KR102388245B1 - 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102388245B1
KR102388245B1 KR1020190175135A KR20190175135A KR102388245B1 KR 102388245 B1 KR102388245 B1 KR 102388245B1 KR 1020190175135 A KR1020190175135 A KR 1020190175135A KR 20190175135 A KR20190175135 A KR 20190175135A KR 102388245 B1 KR102388245 B1 KR 102388245B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
block
carrier
board
Prior art date
Application number
KR1020190175135A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200083286A (ko
Inventor
조지 구와하라
고지 가네야마
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20200083286A publication Critical patent/KR20200083286A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102388245B1 publication Critical patent/KR102388245B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G1/00—Storing articles, individually or in orderly arrangement, in warehouses or magazines
    • B65G1/02—Storage devices
    • B65G1/04—Storage devices mechanical
    • B65G1/0457—Storage devices mechanical with suspended load carriers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67733—Overhead conveying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means

Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법에 관한 것이다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)에 재치(裁置)된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출(取出)하여, 취출한 기판(W)을 6개의 처리층(3A~3F) 중 어느 하나에 이송하고 있다. 또, 제2의 ID 블록(4)는, 예를 들면 처리층(3A)으로부터 이송된 기판(W)을 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌리고 있다. 이로 인해, 제1의 ID 블록(2)은, 상하 방향으로 배치된 6개의 처리층(3A~3F)에 많은 기판(W)을 보다 빠르게 반송할 수 있다. 또, 동시에, 제2의 ID 블록(4)은, 상하 방향으로 배치된 6개의 처리층(3A~3F)으로부터 이송된 많은 기판(W)을 보다 빠르게 캐리어(C)에 반송할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치(1)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 반송 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSPORTING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 그 기판 반송 방법에 관한 것이다. 기판은, 예를 들면, 반도체 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등을 들 수 있다. FPD는, 예를 들면, 액정 표시 장치, 유기 EL(electroluminescence) 표시 장치 등을 들 수 있다.
종래의 기판 처리 장치는, 인덱서 블록과 처리 블록을 구비하고 있다(예를 들면, 일본국 특허공개 2014-022570호 공보 참조). 인덱서 블록은, 복수의 기판을 수납 가능한 캐리어를 재치(裁置)하는 캐리어 재치대와, 캐리어 재치대에 재치된 캐리어와 처리 블록 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 로봇을 구비하고 있다. 처리 블록은, 기판에 대하여 예를 들면 레지스트 액을 도포한다.
또, 기판 처리 장치는, 스토커 장치(캐리어 버퍼 장치)를 구비하고 있다(예를 들면, 일본국 특허공개 2011-187796호 공보 참조). 스토커 장치는, 캐리어 재치대 측에 수평 방향으로 연장되도록 배치되어 있다. 스토커 장치는, 캐리어를 보관하기 위한 보관 선반과, 캐리어 반송 기구를 구비하고 있다.
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래의 기판 처리 장치의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다. 즉, 기판 처리 장치의 인덱서 블록에 의한 기판 반송 공정은, 이송 공정과 복귀 공정을 구비하고 있다. 이송 공정은, 캐리어 재치대에 재치된 캐리어로부터 기판을 취출(取出)하여, 취출한 기판을 처리 블록에 반송하는 공정이다. 또, 복귀 공정은, 처리 블록에서 처리된 기판을 처리 블록으로부터 수취하여, 수취한 기판을 상술한 캐리어 재치대에 재치된 캐리어에 되돌리는 공정이다. 이송 공정에서 본다면, 복귀 공정은, 스루풋 저하의 원인이 될 수 있는 것이다. 또, 복귀 공정에서 본다면, 이송 공정은, 스루풋 저하의 원인이 될 수 있는 것이다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명에 따른, 기판을 처리하는 기판 처리 장치는, 이하의 요소를 포함한다： 복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록； 상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록； 상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록； 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 취출한 기판을 상기 복수의 처리층 중 어느 하나에 반송하고, 상기 복수의 처리층은 각각, 반송된 기판에 대하여 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌린다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 제1 인덱서 블록은, 제1 캐리어 재치대에 재치된 캐리어로부터 기판을 취출하여, 취출한 기판을 복수의 처리층 중 어느 하나에 이송하고 있다. 또, 제2 인덱서 블록은, 처리층으로부터 이송된 기판을 제2 캐리어 재치대에 재치된 캐리어에 되돌리고 있다. 이로 인해, 제1 인덱서 블록은, 상하 방향으로 배치된 복수의 처리층에 많은 기판을 보다 빠르게 반송할 수 있다. 또, 동시에, 제2 인덱서 블록은, 상하 방향으로 배치된 복수의 처리층으로부터 이송된 많은 기판을 보다 빠르게 캐리어에 반송할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고, 상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
각 처리층은, 기판의 이송원(元)인 인덱서 블록으로부터 그 반대측의 인덱서 블록에 기판을 이송하고 있다. 기판 반송에 이용되는 기판 재치부는, 처리층과 인덱서 블록 사이에 설치되어 있다. 기판의 이송원인 인덱서 블록에 기판을 되돌리는 경우, 이송용 기판 재치부와, 복귀용 기판 재치부의 2종류의 기판 재치부를 한쪽의 인덱서 블록 근처에 설치하지 않으면 안된다. 이로 인해, 이송용 기판 재치부와, 복귀용 기판 재치부의 각각에 재치할 수 있는 기판(W)의 장수도 한정된다. 그러나, 기판의 이송원인 인덱서 블록으로부터 그 반대측의 인덱서 블록에 기판을 이송함으로써, 기판 재치부에 재치할 수 있는 기판의 장수를 확보할 수 있다. 또, 2개의 인덱서 블록은 교대로 반송하므로 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 거의 균등하게 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리되어, 또한 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고, 상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층과 제3 처리층에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제1 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 이송하는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층과 외부 장치에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리되어, 또한 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고, 상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층과 제3 처리층에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 균등하게 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 이송하는 것이 바람직하다.
제1 처리층, 제2 처리층, 제3 처리층 및 외부 장치에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고, 상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층과 제3 처리층에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제1 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층과 제2 처리층과 외부 장치에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대한 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고, 상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고, 상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고, 상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고, 상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고, 상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 것이 바람직하다.
제1 처리층, 제2 처리층, 제3 처리층 및 외부 장치에 의해 소정의 처리를 차례대로 기판에 행하는 구성에 있어서, 2개의 인덱서 블록은 교대로 반송하므로, 2개의 인덱서 블록은, 캐리어에 대하여 기판의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다. 또, 기판의 이송원인 인덱서 블록으로부터 그 반대측의 인덱서 블록에 기판을 이송함으로써, 기판 재치부에 재치할 수 있는 기판의 장수를 확보할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치는, 상기 제1 캐리어 재치대와 상기 제2 캐리어 재치대 사이에서 상기 캐리어를 반송하는 캐리어 반송 기구를 더 구비하고 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 캐리어 재치대에 재치된 캐리어로부터 모든 기판이 취출된 경우, 캐리어 반송 기구는, 그 캐리어에 기판을 되돌리기 위해, 제1 캐리어 재치대에 재치된 캐리어를 제2 캐리어 재치대에 반송할 수 있다.
또, 상술한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 캐리어 반송 기구는, 상기 단일 처리 블록 상에 탑재되어 있는 것이 바람직하다. 종래, 캐리어 반송 기구는, 인덱서 블록에 대하여 수평 방향으로 배치되어 있었다. 본 발명에 의하면, 캐리어 반송 기구는, 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록 상에 설치되어 있다. 그 때문에, 인덱서 블록에 대하여 수평 방향으로 배치하고 있던 종래의 캐리어 반송 기구의 설치 면적을 삭감할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치의 풋 프린트를 삭감할 수 있다.
또, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 기판 반송 방법은, 이하의 공정을 포함한다： 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록과, 상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록을 구비하고 있다. 상기 제1 인덱서 블록에 의해, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 취출한 기판을 상기 복수의 처리층 중 어느 하나에 반송하는 공정； 상기 복수의 처리층의 각각에 의해, 이송된 기판에 대하여 소정의 처리를 행하여, 그 기판을, 상기 단일 처리 블록과 연결되는 제2 인덱서 블록에 반송하는 공정； 상기 제2 인덱서 블록에 의해, 상기 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 설치된 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는 공정.
본 발명에 따른 기판 반송 방법에 의하면, 제1 인덱서 블록은, 제1 캐리어 재치대에 재치된 캐리어로부터 기판을 취출하여, 취출한 기판을 복수의 처리층 중 어느 하나에 이송하고 있다. 또, 제2 인덱서 블록은, 처리층으로부터 이송된 기판을 제2 캐리어 재치대에 재치된 캐리어에 되돌리고 있다. 이로 인해, 제1 인덱서 블록은, 상하 방향으로 배치된 복수의 처리층에 많은 기판을 보다 빠르게 반송할 수 있다. 또, 동시에, 제2 인덱서 블록은, 상하 방향으로 배치된 복수의 처리층으로부터 이송된 많은 기판을 보다 빠르게 캐리어에 반송할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법에 의하면, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
발명을 설명하기 위해서 현재의 가장 적합하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아님을 이해하기 바란다.
도 1은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 종단면도이다.
도 2는, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 횡단면도이다.
도 3은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 우측면도이다.
도 4는, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 좌측면의 일부를 나타내는 도이다.
도 5는, 캐리어 반송 기구를 나타내는 도이다.
도 6은, 캐리어 버퍼 장치를 나타내는 평면도이다.
도 7은, 종래의 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 8은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 9는, 실시예 2에 따른 기판 처리 장치의 우측면도이며, 그 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 10은, 실시예 2의 변형예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 11은, 실시예 3에 따른 기판 처리 장치의 우측면도이며, 그 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 12a~도 12c는, 실시예 3의 변형예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 13은, 실시예 4에 따른 기판 처리 장치의 종단면도이다.
도 14는, 실시예 4에 따른 기판 처리 장치의 횡단면도이다.
도 15는, 실시예 4에 따른 기판 처리 장치의 우측면도이며, 그 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 16은, 실시예 4에 따른 기판 처리 장치의 좌측면의 일부를 나타내는 도이다.
도 17a, 도 17b는, 실시예 4의 변형예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 18은, 실시예 5에 따른 기판 처리 장치의 우측면도이며, 그 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 19는, 실시예 5에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 20a, 도 20b는, 세정 장치를 나타내는 도이다.
도 21은, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 22a~도 22c는, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 23a~도 23c는, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 24a~도 24c는, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 25a, 도 25b는, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 26은, 변형예에 따른 제1 인덱서 블록을 나타내는 횡단면도이다.
도 27은, 변형예에 따른 제2 인덱서 블록을 나타내는 횡단면도이다.
도 28은, 변형예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 횡단면도이다.
[실시예 1]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 회로 패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판의 면을 표면이라고 부르고, 그 반대측의 면을 이면(裏面)이라고 부른다. 또, 하방으로 향해진 기판의 면을 하면이라고 부르고, 상방으로 향해진 기판의 면을 상면이라고 부른다.
도 1은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치(1)의 종단면도이다. 도 2는 기판 처리 장치(1)의 횡단면도이다. 도 3은 기판 처리 장치(1)의 우측면도이다. 도 4는, 기판 처리 장치(1)의 좌측면의 일부를 나타내는 도이다.
도 1, 도 2를 참조한다. 기판 처리 장치(1)는, 제1 인덱서 블록(이하 적절히, 「제1의 ID 블록」이라고 부른다)(2), 단일 처리 블록(3), 및 제2 인덱서 블록(이하 적절히, 「제2의 ID 블록」이라고 부른다)(4), 및 캐리어 버퍼 장치(8)를 구비하고 있다. 제1의 ID 블록(2), 처리 블록(3) 및 제2의 ID 블록(4)은, 직선 형상으로 일렬로 배치되어 있다.
〔제1 인덱서 블록(2)의 구성〕
제1의 ID 블록(2)은, 2개의 오프너(9, 10)(도 2, 도 6 참조)와, 2개의 기판 반송 기구(로봇)(TM1, TM2)를 구비하고 있다. 제1의 ID 블록(2)에 설치된 2개의 오프너(캐리어 재치부)(9, 10)는 각각, 캐리어(C)를 재치한다.
캐리어(C)는, 수평 자세의 복수(예를 들면 25장)의 기판(W)을 수납하는 것이 가능하다. 캐리어(C)는, 예를 들면 풉(FOUP： Front Open Unified Pod)이 이용되지만, 풉 이외의 용기(예를 들면 SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드)여도 된다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 기판(W)을 출입하기 위한 개구부가 형성되고, 기판(W)을 수납하기 위한 캐리어 본체와, 캐리어 본체의 개구부를 막기 위한 덮개부를 구비하고 있다.
각 오프너(9, 10)는, 캐리어(C)가 재치되는 재치대(13)와, 기판(W)을 통과시키기 위한 개구부(14)와, 개구부(14)의 개폐를 행함과 더불어 캐리어 본체에 대하여 덮개부의 착탈을 행하는 셔터 부재(도시하지 않음)와, 셔터 부재를 구동시키는 셔터 부재 구동 기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 셔터 부재 구동 기구는, 전동 모터를 구비하고 있다. 또한, 셔터 부재는, 캐리어 본체로부터 덮개부를 떼어낸 후, 예를 들면 하방향 혹은, 개구부(14)를 따라 수평 방향(Y방향)으로 이동된다.
재치대(13)는, 처리 블록(3)의 옥상에 설치되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 재치대(13)는, 처리 블록(3)보다 높은 위치에, 즉, 처리 블록(3)의 상방에 설치되어 있다. 재치대(13)는, 처리 블록(3) 상, 즉, 처리 블록(3)의 상면에 접하여 설치되어 있어도 된다. 또한, 재치대(13)는, 본 발명의 제1 캐리어 재치대에 상당한다.
2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2)는 각각, 2개의 핸드(21), 진퇴 구동부(23) 및 승강 회전 구동부(25)를 구비하고 있다. 2개의 핸드(21)는 각각, 기판(W)을 유지한다. 또, 2개의 핸드(21)는 각각, 진퇴 구동부(23)에 이동 가능하게 부착되어 있다. 진퇴 구동부(23)는, 2개의 핸드(21)의 양쪽을 동시에 캐리어(C) 내에 진입시킬 수 있다. 또, 진퇴 구동부(23)는, 2개의 핸드(21)를 개개로 진퇴시킬 수 있다. 그 때문에, 진퇴 구동부(23)는, 2개의 핸드(21) 중 한쪽을 캐리어(C) 내에 진입시킬 수 있다.
승강 회전 구동부(25)는, 진퇴 구동부(23)를 승강 및 회전시킴으로써, 2개의 핸드(21)를 승강 및 회전시킨다. 즉, 승강 회전 구동부(25)는, 진퇴 구동부(23)를 상하 방향(Z방향)으로 이동시킬 수 있음과 더불어, 진퇴 구동부(23)를 수직축(AX1) 둘레로 회전시킬 수 있다. 진퇴 구동부(23) 및 승강 회전 구동부(25)는 각각, 전동 모터를 구비하고 있다. 또한, 2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2)는 각각, 수평 방향(특히 Y방향)으로 이동할 수 없도록, 제1의 ID 블록(2)의 바닥부에 고정되어 있다.
제1의 ID 블록(2)과, 후술하는 6개의 처리층(3A~3F) 사이에는, 6개의 기판 재치부(PS1A~PS6A)가 설치되어 있다. 6개의 기판 재치부(PS1A~PS6A) 및, 후술하는 예를 들면 6개의 기판 재치부(PS1B~PS6B) 등의 기판 재치부는, 1장 또는 복수장의 기판(W)을 재치할 수 있도록 구성되어 있다. 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(9)에 재치된 캐리어(C), 및 6개의 기판 재치부(PS1A~PS6A) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 오프너(10)에 재치된 캐리어(C), 및 6개의 기판 재치부(PS1A~PS6A) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 또한, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(10)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행할 수 없다. 또, 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 오프너(9)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행할 수 없다.
〔처리 블록(3)의 구성〕
처리 블록(3)은, 제1의 ID 블록(2) 및 제2의 ID 블록(4)에 연결된다. 즉, 처리 블록(3)은, 2개의 ID 블록(2, 4) 사이에 배치되어 있다. 처리 블록(3)은, 기판(W)에 대하여 도포 처리를 행한다.
처리 블록(3)은, 6개의 처리층(3A~3F)을 구비하고 있다. 6개의 처리층(3A~3F)은, 상하 방향(Z방향)으로 적층되어 배치되어 있다. 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 제3 기판 반송 기구(TM3), 반송 스페이스(27), 액처리부(28) 및 열처리부(29)를 구비하고 있다. 6개의 처리층(3A~3F)은, 동일하게 구성되어 있다.
제3 기판 반송 기구(TM3)는, 각 처리층(3A~3F)에 있어서, 기판(W)을 반송하기 위한 것이다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 2개의 핸드(31), 진퇴 구동부(32), 회전 구동부(33), 제1 이동 기구(34) 및 제2 이동 기구(35)를 구비하고 있다.
2개의 핸드(31)는 각각, 기판(W)을 유지한다. 2개의 핸드(31)는 각각, 진퇴 구동부(32)에 이동 가능하게 부착되어 있다. 진퇴 구동부(32)는, 2개의 핸드(31)를 개개로 진퇴시킨다. 회전 구동부(33)는, 진퇴 구동부(32)를 수직축(AX2) 둘레로 회전시킨다. 이로 인해, 2개의 핸드(31)의 방향을 바꿀 수 있다. 제1 이동 기구(34)는, 회전 구동부(33)를 도 1의 전후 방향(X방향)으로 이동시킨다. 이로 인해, 진퇴 구동부(32)를 X방향으로 이동시킬 수 있다. 제2 이동 기구(35)는, 제1 이동 기구(34)를 상하 방향(Z방향)으로 이동시킨다. 이로 인해, 진퇴 구동부(32)를 Z방향으로 이동시킬 수 있다.
또한, 진퇴 구동부(32), 회전 구동부(33), 제1 이동 기구(34) 및 제2 이동 기구(35)는 각각, 전동 모터를 구비하고 있다.
제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 반송 스페이스(27)에 설치되어 있다. 반송 스페이스(27)는, 수평 방향(X방향)으로 직선 형상으로 연장되도록 구성되어 있다. 액처리부(28)와 열처리부(29)는, 반송 스페이스(27)를 사이에 두도록 배치되어 있다.
도 3은, 처리 블록(3)의 액처리부(28)의 배치를 나타내는 우측면도이다. 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 4개의 액처리부(28)를 구비하고 있다. 이 4개의 액처리부(28)는, 수평 방향으로 4열이며 또한 상하 방향으로 1단인 4열×1단으로 배치되어 있다. 4개의 액처리부(28) 중, 제1의 ID 블록(2) 측의 2개의 액처리부(28)는, 도포 유닛(BARC)이다. 또, 제2의 ID 블록(4) 측의 2개의 액처리부(28)는, 도포 유닛(RESIST)이다. 도포 유닛(BARC)은, 기판(W)에 반사 방지막을 형성하는 것이다. 도포 유닛(RESIST)은, 기판(W)에 포토레지스트 등의 레지스트 막을 형성하는 것이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 액처리부(28)는, 유지 회전부(37), 노즐(38) 및 노즐 이동 기구(39)를 구비하고 있다. 유지 회전부(37)는, 예를 들면 진공 흡착으로 기판(W)의 하면을 유지하여, 유지한 기판(W)을 수직축(Z방향) 둘레로 회전시키는 것이다. 회전은, 예를 들면 전동 모터에 의해서 행해진다. 노즐(38)은, 기판(W)에 도포액(예를 들면 반사 방지막 형성용 액 또는 포토레지스트 액)을 공급하는 것이다. 노즐 이동 기구(39)는, 노즐(38)을 임의의 위치로 이동시키는 것이다. 노즐 이동 기구(39)는, 예를 들면 전동 모터를 구비하고 있다.
도 4는, 처리 블록(3)의 열처리부(29)의 배치를 나타내는 좌측면의 일부를 나타내는 도이다. 각 처리층(3A~3F)은, 복수의 열처리부(29)를 구비하고 있다. 열처리부(29)는, 열처리를 행하는 것이고, 기판(W)이 재치되는 플레이트(41)(도 2 참조)를 구비하고 있다. 플레이트(41)의 가열은, 예를 들면 히터에 의해 행해지고, 플레이트(41)의 냉각은, 예를 들면 수냉식 기구에 의해 행해진다.
6개의 처리층(3A~3F)에 있어서, 열처리부(29)는, 5열×3단으로 배치할 수 있도록 구성되어 있다. 도 4에 있어서, 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 14개의 열처리부(29)를 구비하고 있다. 즉, 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 3개의 밀착 강화 처리부(PAHP)와, 2개의 냉각부(CP)와, 9개의 가열 냉각부(PHP)를 구비하고 있다. 또한, 예를 들면 처리 블록(3)에 있어서, 액처리부(28) 및 열처리부(29) 그 외의 처리 유닛의 개수 및 종류는, 적절히 변경된다. 예를 들면, 처리 유닛은, 기판(W)의 둘레 가장자리부의 노광 처리를 행하는 엣지 노광부(EEW)여도 된다.
밀착 강화 처리부(PAHP)는, 헥사메틸디실라잔(HMDS) 등의 밀착 강화제를 기판(W)에 도포해서 가열함으로써, 기판(W)과 반사 방지막 사이의 밀착성을 향상시키는 것이다. 밀착 강화 처리부(PAHP)는, 가열 후에 기판(W)을 냉각하는 기능도 가지고 있다. 냉각부(CP)는, 기판(W)을 냉각한다. 가열 냉각부(PHP)는, 가열 처리와 냉각 처리를 이 순서로 계속 행한다.
〔제2 인덱서 블록(4)의 구성〕
제2의 ID 블록(4)은, 처리 블록(3)에 연결된다. 제2의 ID 블록(4)은, 2개의 오프너(45, 46)(도 6 참조) 및 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)를 구비하고 있다. 제2의 ID 블록(4)에 설치된 2개의 오프너(45, 46)는 각각, 복수의 기판(W)을 수납하는 것이 가능한 캐리어(C)가 배치된다.
각 오프너(45, 46)는, 오프너(9)와 마찬가지로, 캐리어(C)가 재치되는 재치대(47)와 ,기판(W)을 통과시키기 위한 개구부(48)와, 개구부(48)를 개폐함과 더불어 캐리어 본체에 대하여 덮개부의 착탈을 행하는 셔터 부재(도시하지 않음)와, 셔터 부재를 구동시키는 셔터 부재 구동 기구를 구비하고 있다. 셔터 부재 구동 기구는 전동 모터를 구비하고 있다. 또한, 셔터 부재는, 캐리어 본체로부터 덮개부를 떼어낸 후, 예를 들면 하방향 혹은, 개구부(48)를 따라 수평 방향(Y방향)으로 이동된다.
재치대(47)는, 처리 블록(3)의 옥상에 설치되어 있다. 도 1에 있어서, 재치대(47)는, 처리 블록(3)보다 높은 위치에, 즉 처리 블록(3)의 상방에 설치되어 있다. 재치대(47)는, 처리 블록(3) 상, 즉, 처리 블록(3)에 접하여 설치되어 있어도 된다. 또한, 재치대(47)는, 본 발명의 제2 캐리어 재치대에 상당한다.
각 기판 반송 기구(TM4, TM5)는, 2개의 핸드(21), 진퇴 구동부(23) 및 승강 회전 구동부(25)를 구비하고 있다. 각 기판 반송 기구(TM4, TM5)는, 기판 반송 기구(TM1(TM2))와 동일하게 구성되어 있다.
6개의 처리층(3A~3F)과 제2의 ID 블록(4) 사이에는, 6개의 기판 재치부(PS1B~PS6B)가 설치되어 있다. 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 오프너(45)에 재치된 캐리어(C), 및 6개의 기판 재치부(PS1B~PS6B) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 제5 기판 반송 기구(TM5)는, 오프너(46)에 재치된 캐리어(C), 및 6개의 기판 재치부(PS1B~PS6B) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 또한, 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 오프너(46)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행할 수 없다. 또, 제5 기판 반송 기구(TM5)는, 오프너(45)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행할 수 없다.
〔캐리어 버퍼 장치(8)〕
기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 제1의 ID 블록(2), 처리 블록(3) 및 제2의 ID 블록(4) 상, 또는 그들 상방에 캐리어 버퍼 장치(8)를 구비하고 있다. 캐리어 버퍼 장치(8)는, 캐리어 반송 기구(51)와 캐리어 보관 선반(53)(도 6 참조)을 구비하고 있다.
도 5를 참조한다. 도 5는, 캐리어 반송 기구(51)를 나타내는 도이다. 캐리어 반송 기구(51)는, 2개의 다관절 아암(61, 62)을 구비하고 있다. 제1 다관절 아암(61)의 일단에는 파지부(63)가 설치되고, 제2 다관절 아암(62)의 일단에는 파지부(64)가 설치되어 있다. 또, 제1 다관절 아암(61)의 타단은, 지주 형상의 승강 구동부(65)에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되고, 제2 다관절 아암(62)의 타단은, 승강 구동부(65)에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다.
2개의 파지부(63, 64)는 각각, 예를 들면, 캐리어(C)의 상면에 설치된 돌기부를 파 지하도록 구성되어 있다. 2개의 파지부(63, 64)는 각각, 전동 모터를 구비하고 있다.
2개의 다관절 아암(61, 62)은 각각, 1개 또는 2개 이상의 전동 모터를 구비하고 있다. 제1 다관절 아암(61)은, 제1 파지부(63)를 수직축(AX3) 둘레로 360도 회전 구동할 수 있도록 구성되어 있다. 제2 다관절 아암(62)은, 제1 다관절 아암(61)과 동일하게 구성되어 있다. 예를 들면, 제1 다관절 아암(61)은, 도 6의 상측(오프너(10, 46)측)의 캐리어(C)의 반송을 담당하고, 제2 다관절 아암(62)은, 도 6의 하측(오프너(9, 45)측)의 캐리어(C)의 반송을 담당해도 된다.
승강 구동부(65)는, 2개의 다관절 아암(61, 62)을 개별적으로 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 승강 구동부(65)는, 전동 모터를 구비하고 있다. 승강 구동부(65)는, 1개의 다관절 아암에 대하여, 예를 들면 벨트와 복수의 풀리를 구비하고 있어도 된다.
전후 구동부(67)는, 승강 구동부(65)를 지지하는 지지부(67A)와, 전후 방향(X방향)으로 길게 연장되는 길이부(67B)와, 전동 모터(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 예를 들면, 길이부(67B)가 레일(가이드 레일)이며, 지지부(67A)가 대차여도 된다. 이 경우, 전동 모터에 의해서 대차(지지부(67A))가 레일(길이부(67B))을 따라 이동하도록 구성되어 있어도 된다.
또, 예를 들면 전동 모터와 복수의 풀리와 벨트와 가이드 레일이 길이부(67B)에 내장되고, 지지부(67A)가 벨트에 고정되어 있어도 된다. 이 경우, 전동 모터에 의해서 풀리가 회전하고, 복수의 풀리에 걸린 벨트가 이동함으로써, 가이드 레일을 따라 지지부(67A)를 이동시키도록 해도 된다.
도 6을 참조한다. 캐리어 보관 선반(53)은, 입력 포트(71), 출력 포트(72), 미처리 기판 캐리어 선반(73), 빈 캐리어 선반(74) 및 처리가 끝난 기판 캐리어 선반(75)을 구비하고 있다. 입력 포트(71)는, 미처리 기판(W)이 수납된 캐리어(C)를 외부 반송 기구(OHT(Overhead Hoist Transport))로부터 수취하기 위한 선반이다. 외부 반송 기구(OHT)는, 공장 내에서 캐리어(C)를 반송하는 것이다. 미처리란, 처리 블록(3)에 의한 처리가 행해지지 않은 것을 말한다. 입력 포트(71)는, 도 1, 도 6에 나타내는 바와 같이, ID 블록(2) 상, 즉 ID 블록(2)의 옥상에 설치되어 있다. ID 블록(2)의 상방에는, 외부 반송 기구(OHT)의 레일(77)이 설치되어 있다. 외부 반송 기구(OHT)는, 2개의 입력 포트(71) 중 어느 하나에 캐리어(C)를 반송한다.
또, 도 6에 있어서, 미처리 기판 캐리어 선반(73) 및 처리가 끝난 기판 캐리어 선반(75)은, 길이부(67B)를 따르도록, 기판 처리 장치(1)의 길이 방향으로 설치되어 있다. 미처리 기판 캐리어 선반(73)은, 입력 포트(71)에 재치된 캐리어(C)로서, 2개의 재치대(13) 중 어느 것에도 반송할 수 없었던 미처리 기판(W)이 수납된 캐리어(C)를 재치한다. 빈 캐리어 선반(74)은, 재치대(13)에서 기판(W)이 모두 취출된 캐리어(C)로서, 2개의 재치대(47) 중 어느 것에도 반송할 수 없었던 캐리어(C)를 재치한다. 빈 캐리어 선반(74)은, 제2의 ID 블록(4) 상, 즉 제2의 ID 블록(4)의 옥상에 설치되어 있다. 처리가 끝난 기판 캐리어 선반(75)은, 처리가 끝난 기판(W)이 수납된 캐리어(C)로서, 2개의 출력 포트(72) 중 어느 것에도 반송할 수 없었던 캐리어(C)를 재치한다. 처리가 끝났다라는 것은, 처리 블록(3)에 의한 처리가 행해지고 있는 것을 말한다.
출력 포트(72)는, 처리가 끝난 기판(W)이 수납된 캐리어(C)를 외부 반송 기구(OHT)에 인도하기 위한 선반이다. 출력 포트(72)는, 도 1, 도 6에 나타내는 바와 같이, ID 블록(2) 상, 즉 ID 블록(2)의 옥상에 설치되어 있다. 캐리어 반송 기구(51)는, 각 재치대(13, 47) 및 각 선반(71~75) 사이에서 캐리어(C)를 자유롭게 이동시킬 수 있다.
또, 도 1, 도 6에 나타내는 바와 같이, 재치대(13) 및 개구부(14)(오프너(9, 10))는, 처리 블록(3)측에 설치되고, 재치대(47) 및 개구부(48)(오프너(45, 46))는, 처리 블록(3)측에 설치되어 있다. 즉, 재치대(13) 및 재치대(47)가 서로 마주 보도록 설치되어 있다. 이로 인해, 재치대(13) 및 재치대(47)는, 캐리어 반송 기구(51)를 향해 설치되므로, 캐리어 반송 기구(51)는 캐리어(C)를 반송하기 쉬워진다. 또, 예를 들면, 종래와 같이, 제1의 ID 블록(2)을 사이에 두고 처리 블록(3)의 반대측(도 6의 화살표(AR2) 참조)에 재치대가 설치되는 경우에는, 재치대(13)가 돌출한다. 그러나, 재치대(13) 및 재치대(47)가 서로 마주 보도록 설치되어 있으므로, 재치대(13)가 돌출하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)의 풋 프린트를 작게 할 수 있다.
또한, 캐리어 반송 기구(51)는, 2세트의 다관절 아암 및 파지부를 구비하고 있지만, 1세트 또는 3세트 이상의 다관절 아암 및 파지부를 구비하고 있어도 된다. 또, 승강 구동부(65)는, 지지부(67A)에 대하여 수직축 둘레로 회전 구동되도록 구성되어 있어도 된다. 또, 레일(77)은, 제1의 ID 블록(2)의 상방 이외를 통과해도 된다. 이 경우, 장치(1)의 상방을 레일이 통과하는 위치에 입력 포트(71) 및 출력 포트(72)가 설치된다. 캐리어 보관 선반(53)의 개수 및 종류는 적절히 변경된다.
또, 기판 처리 장치(1)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 1개 또는 복수의 제어부(79)와, 조작부(80)를 구비하고 있다. 제어부(79)는, 예를 들면 중앙 연산처리 장치(CPU)를 구비하고 있다. 제어부(79)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성을 제어한다. 조작부(80)는, 표시부(예를 들면 액정 모니터), 기억부 및 입력부를 구비하고 있다. 기억부는, 예를 들면, ROM(Read-Only Memory), RAM(Random-Access Memory), 및 하드 디스크 중 적어도 1개를 구비하고 있다. 입력부는, 키보드, 마우스, 터치 패널 및 각종 버튼 중 적어도 1개를 구비하고 있다. 기억부에는, 기판 처리의 각종 조건 및 기판 처리 장치(1)의 제어에 필요한 동작 프로그램 등이 기억되어 있다.
＜기판 처리 장치(1)의 동작＞
다음에, 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 또한, 기판 처리 장치(1)에 있어서 행해지는 복수의 처리 공정은 일례이며, 조작자에 의해 필요한 공정이 선택된다. 도 1을 참조한다. 외부 반송 기구(OHT)는, 제1의 ID 블록(2) 상에 설치된 입력 포트(71)에 캐리어(C)를 반송한다. 캐리어 반송 기구(51)는, 입력 포트(71)로부터 예를 들면 오프너(9)의 재치대(13)에 캐리어(C)를 반송한다. 오프너(9)의 셔터부는, 캐리어(C)의 덮개부를 떼어내 덮개부를 유지하면서, 개구부(14)를 개방한다.
〔단계 S01〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 2개의 오프너(9, 10) 중 어느 하나의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 6개의 처리층(3A~3F) 중 어느 하나에 이송한다. 예를 들면, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(9)의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다. 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 취출한 기판(W)을 예를 들면 기판 재치부(PS1A)에 반송한다. 또, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 취출한 기판(W)을, 예를 들면 처리층(3A~3F)에 거의 균등하게 반송한다. 또한, 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 오프너(10)의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다.
또한, 캐리어(C)로부터 모든 기판(W)이 취출되었을 때에는, 오프너(9)는, 그 캐리어(C)에 덮개를 부착하면서, 셔터부로 개구부(14)를 닫는다. 그 후, 캐리어 반송 기구(51)는, 기판(W)이 취출되어 비워진 캐리어(C)를, 미처리 기판(W)이 수납된 다른 캐리어(C)로 치환한다. 그리고, 비워진 캐리어(C)를 예를 들면 오프너(45)의 재치대(47)에 반송한다. 비워진 캐리어(C)를 오프너(45, 46) 중 어느 것에도 반송할 수 없을 때에는, 캐리어 반송 기구(51)는, 비워진 캐리어(C)를 빈 캐리어 선반(74)에 반송한다.
〔단계 S02〕처리 블록(3)
처리 블록(3)의 각 처리층(3A~3F)은, 이송된 기판(W)에 대하여 도포 처리를 행하고, 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 이송한다. 구체적으로 설명한다.
예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3A)에 있어서, 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1A)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 도 3 또는 도 4에 나타내는 밀착 강화 처리부(PAHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(BARC)의 순서로 반송한다. 그 후, 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(BARC)에서 반사 방지막이 형성된 기판(W)을, 가열 냉각부(PHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(RESIST), 가열 냉각부(PHP)의 순서로 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(RESIST)에서 레지스트 막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS1B)에 반송한다. 또한, 처리층(3B~3F)은, 처리층(3A)과 마찬가지로, 이송된 기판(W)에 대하여 도포 처리를 행한다. 또한, 밀착 강화 처리부(PAHP)에 의한 공정은 생략되어도 된다.
〔단계 S03〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3A~3F) 중 어느 하나에서 처리된 기판(W)을, 2개의 오프너(45, 46) 중 어느 하나의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 구체적으로 설명한다. 재치대(47)의 캐리어(C)는, 오프너(45)에 의해서, 개구부(48)가 개방된 상태로 되어 있다. 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 기판 재치부(PS1B)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 오프너(45)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 또한, 기판(W)은, 도포 처리가 행해지기 전에 수납되어 있던 캐리어(C)에 되돌려진다. 즉, 기판(W)은 원래의 캐리어(C)에 되돌려진다. 또, 오프너(46)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 기판(W)을 되돌리는 경우에는, 제5 기판 반송 기구(TM5)가 이용된다.
캐리어(C)에 처리가 끝난 기판(W)이 모두 수납된 후, 오프너(45)는, 캐리어(C)에 덮개부를 부착하면서, 개구부(48)를 닫는다. 캐리어 반송 기구(51)는, 처리가 끝난 기판(W)이 수납된 캐리어(C)를 오프너(45)의 재치대(47)로부터 출력 포트(72)에 반송한다. 그 후, 외부 반송 기구(OHT)는, 출력 포트(72)로부터 다음 목적지에 캐리어(C)를 반송한다.
본 실시예의 효과를 설명한다. 도 7은, 종래의 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 8은, 처리 블록(3)이 단일 처리층을 갖는 경우의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 7에 있어서, 종래의 기판 처리 장치(101)의 ID 블록(102)에 의한 기판 반송 공정은, 이송 공정과 복귀 공정을 구비하고 있다. 이송 공정은, 캐리어 재치대(113)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 처리 블록(103)에 반송하는 공정이다. 또, 복귀 공정은, 처리 블록(103)에서 처리된 기판(W)을 처리 블록(103)으로부터 수취하여, 수취한 기판(W)을 상술한 캐리어 재치대(113)에 재치된 캐리어(C)에 되돌리는 공정이다.
본 실시예에 의하면, 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 6개의 처리층(3A~3F)(도 1 참조) 중 어느 하나에 이송하고 있다(이송 공정). 또, 제2의 ID 블록(4)은, 6개의 처리층(3A~3F)의 각각으로부터 이송된 기판(W)을 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌리고 있다(복귀 공정). 즉, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 도 8에 나타내는 바와 같이, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송(이송 공정과 복귀 공정)을 분담하고 있다. 이로 인해, 제1의 ID 블록(2)은, 상하 방향으로 배치된 6개의 처리층(3A~3F)(도 1 참조)에 많은 기판(W)을 보다 빠르게 반송할 수 있다. 또, 동시에, 제2의 ID 블록(4)은, 상하 방향으로 배치된 6개의 처리층(3A~3F)으로부터 이송된 많은 기판(W)을 보다 빠르게 캐리어(C)에 반송할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치(1)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또, 기판 처리 장치(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 재치대(13)와 재치대(47) 사이에서 캐리어(C)를 반송하는 캐리어 반송 기구(51)를 구비하고 있다. 예를 들면, 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 모든 기판(W)이 취출된 경우, 캐리어 반송 기구(51)는, 그 캐리어(C)에 기판(W)을 되돌리기 위해, 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)를 재치대(47)에 반송할 수 있다.
또, 캐리어 반송 기구(51)는, 단일 처리 블록(3) 상에 탑재되어 있다. 종래, 캐리어 반송 기구는, 제1의 ID 블록(2)에 대하여 수평 방향으로 배치되어 있었다. 본 발명에 의하면, 캐리어 반송 기구(51)는, 단일 처리 블록(3) 상에 탑재되어 있다. 그 때문에, 제1의 ID 블록(2)에 대하여 수평 방향으로 배치하고 있던 종래의 캐리어 반송 기구의 설치 면적을 삭감할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)의 풋 프린트를 삭감할 수 있다.
또, 기판 처리 장치(1)는, 제1의 ID 블록(2), 처리 블록(3) 및 제2의 ID 블록(4) 상에 탑재된 캐리어 보관 선반(53)을 구비하고 있다. 캐리어 반송 기구(51)는, 재치대(13), 재치대(47) 및 캐리어 보관 선반(53) 사이에서 캐리어(C)를 반송한다. 종래, 캐리어 보관 선반(53)은, 제1의 ID 블록(2)에 대하여 수평 방향으로 설치되어 있었다. 본 발명에 의하면, 캐리어 보관 선반(53)은, 예를 들면, 처리 블록(3) 상에 탑재되어 있다. 그 때문에, 제1의 ID 블록(2)에 대하여 수평 방향으로 설치되어 있던 종래의 캐리어 보관 선반의 설치 면적을 삭감할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)의 풋 프린트를 삭감할 수 있다.
[실시예 2]
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 또한, 실시예 1과 중복 되는 설명은 생략한다.
실시예 1에서는, 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 기판(W)에 대하여 반사 방지막을 형성한 후에, 레지스트 막을 형성했다. 즉, 6개의 처리층(3A~3F)은 서로 같은 도포 처리를 행하고 있었다. 이에 대해, 실시예 2에서는, 1개의 처리층은, 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리를 행하고, 다른 1개의 처리층은, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리를 행해도 된다.
도 9는, 실시예 2에 따른 처리 블록(3)의 액처리부(28)의 배치를 나타내는 우측면도이다. 처리 블록(3)에 있어서, 하측의 3개의 처리층(3A~3C)은, 반사 방지막을 형성하는 제1 도포 처리를 행하고, 상측의 3개의 처리층(3D~3F)은, 레지스트 막을 형성하는 제2 도포 처리를 행한다.
또한, 도 9에 있어서, 제2의 ID 블록(4)과 3개의 처리층(3D~3F) 사이에는, 이송용 기판 재치부(PS4B~PS6B) 및 복귀용 기판 재치부(PS4D~PS6D)가 설치되어 있다.
＜기판 처리 장치(1)의 동작＞
다음에, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 9를 참조한다.
〔단계 S11〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 2개의 오프너(9, 10) 중 어느 하나의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 3개의 처리층(3A~3C) 중 어느 하나에 이송한다. 예를 들면, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(9)의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다. 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 취출한 기판(W)을 기판 재치부(PS1A)에 반송한다. 또, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 취출한 기판(W)을, 예를 들면 처리층(3A~3C)에 거의 균등하게 반송한다.
또한, 제1 기판 반송 기구(TM1)에 의해 오프너(9)의 캐리어(C)로부터 모든 기판(W)이 취출되면, 캐리어 반송 기구(51)는, 비워진 캐리어(C)를 예를 들면 오프너(45)의 재치대(47)에 반송한다(도 9에 나타내는 재치대(13)의 캐리어(C)와 재치대(47)의 캐리어(C) 사이의 파선의 화살표 참조).
〔단계 S12〕처리 블록(3)의 처리층(3A~3C)(제1 도포 처리)
처리 블록(3)의 각 처리층(3A~3C)은, 이송된 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리(예를 들면 반사 방지막의 형성)를 행하고, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 이송한다. 구체적으로 설명한다.
예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3A)에 있어서, 도 1에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1A)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 밀착 강화 처리부(PAHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(BARC)의 순서로 반송한다. 도포 유닛(BARC)에 있어서, 기판(W)에는 반사 방지막이 형성된다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(BARC)에서 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS1B)에 반송한다. 또한, 처리층(3B, 3C)은, 처리층(3A)과 마찬가지로, 이송된 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리를 행한다.
〔단계 S13〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)을, 처리층(3A)으로부터, 제2 도포 처리를 행하는 처리층(3D)에 이송한다. 즉, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)의 한쪽은, 도 9에 나타내는 기판 재치부(PS1B)로부터 기판 재치부(PS4B)에 기판(W)을 반송한다. 또한, 처리층(3B)에서 제1 도포 처리된 기판(W)은, 처리층(3E)에 이송된다. 처리층(3C)에서 제1 도포 처리된 기판(W)은, 처리층(3F)에 이송된다.
〔단계 S14〕처리 블록(3)의 처리층(3D~3F)(제2 도포 처리)
처리 블록(3)의 각 처리층(3D~3F)은, 이송된 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리(예를 들면 레지스트 막의 형성)를 행하고, 제2 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 되돌린다. 구체적으로 설명한다.
처리 블록(3)의 처리층(3D)에 있어서, 도 1에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS4B)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도 4, 도 9에 나타내는 바와 같이, 수취한 기판(W)을, 가열 냉각부(PHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(RESIST), 가열 냉각부(PHP)의 순서로 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(RESIST)에서 레지스트 막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS4D)에 이송한다. 또한, 처리층(3E, 3F)은, 처리층(3D)과 마찬가지로, 이송된 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리를 행한다.
〔단계 S15〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3D~3F) 중 어느 하나에서 처리된 기판(W)을, 2개의 오프너(45, 46) 중 어느 하나의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 구체적으로 설명한다. 재치대(47)의 캐리어(C)는, 오프너(45)에 의해서, 개구부(48)가 개방된 상태로 되어 있다. 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 기판 재치부(PS4D)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 오프너(45)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 또한, 기판(W)은, 도포 처리가 행해지기 전에 수납되어 있던 캐리어(C)에 되돌려진다. 또, 오프너(46)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 기판(W)을 되돌리는 경우에는, 제5 기판 반송 기구(TM5)가 이용된다.
＜다른 동작예＞
또한, 도 9에 나타내는 처리 블록(3)은, 도 10에 나타내는 바와 같이 동작시키는 것도 가능하다. 도 10에 있어서, 제1의 ID 블록(2)과 3개의 처리층(3A~3C) 사이에는, 이송용 기판 재치부(PS1A~PS3A), 및 복귀용 기판 재치부(PS1C~PS3C)가 설치되어 있다.
제1의 ID 블록(2)은, 2개의 오프너(9, 10) 중 어느 하나의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 3개의 처리층(3A~3C) 중 어느 하나에 이송한다. 처리 블록(3)의 각 처리층(3A~3C)은, 이송된 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리(예를 들면 반사 방지막의 형성)를 행하고, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 되돌린다. 예를 들면, 처리층(3A)에 있어서, 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1A)로부터 기판(W)을 수취하고, 제1 도포 처리가 행해진 후, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)을 기판 재치부(PS1C)에 이송한다.
제1의 ID 블록(2)은, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)을, 처리층(3A)으로부터, 제2 도포 처리를 행하는 처리층(3D)에 이송한다. 처리 블록(3)의 각 처리층(3D~3F)은, 이송된 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리(예를 들면 레지스트 막의 형성)를 행하고, 제2 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 이송한다. 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3D~3F) 중 어느 하나에서 처리된 기판(W)을, 2개의 오프너(45, 46) 중 어느 하나의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다.
본 실시예에 의하면, 예를 들면 처리층(3A)과 처리층(3D)에 의해 서로 다른 도포 처리를 차례대로 기판(W)에 대하여 행하는 구성에 있어서, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
[실시예 3]
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 3을 설명한다. 또한, 실시예 1, 2와 중복되는 설명은 생략한다.
실시예 1에서는, 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 기판(W)에 대하여 반사 방지막을 형성한 후에, 레지스트 막을 형성했다. 즉, 6개의 처리층(3A~3F)은 서로 같은 도포 처리를 행하고 있었다. 이에 대해, 실시예 2에서는, 1개의 처리층은, 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리를 행하고, 다른 1개의 처리층은, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리를 행해도 된다. 또, 다른 1개의 처리층은, 제2 도포 처리가 행해진 기판(W)에 대하여 제3 도포 처리를 행해도 된다.
도 11은, 실시예 3에 따른 처리 블록(3)의 액처리부(28)의 배치를 나타내는 우측면도이다. 처리 블록(3)에 있어서, 하측의 2개의 처리층(3A, 3B)은, 반사 방지막을 형성하는 제1 도포 처리를 행하고, 중간의 2개의 처리층(3C, 3D)은, 레지스트 막을 형성하는 제2 도포 처리를 행한다. 그리고, 상측의 2개의 처리층(3E, 3F)은, 레지스트 커버막을 형성하는 제3 도포 처리를 행한다. 레지스트 커버막을 형성하기 위한 도포 유닛은, 예를 들면, 유지 회전부(37), 노즐(38) 및 노즐 이동 기구(39)를 구비하고 있다(도 2 참조). 레지스트 커버막은, 예를 들면 발수성을 갖는 막이다. 또한, 제1 도포 처리, 제2 도포 처리 및 제3 도포 처리는, 다음과 같은 막을 형성하는 것이어도 된다. 즉, 제1 도포 처리는, 하층막(SOC： Spin On Carbon)을 형성하고, 제2 도포 처리는, 중간막(SOG： Spin On Glass)을 형성하고, 제3 도포 처리는, 레지스트 막을 형성한다.
＜기판 처리 장치(1)의 동작＞
다음에, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 11을 참조한다.
〔단계 S21〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 2개의 오프너(9, 10)(도 6 참조) 중 어느 하나의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 2개의 처리층(3A, 3B) 중 어느 하나에 이송한다. 예를 들면, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(9)의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다. 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 취출한 기판(W)을 기판 재치부(PS1A)에 반송한다.
〔단계 S22〕처리 블록(3)의 처리층(3A, 3B)(제1 도포 처리)
처리 블록(3)의 각 처리층(3A, 3B)은, 이송된 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리(예를 들면 반사 방지막의 형성)를 행하고, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 이송한다. 예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3A)에 있어서, 도 1에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1A)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 밀착 강화 처리부(PAHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(BARC)의 순서로 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(BARC)에서 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS1B)에 반송한다.
〔단계 S23〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)을, 처리층(3A)으로부터, 제2 도포 처리를 행하는 처리층(3C)에 이송한다. 즉, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5) 중 한쪽은, 도 11에 나타내는 기판 재치부(PS1B)로부터 기판 재치부(PS3B)에 기판(W)을 반송한다. 또한, 처리층(3B)에서 제1 도포 처리된 기판(W)은, 처리층(3D)에 이송된다.
〔단계 S24〕처리 블록(3)의 처리층(3C, 3D)(제2 도포 처리)
처리 블록(3)의 각 처리층(3C, 3D)은, 반송된 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리(예를 들면 레지스트 막의 형성)를 행하고, 제2 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다. 예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3C)에 있어서, 도 1에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS3B)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 가열 냉각부(PHP), 냉각부(CP), 도포 유닛(RESIST), 가열 냉각부(PHP)의 순서로 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(RESIST)에서 레지스트 막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS3A)에 반송한다.
〔단계 S25〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 처리층(3C)에서 처리된 기판(W)을, 처리층(3C)으로부터, 제3 도포 처리를 행하는 처리층(3E)에 이송한다. 즉, 2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2) 중 한쪽은, 도 11에 나타내는 기판 재치부(PS3A)로부터 기판 재치부(PS5A)에 기판(W)을 반송한다. 또한, 처리층(3D)에서 제2 도포 처리된 기판(W)은, 처리층(3F)에 이송된다.
〔단계 S26〕처리 블록(3)의 처리층(3E, 3F)(제3 도포 처리)
처리 블록(3)의 각 처리층(3E, 3F)은, 반송된 기판(W)에 대하여 제3 도포 처리(예를 들면 레지스트 커버막의 형성)를 행하고, 제3 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3E)에 있어서, 도 1에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS5A)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 레지스트 커버막을 형성하는 도포 유닛, 가열 냉각부(PHP)의 순서로 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 레지스트 커버막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS5B)에 반송한다. 또한, 가열 냉각부(PHP)에서 처리된 기판(W)을 엣지 노광부(EEW)에 반송하고, 엣지 노광부(EEW)에서 처리된 기판(W)을 기판 재치부(PS5B)에 반송해도 된다.
〔단계 S27〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E, 3F) 중 어느 하나에서 처리된 기판(W)을, 2개의 오프너(45, 46)(도 6 참조) 중 어느 하나의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 구체적으로 설명한다. 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 기판 재치부(PS5B)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 오프너(45)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다.
본 실시예에 의하면, 각 처리층(3A~3F)은, 기판(W)의 이송원인 ID 블록으로부터 그 반대측의 ID 블록에(예를 들면 제1의 ID 블록(2)으로부터 제2의 ID 블록(4)에) 기판(W)을 이송하고 있다. 기판 반송에 이용되는 기판 재치부(PS1A~PS6A)는, 처리층(3A~3F)과 제1의 ID 블록(2) 사이에 설치되어 있다. 또, 기판 재치부(PS1B~PS6B)는, 처리층(3A~3F)과 제2의 ID 블록(4) 사이에 설치되어 있다. 기판(W)의 이송원인 ID 블록에 기판(W)을 되돌리는 경우(예를 들면 제1의 ID 블록(2)으로부터 이송된 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 되돌리는 경우), 이송용 기판 재치부와 복귀용 기판 재치부의 2종류의 기판 재치부를 한쪽의 ID 블록 근처에 설치하지 않으면 안된다(예를 들면 도 10에 나타내는 기판 재치부(PS2A, PS2C) 참조). 이로 인해, 이송용 기판 재치부와 복귀용 기판 재치부의 각각에 재치할 수 있는 기판(W)의 장수도 한정된다. 그러나, 기판(W)의 이송원인 ID 블록으로부터 그 반대측의 ID 블록에 기판을 이송함으로써, 기판 재치부에 재치할 수 있는 기판(W)의 장수를 확보할 수 있다. 또, 2개의 ID 블록(2, 4)은 교대로 반송하므로 2개의 ID 블록(2, 4)은, 층간의 기판 반송을 거의 균등하게 분담할 수 있다.
다음에, 도 12a~도 12c를 참조하여, 다른 동작예를 설명한다. 또한, 도 12a~도 12c에 있어서, 처리 블록(3)은, 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)을 구비하고 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 바와 같이, 처리층(3A)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 반사 방지막을 형성하고, 처리층(3C)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 레지스트 막을 형성한다. 또, 처리층(3E)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 레지스트 커버막을 형성한다.
＜다른 동작예 1＞
도 12a를 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송된 기판(W)은, 차례대로, 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3E), 및 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 그리고, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)은 각각, 미리 설정된 도포 처리를 행한다.
＜다른 동작예 2＞
도 12b를 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송된 기판(W)은, 차례대로, 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3E), 및 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)은 각각, 미리 설정된 도포 처리를 행한다.
다른 동작예 1, 2에 의하면, 예를 들면 처리층(3A, 3C, 3E)에 의해 서로 다른 도포 처리를 차례대로 기판(W)에 행하는 구성에 있어서, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
＜다른 동작예 3＞
도 12c를 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송된 기판(W)은, 차례대로, 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3E), 및 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)은 각각, 미리 설정된 도포 처리를 행한다.
이 동작예의 경우, 2개의 처리층(3A, 3C) 사이에서 제1의 ID 블록(2)이 기판(W)을 반송하고, 2개의 처리층(3C, 3D) 사이에서 제2의 ID 블록(4)이 기판(W)을 반송한다. 본 동작예에 의하면, 예를 들면 처리층(3A, 3C, 3E)에 의해 서로 다른 도포 처리를 차례대로 기판(W)에 행하는 구성에 있어서, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 균등하게 분담할 수 있다. 특히, 2개의 처리층 사이의 기판 반송을 2개의 ID 블록(2, 4)에서 균등하게 분담할 수 있다. 그 때문에, 보다 기판 반송을 심플하게 행할 수 있다.
[실시예 4]
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 4를 설명한다. 또한, 실시예 1~3과 중복되는 설명은 생략한다.
실시예 1에서는, 제2의 ID 블록(4)은, 처리 블록(3)에 연결되고, 재치대(47)(오프너(45, 46))가 설치된 것이었다. 이 점, 본 실시예에서는, 제2의 ID 블록(4)은, 또한, 노광 장치(EXP)에 대하여 기판(W)의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있다
도 13은, 실시예 4에 따른 기판 처리 장치(1)의 종단면도이다. 도 14는, 기판 처리 장치(1)의 횡단면도이다. 도 15는, 기판 처리 장치(1)의 우측면도이다. 도 16은, 기판 처리 장치(1)의 좌측면의 일부를 나타내는 도이다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 제2의 ID 블록(4)은, 노광 장치(EXP)에 대하여 기판(W)의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있다. 제2의 ID 블록(4)은, 인터페이스 블록으로서도 기능한다. 제2의 ID 블록(4)은, 3개의 기판 반송 기구(TM4~TM6), 복수의 노광 전 세정 유닛(161), 복수의 노광 후 세정 유닛(162), 가열 냉각부(PHP(PEB)), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP), 및 재치부(PS9)를 구비하고 있다.
제4 기판 반송 기구(TM4) 및 제5 기판 반송 기구(TM5)는, 전후 방향(X방향)과 직교하는 Y방향으로 나열되어 배치되어 있다. 제6 기판 반송 기구(TM6)는, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)의 후방(도 14의 우측)에 배치되어 있다. 노광 전 세정 유닛(161)과 노광 후 세정 유닛(162)은, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)를 사이에 두고 대향하도록 설치되어 있다. 3개의 세정 유닛(161)과 2개의 세정 유닛(162)은, 제4 기판 반송 기구(TM4)측 및 제5 기판 반송 기구(TM5)측의 양측에 설치되어 있다(도 14, 15 참조).
노광 전 세정 유닛(161)은, 노광 처리 전의 기판(W)을 세정하고, 건조시킨다. 노광 후 세정 유닛(162)은, 노광 처리 후의 기판(W)을 세정하고, 건조시킨다. 각 세정 유닛(161, 162)은, 기판(W)을 유지하는 유지 회전부와, 예를 들면 세정액 및 린스액을 기판(W)에 토출하는 노즐을 구비하고 있다. 또, 각 세정 유닛(161, 162)은, 브러쉬 등을 이용하여 기판(W)의 이면, 및 단부(베벨부)의 폴리싱 처리를 행해도 된다. 또한, 기판(W)의 이면은, 예를 들면 회로 패턴이 형성된 면의 반대측의 면을 말한다.
IF블록(6)의 가열 냉각부(PHP)는, 도 14에 나타내는 바와 같이 제6 기판 반송 기구(TM6)를 사이에 두고 대향하도록 설치되어 있다. 제4 기판 반송 기구(TM4)측(도 14, 도 15 참조)에 있어서, 6개의 가열 냉각부(PHP)는, 상하 방향으로 배치되어 있다. 또, 제5 기판 반송 기구(TM5)측(도 14 참조)에 있어서도, 6개의 가열 냉각부(PHP)가 상하 방향으로 배치되어 있다.
3개의 기판 반송 기구(TM4~TM6) 사이에는, 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP) 및 재치부(PS9)가 설치되어 있다(도 13, 도 14 참조). 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP) 및 기판 재치부(PS9)는, 상하 방향으로 배치되어 있다.
제4 기판 반송 기구(TM4)는, 8개의 기판 재치부(PS1B~PS7B, PS9), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP), 세정 유닛(161, 162), 가열 냉각부(PHP) 및 오프너(45)에 재치된 캐리어(C) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다.
제5 기판 반송 기구(TM5)는, 8개의 기판 재치부(PS1B~PS7B, PS9), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP), 세정 유닛(161, 162), 가열 냉각부(PHP) 및 오프너(46)에 재치된 캐리어(C) 사이에서, 기판(W)을 반송할 수 있다.
제6 기판 반송 기구(TM6)는, 기판 재치부(PS9), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP) 및 외부의 노광 장치(EXP) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 3개의 기판 반송 기구(TM4~TM6)는 각각, 예를 들면 제1 기판 반송 기구(TM1)와 거의 동일하게 구성되어 있으므로, 그 설명을 생략한다.
제1의 ID 블록(2)과 7개의 처리층(3A~3G) 사이에는, 7개의 기판 재치부(PS1A~PS7A)가 배치되어 있다. 또, 7개의 처리층(3A~3G)과 제2의 ID 블록(4) 사이에는, 7개의 기판 재치부(PS1B~PS7B)가 배치되어 있다.
〔처리 블록(3)의 구성〕
도 15를 참조한다. 처리 블록(3)은, 7개의 처리층(3A~3G)을 구비하고 있다. 7개의 처리층(3A~3G)은, 상하 방향(Z방향)으로 적층되어 배치되어 있다. 하측의 2개의 처리층(3A, 3B)은, 기판(W)에 대하여 반사 방지막을 형성하기 위한 도포 유닛(BARC)을 구비하고 있다. 중간의 2개의 처리층(3C, 3D)은, 기판(W)에 대하여 레지스트 막을 형성하기 위한 도포 유닛(RESIST)을 구비하고 있다.
또, 상측의 3개의 처리층(3E~3G(3E, 3F, 3G))은, 액처리부(28)로서 4개의 현상 유닛(DEV)을 구비하고 있다. 현상 유닛(DEV)은, 노광된 기판(W)에 대하여 현상 처리하는 것이다. 4개의 현상 유닛(DEV)은, 4열×1단으로 배치되어 있다. 도 14에 나타내는 노즐(38)은, 현상액을 공급한다.
또, 도 16의 처리층(3G)에 나타내는 바와 같이, 3개의 처리층(3E~3G)의 열처리부(29)는, 5열×3단으로 배치할 수 있도록 구성되어 있다. 3개의 처리층(3E~3G)은 각각, 1개의 냉각부(CP)와, 12개의 가열 냉각부(PHP)를 구비하고 있다. 또한, 액처리부(28) 및 열처리부(29) 그 외의 유닛의 개수 및 종류는, 적절히 변경된다. 또, 도 16은, 7개의 처리층(3A~3G)을 대표하여 3개의 처리층(3A, 3C, 3G)의 열처리부(29)의 배치를 나타내고 있다. 2개의 처리층(3B, 3D)은 각각, 처리층(3A) 및 처리층(3C)과 같이 열처리부(29)가 배치되어 있다. 또, 처리층(3E, 3F)은 각각, 처리층(3G)과 같이 열처리부(29)가 배치되어 있다.
＜기판 처리 장치(1)의 동작＞
다음에, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 15를 참조한다.
〔단계 S31〕제2의 ID 블록(4)
제2의 ID 블록(4)은, 2개의 오프너(45, 46) 중 어느 하나의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 2개의 처리층(3A, 3B) 중 어느 하나에 반송한다. 구체적으로 설명한다. 제2의 ID 블록(4)에 있어서, 예를 들면, 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 오프너(45)의 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하여, 취출한 기판(W)을 기판 재치부(PS1B)에 반송한다.
〔단계 S32〕처리 블록(3)의 처리층(3A, 3B)(제1 도포 처리)
처리층(3A, 3B)은 각각, 반송된 기판(W)에 대하여 제1 도포 처리(예를 들면 반사 방지막의 형성)를 행하고, 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다. 예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3A)에 있어서, 도 13, 도 14에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1B)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 적어도 도포 유닛(BARC)에 반송한다. 그 후, 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(BARC)에서 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS1A)에 반송한다.
〔단계 S33〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 제1 도포 처리가 행해져, 또한 반송된 기판(W)을 처리층(3C)에 반송한다. 즉, 2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2) 중 한쪽은, 도 15에 나타내는 기판 재치부(PS1A)로부터 기판 재치부(PS3A)에 기판(W)을 반송한다. 또한, 처리층(3B)에서 제1 도포 처리가 행해진 기판(W)은, 처리층(3D)에(즉 기판 재치부(PS2A)로부터 기판 재치부(PS4A)에) 이송된다.
〔단계 S34〕처리 블록(3)의 처리층(3C, 3D)(제2 도포 처리)
각 처리층(3C, 3D)은, 반송된 기판(W)에 대하여 제2 도포 처리(예를 들면 레지스트 막의 형성)를 행하고, 제2 도포 처리가 행해진 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 예를 들면, 처리 블록(3)의 처리층(3C)에 있어서, 도 13, 도 14에 나타내는 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS3A)로부터 기판(W)을 수취한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 수취한 기판(W)을, 적어도 도포 유닛(RESIST)에 반송한다. 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 도포 유닛(RESIST)에서 레지스트 막이 형성된 기판(W)을 기판 재치부(PS3B)에 반송한다.
〔단계 S35〕제2의 ID 블록(4)(노광 장치에 의한 노광 처리)
제2의 ID 블록(4)은, 2개의 처리층(3C, 3D) 중 한쪽에서 처리된 기판(W)을 노광 장치(EXP)에 반출한다. 또, 제2의 ID 블록(4)은, 노광 장치(EXP)에 의해 노광 처리가 행해진 기판(W)을 노광 장치(EXP)로부터 반입한다. 제2의 ID 블록(4)은, 반입한 기판(W)을 3개의 처리층(3E~3G)에 반송한다. 구체적으로 설명한다.
제2의 ID 블록(4)에 있어서, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5) 중 한쪽은, 기판 재치부(PS3B)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을, 노광 전 세정 유닛(161), 재치 겸 냉각부(P-CP)의 순서로 반송한다. 제6 기판 반송 기구(TM6)는, 재치 겸 냉각부(P-CP)로부터 노광 장치(EXP)에 기판(W)을 반송한다. 노광 장치(EXP)는, 반송된 기판(W)을 노광한다.
제6 기판 반송 기구(TM6)는, 노광장치(EXP)로부터 기판 재치부(PS9)에, 노광 장치(EXP)에서 노광된 기판(W)을 반송한다. 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5) 중 한쪽은, 기판 재치부(PS9)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을, 노광 후 세정 유닛(162), 제2의 ID 블록(4)의 가열 냉각부(PHP), 및 예를 들면 기판 재치부(PS5B)의 순서로 반송한다. 또한, 가열 냉각부(PHP)에서는, 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다.
〔단계 S36〕처리 블록(3)의 처리층(3E~3G)(현상 처리)
처리 블록(3)의 3개의 처리층(3E~3G) 중 어느 하나는, 반송된 기판(W)에 대하여 현상 처리를 행하고, 현상 처리가 행해진 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다. 예를 들면 처리층(3E)에 있어서, 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS5B)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을, 냉각부(CP), 현상 유닛(DEV), 가열 냉각부(PHP), 기판 재치부(PS5A)의 순서로 반송한다. 또한, 3개의 처리층(3E~3G)에 있어서, 현상 유닛(DEV) 다음의 가열 냉각부(PHP)에 의한 처리는 생략되어도 된다.
〔단계 S37〕제1의 ID 블록(2)
제1의 ID 블록(2)은, 처리층(3E~3G) 중 어느 하나에서 현상 처리된 기판(W)을, 2개의 오프너(9, 10) 중 어느 하나의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다. 구체적으로 설명한다. 예를 들면, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 기판 재치부(PS5A)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 오프너(9)의 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)에 되돌린다.
본 실시예에 의하면, 각 처리층(3A~3G)은, 기판(W)의 이송원인 ID 블록으로부터 그 반대측의 ID 블록에(예를 들면 제1의 ID 블록(2)으로부터 제2의 ID 블록(4)에) 기판(W)을 이송하고 있다. 기판 반송에 이용되는 기판 재치부(PS1A~PS7A)는, 처리층(3A~3G)과 제1의 ID 블록(2) 사이에 설치되어 있다. 또, 기판 재치부(PS1B~PS7B)는, 처리층(3A~3G)과 제2의 ID 블록(4) 사이에 설치되어 있다. 기판(W)의 이송원인 ID 블록에 기판(W)을 되돌리는 경우(예를 들면 제1의 ID 블록(2)으로부터 이송된 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 되돌리는 경우), 이송용 기판 재치부와 복귀용 기판 재치부의 2종류의 기판 재치부를 한쪽의 ID 블록 근처에 설치하지 않으면 안된다. 이로 인해, 이송용 기판 재치부와 복귀용 기판 재치부의 각각에 재치할 수 있는 기판(W)의 장수도 한정된다. 그러나, 기판(W)의 이송원인 ID 블록으로부터 그 반대측의 ID 블록에 기판을 이송함으로써, 기판 재치부에 재치할 수 있는 기판(W)의 장수를 확보할 수 있다. 또, 2개의 ID 블록(2, 4)은 교대로 반송하므로 2개의 ID 블록(2, 4)은, 층간의 기판 반송을 거의 균등하게 분담할 수 있다.
다음에, 도 17a, 도 17b를 참조하여, 다른 동작예를 설명한다. 또한, 도 17a, 도 17b에 있어서, 처리 블록(3)은, 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)을 구비하고 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 바와 같이, 처리층(3A)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 반사 방지막을 형성하고, 처리층(3C)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 레지스트 막을 형성한다. 또, 처리층(3E)은, 예를 들면 기판(W)에 대하여 현상 처리를 행한다.
＜다른 동작예 1＞
도 17a를 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송되어, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)은, 차례대로, 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C)(제2 도포 처리), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3E)(현상 처리), 및 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 그리고, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다.
＜다른 동작예 2＞
도 17b를 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송되어, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)은, 차례대로, 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C)(제2 도포 처리), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3E)(현상 처리), 및 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 그리고, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다.
다른 동작예 1, 2에 의하면, 예를 들면 처리층(3A, 3C, 3E) 및 노광 장치(EXP)에 의해 서로 다른 도포 처리 등을 차례대로 기판(W)에 행하는 구성에 있어서, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
[실시예 5]
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 5를 설명한다. 또한, 실시예 1~4와 중복되는 설명은 생략한다.
실시예 4에서는, 처리 블록(3)은, 반사 방지막을 형성하는 2개의 처리층(3A, 3B)과, 레지스트 막을 형성하는 2개의 처리층(3C, 3D)과, 현상 처리를 행하는 3개의 처리층(3E~3G)을 구비하고 있었다. 즉, 실시예 4의 처리 블록(3)은, 3종류의 처리층을 구비하고 있었다. 이 점, 본 실시예에서는, 2종류의 처리층을 구비하고 있어도 된다.
도 18은, 실시예 5에 따른 처리 블록(3)의 액처리부(28)의 배치를 나타내는 우측면도이다. 처리 블록(3)은, 6개의 처리층(3A~3F)을 구비하고 있다. 하측의 3개의 처리층(3A~3C)은, 반사 방지막을 형성한 후, 레지스트 막을 형성하는 것이다. 또, 상측의 3개의 처리층은, 현상 처리를 행하는 것이다.
다음에, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 18을 참조한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 예를 들면 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송되어, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)은, 차례대로, 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP) , 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 제2의 ID 블록(4)에 반송된다. 그리고, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3D)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 처리층(3B)에서 처리된 기판(W)은, 노광 후에, 예를 들면 처리층(3E)에서 현상 처리가 행해진다. 또, 처리층(3C)에서 처리된 기판(W)은, 노광 후에, 예를 들면 처리층(3F)에서 현상 처리가 행해진다.
＜다른 동작예＞
도 19를 참조한다. 제2의 ID 블록(4)은, 재치대(47)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)에 반송되어, 처리층(3A)에서 처리된 기판(W)은, 차례대로, 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 제1의 ID 블록(2)에 반송된다. 그리고, 제1의 ID 블록(2)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(13)의 캐리어(C)에 수납한다.
본 실시예에 의하면, 예를 들면 처리층(3A, 3D) 및 노광 장치(EXP)에 의해 서로 다른 도포 처리 등을 차례대로 기판(W)에 행하는 구성에 있어서, 2개의 ID 블록(2, 4)은, 캐리어(C)에 대한 기판(W)의 출입을 위한 기판 반송, 및 층간의 기판 반송을 분담할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태로 한정되는 일은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1)상술한 실시예 1에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 6개의 처리층(3A~3F)은 각각, 4개의 액처리부(28)를 구비하고, 4개의 액처리부(28)는, 2개의 도포 유닛(BARC)과, 2개의 도포 유닛(RESIST)으로 구성되어 있었다. 이 점, 예를 들면, 4개의 액처리부(28)는 모두, 도포 유닛(BARC)으로 구성되어 있어도 된다. 또, 4개의 액처리부(28)는 모두, 도포 유닛(RESIST)으로 구성되어 있어도 된다. 4개의 액처리부(28)는 모두, 레지스트 커버막을 형성하는 도포 유닛으로 구성되어 있어도 된다.
(2)상술한 실시예 1에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3)의 각 처리층(3A~3F)은, 기판(W)에 대하여 도포 처리를 행했지만, 각 처리층(3A~3F)은 기판(W)에 대하여 현상 처리를 행해도 된다. 또, 각 처리층(3A~3F)은 기판(W)에 대하여 세정 처리를 행해도 된다. 또한, 기판(W)의 이면의 세정 처리를 행하는 경우에는, 도 2의 파선으로 나타내는 2개의 ID 블록(2, 4)에 설치된 반전 유닛(R1~R4) 중 어느 하나에 의해, 기판(W)은 반전되도록 구성되어 있어도 된다. 예를 들면, 표면이 상향일 때에는, 표면을 하향으로 기판(W)을 반전한다. 또, ID 블록(2)과 각 처리층(3A~3F) 사이의 기판 재치부(PS6A~PS6F) 중 적어도 1개에 반전 유닛을 설치해도 된다.
세정하기 위한 처리액으로서, 예를 들면, APM(암모니아 과산화수소수 혼합 용액), 순수(DIW), 탄산수, 수소수, 암모니아수(NH4OH), SC1, SC2, 구연산 수용액, FOM(불화수소산/오존의 혼합 약액), FPM(불화수소산/과산화수소수/순수의 혼합 약액), 불화수소산(HF), HCl, IPA(이소프로필알콜), TMAH(수산화테트라메틸암모늄), 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드로옥사이드 수용액(CHOLINE)이 이용되어도 된다.
(3)상술한 실시예 2에서는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3)의 하측의 3개의 처리층(3A~3C)은, 반사 방지막을 형성하는 제1 도포 처리를 행하고, 상측의 3개의 처리층(3D~3F)은, 레지스트 막을 형성하는 제2 도포 처리를 행하고 있었다. 하측의 3개의 처리층(3A~3C)은, 이면 세정 처리(제1 세정 처리)를 행하고, 상측의 3개의 처리층(3D~3F)은, 표면 세정 처리(제2 세정 처리)를 행해도 된다.
표면 세정 처리를 행하는 세정 유닛(81)은, 예를 들면, 도 20a에 나타내는 바와 같이, 유지 회전부(82)와 액공급부(83)와 스프레이 세정 기구(120)를 구비하고 있다. 유지 회전부(82)는, 기판(W)의 하면을 예를 들면 진공 흡착해서 기판(W)을 유지하는 스핀척(86A)과, 스핀척(86A)을 수직축(AX4) 둘레로 회전시키는 구동부(88)를 구비하고 있다. 액공급부(83)는, 처리액을 토출하는 노즐(90)과, 노즐(90)에 연통 접속하는 배관(92)을 구비하고 있다. 스프레이 세정 기구(120)는, 스프레이 노즐(2유체 노즐)(121)과, 스프레이 노즐(121)과 연통 접속하는 액공급관(123)을 구비하고 있다.
스프레이 노즐(121)에는, 액공급관(123)을 통해서 처리액이 공급됨과 더불어, 질소 가스(불활성 가스)가 공급된다. 유지 회전부(82)는, 유지한 기판(W)을 회전시킨다. 회전하는 기판(W)의 상면에 노즐(90)로부터 처리액이 토출된다. 회전하는 기판(W)의 상면에 스프레이 노즐(121)로부터 안개 형상의 처리액이 분사된다. 이들에 의해, 기판(W)의 상면, 즉 기판(W)의 표면이 세정된다. 도 20a에 나타내는 세정 유닛(81)은, 스핀척(86A)을 대신하여, 도 20b에 나타내는 스핀척(86B)을 구비하고 있어도 된다.
또, 이면 세정 처리를 행하는 세정 유닛(81)은, 예를 들면, 도 20b에 나타내는 바와 같이, 유지 회전부(82), 액공급부(83), 및 브러쉬 세정 기구(84)를 구비하고 있다. 스핀척(86B)은, 복수의 유지핀(85)으로 기판(W)의 단부와 접촉하여 기판(W)을 유지한다. 브러쉬 세정 기구(84)는, 브러쉬 세정구(洗淨具)(94)와, 브러쉬 세정구(94)를 일단에서 회전 가능하게 지지하는 아암(96)과, 아암(96)의 타단을 지지하고, 아암(96)을 수직축(AX5) 둘레로 회전시키는 구동부(98)를 구비하고 있다. 또, 이 구동부(98)는 아암(96)을 승강시킬 수 있다. 2개의 구동부(88, 98)는 각각, 전동 모터를 구비하고 있다. 도 20b에 나타내는 세정 유닛(81)은, 예를 들면, 회전하는 기판(W)의 상면에 노즐(90)로부터 처리액을 토출하면서, 브러쉬 세정구(94)를 기판(W)의 상면에 접촉시킨다. 이로 인해, 기판(W)의 상면, 즉 기판(W)의 이면을 세정한다.
또, 도 9에 있어서, 하측의 3개의 처리층(3A~3C)은, 베벨 세정 처리(제1 세정 처리)를 행하고, 상측의 3개의 처리층(3D~3F)은, 이면 세정 처리(제2 세정 처리)를 행해도 된다. 또한, 베벨 세정이란, 외측 가장자리부 세정 노즐로 기판(W)의 상면의 외측 가장자리부에 처리액을 공급하여 기판(W)의 외측 가장자리부를 세정하는 것을 말한다.
(4)상술한 실시예 3에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3)의 하측의 2개의 처리층(3A, 3B)은, 반사 방지막을 형성하는 제1 도포 처리를 행하고, 중간의 2개의 처리층(3C, 3D)은, 레지스트 막을 형성하는 제2 도포 처리를 행하고, 또한, 상측의 2개의 처리층(3E, 3F)은, 레지스트 커버막을 형성하는 제3 도포 처리를 행하고 있었다. 이에 대해, 하측의 처리층(3A, 3B)은, 제1 세정 처리를 행하고, 중간의 처리층(3C, 3D)은, 제2 세정 처리를 행하고, 상측의 처리층(3E, 3F)은, 제3 세정 처리를 행해도 된다.
(5)상술한 실시예 3에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제2의 ID 블록(4)은, 반송된 기판(W)을 예를 들면 처리층(3C)에 반송한다(A공정). 처리층(3C)은, 반송된 기판(W)에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다(B공정). 제1의 ID 블록(2)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3E)에 반송한다(C공정). 처리층(3E)은, 반송된 기판(W)에 소정의 처리를 행하여, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다(D공정). 그리고, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌리고 있었다.
제2의 ID 블록(4)이 처리층(3E)에서 처리된 기판(W)을 캐리어(C)에 되돌리지 않고, 기판 처리 장치(1)(또는 그 제어부(79))는, 도 21과 같이 동작시켜도 된다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 또한, 서로 다른 처리를 행하는 2개의 처리층(3G, 3H)을 구비하고 있다. 상술한 A공정에서부터 D공정과 같이, 2개의 처리층(3G, 3H)은, 각각 소정의 처리를 행하면서, 2개의 ID 블록(2, 4) 사이에서 1회 왕복시켜도 된다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 2개의 처리층(3G, 3H)에 더하여, 서로 다른 처리를 행하는 2개의 처리층을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 2개의 처리층은, 각각 소정의 처리를 행하면서, 2개의 ID 블록(2, 4) 사이에서 1회 더 왕복시켜도 된다. 그리고, 마지막 공정의 처리층에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 되돌리도록 동작시켜도 된다.
도 21에 나타내는 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 2개의 처리층(3A, 3B) 중 어느 하나(예를 들면 처리층(3A))에 반송한다. 처리층(3A)은, 반송된 기판(W)에 제1 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 제2의 ID 블록(4)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3C)에 반송한다. 처리층(3C)은, 반송된 기판(W)에 제2 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다. 제1의 ID 블록(2)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3E)에 반송한다. 처리층(3E)은, 반송된 기판(W)에 제3 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다.
여기서, 제2의 ID 블록(4)은, 재치대(47)의 캐리어(C)에 기판(W)을 되돌리지 않고, 기판(W)을 처리층(3G)에 반송한다. 처리층(3G)은, 반송된 기판(W)에 제4 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제1의 ID 블록(2)에 반송한다. 제1의 ID 블록(2)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3H)에 반송한다. 처리층(3H)은, 반송된 기판(W)에 제5 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 제2의 ID 블록(4)은, 마지막 공정의 처리층(3H)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 되돌린다.
도 21에 나타내는 처리 블록(3)은, 5개의 처리층(3A, 3C, 3E, 3F, 3H)에서 제1~제5의 5종류의 처리를 행하고 있지만, 7개의 처리층에서 7종류의 처리를 행해도 된다. 또, 도 21에 있어서, 처리층(3B)에 기판(W)이 반송된 경우, 처리층(3B)에서 제1 처리가 행해진 기판(W)은, 제2의 ID 블록(4)에 의해 처리층(3D)에 반송된다. 그 후, 처리층(3D)에서 제2 처리가 행해진 기판(W)은, 제1의 ID 블록(2)에 의해 처리층(3F)에 반송된다. 그 후, 처리층(3F)에서 제3 처리가 행해진 기판(W)은, 상술한 바와 같이, 처리층(3G) 및 처리층(3H)의 순서로 반송된다.
(6)상술한 실시예 1~3에서는, 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 제2의 ID 블록(4)은, 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에, 처리 블록(3)에서 처리된 기판(W)을 되돌리고 있었다. 이 점, 기판(W)은 역방향을 향해 반송되어도 된다. 즉, 제2의 ID 블록(4)은, 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)에, 처리 블록(3)에서 처리된 기판(W)을 되돌려도 된다.
(7)상술한 실시예 4에서는, 예를 들면 도 15에 나타내는 바와 같이, 제1 도포 처리는, 2개의 처리층(3A, 3B)에서 행하고 있었지만, 제1 도포 처리는, 1개의 처리층에서 행해도 되고, 3개 이상의 처리층에서 행해도 된다. 또, 제2 도포 처리는, 2개의 처리층(3C, 3D)에서 행하고 있었지만, 제2 도포 처리는, 1개의 처리층에서 행해도 되고, 3개 이상의 처리층에서 행해도 된다. 또, 현상 처리는, 3개의 처리층(3E~3G)에서 행하고 있었지만, 1개 또는 2개의 처리층에서 행해도 되고, 4개 이상의 처리층에서 행해도 된다.
(8)상술한 실시예 4에서는, 처리 블록(3)은, 예를 들면, 서로 다른 3종류의 처리를 행하는 3개의 처리층(3A, 3C, 3E)을 구비하고 있었다. 이 점, 처리 블록(3)은, 예를 들면, 서로 다른 4종류의 처리를 행하는 4개의 처리층을 구비하고 있어도 된다.
도 22A~도 22C, 도 23a~도 23c는, 변형예에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다. 또한, 도 22A~도 23c 및 후술하는 도 24a~도 25b에 있어서, 중복되는 설명은 적절히 생략한다. 도 22A~도 23c 및 후술하는 도 24a~도 25b에 있어서, 처리 블록(3)은, 서로 다른 4종류의 처리를 행하는 4개의 처리층(3A~3D)을 구비하고 있다. 또한, 예를 들면 제1 처리는, 단일 처리층(3A)에서 행하고 있지만, 복수개의 처리층에서 행해도 된다.
도 22 A에 나타내는 처리 블록(3)에 있어서, 처리층(3A)은, 예를 들면 제1 도포 처리를 행하고, 처리층(3B)은, 예를 들면 제2 도포 처리를 행한다. 또, 처리층(3C)은 예를 들면 제3 도포 처리를 행하고, 처리층(4D)은, 예를 들면 현상 처리를 행한다.
도 22A에 있어서, 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 반송한다. 처리층(3A)은, 반송된 기판(W)에 제1 도포 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 제2의 ID 블록(4)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3B)에 반송한다. 처리층(3B)은, 반송된 기판(W)에 제2 도포 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다(되돌린다). 제2의 ID 블록(4)은, 반송된 기판(W)을 처리층(3C)에 반송한다. 처리층(3C)은, 반송된 기판(W)에 제3 도포 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다(되돌린다).
그 후, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3C)에서 처리된 기판(W)을 노광 장치(EXP)에 반출한다. 제2의 ID 블록(4)은, 노광 장치(EXP)에 의해 노광 처리가 행해진 기판(W)을 노광 장치(EXP)로부터 반입하고, 반입한 기판(W)을 처리층(3D)에 반송한다. 처리층(3D)은, 반송된 기판(W)에 현상 처리를 행하고, 그 기판(W)을 제2의 ID 블록(4)에 반송한다. 제2의 ID 블록(4)은, 반송된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 되돌린다.
또한, 도 22A의 4개의 처리층(3A~3D)은, 예를 들면, 다음과 같은 처리를 행해도 된다. 처리층(3A)은, 제1 도포 처리를 행하고, 처리층(3B)은, 제2 도포 처리를 행한다. 처리층(3C)은, 노광 후 세정 및 노광 후 베이크를 행하고, 처리층(3D)은, 현상 처리를 행한다. 이 경우, 도 22A의 파선으로 나타내는 화살표(AR1)와 같이, 처리층(3B)과 처리층(3C) 사이에서, 노광 장치(EXP)에 의한 노광 처리를 행해도 된다. 또, 화살표(AR1)의 위치에서 노광 처리를 행하는 경우, 처리층(3C)에서 처리된 기판(W)은, 제2의 ID 블록(4)에 의해, 처리층(3D)에 반송된다.
도 22B의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다. 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3B), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제2의 ID 블록(4)의 순서로 반송된다. 그 후, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3D)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 각 처리층(3A~3D)은, 제1~제4의 소정의 처리를 각각 행한다.
도 22C의 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 제1의 ID 블록(2)은, 재치대(13)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출한다. 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3D), 및 제2의 ID 블록(4)의 순서로 반송된다. 그 후, 제2의 ID 블록(4)은, 처리층(3D)에서 처리된 기판(W)을 재치대(47)의 캐리어(C)에 수납한다. 또한, 각 처리층(3A~3D)은, 제1~제4의 소정의 처리를 각각 행한다.
도 23a에 있어서, 제1의 ID 블록(2)의 재치부(13)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3D), 및 제2의 ID 블록(4)의 순서로 반송된다.
도 23b에 있어서, 제1의 ID 블록(2)의 재치부(13)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제2의 ID 블록(4)의 순서로 반송된다. 또, 도 23b에 나타내는 화살표(AR1)와 같이, 처리층(3B)과 처리층(3C) 사이에서 노광 장치(EXP)에 의한 노광 처리를 행해도 된다.
도 23c에 있어서, 제1의 ID 블록(2)의 재치부(13)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3B), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제2의 ID 블록(4)의 순서로 반송된다.
다음에, 도 24a~도 25b에 나타내는 기판 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 도 24a~도 25b에 나타내는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 제2의 ID 블록(4)은, 재치대(47)의 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 처리층(3A)에 이송한다. 제1의 ID 블록(2)은, 처리층(3D)에서 처리된 기판(W)을, 재치대(13)의 캐리어(C)에 되돌린다(수납한다). 각 처리층(3A~3D)은, 제1~제4의 소정의 처리를 각각 행한다.
도 24a에 있어서, 제2의 ID 블록(4)의 재치부(47)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제1의 ID 블록(2)의 순서로 반송된다. 또, 도 24a의 파선으로 나타내는 화살표(AR1)와 같이, 처리층(3B)과 처리층(3C) 사이에서 노광 장치(EXP)에 의한 노광 처리를 행해도 된다.
도 24b에 있어서, 제2의 ID 블록(4)의 재치부(47)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3B), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제1의 ID 블록(2)의 순서로 반송된다.
도 24c에 있어서, 제2의 ID 블록(4)의 재치부(47)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제1의 ID 블록(2)의 순서로 반송된다. 또, 도 24c의 파선으로 나타내는 화살표(AR1)와 같이, 처리층(3B)과 처리층(3C) 사이에서 노광 장치(EXP)에 의한 노광 처리를 행해도 된다.
도 25a에 있어서, 제2의 ID 블록(4)의 재치부(47)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3B), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3C), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3D), 및 제1의 ID 블록(2)의 순서로 반송된다.
도 25b에 있어서, 제2의 ID 블록(4)의 재치부(47)의 캐리어(C)로부터 취출된 기판(W)은, 처리층(3A), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3B), 제2의 ID 블록(4), 노광 장치(EXP), 제2의 ID 블록(4), 처리층(3C), 제1의 ID 블록(2), 처리층(3D), 및 제1의 ID 블록(2)의 순서로 반송된다.
(9)상술한 실시예 4, 5에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제1의 ID 블록(2)의 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 7개의 기판 재치부(PS1A~PS7A), 및 오프너(9)의 캐리어(C) 사이에서 기판(W)을 반송하고 있었다. 또, 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 7개의 기판 재치부(PS1A~PS7A), 및 오프너(10)의 캐리어(C) 사이에서 기판(W)을 반송하고 있었다.
2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2)의 역할에 대해서, 예를 들면, 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 4개의 기판 재치부(PS1A~PS4A) 사이에서 기판(W)을 반송해도 된다. 이 경우, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 3개의 기판 재치부(PS5A~PS7A), 및 오프너(9)의 캐리어(C) 사이에서 기판을 반송해도 된다. 이 역할은, 제1 기판 반송 기구(TM1)와 제2 기판 반송 기구(TM2) 사이에서 반대로 해도 된다. 또, 예를 들면, 도 26에 나타내는 바와 같이, 제1 기판 반송 기구(TM1)는, 오프너(9, 10)가 나열되는 Y방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 제2 기판 반송 기구(TM2)는, 제1 기판 반송 기구(TM1)와 처리 블록(3) 사이에 배치되어 있어도 된다.
(10)상술한 실시예 4, 5에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제2의 ID 블록(4)의 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 8개의 기판 재치부(PS1A~PS7A, PS9), 노광 전 세정 유닛(161), 노광 후 세정 유닛(162), 가열 냉각부(PHP), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP), 및 오프너(45)에 재치된 캐리어(C) 사이에서 기판(W)을 반송하고 있었다. 또, 제5 기판 반송 기구(TM5)는, 8개의 기판 재치부(PS1A~PS7A, PS9), 노광 전 세정 유닛(161), 노광 후 세정 유닛(162), 가열 냉각부(PHP), 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP), 및 오프너(46)에 재치된 캐리어(C) 사이에서 기판(W)을 반송하고 있었다.
예를 들면, 제5 기판 반송 기구(TM5)는, 6개의 기판 재치부(PS3B~PS7B, PS9), 노광 전 세정 유닛(161), 노광 후 세정 유닛(162), 가열 냉각부(PHP), 및 3개의 재치 겸 냉각부(P-CP) 사이에서 기판(W)을 반송시켜도 된다. 이 경우, 제4 기판 반송 기구(TM4)는, 2개의 기판 재치부(PS1B, PS2B), 및 오프너(45)의 캐리어(C) 사이에서 기판(W)을 반송해도 된다. 이 역할은, 제4 기판 반송 기구(TM4)와 제5 기판 반송 기구(TM5) 사이에서 반대로 해도 된다.
(11)상술한 각 실시예 및 각 변형예에 있어서, 예를 들면, 도 15에 나타내는 처리 블록(3)은, 하측부터 차례대로, 제1 도포 처리를 행하는 2개의 처리층(3A, 3B), 제2 도포 처리를 행하는 2개의 처리층(3C, 3D), 및 현상 처리를 행하는 3개의 처리층(3E~3G)이 배치되어 있었다. 처리층의 상하 방향의 배치는, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 현상 처리를 행하는 3개의 처리층(3E~3G)이 제1 도포 처리를 행하는 2개의 처리층(3A, 3B)보다 하측에 설치되어 있어도 된다.
(12)상술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 도 15에 나타내는 하측의 2개의 처리층(3A, 3B)은 각각, 기판(W)에 대하여 반사 방지막의 형성 및 레지스트 막의 형성을 행해도 된다. 또, 중간의 2개의 처리층(3C, 3D)은 각각, 기판(W)에 대하여 레지스트 커버막의 형성 및 이면 세정을 행해도 된다. 상측의 3개의 처리층(3E~3G)은, 기판(W)에 대하여 현상 처리를 행해도 된다.
(13)상술한 실시예 4, 5에서는, 제2의 ID 블록(4)은, 인터페이스 블록으로서 기능했다. 도 27에 나타내는 바와 같이, 제2의 ID 블록(4)은, ID 블록 본체(200)와, 인터페이스 블록(이하 적절히 「IF블록」이라고 부른다)(201)을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, ID 블록 본체(200)는, 2개의 오프너(45, 46)와, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)를 구비하고 있다. IF블록(201)은, 노광 전 세정 유닛(161), 노광 후 세정 유닛(162), 가열 냉각부(PHP), 및 제6 기판 반송 기구(TM6)에 더하여, 2개의 기판 반송 기구(TM7, TM8)를 구비하고 있다. 또한, ID 블록 본체(200)와 IF블록(201) 사이에는, 기판 재치부(PS8)가 설치되어 있다. 기판 재치부(PS8)는, 기판(W)의 이송용과 복귀용으로 구분되어 있다.
(14)상술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 제1의 ID 블록(2)은, 2개의 기판 반송 기구(TM1, TM2)를 구비하고 있었다. 도 28에 나타내는 바와 같이, 제1의 ID 블록(2)은, 단일 기판 반송 기구(TM1)를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 복수(예를 들면 4개)의 재치대(13)가 Y방향으로 나열되어 제1의 ID 블록(2)의 벽부(206)에 설치되어도 된다. 이들 재치대(13)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행하기 위해서, 기판 반송 기구(TM1)는, 전동 모터의 구동에 의해 Y방향으로 이동되도록 구성되어 있어도 된다.
또, 단일 기판 반송 기구(TM1)는, 실시예 1과 같이, 수평 방향(특히 Y방향)으로 이동하지 않도록 제1의 ID 블록(2)의 바닥부에 고정되어 있어도 된다. 또, 제1의 ID 블록(2)은, 3개 이상의 기판 반송 기구를 구비하고 있어도 된다.
(15)상술한 각 실시예 및 각 변형예에서는, 제2의 ID 블록(4)은, 2개의 기판 반송 기구(TM4, TM5)를 구비하고 있었다. 도 28에 나타내는 바와 같이, 제2의 ID 블록(4)은, 단일 기판 반송 기구(TM4)를 구비하고 있어도 된다. 이 경우도, 복수(예를 들면 4개)의 재치대(47)가 Y방향으로 나열되어 제2의 ID 블록(4)의 벽부(208)에 설치되어도 된다. 이들 재치대(47)에 재치된 캐리어(C)에 대하여 기판(W)의 취출 및 수납을 행하기 위해서, 기판 반송 기구(TM4)는, 전동 모터의 구동에 의해 Y방향으로 이동되도록 구성되어 있어도 된다.
또, 단일 기판 반송 기구(TM4)는, 실시예 1과 같이, 수평 방향(특히 Y방향)으로 이동하지 않도록 제2의 ID 블록(4)의 바닥부에 고정되어 있어도 된다. 또, 제2의 ID 블록(4)은, 3개 이상의 기판 반송 기구를 구비하고 있어도 된다.
(16)상술한 각 실시예 및 각 변형예에 있어서, 처리 블록(3)의 처리층은, 6~7층이었지만, 복수의 처리층이면 된다.
(17)상술한 각 실시예 및 각 변형예에 있어서, 처리 블록(3)은, 상하 방향으로 적층하는 복수의 처리층(예를 들면 6개의 처리층(3A~3F))을 구비하고 있다. 도 1에 있어서, 각 처리층(3A~3F)의 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 그것만으로, 제1의 ID 블록(2)과 제2의 ID 블록(4) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 단일 처리 블록(3)은, 예를 들면, 2개의 ID 블록(2, 4) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있는 적어도 1개의 처리층을 구비하고 있는 것이다. 예를 들면, 도 1에 있어서, 처리층(3A)의 제3 기판 반송 기구(TM3)는, 기판 재치부(PS1A)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 액처리부(28) 및 열처리부(29)(도 2 참조)에 반송한 후, 기판 재치부(PS1B)에 기판(W)을 반송하고 있다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 클레임을 참조해야 한다.

Claims (15)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치(裁置)하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    상기 단일 처리 블록 상에 탑재되고, 상기 제1 캐리어 재치대와 상기 제2 캐리어 재치대 사이에서 상기 캐리어를 반송하는 캐리어 반송 기구;
    를 포함하고,
    상기 제1 캐리어 재치대 및 상기 제2 캐리어 재치대는 각각, 상기 단일 처리 블록의 상방, 또는 상기 단일 처리 블록 상에 설치되어 있고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출(取出)하여, 취출한 기판을 상기 복수의 처리층 중 어느 하나에 반송하고,
    상기 복수의 처리층은 각각, 반송된 기판에 대하여 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고,
    상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  3. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    을 포함하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 이송하고,
    상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  4. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    을 포함하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제1 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 이송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  5. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    을 포함하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 이송하고,
    상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제 1인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고,
    상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    을 포함하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제1 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 기판 처리 장치는,
    복수의 기판을 수납하는 것이 가능한 캐리어를 재치하기 위한 제1 캐리어 재치대가 설치된 제1 인덱서 블록；
    상기 제1 인덱서 블록에 연결되고, 복수의 처리층이 상하 방향으로 배치된 단일 처리 블록；
    상기 단일 처리 블록과 연결되고, 상기 캐리어를 재치하기 위한 제2 캐리어 재치대가 설치된 제2 인덱서 블록；
    을 포함하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 또한, 외부 장치에 대하여 기판의 반입 및 반출을 행하도록 구성되어 있고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어로부터 기판을 취출하여, 그 기판을 상기 복수의 처리층 중 제1 처리층에 반송하고,
    상기 제1 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 반송된 기판을 상기 복수의 처리층 중 제2 처리층에 반송하고,
    상기 제2 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제2 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 제2 처리층에서 처리된 기판을 상기 외부 장치에 반출하고,
    상기 제2 인덱서 블록은, 상기 외부 장치에 의해 소정의 처리가 행해진 기판을 상기 외부 장치로부터 반입하고, 반입한 기판을 상기 복수의 처리층 중 제3 처리층에 반송하고,
    상기 제3 처리층은, 반송된 기판에 소정의 처리를 행하여, 그 기판을 상기 제1 인덱서 블록에 반송하고,
    상기 제1 인덱서 블록은, 상기 제3 처리층에서 처리된 기판을 상기 제1 캐리어 재치대에 재치된 상기 캐리어에 되돌리는, 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020190175135A 2018-12-28 2019-12-26 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 KR102388245B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018248738A JP7175191B2 (ja) 2018-12-28 2018-12-28 基板処理装置および基板搬送方法
JPJP-P-2018-248738 2018-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200083286A KR20200083286A (ko) 2020-07-08
KR102388245B1 true KR102388245B1 (ko) 2022-04-19

Family

ID=71122040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190175135A KR102388245B1 (ko) 2018-12-28 2019-12-26 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11139192B2 (ko)
JP (1) JP7175191B2 (ko)
KR (1) KR102388245B1 (ko)
CN (1) CN111383954A (ko)
TW (1) TWI731529B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7114456B2 (ja) * 2018-12-28 2022-08-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
JP7181081B2 (ja) 2018-12-28 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7221048B2 (ja) * 2018-12-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7253955B2 (ja) * 2019-03-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US11251064B2 (en) * 2020-03-02 2022-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer frame sorter and stocker

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001300445A (ja) * 2000-04-27 2001-10-30 Smt:Kk 基板の洗浄装置、洗浄方法および洗浄システム
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPH0817724A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW333658B (en) * 1996-05-30 1998-06-11 Tokyo Electron Co Ltd The substrate processing method and substrate processing system
JP3556068B2 (ja) * 1997-04-18 2004-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4021118B2 (ja) * 1999-04-28 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW511169B (en) * 2000-02-01 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4133208B2 (ja) 2002-10-22 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR100546503B1 (ko) * 2003-11-27 2006-01-26 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 그 방법
JP2007191235A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Murata Mach Ltd 天井走行車システム
KR100902003B1 (ko) * 2007-08-31 2009-06-11 세메스 주식회사 카세트 이송부를 구비한 기판 처리 장치
KR100920323B1 (ko) * 2007-10-22 2009-10-07 주식회사 케이씨텍 습식세정장치 및 기판처리방법
JP5318005B2 (ja) 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP6239813B2 (ja) 2012-07-18 2017-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
KR102151616B1 (ko) 2014-02-04 2020-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-라인 증착 시스템 및 유기 재료를 위한 증발 소스를 작동시키기 위한 방법
JP6803701B2 (ja) * 2016-08-23 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001300445A (ja) * 2000-04-27 2001-10-30 Smt:Kk 基板の洗浄装置、洗浄方法および洗浄システム
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI731529B (zh) 2021-06-21
JP7175191B2 (ja) 2022-11-18
CN111383954A (zh) 2020-07-07
TW202032704A (zh) 2020-09-01
KR20200083286A (ko) 2020-07-08
US11139192B2 (en) 2021-10-05
JP2020109787A (ja) 2020-07-16
US20200211882A1 (en) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102388245B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102279006B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102296014B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102320637B1 (ko) 기판 처리 장치, 캐리어 반송 방법 및 캐리어 버퍼 장치
TWI729653B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
KR102547699B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
KR102396204B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
US11339011B2 (en) Substrate treating system and substrate transporting method
JP2024046366A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant