CN117438336A - 基板处理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 268
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 184
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 140
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 125
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 107
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 71
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 29
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 103
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 102100039216 Dolichyl-diphosphooligosaccharide-protein glycosyltransferase subunit 2 Human genes 0.000 description 14
- 101000670093 Homo sapiens Dolichyl-diphosphooligosaccharide-protein glycosyltransferase subunit 2 Proteins 0.000 description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 13
- 101100479019 Encephalitozoon intestinalis SWP2 gene Proteins 0.000 description 12
- 101100519877 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) phf2 gene Proteins 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 101150059123 cdu1 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100479022 Encephalitozoon cuniculi (strain GB-M1) SWP3 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 101150113771 cdu2 gene Proteins 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 101100422889 Arabidopsis thaliana SWI3A gene Proteins 0.000 description 5
- 101100534777 Arabidopsis thaliana SWI3B gene Proteins 0.000 description 5
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 101100534780 Arabidopsis thaliana SWI3D gene Proteins 0.000 description 1
- 101100478989 Caenorhabditis elegans swp-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100290014 Oryza sativa subsp. japonica MADS16 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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Abstract
本发明提供一种对基板进行处理的基板处理装置,其包括:分批式处理部,其将多张基板一并处理;单片式处理部,其处理一张基板;姿势变换部,其将通过上述分批式处理部完成处理的上述多张基板在被纯水濡湿的状态下变换姿势;第一搬送部,其将通过上述分批式处理部完成处理的多张基板搬送到上述姿势变换部;第二搬送部,其将通过上述姿势变换部成为水平姿势的基板支撑于机械手并搬送至上述单片式处理部,且将通过上述单片式处理部处理后的基板支撑于机械手并搬送;以及清洗干燥部,其对上述机械手进行清洗以及干燥。
Description
技术领域
本发明涉及对半导体基板、液晶显示用或有机EL(Electroluminescence,电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display,平板显示器)用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等基板进行预定的处理的基板处理装置。
背景技术
以往,作为这种装置,有具备分批式模块、单片式模块、旋转机构以及搬送机器人的装置(例如参照专利文献1)。分批式模块对多张基板一并进行处理。单片式模块对逐张基板进行处理。一般地,与分批式模块的干燥处理比较,单片式模块的干燥处理中,基板受到影响的处理环境气体的空间较小,颗粒性能高。因此,单片式模块比分批式模块容易提高干燥性能。因此,例如,在分批式模块进行蚀刻处理以及冲洗处理,然后在单片式模块进行干燥处理。
在分批式模块中,在使多张基板为铅垂姿势的状态下进行处理。另一方面,在单片式模块中,在使基板为水平姿势的状态下进行处理。因此,在分批式模块完成处理的铅垂姿势的基板在被搬送到单片式模块之前,通过旋转机构变换成水平姿势。通过旋转机构成为水平姿势的基板由搬送机器人搬送到单片式模块。在单片式模块进行了干燥处理的基板为了搬出而再次被相同的搬送机器人搬送。
另外,近年来,在半导体领域,正在推进三维构造的图案的精细化。因此,在这样的基板中,根据基板干燥时的气液界面的影响,存在图案倒塌的担忧。因此,在分批式模块的处理之后、直至单片式模块的处理,进行使基板为濡湿的状态的处理,以免基板干燥。
具体而言,在旋转机构的旁边配置多个喷射管。喷射管向保持于旋转机构的基板喷射纯水。由此,使保持于旋转机构的基板直至载置于单片式模块为濡湿的状态。
然而,在具有这样的结构的现有例的情况下,存在如下问题。
即,现有的装置在搬送机器人用机械手接收通过旋转机构成为水平姿势的基板时,机械手被纯水濡湿。因此,在搬送机器人进行在单片式模块进行了干燥处理的基板的搬送时,存在干燥的基板被机械手污染的担忧。
发明内容
本发明是鉴于这样的事情而提出的方案,目的在于提供一种基板处理装置,其能够搬送濡湿的基板,并且防止搬送干燥的基板时产生汚染。
本发明为了实现这样的目的而采用如下结构。
本发明为一种基板处理装置,其对基板进行处理,该基板处理装置包括:分批式处理部,其将多张基板以铅垂姿势的状态一并处理;单片式处理部,其将一张基板以水平姿势的状态处理;姿势变换部,其保持通过上述分批式处理部完成处理的多张基板,将上述多张基板在被纯水濡湿的状态下从铅垂姿势变换成水平姿势;第一搬送部,其将通过上述分批式处理部完成处理的多张基板搬送至上述姿势变换部;第二搬送部,其将通过上述姿势变换部成为水平姿势的基板支撑于机械手并搬送至上述单片式处理部,且将通过上述单片式处理部处理后的基板支撑于机械手并从上述单片式处理部搬送;以及清洗干燥部,其对上述第二搬送部的上述机械手进行清洗以及干燥。
根据本发明,第二搬送部通过清洗干燥部对机械手进行清洗以及干燥。因此,第二搬送部能够清洁机械手。因此,第二搬送部虽然从姿势变换部搬送濡湿的基板,但能够防止从单片式处理部搬送干燥的基板时产生汚染。
另外,本发明优选的是,在上述第二搬送部从上述单片式处理部搬送通过上述单片式处理部处理后的基板之前,上述清洗干燥部对上述机械手进行清洗以及干燥。
并非每当机械手因从姿势变换部向单片式处理部的基板的搬送而濡湿时都进行机械手的清洗以及干燥。因此,能够降低清洗以及干燥的频度。其结果,能够节约清洗以及干燥所消耗的资源。
另外,本发明优选的是,在将基板从上述姿势变换部搬送到上述单片式处理部之后,上述清洗干燥部对上述机械手进行清洗以及干燥。
在机械手因向单片式处理部搬送基板而濡湿之后,进行清洗以及干燥。因此,能够缩短机械手从濡湿至清洗以及干燥的时间。因此,能够防止由于机械手濡湿后经过较长时间而在机械手产生因附着的纯水而引起的残渣。其结果,能够提高机械手的清洁度。
另外,本发明优选的是,上述清洗干燥部配置于上述姿势变换部的上方。
将清洗干燥部配置于姿势变换部的上方,因此能够减小装置的覆盖区域。
另外,在本发明中,优选的是,上述清洗干燥部和上述姿势变换部彼此的空间在铅垂方向上连通。
在清洗干燥部的清洗以及干燥时,清洗液向下方流下。使多张基板成为被纯水濡湿的状态的姿势变换部位于下方。因此,能够省略用于承接清洗干燥部的清洗液的缸桶。其结果,能够简化结构,能够抑制成本。
另外,在本发明中,优选的是,上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
能够通过清洗液喷嘴和干燥机构对机械手进行清洗以及干燥。
另外,在本发明中,优选的是,上述干燥机构是向上述机械手供给气体的气体喷嘴。
能够通过比较简易的结构效率地干燥机械手。
另外,在本发明中,优选的是,上述单片式处理部具备:以水平姿势能够旋转地支撑基板的旋转卡盘;向支撑于上述旋转卡盘的基板供给处理液的处理液供给机构;以及向支撑于上述旋转卡盘的基板供给气体的气体供给机构,上述清洗干燥部通过使用上述单片式处理部的上述处理液供给机构和上述气体供给机构对上述机械手进行清洗以及干燥而实现。
能够由单片式处理部兼作清洗干燥部。因此,能够简化结构,能够抑制装置成本。
另外,在本发明中,优选的是,具备多个上述清洗干燥部,而且在俯视下,上述多个上述清洗干燥部配置于不同的位置,根据上述第二搬送部的位置,利用较近的一方的上述清洗干燥部进行清洗以及干燥。
通过较近的位置的清洗干燥部进行机械手的清洗以及干燥,因此能够较早地进行机械手的清洁化。因此,能够难以产生因附着的纯水而引起的残渣。另外,能够较早地进行从单片处理部的基板的搬送,因此能够提高吞吐量。
为了说明本发明,在附图中示出了优选的几种方式,但是,应当理解,本发明不限于所示的具体的例子。
附图说明
图1是实施例的基板处理装置的俯视图。
图2是表示控制系统的块图。
图3是水中姿势变换部以及清洗干燥部的侧视图。
图4是水中姿势变换部的俯视图。
图5是水中姿势变换部的侧视图。
图6是水中姿势变换部的主视图。
图7是水中姿势变换部的动作说明图。
图8是水中姿势变换部的动作说明图。
图9是水中姿势变换部的动作说明图。
图10是水中姿势变换部的动作说明图。
图11是水中姿势变换部的动作说明图。
图12是水中姿势变换部的动作说明图。
图13是水中姿势变换部的动作说明图。
图14是水中姿势变换部的动作说明图。
图15是清洗干燥部的动作说明图。
图16是清洗干燥部的动作说明图。
图17是清洗干燥部的动作说明图。
图18是清洗干燥部的动作说明图。
图19是表示干燥机构的变形例的侧视图。
图20是表示基板处理装置的变形例的俯视图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的优选的实施例详细地进行说明。
以下,参照附图对本发明的实施例进行说明。
图1是实施例的基板处理装置的俯视图。
<1.整体结构>
基板处理装置1具备搬入/搬出块3、储存块5、移载块7、以及处理块9。
基板处理装置1对基板W进行处理。基板处理装置1例如对基板W进行药液处理、清洗处理、干燥处理等。基板处理装置1采用兼具分批式和单片式的处理方式(所谓混合方式)。分批式是将多张基板W在铅垂姿势的状态下一并处理。单片式是将一张基板W在水平姿势的状态下处理。
在本说明书中,为了方便,将搬入/搬出块3、储存块5、移载块7以及处理块9排列的方向称为“前后方向X”。前后方向X是水平的。将前后方向X中的从储存块5朝向搬入/搬出块3的方向称为“前方”。将与前方相反的方向称为“后方”。将与前后方向X正交的水平方向称为“宽度方向Y”。将“宽度方向Y”的一方向适当称为“右方”。将与右方相反的方向称为“左方”。将相对于水平方向垂直的方向称为“铅垂方向Z”。在各图中,作为参考,适当地示出前、后、右、左、上、下。
<2.搬入/搬出块>
搬入/搬出块3具备投入部11和送出部13。投入部11和送出部13沿宽度方向Y配置。就基板W而言,多张(例如25张)以水平姿势隔开恒定间隔层叠收纳于一个载体C内。收纳未处理的基板W的载体C载置于投入部11。投入部11例如具备两个供载体C载置的载置台15。载体C形成有多个将基板W的面彼此分离并将基板W逐张容纳的槽(省略图示)。作为载体C,例如有FOUP(Front Opening Unify Pod,前开式晶圆盒)。FOUP是密闭型容器。载体C也可以是开放型容器,任何种类均可。
送出部13配备于基板处理装置1中的与隔着宽度方向Y的中央部的投入部11相反的侧。送出部13配置于投入部11的左方Y。送出部13将处理完毕的基板W收纳于载体C,并按照载体C送出。这样发挥功能的送出部13与投入部11同样地例如具备用于载置载体C的两个载置台17。投入部11和送出部13也称为装载口。
<3.储存块>
储存块5相邻地配置于搬入/搬出块3的后方X。储存块5具备搬送收纳部ACB。搬送收纳部ACB具备搬送机构19和搁板21。
搬送机构19搬送载体C。搬送收纳部ACB具备多个搁板21。搁板21具有仅临时载置载体C的隔板和为了与第一搬送机构HTR之间的交接而载置载体C的隔板。搬送收纳部ACB将收纳有未处理的基板W的载体C从投入部11取入并载置于搁板21。搬送收纳部ACB根据规定处理的顺序的时间表,向交接用的搁板21搬送并载置载体C。搬送收纳部ACB将载置于交接用的搁板21且空的载体C搬送并载置于搁板21。搬送收纳部ACB将载置于交接用的搁板21且通过第一搬送机构HTR收纳有处理后的基板W的载体C搬送并载置于搁板21。搬送收纳部ACB将载置于搁板21且收纳有处理后的基板W的载体C搬出至送出部13。
<4.移载块>
移载块7相邻地配置于储存块5的后方X。移载块7具备第一搬送机构HTR、移载机构CTC以及第二搬送机构WTR。
第一搬送机构HTR配置于搬送收纳部ACB的后方X中的右方Y。第一搬送机构HTR将多张基板W一并搬送。换言之,第一搬送机构HTR具备多个机械手(省略图示)。一个机械手支撑一张基板W。第一搬送机构HTR也能够仅搬送一张基板W。第一搬送机构HTR从载置于搬送收纳部ACB的交接用的搁板21的载体C一并取出多张基板W(例如25张),搬送至移载机构CTC。此时,第一搬送机构HTR将基板W的姿势从水平姿势变换成铅垂姿势。第一搬送机构HTR从后述的处理块9一并接收处理完毕的多张基板W。第一搬送机构HTR对载置于搬送收纳部ACB的交接用的搁板21的载体C一并搬送处理完毕的多张基板W。
在第一搬送机构HTR的左方Y配置有移载机构CTC。移载机构CTC在第一搬送机构HTR与第二搬送机构WTR之间交接多张基板W。移载机构CTC在第一搬送机构HTR与第二搬送机构WTR之间沿宽度方向Y搬送多张基板W。移载机构CTC从第一搬送机构HTR接收多张基板W之后,在宽度方向Y上移动至第二搬送机构WTR。此时,移载机构CTC进行批次的组装或批次的解除。移载机构CTC例如将从某一个载体C取出的构成一个组的多张基板W和从另一载体C取出的构成另一个组的多张基板W组合成一个批次。这是批次的组装。该相反的动作为批次的解除。也就是,将构成一个批次的一个组的多张基板W和构成相同批次的另一组的多张基板W分别分离而返回原组。通常,从载体C取出的多张基板W的间隔是与载体C相同的间隔。将其称为全间距。在一个批次中,例如,多张基板W的间隔为全间距的一半。将其称为半间距。此外,本发明中,间距可以是任意的,因此为了容易理解发明,在以下的说明中省略对间距的详细的说明。
此外,在以下的说明中,处理对象的组的结构可以是任意的。也就是,无论是通常的组还是批次都相同,因此在以下的说明中,将处理对象简称为组、多张基板W。
第二搬送机构WTR配置于移载机构CTC的左方Y。第二搬送机构WTR构成为能够遍及移载块7和处理块9移动。第二搬送机构WTR构成为能够沿前后方向X移动。第二搬送机构WTR具备搬送组的一对机械手23。一对机械手23例如具备朝向宽度方向Y的旋转轴。一对机械手23绕该旋转轴摆动。一对机械手23夹持构成组的多张基板W的两端面。第二搬送机构WTR在与移载机构CTC之间交接多张基板W。第二搬送机构WTR对处理块9交接未处理的多张基板W。
此外,上述的第二搬送机构WTR相当于本发明中的“第一搬送部”。
<5.处理块>
处理块9对基板W进行处理。处理块9除了第二搬送机构WTR,例如在宽度方向Y上分成第一列R1、第二列R2、以及第三列R3。详细而言,第一列R1配置于左方Y。第二列R2配置于宽度方向Y的中央部。换言之,第二列R2配置于第一列R1的右方Y。第三列R3配置于第二列R2的右方Y。
<5-1.第一列>
第一列R1主要具备分批式处理部。具体而言,第一列R1具备第一分批处理部BPU1、第二分批处理部BPU2、第三分批处理部BPU3、水中姿势变换部25以及清洗干燥部CDU。第一分批处理部BPU1相邻于移载块7的后方X。第二分批处理部BPU2相邻于第一分批处理部BPU1的后方X。第三分批处理部BPU3相邻于第二分批处理部BPU2的后方X。水中姿势变换部25相邻于第三分批处理部BPU3的后方X。清洗干燥部CDU配置于水中姿势变换部25的上方。清洗干燥部CDU配置为在宽度方向Y上偏向靠近第二列R2的位置。
此外,第一分批处理部BPU1、第二分批处理部BPU2以及第三分批处理部BPU3相当于本发明中的“分批式处理部”。
第一分批处理部BPU1例如是药液处理部CHB1。药液处理部CHB1例如进行磷酸处理。磷酸处理使用磷酸作为处理液。磷酸处理对多张基板W进行蚀刻处理。蚀刻处理例如以化学方式削减覆盖于基板W的覆膜的膜厚。覆膜例如是氮化膜。
药液处理部CHB1具备处理槽27和升降机LF1。处理槽27贮存处理液。处理槽27例如从下方朝向上方供给处理液。升降机LF1沿铅垂方向Z升降。具体而言,升降机LF1遍及位于处理槽27的内部的处理位置和位于处理槽27的上方的交接位置升降。升降机LF1将多张基板W以铅垂姿势保持。升降机LF1在交接位置处在与第二搬送机构WTR之间交接多张基板W。
第二分批处理部BPU2例如是药液处理部CHB2。药液处理部CHB2具备与药液处理部CHB1相同的结构。也就是,药液处理部CHB2具备处理槽27和升降机LF2。药液处理部CHB2进行与药液处理部CHB1相同的处理。也就是,存在多个进行相同药液处理的处理部。这是因为磷酸处理相比其它药液处理、纯水清洗处理等耗费长时间。磷酸处理例如需要60分钟左右。因此,通过利用多台处理部并行地进行处理,能够提高吞吐量。
第三分批处理部CHB3例如是纯水处理部ONB。纯水处理部ONB具备与药液处理部CHB1、CHB2类似的结构。具体而言,具备处理槽27和升降机LF3。但是,处理槽27为了纯水清洗处理而主要供给纯水。纯水处理部ONB的处理槽27对附着于多张基板W的药液进行清洗。换言之,纯水处理部ONB的处理槽27对附着于多张基板W的药液进行冲洗。纯水处理部ONB例如当处理槽27内的纯水的电阻率上升到预定值时,结束清洗处理。
<5-2.第二列>
第二列R2具备中央机器人CR。中央机器人CR具备机械手29。机械手29保持一张基板W。中央机器人CR例如也可以采用在铅垂方向Z上具备另外一个机械手29的结构。中央机器人CR构成为能够沿前后方向X移动。中央机器人CR构成为能够沿铅垂方向Z升降。中央机器人CR构成为能够在包含前后方向X以及宽度方向Y的水平面内回转。机械手29构成为能够在包含前后方向X以及宽度方向Y的水平面内进退。机械手29从水中姿势变换部25逐张接收基板W。中央机器人CR对第三列R3逐张交付基板W。中央机器人CR从第三列R3逐张接收基板W。此外,在中央机器人CR具备两个机械手29的情况下,从水中姿势变换部25接收两张基板W,且在与第三列R3之间在两个部位逐张交付基板W。
上述的中央机器人CR相当于本发明中的“第二搬送部”。
<5-3.第三列>
第三列R3主要具备单片式处理部。具体而言,第三列R3具备第一单片处理部SWP1、第二单片处理部SWP2、第三单片处理部SWP3以及缓冲部31。第一单片处理部SWP1配置于前后方向X的最里侧。换言之,第一单片处理部SWP1在宽度方向Y上隔着第二列R2配置于水中姿势变换部25的相反侧。第二单片处理部SWP2相邻于第一单片处理部SWP1的前方X。第三单片处理部SWP3相邻于第二单片处理部SWP2的前方X。缓冲部31相邻于第三单片处理部SWP3的前方X且第一搬送机构HTR的后方X。
此外,第一单片处理部SWP1、第二单片处理部SWP2、以及第三单片处理部SWP3相当于本发明中的“单片式处理部”。
第一单片处理部SWP1以及第二单片处理部SWP2例如具备旋转处理部33和喷嘴35。旋转处理部33在水平面内旋转驱动基板W。喷嘴35向基板W供给处理液以及气体。喷嘴35不同时供给处理液和气体。喷嘴35能够仅供给处理液、或者仅供给气体。喷嘴35遍及从旋转处理部33离开的待机位置和旋转处理部33的上方的供给位置地摆动。处理液例如是IPA(异丙醇)、纯水。气体例如是氮气(N2气体)。氮气优选干氮气。第一单片处理部SWP1以及第二单片处理部SWP2例如在用纯水对基板W进行清洗处理之后,通过IPA进行预备的干燥处理。
上述的旋转处理部33相当于本发明中的“旋转卡盘”。上述的喷嘴35相当于本发明中的“处理液供给机构”以及“气体供给机构”。
第三单片处理部SWP3例如具备超临界流体腔室37。超临界流体腔室37例如进行基于超临界流体的干燥处理。此时使用的流体例如是二氧化碳。超临界流体腔室37使处理液成为超临界状态,对基板W进行处理。超临界状态通过使流体成为流体固有的临界温度和临界压力而得到。具体而言,在流体为二氧化碳的情况下,临界温度=31℃、临界压力为7.38MPa。在超临界状态下,流体的表面张力为零。因此,不会对基板W的图案产生气液界面的影响。因此,难以产生基板W的图案崩塌。
缓冲部31例如具备多层载置搁板39。多个载置搁板39优选沿铅垂方向Z层叠配置。多个载置搁板39能够载置至少一组量的基板W。第一搬送机构HTR一并取出多张基板W,因此与逐张取出基板W的情况相比,能够减少第一搬送机构HTR的负担。缓冲部31能够从水平方向的不同的多个方向访问。中央机器人CR从第二列R2侧朝向右方Y为了载置基板W而访问缓冲部31。第一搬送机构HTR从前方X朝向后方X为了接收一组量的基板W而访问缓冲部31。第一搬送机构HTR也能够接收不足一组的张数的基板W。上述的中央机器人CR沿铅垂方向Z升降,以能够在与多个载置搁板39之间交接基板W。
上述的第一单片处理部SPW1、第二单片处理部SWP2以及第三单片处理部SWP3优选分别沿铅垂方向Z多层地层叠有相同的处理部。由此,能够提高吞吐量。
<6.控制系统>
在此,参照图2。图2是表示控制系统的块图。
上述的各结构由控制部CU总括地控制。控制部CU具备CPU、存储器。控制部CU通过信号线将与上述的各部之间电连接。控制部CU通过预先存储于存储器中的程序操作各部,进行对基板W的处理。
<7.水中姿势变换部>
在此,参照图3~图6,对水中姿势变换部进行说明。图3是水中姿势变换部以及清洗干燥部的侧视图。图4是水中姿势变换部的俯视图。图5是水中姿势变换部的侧视图。图6是水中姿势变换部的主视图。
水中姿势变换部25具备姿势变换部41、浸渍槽43、升降机LF4、以及推杆45。姿势变换部41具备槽内载体47和旋转机构49。
槽内载体47在横长状态下将多张基板W以铅垂姿势收纳。槽内载体47在预定的排列方向上以预定间隔分离地收纳多张基板W。基板W的面是与排列方向正交的方向。该例子中的排列方向是宽度方向Y。槽内载体47在底部形成开口51。槽内载体47在上表面形成开口53。开口53的前后方向X的长度比基板W的直径长。开口51的开口面积比开口53的开口面积小。槽内载体47具备卡合部55。卡合部55形成于槽内载体47的前后方向X的两个外侧面。卡合部55形成于与多张基板W的排列方向正交的方向的外侧面。
浸渍槽43容纳槽内载体47。浸渍槽43具有不论槽内载体47是纵长的状态(基板W为水平姿势)还是横长状态(基板W为铅垂姿势),都能够将槽内载体47容纳于液面下的大小。浸渍槽43在底面的前后方向X的两端具备喷出管43a。各个喷出管43a呈筒状。各喷出管43a在宽度方向Y上具有长轴。各喷出管43a在宽度方向Y上较长。各喷出管43a朝向浸渍槽43的前后方向X的中央部供给纯水。各喷出管43a形成从浸渍槽43的底部朝向上方的纯水的上升流。从各喷出管43a供给到浸渍槽43的纯水越过浸渍槽43的上缘排出。
旋转机构49具备气缸57和马达59。气缸57具备工作轴57a和卡合片57b。工作轴57a根据气缸57的通断而沿前后方向X进退驱动。浸渍槽43形成有贯通孔44。贯通孔44形成于浸渍槽43的前后方向X的侧壁。工作轴57a以液密状态安装于浸渍槽43的贯通孔44。工作轴57a能够以液密状态沿前后方向X进退。工作轴57a能够以液密状态绕前后方向X的轴旋转。换言之,工作轴57a能够在维持液密性的状态下相对于浸渍槽43的中央部进退以及旋转。
工作轴57a的卡合片57b与卡合部55卡合的进入位置是连结位置。工作轴57a的卡合片57b从卡合部55分离的退出位置是开放位置。图4所示的工作轴57a的卡合片57b位于开放位置。
卡合片57b与槽内载体47的卡合部55卡合。卡合片57b以与卡合部55卡合的方式形成外周面的形状(轮廓)。卡合部55和卡合片57b例如从前后方向X观察的形状是多边形状。卡合片57b纵剖面形状下的尺寸比卡合部55稍小。卡合部55的内周面的形状和卡合片57b的外周面的形状相似。在卡合片57b与卡合部55卡合的状态下,槽内载体47和工作轴57a一体化。换言之,在卡合片57b与卡合部55卡合的状态下,槽内载体47相对于工作轴57a不会绕前后方向X的轴旋转。槽内载体47能够与工作轴57a一起绕前后方向X的轴旋转。
气缸57例如当被接通时,使工作轴57a进入。气缸57例如当被断开时,使工作轴57a退出。气缸57当被接通时,使卡合片57b向与卡合部55卡合的连结位置移动。气缸57当被断开时,使卡合片57b向从卡合部55分离的开放位置移动。在连结位置,工作轴57a与槽内载体47为一体。在开放位置,工作轴57a与槽内载体47分开。
马达59使气缸57绕前后方向X的轴旋转。在气缸57被接通且马达59向第一方向旋转驱动的情况下,马达59使槽内载体47绕前后方向X的轴旋转。在气缸57被接通且马达59向与第一方向相反的方向的第二方向旋转驱动的情况下,马达59使槽内载体47绕前后方向X的轴向反方向旋转。它们的旋转角度分别约为90°。此时的旋转角度是收纳于槽内载体47的多张基板W的姿势变换成水平姿势和铅垂姿势的旋转角度。
升降机LF4具备背板部63和支撑部65。背板部63沿浸渍槽43的内侧面伸出。背板部63在沿着前后方向X的内侧面向铅垂方向Z的下方延伸。在背板部63的下端部例如安装有两根支撑部65。两根支撑部65在宽度方向Y上延伸。两根支撑部65的前后方向X上的间隔比开口51大。两根支撑部65的前后方向X上的间隔比前后方向X上的槽内载体47的宽度小。升降机LF4以槽内载体47的长度方向为水平姿势的方式支撑。
在升降机LF4的附近配置有升降机构67。升降机构67具备马达69、螺纹轴71、线性导向件73、以及升降片75。马达69以旋转轴为纵向的姿势配置。在马达69的旋转轴安装有螺纹轴71。螺纹轴71朝向铅垂方向Z。线性导向件73与螺纹轴71平行地设置。线性导向件73朝向铅垂方向Z。升降片75与螺纹轴71螺纹结合。升降片75的一方滑动自如地安装于线性导向件73。升降片75的另一方安装于连结部件77。连结部件77呈倒L字状。连结部件77与背板部63的上端结合。
当马达69旋转时,螺纹轴71旋转。当螺纹轴71旋转时,升降片75根据马达69的旋转方向而沿线性导向件73在铅垂方向Z上升降。由此,例如升降机LF4升降移动到多个高度位置。
例如,如图5所示,升降机LF4通过升降机构67遍及第一高度位置P1、第二高度位置P2、第三高度位置P3、以及第四高度位置P4升降移动。第一高度位置P1比第二~第四高度位置P2~P4低。第二高度位置P2比第一高度位置P1以及第四高度位置P4高,且比第三高度位置P3低。第三高度位置P3比第一高度位置P1、第二高度位置P2以及第四高度位置P4高。第四高度位置P4比第一高度位置P1高,且比第二高度位置P2以及第三高度位置P3低。
第一高度位置P1是升降机LF4的支撑部65位于浸渍槽43的底面附近的位置。第一高度位置P1是槽内载体47被旋转机构49夹持且支撑部65从槽内载体47的下表面分离的位置。第一高度位置P1是槽内载体47通过旋转机构49在浸渍槽43内沿长度方向纵向旋转的位置。
第二高度位置P2是将槽内载体47整体支撑于浸渍槽43的液面下的位置。在第二高度位置P2,槽内载体47的开口53位于液面下。第二高度位置P2是通过旋转机构49进行对槽内载体47的夹持动作的位置。第二高度位置P2是槽内载体47的卡合部55和气缸57的卡合片57b在水平方向上直线地排列的位置。换言之,第二高度位置P2是卡合部55和卡合片57b在水平方向上对置的位置。
第三高度位置P3是在第二搬送机构WTR与槽内载体47之间交接多张基板W的位置。第三高度位置P3例如是升降机LF4的支撑部65位于比浸渍槽43的液面靠上方的位置。但是,只要槽内载体47的底部位于液面的上方即可,因此不必使支撑部65一定位于液面的上方。
第四高度位置P4是将使多张基板W为水平姿势的槽内载体47维持在浸渍槽43内的水面下的位置。换言之,第四高度位置P4将纵长状态的槽内载体47维持在水面下。从第四高度位置P4到第三高度位置P3的阶段性的位置是仅使中央机器人CR的搬送对象的基板W位于离浸渍槽43的液面靠上方的高度位置。
浸渍槽43在底部形成有贯通孔79。在贯通孔79插通有升降部件81。升降部件81将浸渍槽43维持为液密状态地插通于贯通孔79。升降部件81呈U字状。在升降部件81的一方安装有推杆45。推杆45能够将多张基板W一并支撑。推杆45抵接基板W的下缘而支撑。如图4以及图6所示,推杆45的尺寸比槽内载体47的开口51以及开口53的尺寸小。推杆45能够在铅垂方向Z上贯通槽内载体47而升降。推杆45的宽度比升降机LF4的支撑部65中的前后方向X的间隔小。推杆45与槽内载体47和升降机LF4的支撑部65不干涉。
如图4以及图6所示,推杆45在相邻的位置具有升降机构83。升降机构83具备马达85、螺纹轴87、线性导向件89、以及升降片91。马达85的旋转轴纵置地配置。在马达85的旋转轴安装有螺纹轴87。螺纹轴87沿铅垂方向Z配置。线性导向件89以与螺纹轴87平行的位置关系配置。线性导向件89沿铅垂方向Z配置。升降片91与螺纹轴87螺纹结合。升降片91的一方滑动自如地安装于线性导向件89。升降片91的另一方与升降部件81连结。
当马达85正转驱动或反转驱动时,螺纹轴87向正方向或反方向旋转。升降片91根据马达85的旋转方向而沿线性导向件89在铅垂方向Z上升降。由此,推杆45在铅垂方向Z上升降。推杆45遍及待机位置和移载位置升降。待机位置是槽内载体47的下方且浸渍槽43的底部附近。图5以及图6中用实线示出该待机位置。移载位置是浸渍槽43的液面的上方。图5以及图6中用双点划线示出该移载位置。移载位置是在与第二搬送机构WTR之间交接多张基板W的位置。
此外,通过旋转机构49使槽内载体47旋转,因此在槽内载体47产生了污损等的情况下,能够通过仅更换槽内载体47来恢复。因此,能够缩短基板处理装置1的停机时间,能够期待运转率的提高。
<8.清洗干燥部>
参照图3以及图4,对清洗干燥部CDU进行说明。
清洗干燥部CDU具备支撑框架101、清洗液喷嘴103以及气体喷嘴105。
支撑框架101通过未图示的支柱配置于水中姿势变换部25的上方。如图3所示,其高度比位于最上升的位置的槽内载体47的上表面稍微靠上方。由此,即使成为槽内载体47移动到最高的位置的状态,也能够对机械手29进行清洗以及干燥。换言之,不管槽内载体47的高度位置如何,都能够对机械手29进行清洗以及干燥。
支撑框架101具备顶板部101a和侧面部101b。支撑框架101配置于浸渍槽43的正上方。支撑框架101在宽度方向Y上配置于浸渍槽43中的靠近第二列R2的位置。如图3所示,支撑框架101配置于在俯视下与成为纵长状态的槽内载体47不重复的位置。在图4中,用阴影线表示纵长状态的槽内载体47。支撑框架101在前后方向X的两端部具备侧面部101b。各侧面部101b设为从顶板部101a向下方垂下。换言之,当从宽度方向Y观察时,支撑框架101呈中括弧状。支撑框架101不具备底面。
在支撑框架101安装有清洗液喷嘴103和气体喷嘴105。详细而言,支撑框架101在其顶板部101a安装有清洗液喷嘴103和气体喷嘴105。换言之,清洗液喷嘴103和气体喷嘴105安装于顶板部101a的下表面。
清洗液喷嘴103在宽度方向Y偏靠支撑框架101的左方Y安装。换言之,清洗液喷嘴103在宽度方向Y上安装于支撑框架101的升降机LF4侧。清洗液喷嘴103例如由两个构成。两个清洗液喷嘴103在前后方向X上分离地配置。各清洗液喷嘴103是相同的结构。各清洗液喷嘴103朝向下方喷射清洗液。各清洗液喷嘴103配置于能够向中央机器人CR的机械手29供给清洗液的位置。清洗液例如是纯水、有机溶剂。有机溶剂例如是IPA(异丙醇)。
气体喷嘴105例如由两个构成。两个气体喷嘴105配置为在宽度方向Y上比清洗液喷嘴103偏靠第二列R2。换言之,两个气体喷嘴105配置在比两个清洗液喷嘴103靠近中央机器人CR的位置。两个气体喷嘴105在前后方向X上分离地配置。各气体喷嘴105是相同的结构。各气体喷嘴105朝向下方喷射气体。各气体喷嘴105配置在能够向中央机器人CR的机械手29供给气体的位置。气体例如是氮气(N2气体)。氮气优选为干氮气。气体只要是惰性气体,也可以是氮气以外的气体。
清洗液喷嘴103和气体喷嘴105只要能够对机械手29进行清洗以及干燥,各自就不限定于两个的个数。也可以各自为一个。也可以各自为三个以上。
清洗干燥部CDU如上述那样构成。因此,清洗干燥部CDU与水中姿势变换部25在铅垂方向Z上彼此的空间连通。换言之,清洗干燥部CDU在与水中姿势变换部25之间在铅垂方向Z上不存在隔开彼此的空间的部件。
上述的中央机器人CR的机械手29如图3所示那样在宽度方向Y上相对于清洗干燥部CDU进退。具体而言,中央机器人CR使机械手29遍及第一水平位置HP1和第二水平位置HP2进退。这些位置是机械手29的前端部的位置。第一水平位置HP1是在宽度方向Y上靠近水中姿势变换部25和清洗干燥部CDU的位置。第二水平位置HP2是在宽度方向Y上靠近成为纵长状态的槽内载体47的开口51的位置。换言之,第二水平位置HP2是在宽度方向Y上比第一水平位置HP1靠左方Y的位置。
中央机器人CR的机械手29的铅垂方向Z上的高度遍及第一高度位置VP1和第二高度位置VP2升降。第一高度位置VP1是从槽内载体47取出基板W时的进入高度。机械手29在该第一高度位置VP1进入之后,沿铅垂方向Z稍微上升将基板W捞起,载置基板W而退出。第二高度位置VP2是在清洗干燥部CDU对机械手29进行清洗以及干燥时的进入高度。第二高度位置VP2也是从清洗干燥部CDU退出时的退出高度。但是,在清洗干燥时使机械手29退出时,也可以与接收基板W时同样地稍微沿铅垂方向Z上升。由此,能够简化中央机器人CR的机械手29的升降控制。
关于如上述地构成的清洗干燥部CDU的动作,后文叙述详情。此外,上述的气体喷嘴105相当于本发明中的“干燥机构”。
<9.动作说明>
参照图7~图14,对上述的基板处理装置1中的水中姿势变换部25的动作进行说明。图7~图14是水中姿势变换部的动作说明图。
<9-1.分批处理>
多张基板W采用在药液处理部CHB1进行磷酸的蚀刻处理,接着在纯水处理部ONB进行纯水清洗处理的基板。进行了纯水清洗处理的多张基板W由第二搬送机构WTR搬送至水中姿势变换部25。
<9-2.姿势变换>
参照图7。第二搬送机构WTR利用机械手23夹持在纯水处理部ONB完成处理的多张基板W,搬送到水中姿势变换部25的上方。此时,水中姿势变换部25的升降机LF4的支撑部65位于第二高度位置P2。槽内载体47保持于支撑部65。浸渍槽43从喷出管43a以上升流供给纯水。在浸渍槽43,纯水从上缘向周围溢出。由此,浸渍槽43始终被清洁的纯水填满。旋转机构49的工作轴57a的卡合片57b处于开放位置。也就是,旋转机构49与槽内载体47分离。推杆45从浸渍槽43的待机位置向移载位置上升。由此,保持于第二搬送机构WTR的多张基板W的下缘被推杆45抵接支撑。
参照图8。第二搬送机构WTR解除机械手23的夹持,将多张基板W放开。由此,从第二搬送机构WTR向推杆45交接多张基板W。接着,第二搬送机构WTR从水中姿势变换部25的上方避让。具体而言,向第一分批处理部BPU1的方向移动。
升降机构67驱动马达69,使升降机LF4上升到交接位置。具体而言,使升降机LF4上升到第三高度位置P3。由此,下缘由推杆45支撑的多张基板W收纳于槽内载体47。
参照图9。升降机构83旋转驱动马达85使推杆45下降到待机位置。由此,多张基板W完全收纳于槽内载体47。
参照图10。升降机构67旋转驱动马达69使升降机LF4下降到第二高度位置P2。
参照图11。旋转机构49使气缸57工作,使工作轴57a向槽内载体47进入。旋转机构49使工作轴57a进入到连结位置。由此,气缸57的卡合片57b与槽内载体47的卡合部55卡合。槽内载体47在由升降机LF4支撑下部的状态下,被一对工作轴57a夹持。接着,旋转驱动升降机构67的马达69,使升降机LF4下降到第一高度位置P1。由此,槽内载体47成为仅由一对工作轴57a夹持的状态。
参照图12。使姿势变换部41的旋转机构49工作。具体而言,旋转驱动旋转机构49的马达59,使槽内载体47连通气缸57一起绕前后方向X的轴旋转。换言之,旋转驱动马达59,从纯水处理部ONB侧观察,使槽内载体47向逆时针方向旋转。旋转角度为90°。由此,槽内载体47从横姿势(横长状态)成为纵姿势(纵长状态)。因此,多张基板W的姿势从铅垂姿势向水平姿势变换。此时,多张基板W仍为浸渍于浸渍槽43的纯水的状态。多个的基板W在进行姿势变换时,即使是一部分也没有从纯水中露出。
这样,通过利用旋转机构49旋转驱动处于连结位置的一对工作轴57a,能够使槽内载体47旋转,将多张基板W的姿势一并变换成水平姿势。从而,能够通过简易的构造变换多张基板W的姿势,因此,能够抑制装置成本。
参照图13。通过升降机构67使升降机LF4上升到第四高度位置P4。由此,升降机LF4的支撑部65在液体中保持纵姿势的槽内载体47。进一步地,使气缸57进行收缩动作,使工作轴57a移动到开放位置。由此,槽内载体47仅由升降机LF4保持。
参照图14。通过升降机构67使升降机LF4从第四高度位置P4上升,上升至仅处于槽内载体47的最靠上的基板W从液面露出的位置。该基板W是由中央机器人CR搬送的搬送对象。由此,最上位置的基板W以在上表面盛满贮存于浸渍槽43的纯水的状态从浸渍槽43的液面向上方露出。在该状态下,中央机器人CR使机械手29进入槽内载体47,搬出最上位置的基板W。
在中央机器人CR为了搬送下一基板W而移动到水中姿势变换部25的情况下,通过升降机构67使升降机LF4进一步上升。具体而言,上升槽内载体47所具有的槽的间隔量。由此,仅下一张基板W从浸渍槽43的液面向上方露出。在该状态下,中央机器人CR搬送基板W。这样,每当中央机器人CR移动来时,通过升降机构67使升降机LF4逐渐上升。由此,全部的基板W在保持由纯水濡湿的状态下由中央机器人CR搬送走。
这样,不被中央机器人CR搬送的搬送对象外的基板W位于浸渍槽43的液面下。因此,能够防止基板W在成为中央机器人CR的搬送对象前干燥。其结果,能够抑制基板W的图案的倒塌。
<9-3.单片处理>
如上所述地由中央机器人CR搬送的基板W例如被如下处理。
中央机器人CR将基板W搬送到第一单片处理部SWP1。第一单片处理部SWP1例如一边通过旋转处理部33使基板W旋转一边从喷嘴35供给纯水。然后,从喷嘴35对基板W供给IPA,用IPA置换基板W的纯水。然后,基板W由中央机器人CR搬出,并搬送到第三单片处理部SWP3。在第三单片处理部SWP3中,基板W被搬入超临界流体腔室37。基板W在超临界流体腔室37内利用二氧化碳进行干燥处理。通过超临界流体腔室37中的干燥处理,对基板W进行完工干燥处理。由此,基板W被完全干燥,形成于基板W的图案的倒塌被抑制。
在超临界流体腔室37完成了干燥处理的基板W由中央机器人CR搬送到缓冲部31。中央机器人CR将基板W载置于缓冲部31的载置搁板39。当在缓冲部31载置一组量的基板W时,第一搬送机构HTR将多张基板W一次搬送到搬送收纳部ACB。搬送收纳部ACB连通载体C一起搬送到送出部13。对槽内载体47的全部的基板W进行上述那样的单片处理及其之后的搬送。由此,能够对多张基板W全部进行分批处理以及单片处理。
<9-4.机械手29的清洗干燥处理>
如上所述,最后,多张基板W在超临界流体腔室37进行干燥处理之后,被中央机器人CR搬送而载置于缓冲部31。中央机器人CR的机械手29在水中姿势变换部25的基板W的接收时被纯水濡湿。若由该濡湿的机械手29搬送在超临界流体腔室37完成干燥处理的基板W,则会使完成了干燥处理的基板W濡湿。换言之,存在通过濡湿的机械手29污染基板W的担忧。因此,在从超临界流体腔室37搬送基板W之前,如下地对机械手29进行清洗干燥处理。
在此,所谓从超临界流体腔室37搬送基板W之前,包含刚要从超临界流体腔室37搬送基板W。另外,所谓从超临界流体腔室37搬送基板W之前,包含从水中姿势变换部25接收基板W并将基板W搬送到第一单片处理部SWP1或者第二单片处理部SWP2之后。
在此,参照图15~图18。图15~图18是清洗干燥部的动作说明图。此外,中央机器人CR的机械手29向第二高度位置VP2上升。
如图15所示,使中央机器人CR的机械手29位于第一水平位置HP1。从清洗干燥部CDU的清洗液喷嘴103喷射纯水。从该状态起,使中央机器人CR的机械手29在宽度方向Y上向左方Y移动。此时的移动速度优选比接收槽内载体47内的基板W的动作的速度低。这是因为,这样更能够期待纯水的清洗效果。
如图16所示,机械手29移动,机械手29到达第二水平位置HP2。机械手29在第二水平位置HP2暂时停止。此时,机械手29的前端侧整体被从清洗液喷嘴103喷射的纯水清洗。由此,即使在从槽内载体47接收基板W时附着了颗粒、纯水,也被纯水冲洗。包含颗粒等在机械手29流下的纯水向浸渍槽43流下。浸渍槽43是纯水从上缘溢出,因此不会对浸渍槽43内的基板W产生恶劣影响。
在机械手29到达第二水平位置HP2之后,使从清洗液喷嘴103的纯水的喷射停止。并且,如图17所示,从气体喷嘴105喷射氮气。而且,使机械手29从第二水平位置HP2朝向第一水平位置HP1移动。详细而言,使机械手29在宽度方向Y上向右方Y移动。此时的移动速度也优选比接收槽内载体47内的基板W的动作的速度低。这是因为,这样更能够期待氮气的干燥效果。
如图18所示,机械手29移动,机械手29到达第一水平位置HP1。由此,机械手29通过来自气体喷嘴105的氮气除去附着的纯水。换言之,机械手29通过氮气除液。从机械手29除去的纯水向下方流下。由此,能够清洁中央机器人CR的机械手29。
根据本实施例,在从超临界流体腔室37搬送基板W之前,利用清洗干燥部CDU对机械手29进行清洗干燥处理。因此,中央机器人CR能够清洁机械手29。因此,中央机器人CR虽然从水中姿势变换部25搬送濡湿的基板W,但能够防止从超临界流体腔室37搬送干燥的基板W时产生汚染。因此,能够一边通过机械手29搬送濡湿的基板W,一边防止干燥的基板W的搬送时产生汚染。
此外,在上述的实施例中,将对机械手29的清洗干燥的时机设为从超临界流体腔室37搬送基板W之前。这并非是指每当机械手29因从水中姿势变换部25向第二单片处理部SWP2以及第三单片处理部SWP3搬送基板W而濡湿时都进行机械手29的清洗以及干燥。因此,能够降低机械手29的清洗以及干燥的频度。其结果,能够节约清洗以及干燥所需要的纯水、氮气的使用量。
通过上述的清洗干燥处理,从中央机器人CR的机械手29除去的纯水向下方流下。贮存纯水的浸渍槽43位于下方。因此,不需要配置用于清洗干燥部CDU的缸桶。其结果,能够简化结构,能够抑制成本。另外,清洗干燥部CDU配置于水中姿势变换部25的上方。因此,能够减小基板处理装置1的覆盖区域。
本发明并不限于上述实施方式,能够如下变形实施。
(1)在上述的实施例中,在从超临界流体腔室37搬送基板W之前,对机械手29进行了清洗干燥处理。然而,本发明并不限定于在这样的时机的清洗干燥处理。例如,也可以在从水中姿势变换部25向第一单片处理部SWP1或第二单片处理部SWP2搬送基板W之后、且搬送其它基板W之前,对机械手29进行清洗以及干燥。
换言之,每当因从水中姿势变换部25向第一单片处理部SWP1或第二单片处理部SWP2搬送基板W而使机械手29濡湿时都进行对机械手29的清洗以及干燥。换言之,在机械手29濡湿后,尽可能早地进行清洗以及干燥。因此,能够缩短机械手29从濡湿到清洗以及干燥的时间。因此,能够防止因机械手29濡湿后经过较长时间而在机械手29产生由附着的纯水引起的残渣。其结果,能够提高机械手29的清洁度。
(2)在上述的实施例中,将清洗干燥部CDU配置于水中姿势变换部25的上方。然而,本发明并不限于这样的结构。也就是,也可以将清洗干燥部CDU配置于与第一分批处理部BPU1、水中姿势变换部25等在俯视下不重复的位置。
(3)在上述的实施例中,作为干燥机构,以气体喷嘴105为例进行了说明。然而,本发明并不限定于这样的结构。例如,也可以采用图19所示那样的干燥机构。此外,图19是表示干燥机构的变形例的侧视图。
机械手29在内部具备加热器107作为干燥机构。加热器107与加热器用电源109电连接。加热器用电源109由控制部CU来操作。加热器用电源109由控制部CU控制对加热器107赋予的电力。也可以替代上述的气体喷嘴105,通过经由加热器用电源109对加热器107进行加热,对清洗后的机械手29进行干燥。由此,能够在通过清洗液喷嘴103清洗之后,一边使机械手29向与清洗干燥部CDU不同的位置移动一边进行干燥。此外,也可以同时使用上述的气体喷嘴105和加热器107。
在采用上述的结构的情况下,例如优选如下地构成机械手29。例如,在不锈钢钢板的上表面配置加热器107,利用氟树脂对不锈钢钢板与加热器107一起进行涂层。或者,在陶瓷部件的上表面配置加热器107,利用氟树脂对陶瓷部件与加热器107一起进行涂层。由此,能够不使机械手29的耐药品性下降地使加热器107容易地内置于机械手29。
(4)在上述的实施例中,在清洗干燥部CDU进行机械手29的清洗以及干燥。然而,也可以省略清洗干燥部CDU,在第一单片处理部SWP1或第二单片处理部SWP2进行清洗以及干燥。在该情况下,在使机械手29移动至第一单片处理部SWP1或第二单片处理部SWP2之后,从喷嘴35供给处理液作为清洗液。然后,只要从喷嘴35供给氮气进行干燥处理即可。由此,能够由第一单片处理部SWP1或第二单片处理部SWP2兼作清洗干燥部CDU。因此,能够简化结构,能够抑制装置成本。
(5)在上述的实施例中,通过清洗干燥部CDU在清洗液的供给之后供给气体进行干燥。然而,本发明并不限于这样的方式。例如也可以替代气体而供给有机溶剂来干燥。该情况下,优选沸点低的有机溶剂。具体而言,例如可举出IPA(异丙醇)。
(6)在上述的实施例中,以基板处理装置1仅具备一个清洗干燥部CDU的结构为例进行了说明。然而,本发明并限定于该结构。在此,参照图20,以作为变形例的基板处理装置1A为例进行说明。图20是表示基板处理装置的变形例的俯视图。
基板处理装置1A具备第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2。如实施例所记载地,第一清洗干燥部CDU1配置在水中姿势变换部25的上方。如变形例所记载地,第二清洗干燥部CDU2例如兼作第二单片处理部SWP2。换言之,第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2隔着第二列R2分别在宽度方向Y上配置。第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2在前后方向X上错开配置。第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2在俯视下配置于不同的位置。
在这样的结构中,中央机器人CR利用第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2的任一个都能够进行机械手29的清洗以及干燥。在这样的结构的情况下,优选对控制部CU如下控制。
即,控制部CU能够知晓中央机器人CR的当前位置。另外,控制部CU存储第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2的位置。因此,控制部CU能够判断现在中央机器人CR靠近第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2的哪一方。控制部CU在对中央机器人CR的机械手29进行清洗以及干燥时,选择第一清洗干燥部CDU1和第二清洗干燥部CDU2中的较近的一方,使中央机器人CR移动。通过这样控制,能够较早地进行机械手29的清洁化。因此,能够难以在机械手29产生因附着的纯水而引起的残渣。另外,能够较早地进行从超临界流体腔室37的基板W的搬送,因此能够提高吞吐量。
另外,也可以将三个以上的清洗干燥部CDU配备于分别不同的位置。
(7)在上述的实施例以及变形例中,以具备水中姿势变换部25的基板处理装置1、1A为例进行了说明。然而,本发明并非必须有水中姿势变换部25。也就是,即使是具备将基板W的姿势从铅垂姿势变换成水平姿势的姿势变换部和向进行姿势变换的基板W吹送纯水的喷嘴的结构也能够应用。
(8)在上述的实施例以及变形例中,对基板处理装置1、1A以图1、图20所示的结构为例进行了说明。然而,本发明并不限定于这样的结构。也就是,并非必须有储存块5、第一搬送机构HTR、移载机构CTC。
在不背离本发明的主旨的情况下,本发明可以以其它形式实施,本发明的范围由所附的权利要求书规定,而非上述的说明书。
Claims (20)
1.一种基板处理装置,其对基板进行处理,
该基板处理装置的特征在于,包括:
分批式处理部,其将多张基板以铅垂姿势的状态一并处理;
单片式处理部,其将一张基板以水平姿势的状态处理;
姿势变换部,其保持通过上述分批式处理部完成处理的多张基板,将上述多张基板在被纯水濡湿的状态下从铅垂姿势变换成水平姿势;
第一搬送部,其将通过上述分批式处理部完成处理的多张基板搬送至上述姿势变换部;
第二搬送部,其将通过上述姿势变换部成为水平姿势的基板支撑于机械手并搬送至上述单片式处理部,且将通过上述单片式处理部处理后的基板支撑于机械手并从上述单片式处理部搬送;以及
清洗干燥部,其对上述第二搬送部的上述机械手进行清洗以及干燥。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述第二搬送部从上述单片式处理部搬送通过上述单片式处理部处理后的基板之前,上述清洗干燥部对上述机械手进行清洗以及干燥。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在将基板从上述姿势变换部搬送到上述单片式处理部之后,上述清洗干燥部对上述机械手进行清洗以及干燥。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在将基板从上述姿势变换部搬送到上述单片式处理部之后,上述清洗干燥部对上述机械手进行清洗以及干燥。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部配置于上述姿势变换部的上方。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部配置于上述姿势变换部的上方。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部配置于上述姿势变换部的上方。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部配置于上述姿势变换部的上方。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部和上述姿势变换部彼此的空间在铅垂方向上连通。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部和上述姿势变换部彼此的空间在铅垂方向上连通。
11.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部和上述姿势变换部彼此的空间在铅垂方向上连通。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部和上述姿势变换部彼此的空间在铅垂方向上连通。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
14.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
15.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
16.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
17.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
上述清洗干燥部具备向上述机械手吐出清洗液的清洗液喷嘴、以及使上述机械手干燥的干燥机构。
18.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
上述干燥机构是向上述机械手供给气体的气体喷嘴。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述单片式处理部具备:以水平姿势能够旋转地支撑基板的旋转卡盘;向支撑于上述旋转卡盘的基板供给处理液的处理液供给机构;以及向支撑于上述旋转卡盘的基板供给气体的气体供给机构,
上述清洗干燥部通过使用上述单片式处理部的上述处理液供给机构和上述气体供给机构对上述机械手进行清洗以及干燥而实现。
20.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备多个上述清洗干燥部,而且在俯视下,上述多个上述清洗干燥部配置于不同的位置,
根据上述第二搬送部的位置,利用较近的一方的上述清洗干燥部进行清洗以及干燥。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-115549 | 2022-07-20 | ||
JP2022115549A JP2024013455A (ja) | 2022-07-20 | 2022-07-20 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117438336A true CN117438336A (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=89545103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310807277.4A Pending CN117438336A (zh) | 2022-07-20 | 2023-07-03 | 基板处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240030047A1 (zh) |
JP (1) | JP2024013455A (zh) |
KR (1) | KR20240012291A (zh) |
CN (1) | CN117438336A (zh) |
TW (1) | TW202405994A (zh) |
-
2022
- 2022-07-20 JP JP2022115549A patent/JP2024013455A/ja active Pending
-
2023
- 2023-05-23 KR KR1020230066218A patent/KR20240012291A/ko unknown
- 2023-07-03 CN CN202310807277.4A patent/CN117438336A/zh active Pending
- 2023-07-18 US US18/354,389 patent/US20240030047A1/en active Pending
- 2023-07-18 TW TW112126678A patent/TW202405994A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202405994A (zh) | 2024-02-01 |
US20240030047A1 (en) | 2024-01-25 |
JP2024013455A (ja) | 2024-02-01 |
KR20240012291A (ko) | 2024-01-29 |
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