的基板中最頂基板自儲存容器轉移至第一緩衝單元。

在實施例中，當基板中最頂基板自儲存容器轉移之後，控制器控制提升/降低構件以在向上方向上移動儲存容器，因此儲存於儲存容器中的基板中隨後的最頂基板暴露於外部。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：批次式處理室，用於以批次式處理方法在複數個基板上執行清洗處理；單一式處理室，用於處理在批次式處理室中經處理的基板，並以單一式處理方法在單個基板上執行乾燥處理；及轉移單元，在批次式處理室與單一式處理室之間轉移基板。

在實施例中，批次式處理室包含：處理槽，具有容納空間以容納處理液體；及姿態改變構件，浸沒於容納於容納空間中的處理液體中並旋轉具有儲存基板的儲存空間的儲存容器。

在實施例中，姿態改變構件包含：旋轉單元，可安裝至儲存容器並旋轉儲存容器；及移動單元，安裝於處理槽處並在水平方向上移動安裝於旋轉單元的儲存容器。

在實施例中，批次式處理室進一步包含提升/降低構件，在上/下方向上移動由姿態改變構件旋轉的儲存容器。

本發明概念的實施例提供一種基板處理設備。基板處理設備包含：第一處理部件，以批次式處理方法在複數個基板上執行液體處理；及第二處理部件，以單一式處理方法在單個基板上執行乾燥處理，其中第一處理部件包含：第一裝載埠單元，僅裝載未處理基板；批次式處理室，以批次式處理方法在複數個基板上執行清洗處理；第一轉移模組，具有將複數個基板自第一裝載埠單元轉移至批次式處理室的批次手；及第一緩衝單元，置放於批次式處理室與第二處理部件之間並暫時儲存基板，其中第二處理部件包含：單一式處理室，在單個基板上執行乾燥處理；第二轉移模組，具有將基板自第一緩衝單元轉移至單一式處理室的單一手；及第二裝載埠單元，用於卸載在單一式處理室處經處理的基板。

在實施例中，單一式處理室以複數個提供，且單一式處理室中之至少一些與第一緩衝單元堆疊置放，且單一式處理室中之至少一些其他者彼此堆疊置放。

根據本發明概念的實施例，可有效地處理基板。

根據本發明概念的實施例，可改善基板處理的大規模生產。

根據本發明概念的實施例，可改善各個基板之間處理品質的均勻性。

根據本發明概念的實施例，可最小化基板上發生水印的風險。

根據本發明概念的實施例，可最小化基板上發生圖案傾斜現象的風險。

根據本發明概念的實施例，可有效地處理具有形成之高深寬比圖案的基板。

本發明概念的效果不限於上述之效果，且熟習此項技術者將自本說明書及隨附圖式中清楚地理解未提及之效果。

本發明概念可進行各種修改並可具有各種形式，且其具體實施例將在圖式中圖示並詳細描述。然而，根據本發明概念的實施例並不旨在限制特定的揭示形式，且應理解，本發明概念包括本發明概念的精神及技術範疇中包括的所有變換、等價物及替換物。在本發明概念的描述中，當相關已知技術的詳細描述可能使本發明概念的本質不清楚時，可省略該描述。

本文使用的術語僅用於描述特定實施例，並不旨在限制本發明概念。如本文所用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」旨在亦包括複數形式。應進一步理解，當在本說明書中使用術語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」時，規定所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組的存在或添加。如本文所使用的，術語「及/或」包括相關列出項目中之一或多者的任何及所有組合。此外，術語「例示性」意指實例或說明。

單數表達包括複數表達，除非其在上下文中明確具有不同的含義。此外，為了更清楚地解釋，可誇大圖式中元件的形狀及大小。

應理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等可在本文中用於描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但這些元件、組件、區域、層及/或區段不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。因此，下文討論的第一元件、組件、區域、層或區段可稱為第二元件、組件、區域、層或區段，而不脫離本發明概念的教導。

應理解，當元件或組件稱為「在另一元件或組件上」、「連接至」、「耦接至」、或「相鄰於」另一元件或組件時，其可直接在另一元件或組件上，直接連接至、耦接至、或相鄰於另一元件或組件，或可存在中介元件或組件。相較而言，當元件稱為「直接在另一元件或組件上」、「直接連接至」、「直接耦接至」、或「緊鄰於」另一元件或組件時，不存在中介元件或組件。解釋元件之間關係的其他表達，諸如當元件稱為「在另兩個元件之間」時，其可直接在另兩個元件之間，或可間接在另兩個元件之間。

除非另有定義，否則本文使用的所有術語，包括技術或科學術語，與本發明概念所屬領域的技術人員通常理解的術語具有相同的含義。除非在本申請案中明確定義，否則常用詞典中定義的術語應解釋為與相關技術的上下文一致，而非理想的或過於正式的。

此外，下文將描述的用於轉移基板W的組件，諸如下文中的轉移單元或轉移機器人，可稱為轉移模組。

以下，將參考圖1至圖16描述本發明概念的實施例。

圖1圖示根據本發明概念的實施例的基板處理設備，圖2圖示自一個方向觀察的圖1的第二處理部件，且圖3圖示自另一方向觀察的圖1的第二處理部件。

參考圖1、圖2、及圖3，根據本發明概念的實施例的基板處理設備10可包括第一處理部件100、第二處理部件200、及控制器600。當自上觀察時，第一處理部件100及第二處理部件200可沿第一方向X配置。以下，將垂直於第一方向X的方向稱為第二方向Y，且將垂直於第一方向X及第二方向Y的方向稱為第三方向Z。

第一處理部件100可以批次式方法集體液體處理複數個基板W。舉例而言，第一處理部件100可以批次式方法集體清洗處理複數個基板W。第一處理部件100可包括第一裝載埠單元110、第一分度室120、第一轉移室130、批次式液體處理室140、及第二轉移室150。

第一裝載埠單元110可包括至少一個裝載埠。儲存有至少一個基板W的容器F可置放於第一裝載埠單元110的裝載埠中。複數個基板W可儲存於容器F中。舉例而言，25個基板可儲存於容器F中。容器F可稱為卡匣、POD、前開式統一吊艙(Front Opening Unified Pods；FOUP)、或類似者。容器F可由容器轉移設備裝載至第一裝載埠單元110中。儲存在置放於第一裝載埠單元110上的容器F中的基板W可為未處理基板W或需要液體處理的基板W(待液體處理之晶圓)。此外，僅可將儲存有未處理基板W的容器F置放於第一裝載埠單元110中。亦即，第一裝載埠單元110可用於裝載需要處理的基板W。

第一裝載埠單元110可耦接至第一分度室120。第一分度室120及第一裝載埠單元110可在第二方向Y上配置。第一分度室120可包括第一轉移機器人122及姿態改變單元124。第一轉移機器人122可自位於第一裝載埠單元110上的容器F中取出未處理或需要處理的基板(待處理晶圓)W。第一轉移機器人122可將基板W自容器F取出並將基板W帶入設置於第一分度室120中的儲存容器C中。第一轉移機器人122可具有批次手，能夠同時抓取及轉移複數個基板(例如，25個晶圓)。

儲存容器C可基本上為容器形狀。儲存容器C可在其中具有儲存空間。複數個基板W可儲存於儲存容器C的儲存空間中。舉例而言，50個基板W可儲存於儲存容器C的儲存空間中。儲存容器C可具有帶有一個開口側面的容器。可在儲存容器C的儲存空間中設置用於支撐/保持基板W的支撐構件。

當自容器F取出的基板W完全帶入儲存容器C中時，儲存容器C可返回至安置於第一分度室120中的姿態改變單元124。姿態改變單元124可旋轉儲存容器C。舉例而言，姿態改變單元124可旋轉儲存容器C，使得儲存容器C的開口側面向上。當儲存容器C旋轉使得儲存容器C的開口側面向上時，儲存於儲存容器(C)中的基板W的姿態可自水平姿態改變為垂直姿態。水平姿態可意謂基板W的頂表面(例如，形成圖案的表面)平行於X-Y平面的狀態，垂直姿態可意謂基板W的頂表面平行於X-Z平面或Y-Z平面的狀態。

第一轉移室130可連接至第一分度室120。第一轉移室130可包括第一轉移單元132。第一轉移單元132可包括能夠轉移物件的轉移手。此外，第一轉移單元132的轉移手可設置為可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移動。此外，第一轉移單元132的轉移手可設置為可繞作為旋轉軸的第三方向Z旋轉。第一轉移單元132可自第一分度室120取出至少一個基板W，並將其插入稍後描述的批次式液體處理室140中。舉例而言，第一轉移單元132可自第一分度室120一次取出複數個基板W，並將其放入稍後描述的批次式液體處理室140中。舉例而言，第一轉移單元132的手可自第一分度室120取出由姿態改變單元124旋轉的儲存容器C，並將取出的儲存容器C帶入批次式液體處理室140中。

當自上觀察時，批次式液體處理室140可與第一轉移室130平行安置。

批次式液體處理室140可一次液體處理複數個基板W。批次式液體處理室140可使用處理液體一次清洗複數個基板W。批次式液體處理室140可使用處理液體一次液體處理複數個基板W。批次式液體處理室140中使用的處理液體可為化學品及/或沖洗液體。舉例而言，化學品可為具有強酸或強鹼性質的化學品。此外，沖洗液體可為純水。舉例而言，化學品可選自APM(氨-過氧化氫混合物)、HPM(鹽酸-過氧化氫混合物)、FPM(氫氟酸-過氧化氫混合物)、DHF(稀氫氟酸)、移除SiN的化學品、包括磷酸的化學品、或包括硫酸的化學品。清洗液可適當地選自純水或臭氧水等。

此外，批次式液體處理室140可包括第一批次式液體處理室141、第二批次式液體處理室142、及第三批次式液體處理室143。第一批次式液體處理室141及第二批次式液體處理室142可使用化學品處理基板W。第三批次式液體處理室143可使用沖洗液體沖洗處理基板W。此外，在第一批次式液體處理室141及/或第二批次式液體處理室142中處理基板W之後，上述第一轉移單元132可將容納已經化學處理的基板的儲存容器C返回至第三批次式液體處理室143，以利用沖洗液體處理儲存於儲存容器C中的基板W。稍後將描述批次式液體處理室140的細節。

當自上觀察時，第二轉移室150可與第一轉移室130及批次式液體處理室140平行配置。舉例而言，第二轉移室150可在第二方向Y上與第一轉移室130平行配置。此外，第二轉移室150可在第一方向X上與批次式液體處理室140平行配置。此外，第二轉移室150可安置於第三批次式液體處理室143與第二處理部件200之間。舉例而言，第二轉移室150可安置於第三批次式液體處理室143與第二處理部件200的第一緩衝單元210(稍後描述)之間。

第二轉移室150可轉移基板W。第二轉移室150可自批次式液體處理室140取出基板W，並將基板W返回至第一緩衝單元210(稍後描述)。第二轉移室150可包括具有轉移手的第二轉移單元152。第二轉移單元152的轉移手可設置為可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移動。此外，第二轉移單元152的轉移手可設置為可繞作為軸的第三方向Z旋轉。此外，第二轉移單元152的轉移手可自包括於批次式液體處理室140中的第三批次式液體處理室143中取出基板W，並將基板W轉移至第一緩衝單元210。此外，第二轉移單元152的轉移手可以水平姿態自第三批次式液體處理室143取出基板W，並將其轉移至第一緩衝單元210。

第二處理部件200可處理已由第一處理部件100處理的基板W。第二處理部件200可處理已由第一處理部件100處理的基板W，並可在基板W上執行單一式液體處理或單一式乾燥處理。第二處理部件200可包括第一緩衝單元210、第三轉移室220、單一式液體處理室230、乾燥室240、第二緩衝單元250、第二分度室260、及第二裝載埠單元270。單一式液體處理室230及乾燥室240兩者均可稱為單一式處理室。

當自上觀察時，第一緩衝單元210可在第一方向X上與第二轉移室150平行配置。舉例而言，第一緩衝單元210可安置於第二轉移室150的一個側面上。第一緩衝單元210可具有用於暫時儲存已在第一處理部件100中經液體處理的基板W的儲存空間。第一緩衝單元210可以水平姿態儲存基板W，其位置已自第三批次式液體處理室143中的垂直位置改變。此外，供應潤濕液體至儲存空間的液體供應管線可連接至第一緩衝單元210，以防止帶入儲存空間中的基板W乾燥(以保持基板W的潤濕性)。此外，儲存於第一緩衝單元210中的基板W可儲存於第一緩衝單元210內獨立分區的個別儲存空間中。此外，第一緩衝單元210可安置成與單一式處理室中之至少一些堆疊。舉例而言，稍後描述的乾燥室240或單一式液體處理室230可安置於第一緩衝單元210下方。舉例而言，稍後描述的單一式液體處理室230可安置於第一緩衝單元210下方。一個或複數個單一式的液體處理室230可安置於第一緩衝單元210下方。

當自上觀察時，第三轉移室220可安置於稍後描述的乾燥室240之間。此外，當自上觀察時，第三轉移室220可安置於第一緩衝單元210與稍後描述的單一式液體處理室230之間。第三轉移室220可包括第三轉移單元222。第三轉移單元222可包括自第一緩衝單元210取出基板W並將基板W轉移至乾燥室240或單一式液體處理室230的轉移手。第三轉移單元220的手可為一次轉移一個基板的單一式手。第三轉移單元222的轉移手可設置為可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移動。此外，第三轉移單元222的轉移手可設置為可繞作為旋轉軸的第三方向Z旋轉。

當自上觀察時，單一式液體處理室230可安置於第三轉移室220的一個側面上及另一側面上。單一式液體處理室230中之一些可安置成與如上所述的第一緩衝單元210堆疊。單一式液體處理室230中之一些可安置於第一緩衝單元210之下。

單一式液體處理室230旋轉水平姿態基板W，並以水平姿態供應處理液體至旋轉基板W以處理基板W。可在單一式液體處理室230處一次處理一個基板W。自單一式液體處理室230供應的處理液體可為有機溶劑。舉例而言，自單一式液體處理室230供應的處理液體可為異丙醇(IPA)。單一式液體處理室230可供應有機溶劑至旋轉基板W，並旋轉基板W以乾燥處理基板W。或者，單一式液體處理室230供應有機溶劑至旋轉基板W，且在經有機溶劑潤濕的同時將基板W返回至稍後描述的乾燥室240，從而基板W可在乾燥室240中乾燥。稍後將詳細描述單一式液體處理室230。

乾燥室240可使用超臨界流體處理基板W。乾燥室240可為超臨界室，用於以單一式的方式乾燥一個基板W。乾燥室240可為用於使用超臨界流體乾燥基板W的超臨界室。稍後將詳細描述乾燥室240。

第二緩衝單元250可安置於第三轉移室230與第二分度室260(稍後描述)之間。第二緩衝單元250可安置於單一式處理室與第二裝載埠單元270之間。

類似於第一緩衝單元210，第二緩衝單元250可提供暫時儲存、或停留基板W的空間。舉例而言，第二緩衝單元250可暫時儲存在單一式液體處理室230及/或乾燥室240中已處理的基板W。

第二分度室260可與第二緩衝單元250及第三轉移室220配置成一直線。第二分度室260可與第二緩衝單元250及第三轉移室220在第二方向Y上配置成一直線。第三轉移室220的第三轉移單元222可以水平姿態執行基板W，該基板W已由單一式液體處理室230或乾燥室240處理，並可將經執行基板W轉移至第二緩衝單元250。第二分度室260的第二轉移機器人262可自第二緩衝單元250取出基板W。

第二轉移機器人262的手可為一次轉移一個基板的單一式手。第二轉移機器人262的轉移手可設置成沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移動。此外，第二轉移機器人262的轉移手可設置為繞作為旋轉軸的第三方向Z旋轉。

第二裝載埠單元270可包括至少一個裝載埠。用於儲存複數個基板W的容器F可安置於第二裝載埠單元270的裝載埠中。舉例而言，置放於第二裝載埠單元270上的容器F可儲存在第一處理部件100及第二處理部件200中已經處理的基板W。在置放於第二裝載埠單元270上的容器F中，僅可儲存在第一處理部件100及第二處理部件200中已經處理的基板W。亦即，第二裝載埠單元270可執行自基板處理設備卸載經處理基板W的功能。

上述第二轉移機器人262可將經處理基板W帶入置放於第二裝載埠單元270的裝載埠中的容器F中。容器F可藉由上述物品轉移設備(例如，OHT、高架運輸設備)返回至基板處理設備10的外部。

控制器600可控制基板處理設備10。舉例而言，控制器600可控制基板處理設備10的組件。舉例而言，控制器600可控制基板處理設備10，以便基板處理設備10可執行處理基板W的製程。舉例而言，控制器600可控制批次式液體處理室140、第二轉移單元152、第一緩衝單元210、第三轉移單元222、及第二轉移機器人262。此外，控制器600可控制液體供應源315、液體排放管線316、姿態改變構件330、提升/降低構件340、及加熱構件320(稍後描述)。

此外，控制器600可包含由執行基板處理設備10之控制的微處理器(電腦)組成的製程控制器；使用者介面，諸如操作者透過其輸入命令以管理基板處理設備10的鍵盤及顯示基板處理設備10的操作情況的顯示器；及儲存處理配方(亦即，藉由控制製程控制器來執行基板處理設備10的處理製程的控製程式或根據資料及處理條件執行基板處理設備10的組件的程式)的記憶體單元。此外，使用者介面及記憶體單元可連接至製程控制器。處理配方可儲存於儲存單元的儲存媒體中，且儲存媒體可為硬碟、諸如CD-ROM的可攜式磁碟、DVD、或諸如快閃記憶體的半導體記憶體。

圖4自側面示意性地圖示圖1的批次式液體處理室及第一轉移室。

參考圖4，批次式液體處理室140可包括第一批次式液體處理室141、第二批次式液體處理室142、及第三批次式液體處理室143，如上所述。第一批次式液體處理室141、第二批次式液體處理室142、及第三批次式液體處理室143可沿第一方向X並排配置。

第一批次式液體處理室141及第二批次式液體處理室142可具有相同或類似的結構。舉例而言，除了使用不同類型的處理液體之外，第一批次式液體處理室141及第二批次式液體處理室142可具有彼此相同或相似的結構。舉例而言，第一批次式液體處理室141可使用第一處理液體L1處理基板W。舉例而言，第二批次式液體處理室142可使用第二處理液體L2處理基板W。第一處理液體L1可為上述化學品中之任一者。第二處理液體L2可為上述化學品中之另一者。

第一批次式液體處理室141可包括第一處理槽141a、第一液體供應管線141b、第一液體排放管線141c、第一加熱構件141d、及第一液體供應源141e。第二批次式液體處理室142可包括第二處理槽142a、第二液體供應管線142b、第二液體排放管線142c、第二加熱構件142d、及第二液體供應源142e。第一液體供應管線141b、第一液體排放管線141c、第一加熱構件141d、及第一液體供應源141e可分別執行與第二處理槽142a、第二液體供應管線142b、第二加熱構件142d、及第二液體供應源142e實質上相同或類似的功能。以下，將主要描述第一批次式液體處理室141。

第一處理槽141a可具有容納第一處理液體L1的容納空間。第一處理槽141a可具有帶有筆狀頂部的容器形狀。第一處理槽141a可設置有第一加熱構件141d，用於調整容納於容納空間中的第一處理液體L1的溫度。此外，連接至第一液體供應源141e的第一液體供應管線141b可將第一處理液體L1供應至第一處理槽141a的容納空間，且第一液體排放管線141c可將供應至容納空間的第一處理液體L1排放至外部。此外，儲存容器C具有帶有一個開口側面的容器形狀，且可在其中具有儲存空間。此外，儲存容器C可浸入供應至第一處理槽141a的容納空間的第一處理液體L1中，同時其中容納複數個基板W。此外，在儲存容器C處形成至少一個穿透孔，且儲存於儲存容器C中的基板W可浸入第一處理液體L1中。用第一處理液體L1處理的基板W可由第一轉移單元132按此次序轉移至第二批次式液體處理室142及第三批次式液體處理室143，以便用第二處理液體L2及第三處理液體L3處理。第三處理液體L3可為上述沖洗液體。

圖5係圖示在圖4的第三批次式液體處理室中提供的基板處理設備的透視圖，且圖6係圖示在圖4的第三批次式液體處理室中提供的基板處理設備的橫截面圖。參考圖5及圖6，在第三批次式液體處理室143中提供的基板處理設備300可包括處理槽310、液體供應管線314、液體供應源315、液體排放管線316、加熱構件320、姿態改變構件330、及提升/降低構件340。

處理槽310可具有容納第三處理液體L3的容納空間312。處理槽310可具有帶有開口頂部的容器形狀(例如，矩形容器形狀)。處理槽310可包括底部部分及自底部部分的邊緣區域向上延伸的側面部分。

此外，液體供應源315可將處理液體供應至容納空間312。液體供應源315可將第三處理液體L3供應至容納空間312。液體供應源315可將沖洗液體供應至容納空間312。液體供應源315可連接至液體供應管線314。液體供應管線314的一個末端可連接至容納空間312，而液體供應管線314的另一末端可連接至液體供應源315。液體供應源315可將沖洗液體供應至液體供應管線314，且液體供應管線314可將沖洗液體供應至容納空間312。此外，在容納空間312中使用的第三處理液體L3可經由液體排放管線316排放至外部。

加熱構件320可調整供應至容納空間312的第三處理液體L3的溫度。舉例而言，加熱構件320可將供應至容納空間312的第三處理液體L3加熱至設定溫度。加熱構件320可設置於處理槽310的底部部分及側面部分。舉例而言，加熱構件320可埋入處理槽310的底部部分及側面部分內。加熱構件320可藉由產生冷卻熱或加熱熱來控制供應至容納空間312的第三處理液體L3的溫度。加熱構件320可為加熱器。然而，本發明概念不限於此，且加熱構件320可不同地修改為能夠調整供應至容納空間312的第三處理液體L3的溫度的已知裝置。

姿態改變構件330可旋轉浸入第三處理液體L3中的儲存容器C。姿態改變構件330可旋轉浸入第三處理液體L3中的儲存容器C，以將容納於儲存容器C中的基板W的姿態自垂直姿態轉換為水平姿態。姿態改變構件330可包括移動部件332及旋轉部件334。

移動部件332可安裝於處理槽310上。移動部件332可組態為可沿第一方向X移動。移動部件332可安裝於處理槽310的側面部分上。舉例而言，移動部件332可具有反向「U」形，以便可將其安裝於處理槽310的側面部分上方。如上所述，移動部件332組態為可在第一方向X上移動，且安裝至稍後描述的旋轉部件334的儲存容器C可在第一方向X上移動，第一方向X為水平方向。

旋轉部件334可安裝於移動部件332處。旋轉部件334可安裝於儲存容器C處形成的安裝溝槽(未顯示)上。旋轉部件334可安裝於儲存容器C上以旋轉儲存容器C。舉例而言，旋轉部件334可具有桿形，且其旋轉軸可平行於第二方向Y。此外，旋轉部件334可在儲存容器C浸入容納空間312中時保持儲存容器C。

提升/降低構件340可在上/下方向上移動儲存容器C。提升/降低構件340可在上/下方向上移動由姿態改變構件330旋轉的儲存容器C。提升/降低構件340可設置為可附接至儲存容器C並可自儲存容器C拆離。提升/降低構件340可包括軸342及驅動器344。軸342可藉由驅動器344產生的驅動力在上/下方向上移動。驅動器344可為氣動或液壓缸、或馬達。然而，本發明概念並不限於此，且驅動器344可以各種方式修改為能夠在上/下方向上移動軸342的已知設備。

此外，軸342可設置於處理槽310的底部部分處，並相鄰於第一緩衝單元210。軸342可具有桿形。軸342可用作導引軸，用於導引已由姿態改變構件330旋轉的儲存容器C的位置。舉例而言，軸342可插入由姿態改變構件330旋轉的儲存容器C的底部部分上形成的對準溝槽CG中，以導引儲存容器C的位置(例如，位凖)。此外，上述實例中提及的提升/降低構件340亦可稱為導向構件或類似者。

以下，將參考圖7至圖13描述根據本發明概念的實施例的處理基板的方法。為了執行以下描述的基板處理方法，控制器600可控制基板處理設備10。

參考圖7，其中儲存有複數個基板W(例如，約25至50個基板W)的儲存容器C可浸入供應至容納空間312的第三處理液體L3中。舉例而言，儲存容器C可浸入第三處理液體L3中，且第三處理液體L3可流入儲存容器C的儲存空間中以處理基板W。在這種情況下，儲存於儲存容器C中的基板W可保持垂直姿態。此外，當基板W由第三處理液體L3處理時，姿態改變構件330的旋轉部件可抓取儲存容器C。

參考圖8，當基板W的處理由第三處理液體L3完成時，姿態改變構件330的旋轉部件334可旋轉儲存容器C。姿態改變構件330的旋轉部件334可繞其平行於第二方向Y的旋轉軸旋轉儲存容器C，例如，將儲存容器C旋轉約90度。當旋轉儲存容器C時，儲存於儲存容器C中的複數個基板W的姿態可自垂直姿態改變為水平姿態。在這種情況下，旋轉部件334可在儲存容器C浸入供應至容納空間312的第三處理液體L3時旋轉儲存容器C。這是因為當儲存容器C在暴露於外部(例如，暴露於空氣)的同時旋轉時，儲存於儲存容器C中的基板W可經乾燥。

參考圖9，由旋轉部件334旋轉的儲存容器C可在安裝於旋轉部件334上時沿第一方向X移動。舉例而言，可將儲存容器C移動至提升/降低構件340之上。此外，可在儲存容器C浸入供應至容納空間312的第三處理液體L3中的狀態下執行其水平方向上的移動。這是因為當儲存容器C在暴露於外部(例如，暴露於空氣)的同時移動時，儲存於儲存容器C中的基板W可經乾燥。

參考圖10，提升/降低構件340的軸342可向上移動並插入在儲存容器C中形成的對準溝槽CG中。當插入對準溝槽CG中時，旋轉部件334可沿第二方向Y移動以與儲存容器C分離。此後，軸342可向上移動儲存容器C，以將容納於儲存容器C中的一些基板W暴露於外部(例如，暴露於空氣)。舉例而言，軸342可向上移動儲存容器C，以僅將儲存於儲存容器C中的基板W中最頂基板暴露於外部(例如，將基板W暴露於空氣)。這是為了防止剩餘的基板W經乾燥，亦即保持潤濕性，除由第二轉移單元152自儲存容器C取出的基板W中的最頂基板之外。

參考圖11，容納於儲存容器C中的基板中最頂基板W可由第二轉移單元152自儲存容器C取出並返回至第一緩衝單元210。在這種情況下，如上所述，第一緩衝單元210可包括噴嘴，用於供應化學液體或水霧，以保持轉移至第一緩衝單元210的儲存空間的基板W的潤濕性。化學液體或水霧可包括異丙醇(IPA)、上述化學品、及選自上述沖洗液體的處理液體。

參考圖12，在如上所述將安置的最頂基板W取出至儲存容器C之後，提升/降低構件340的軸342可再次將儲存容器C在向上方向上移動。因此，容納於儲存容器C中的基板W中的另一最頂基板W可暴露於外部(例如，暴露於空氣)。這是為了防止剩餘的基板W經乾燥，亦即為了保持潤濕性，除由第二轉移單元152自儲存容器C取出的另一最頂部基板W之外。

參考圖13，容納於儲存容器C中的基板W中的另一最頂基板W可由第二轉移單元152自儲存容器C取出並返回至第一緩衝單元210。

圖14係圖示圖1的單一式液體處理室中提供的基板處理設備之視圖。在單一式液體處理室230中提供的基板處理設備400可包括殼體410、處理容器420、支撐單元440、提升/降低單元460、及液體供應單元480。

殼體410在其中具有處理空間412。殼體410可具有在其中具有空間的圓柱形狀。處理容器420、支撐單元440、提升/降低單元460、及液體供應單元480可設置於殼體410的內部空間中。當自前橫截面觀察時，殼體410可具有矩形形狀。然而，本發明概念不限於此，且殼體410可轉換成能夠具有處理空間412的各種形狀。

處理容器420具有帶有開口頂部的圓柱形狀。處理容器420具有內部再收集容器422及外部再收集容器426。內部再收集容器422及外部再收集容器426中之各者回收製程中使用的處理液體中的不同處理液體。內部再收集容器422圍繞基板支撐單元440以環形形狀設置，而外部再收集容器426圍繞內部再收集容器422以環形形狀設置。內部再收集容器422的內部空間及內部再收集容器422用作第一入口422a，處理液體經由其流入內部再收集容器422中。內部再收集容器422與外部再收集容器426之間的空間用作第二入口426a，處理液體經由其流入外部再收集容器426中。根據實施例，第一入口422a及第二入口426a中之各者可定位於不同的高度處。再收集管線422b及426b連接於內部再收集容器422及外部再收集容器426中之各者的底表面下方。引入內部再收集容器422及外部再收集容器426中之各者中的處理液體可經由再收集管線422b及426b提供並重使用至外部處理液體再生系統(未圖示)。

支撐單元440在處理空間412中支撐基板W。支撐單元440在製程期間支撐並旋轉基板W。支撐單元440具有支撐板442、支撐銷444、卡盤銷446、及旋轉驅動構件448及449。

支撐板442設置為基本圓板形狀且具有上表面及底表面。底表面具有比頂表面小的直徑。亦即，支撐板442可具有寬的頂表面及窄的下表面形狀。頂表面及底表面的定位使其中心軸彼此重合。此外，可在支撐板442上提供加熱構件(未顯示)。提供至支撐板442的加熱構件可加熱置放於支撐板442上的基板W。加熱構件可產生熱量。由加熱構件產生的熱量可係加熱溫度或冷卻溫度。由加熱構件產生的熱量可轉移至置放於支撐板442上的基板W。此外，轉移至基板W的熱量可加熱供應至基板W的處理液體。加熱構件可為加熱器及/或冷卻線圈。然而，本發明概念不限於此，且加熱構件可不同地修改為已知設備。

提供複數個支撐銷444。支撐銷444安置於支撐板442的上表面的邊緣處，彼此間隔開預定間隔，並自支撐板442向上突出。支撐銷444藉由彼此組合而安置成具有作為一個整體的環形形狀。支撐銷444支撐基板W的底表面的邊緣，使得基板W與支撐板442的上表面間隔開預定距離。

提供複數個卡盤銷446。卡盤銷446比支撐銷444更遠離支撐板442中心安置。卡盤銷446自支撐板442的上表面向上突出。卡盤銷446支撐基板W的側面部分，使得當支撐板442旋轉時基板W不會自預定位置橫向分離開。卡盤銷446設置為能夠沿著支撐板442的徑向在外部位置與內部位置之間線性移動。與內部位置相比，外部位置係遠離支撐板442中心的位置。當基板W在支撐板442上裝載或卸載時，卡盤銷446位於外部位置處，而當在基板W上執行製程時，卡盤銷446位於內部位置處。內部位置係卡盤銷446與基板W的側面部分彼此接觸的位置，而外部位置係卡盤銷446與基板W彼此間隔開的位置。

旋轉驅動構件448及449旋轉支撐板442。支撐板442可藉由旋轉驅動構件448及449繞磁性中心軸旋轉。旋轉驅動構件448及449包括支撐軸448及旋轉驅動構件449。支撐軸448具有面向第四方向16的圓柱形狀。支撐軸448的上部末端固定地耦接至支撐板442的底表面。根據實施例，支撐軸448可固定地耦接至支撐板442的底表面中心。旋轉驅動構件449提供旋轉支撐軸448的驅動力。支撐軸448由旋轉驅動構件449旋轉，且支撐板442可與支撐軸448一起旋轉。

提升/降低單元460在上/下方向上線性移動處理容器420。隨著處理容器420上下移動，處理容器420相對於支撐板442的相對高度改變。當在支撐板442上裝載或卸載基板W時，藉由提升/降低單元降低處理容器420，使得支撐板442自處理容器420向上突出。此外，當處理進行時，調整處理容器420的高度，使得處理液體可根據供應至基板W的處理液體之類型流入預設內部再收集容器422及外部再收集容器426中。提升/降低單元460具有支架462、移動軸464、及驅動器466。支架462固定地安裝於處理容器420的外壁上，而由驅動器466在上/下方向上移動的移動軸464固定地耦接至支架462。選擇性地，提升/降低單元460可在上/下方向上移動支撐板442。

液體供應單元480可供應處理液體至基板W。處理液體可為有機溶劑、或上述沖洗液體或化學品。有機溶劑可為異丙醇(IPA)液體。

液體供應單元480可包括移動構件481及噴嘴489。移動構件481將噴嘴489移動至製程位置及待機位置。製程位置係噴嘴489面向由支撐單元440支撐的基板W的位置。根據實施例，製程位置係處理液體自基板W的上表面排出的位置。此外，製程位置包括第一供應位置及第二供應位置。第一供應位置可為比第二供應位置更靠近基板W的中心的位置，且第二供應位置可為包括基板的一末端的位置。任選地，第二供應位置可為相鄰於基板的末端的區域。待機位置定義為噴嘴489偏離製程位置的位置。根據實施例，待機位置可為在基板W上完成處理之前或之後噴嘴489待機的位置。

移動構件481包括臂482、支撐軸483、及驅動器484。支撐軸483位於處理容器420的一個側面上。支撐軸483具有桿形，其縱向方向面向第四方向。支撐軸483設置成可由驅動器484旋轉。支撐軸483設置成可向上及向下移動。臂482耦接至支撐軸483的上部末端。臂482自支撐軸483垂直延伸。噴嘴489耦接至臂482的末端。當支撐軸483旋轉時，噴嘴489可與臂482一起擺動。噴嘴489可擺動並移動至製程位置及待機位置。任選地，臂482可設置成能夠在其縱向方向上向前及向後移動。當自上觀察時，噴嘴489移動經由的路徑可在製程位置處與基板W的中心軸重合。

圖15係圖示圖1的乾燥室中提供的基板處理設備之視圖。參考圖15，乾燥室500可藉由在超臨界狀態下使用乾燥流體G移除剩餘在基板W上的處理液體。乾燥室500可為超臨界室，用於使用超臨界流體移除剩餘在基板W上的處理液體(例如，沖洗液體或有機溶劑)。舉例而言，乾燥室500可在超臨界狀態下使用二氧化碳(CO ₂)執行移除剩餘在基板W上的有機溶劑的乾燥處理製程。

乾燥室500可包括主體510、加熱構件520、流體供應單元530、流體排出單元550、及提升/降低構件560。主體510可具有內部空間518，其中處理基板W。主體510可提供內部空間518，其中處理基板W。主體510可提供內部空間518，其中基板W在超臨界狀態下藉由乾燥流體G來乾燥。

主體510可包括上主體512及下主體514。上主體512與下主體514可彼此組合以形成內部空間518。基板W可支撐在內部空間518中。舉例而言，基板W可由內部空間518中的支撐構件(未顯示)支撐。支撐構件可組態為支撐基板W的邊緣區域的下表面。上主體512及下主體514中之任一者可耦接至提升/降低構件560以在上/下方向上移動。舉例而言，下主體514可耦接至提升/降低構件560，以藉由提升/降低構件560在上/下方向上移動。因此，主體510的內部空間518可選擇性地密封。在上述實例中，下主體514耦接至提升/降低構件560以在上/下方向上移動，但本發明概念不限於此。舉例而言，上主體512可耦接至提升/降低構件560以在上/下方向上移動。

加熱構件520可加熱供應至內部空間518的乾燥流體G。加熱構件520可藉由升高主體510的內部空間518的溫度，將供應至內部空間518的乾燥流體G相變為超臨界狀態。此外，加熱構件520可升高主體510的內部空間518的溫度，以保持供應至內部空間518的乾燥流體G的超臨界狀態。

此外，加熱構件520可埋入主體510中。舉例而言，加熱構件520可埋入上主體512及下主體514中之任一者中。舉例而言，加熱構件520可設置於下主體514中。然而，本發明概念不限於此，且加熱構件520可設置於能夠升高內部空間518的溫度的各種位置處。此外，加熱構件520可為加熱器。然而，本發明概念不限於此，且加熱構件520可不同地修改為能夠提高內部空間518的溫度的已知裝置。

流體供應單元530可將乾燥流體G供應至主體510的內部空間518。由流體供應單元530供應的乾燥流體G可包括二氧化碳(CO ₂)。流體供應單元530可包括流體供應源531、第一供應管線533、第一供應閥535、第二供應管線537、及第二供應閥539。

流體供應源531可儲存及/或供應供應至主體510內部空間518的乾燥流體G。流體供應源531可將乾燥流體G供應至第一供應管線533及/或第二供應管線537。舉例而言，第一供應閥535可安裝於第一供應管線533上。此外，第二供應閥539可安裝於第二供應管線537上。第一供應閥535及第二供應閥539可為開/關閥。根據第一供應閥535及第二供應閥539的開/關狀態，乾燥流體G可選擇性地流動穿過第一供應管線533或第二供應管線537。

在上述實例中，第一供應管線533及第二供應管線537連接至一個流體供應源531，但本發明概念不限於此。舉例而言，可提供複數個流體供應源531，第一供應管線533可連接至複數個流體供應源531中之任一者，且第二供應管線537可連接至流體供應源531中之另一者。

此外，第一供應管線533可為自主體510的內部空間518的上部部分供應乾燥氣體的上部供應管線。舉例而言，第一供應管線533可在自頂至底的方向上供應乾燥氣體至主體510的內部空間518。舉例而言，第一供應管線533可連接至上主體512。此外，第二供應管線537可為自主體510的內部空間518的下部部分供應乾燥氣體的下部供應管線。舉例而言，第二供應管線537可在向下至向上方向上供應乾燥氣體至主體510的內部空間518。舉例而言，第二供應管線537可連接至下主體514。

流體排出單元550可自主體510的內部空間518排出乾燥流體G。

如上所述，根據本發明概念的實施例的基板處理設備10可包括批次式液體處理室140及單一式液體處理室230兩者。因此，可能具有批次式液體處理方法及單一式液體處理室的所有優點。

舉例而言，在批次式液體處理室140中，可同時處理複數個基板W，因此基板W的處理產量非常高，且基板W之間的處理均勻性非常高。此外，當在基板W上形成的圖案具有高深寬比時，可能藉由自單一式處理室230供應化學品、沖洗液體、及類似者來補充批次式液體處理室140(例如，尚未蝕刻的部分)。此外，由單一式液體處理室230或第一緩衝單元210供應的由有機溶劑潤濕的基板W可轉移至乾燥室240，以藉由供應超臨界流體來乾燥基板W。超臨界流體對在基板W上形成的圖案之間的空間具有優良的滲透性質，且可在不旋轉基板W的情況下乾燥基板W，從而最小化上述圖案傾斜現象的發生。此外，本發明概念的基板處理設備10可執行單一式液體處理方法、批次式液體處理方法、及使用超臨界流體乾燥基板W的方法中之全部，從而改善由於顆粒造成的缺陷、以及脫落及流動性。此外，由於可在批次式液體處理室140中處理的基板W的數目相對大，故不需要大量的液體處理室，所以具有減小基板處理設備10的佔地面積之優點。此外，藉由如上所述進一步包括單一式液體處理室230，可解決當僅使用批次式液體處理室140處理基板W時可能出現的基板W上圖案的SiO ₂異常生長的問題。

此外，如在根據本發明概念的實施例的基板處理設備10中，當提供批次式液體處理室140及單一式液體處理室230兩者時，將基板W的姿態自垂直姿態改變為水平姿態是至關重要的。因此，根據本發明概念的實施例的基板處理設備10包括姿態改變構件330，以將基板W的姿態自垂直姿態轉換為水平姿態。在這種情況下，可儘可能保持基板W的潤濕性(若沒有，則可乾燥基板W以產生水印)，且基板W的姿態在基板W浸入處理液體L中時改變。此外，當基板W自批次式液體處理室140中取出並轉移至第一緩衝單元210時，除待轉移基板W以外的剩餘基板W仍浸沒於處理液體L中，從而使基板W的乾燥及產生水印最小化。

在上述實例中，當基板W在批次式液體處理室140之間轉移時，儲存容器C由第一轉移單元132轉移，但本發明概念不限於此。舉例而言，第一轉移單元132可一次抓取複數個處於垂直姿態的基板W而非儲存容器C，以在批次式液體處理室140之間傳輸複數個基板W。

在上述實例中，自第三批次式液體處理室143中一次取出一個基板W並將其轉移至第一緩衝單元210，但本發明概念不限於此。舉例而言，第二轉移單元152可一次抓取複數個基板W並將複數個基板W自儲存容器C中一次取出。此外，第二轉移單元152可將複數個基板W一次轉移至第一緩衝單元210。在這種情況下，第一緩衝單元210可如上所述供應化學液體或水霧至第一緩衝單元210的儲存空間，以保持引入之基板W的潤濕性。

在上述實例中，描述根據本發明概念的實施例的基板處理設備10包括單一式液體處理室230及乾燥室240中之全部，但本發明概念不限於此。舉例而言，基板處理設備10可僅包括單一式液體處理室230及乾燥室240中之一者。

在上述實例中，自批次式液體處理室140取出的基板W轉移至單一式液體處理室230，且在單一式液體處理室230中完成基板W處理之後，基板W轉移至乾燥室240，但本發明概念不限於此。舉例而言，若顆粒能階良好，則基板W可自批次式液體處理室140立即轉移至乾燥室240。

在上述實例中，當基板W在第一處理部件100的批次式液體處理室140之間轉移時，儲存容器C由第一轉移單元132轉移，但本發明概念不限於此。舉例而言，如圖16中所示，第一轉移單元132可具有用於一次轉移複數個基板W(例如，25個晶圓)的批次手，且第一轉移單元132可在批次式液體處理室140之間僅轉移複數個基板W而非儲存容器C。此外，當第一轉移單元132具有批次手時，可在批次式液體處理室140中之各者中安置儲存容器C，或可提供支撐複數個基板W的支撐構件。

本發明概念的效果不限於上述效果，本發明概念所屬領域的技術人員可自說明書及隨附圖式中清楚地理解未提及的效果。

儘管到目前為止已說明及描述了本發明概念的優選實施例，但本發明概念並不限於上述具體實施例，且需注意，本發明概念所屬領域的一般技藝人士可在不脫離申請專利範圍中主張的發明概念之實質的情況下以各種方式實施本發明概念，且這些修改不應與發明概念的技術精神或前景分開解釋。

10:基板處理設備 16:第四方向 100:第一處理部件 110:第一裝載埠單元 120:第一分度室 122:第一轉移機器人 124:姿態改變單元 130:第一轉移室 132:第一轉移單元 140:批次式液體處理室 141:第一批次式液體處理室 141a:第一處理槽 141b:第一液體供應管線 141c:第一液體排放管線 141d:第一加熱構件 141e:第一液體供應源 142:第二批次式液體處理室 142a:第二處理槽 142b:第二液體供應管線 142c:第二液體排放管線 142d:第二加熱構件 142e:第二液體供應源 143:第三批次式液體處理室 150:第二轉移室 152:第二轉移單元 200:第二處理部件 210:第一緩衝單元 220:第三轉移室 222:第三轉移單元 230:單一式液體處理室 240:乾燥室 250:第二緩衝單元 260:第二分度室 262:第二轉移機器人 270:第二裝載埠單元 300:基板處理設備 310:處理槽 312:容納空間 314:液體供應管線 315:液體供應源 316:液體排放管線 320:加熱構件 330:姿態改變構件 332:移動部件 334:旋轉部件 340:提升/降低構件 342:軸 344:驅動器 400:基板處理設備 410:殼體 412:處理空間 420:處理容器 422:內部再收集容器 422a:第一入口 422b:再收集管線 426:外部再收集容器 426a:第二入口 426b:再收集管線 440:支撐單元 442:支撐板 444:支撐銷 446:卡盤銷 448:旋轉驅動構件 449:旋轉驅動構件 460:提升/降低單元 462:支架 464:移動軸 466:驅動器 480:液體供應單元 481:移動構件 482:臂 483:支撐軸 484:驅動器 489:噴嘴 500:乾燥室 510:主體 512:上主體 514:下主體 518:內部空間 520:加熱構件 530:流體供應單元 531:流體供應源 533:第一供應管線 535:第一供應閥 537:第二供應管線 539:第二供應閥 550:流體排出單元 560:提升/降低構件 600:控制器 C:儲存容器 CG:對準溝槽 F:容器 G:乾燥流體 L1:第一處理液體 L2:第二處理液體 L3:第三處理液體 W:基板

上述及其他目標及特徵將自下文參考下圖的描述中變得明顯，其中除非另有規定，否則相同的參考號係指各個圖中的類似部分。

圖1係根據本發明概念的實施例的自上觀察的基板處理設備之示意圖。

圖2係自一個方向觀察的圖1的第二處理部件之側視圖。

圖3係自另一方向觀察的圖1的第二處理部件之側視圖。

圖4係自側面觀察的圖1的批次式液體處理室及第一轉移室之示意圖。

圖5係圖示圖4的第三批次式液體處理室中提供的基板處理設備之透視圖。

圖6係圖示圖4的第三批次式液體處理室中提供的基板處理設備之橫截面圖。

圖7係圖示圖6的第三批次式液體處理室中處理基板的狀態之視圖。

圖8係圖示圖6的第三批次式液體處理室中改變基板姿態的狀態之視圖。

圖9係圖示圖6的第三批次式液體處理室中將儲存容器移動至提升/降低構件的頂部部件的狀態之視圖。

圖10係顯示圖6的第三批次式液體處理室中在儲存於儲存容器中的基板的最頂末端處安置的基板暴露於空氣中的狀態之視圖。

圖11係圖示自圖6的第三批次式液體處理室取出基板並將其帶入第一緩衝單元的狀態之視圖。

圖12係圖示在自圖4的第三批次式液體處理室取出基板之後，在儲存於儲存容器中的基板之最頂末端處安置的基板暴露於空氣中的狀態之視圖。

圖13係圖示自圖6的第三批次式液體處理室取出基板並將其帶入第一緩衝單元的狀態之視圖。

圖14係圖示在圖1的單一式液體處理室中提供的基板處理設備之視圖。

圖15係圖示在圖1的乾燥室中提供的基板處理設備之視圖。

圖16係根據本發明概念的另一實施例的自上觀察的基板處理設備之示意圖。

10:基板處理設備

100:第一處理部件

110:第一裝載埠單元

120:第一分度室

122:第一轉移機器人

124:姿態改變單元

130:第一轉移室

132:第一轉移單元

140:批次式液體處理室

141:第一批次式液體處理室

142:第二批次式液體處理室

143:第三批次式液體處理室

150:第二轉移室

152:第二轉移單元

200:第二處理部件

210:第一緩衝單元

220:第三轉移室

222:第三轉移單元

230:單一式液體處理室

240:乾燥室

250:第二緩衝單元

260:第二分度室

262:第二轉移機器人

270:第二裝載埠單元

600:控制器

C:儲存容器

F:容器

W:基板

Claims (18)

1. 一種基板處理設備，包含：第一處理部件，以批次式處理方法在複數個基板上執行液體處理；以及第二處理部件，處理在前述第一處理部件處已處理的前述基板，並以單一式處理方法在單個基板上執行液體處理或乾燥處理；其中，前述第一處理部件包括一姿態改變構件，前述姿態改變構件在前述基板浸入處理液體時改變前述基板的姿態；其中前述第一處理部件包含第一裝載埠單元，前述第一裝載埠單元上置放有儲存未處理基板的容器；且前述第二處理部件包含第二裝載埠單元，前述第二裝載埠單元上置放有儲存經處理基板的容器；其中前述第一處理部件進一步包含轉移自置放於前述第一裝載埠單元上的前述容器中取出的複數個基板的批次手；且前述第二處理部件包含轉移在前述第一處理部件處已經液體處理的單個基板的單一手。
2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述第二處理部件包含：單一式處理室，以前述單一式處理方法在前述基板上執行前述液體處理及/或前述乾燥處理；及第一緩衝單元，安置於前述第一處理部件與前述單一式處理室之間，並暫時儲存在前述第一處理部件處已處理的基板。
3. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述第二處理部件包含：單一式處理室，以前述單一式處理方法在前述基板上執行前述液體處理及/或前述乾燥處理；及第二緩衝單元，安置於前述單一式處理室與前述第二裝載埠單元之間，並暫時儲存在前述單一式處理室處已處理的基板。
4. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述第一處理部件進一步包含： 處理槽，具有容納空間以容納處理液體；及儲存容器，浸沒於包含於前述容納空間中之前述處理液體中並具有用於儲存前述基板的儲存空間。
5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中前述姿態改變構件包含：旋轉單元，可安裝於前述儲存容器上並旋轉前述儲存容器；及移動單元，安裝於前述處理槽上並在水平方向上移動安裝於前述旋轉單元上的前述儲存容器。
6. 如請求項5所述之基板處理設備，其中前述處理槽具有帶有開口頂部的容器形狀，且前述移動單元安裝於前述處理槽的側面部分上。
7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中前述移動單元具有反向「U」形，以便前述移動單元可安裝於前述處理槽的前述側面部分上。
8. 如請求項4至7中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一處理部件進一步包含提升/降低構件，以在上/下方向上移動由前述姿態改變構件旋轉的前述儲存容器，且前述提升/降低構件可附接至前述儲存容器及/或前述提升/降低構件可自前述儲存容器移除。
9. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述第二處理部件進一步包含第一緩衝單元，用於暫時儲存在前述第一處理部件處已經液體處理的基板；且前述基板處理設備進一步包含轉移單元，用於在前述儲存容器與前述第一緩衝單元之間轉移前述基板。
10. 如請求項9所述之基板處理設備，其進一步包含控制器，前述控制器組態以控制前述轉移單元及前述提升/降低構件，以便前述提升/降低構件可向上移動前述儲存容器，且暴露於外部的前述基板可自前述儲存容器轉移至前述第一緩衝單元。
11. 如請求項10所述之基板處理設備，其中前述控制器進一步組態以控制前述轉移單元，使得儲存於前述儲存容器處的前述基板中的前述最頂基 板自前述儲存容器轉移，並轉移至前述第一緩衝單元。
12. 如請求項11所述之基板處理設備，其中前述控制器控制前述提升/降低構件，以在前述基板中前述最頂基板自前述儲存容器轉移之後，在向上方向上移動前述儲存容器，因此儲存於前述儲存容器中的前述基板中之後續最頂基板暴露於外部。
13. 一種基板處理設備，包含：批次式處理室，用於以批次式處理方法在複數個基板上執行清洗處理；單一式處理室，用於處理在前述批次式處理室中經處理的前述基板，並以單一式處理方法在單個基板上執行乾燥處理；及轉移單元，用於在前述批次式處理室與前述單一式處理室之間轉移前述基板；其中，前述批次式處理室包括一姿態改變構件，前述姿態改變構件在前述基板浸入處理液體時改變前述基板的姿態；其中前述批次式處理室包含第一裝載埠單元，前述第一裝載埠單元上置放有儲存未處理基板的容器；且前述單一式處理室包含第二裝載埠單元，前述第二裝載埠單元上置放有儲存經處理基板的容器；其中前述批次式處理室進一步包含轉移自置放於前述第一裝載埠單元上的前述容器中取出的複數個基板的批次手；且前述單一式處理室包含轉移在前述批次式處理室處已經液體處理的單個基板的單一手。
14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中前述批次式處理室進一步包含：處理槽，具有容納空間以容納處理液體；其中，前述姿態改變構件浸沒於包含於前述容納空間中的前述處理液體中並旋轉具有儲存前述基板的儲存空間的儲存容器。
15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述姿態改變構件包 含：旋轉單元，可安裝於前述儲存容器上並旋轉前述儲存容器；及移動單元，安裝於前述處理槽上並在水平方向上移動安裝於前述旋轉單元上的前述儲存容器。
16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中前述批次式處理室進一步包含提升/降低構件，前述提升/降低構件在上/下方向上移動由前述姿態改變構件旋轉的前述儲存容器。
17. 一種基板處理設備，包含：第一處理部件，以批次式處理方法在複數個基板上執行液體處理；及第二處理部件，以單一式處理方法在單個基板上執行乾燥處理，其中前述第一處理部件包含：第一裝載埠單元，僅裝載未處理基板；批次式處理室，以批次式處理方法在前述複數個基板上執行清洗處理；第一轉移模組，具有批次手，用於將前述複數個基板自前述第一裝載埠單元轉移至前述批次式處理室；及第一緩衝單元，安置於前述批次式處理室與前述第二處理部件之間並暫時儲存前述基板；其中，前述批次式處理室包括一姿態改變構件，前述姿態改變構件在前述基板浸入處理液體時改變前述基板的姿態，其中前述第二處理部件包含：單一式處理室，在單個基板上執行乾燥處理；第二轉移模組，具有單一手，用於將前述基板自前述第一緩衝單元轉移至前述單一式處理室；及第二裝載埠單元，卸載在前述單一式處理室處經處理的前述基板。
18. 如請求項17所述之基板處理設備，其中前述單一式處理室以複 數個提供，且前述單一式處理室中之至少一些與前述第一緩衝單元堆疊置放，且前述單一式處理室中之至少一些其他者彼此堆疊。