JPH0817724A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 化学増幅レジストの反応時間を精度よくコン
トロールすることができる基板処理装置を提供する。 【構成】 複数枚の半導体ウエハ等の基板Ｗを保管する
基板保管部１と、基板Ｗに所要の処理を施す基板処理部
２と、基板処理部２と本装置に連設される露光装置との
間で基板Ｗを受け渡しするインターフェイス機構部４と
を備え、基板処理部２でレジストが塗布された基板Ｗ
を、露光後、インターフェイス機構部４上に設けられた
熱処理装置５０により加熱／冷却処理して化学増幅レジ
ストの化学反応を完結させた後、基板Ｗを現像処理す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光処理された基板を
加熱処理してレジストの反応を促進し、その後に基板を
現像処理する基板処理装置に係り、特に、外部の露光装
置と現像処理部との間で、基板を受け渡しするインター
フェイス機構部に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の半導体ウエハの製造においては、
高集積回路化にともないますます回路パターンを微細化
する技術が要求されてきている。そのため、従来のレジ
ストを用いた半導体ウエハ製造方法とは異なり、化学増
幅レジストと呼ばれるレジストを用いた半導体ウエハ製
造方法が行われている。これは、化学増幅レジストが塗
布された基板を露光し、その後、基板を加熱することに
より、レジストの化学反応を促進するものである。すな
わち、化学増幅レジストに光を照射すると、触媒作用を
持つ物質が生成されてレジスト膜中に３次元分布する。
つまりレジスト膜中にパターンが潜伏した状態ができあ
がる。そして、露光後に基板を加熱することにより、前
記触媒によって現像液に対する溶解速度変化を引き起こ
す化学反応が活性化される。その基板を現像することに
よりレジスト膜上にパターンが浮かび上がる。

【０００３】上記の化学増幅レジストを用いた半導体ウ
エハ製造装置として、図１１に示すような装置が知られ
ている。この装置は、基板を収納するカセットＣを載置
したインデクサＩＤを備えた基板収納部１００と、基板
に所定の処理を施す基板処理部１０１と、基板処理部１
０１と本装置に連設される露光装置１０２との間で、基
板を受け渡すインターフェイス機構部ＩＦとから構成さ
れている。なお、化学増幅レジストは、大気中に含まれ
ているアルカリ性や酸性等のガス雰囲気にさらされる
と、不必要な化学反応をしてしまい品質に悪影響を及ぼ
すので、装置全体はエアーフィルタ等を備えたクリーン
ベンチに覆われている。

【０００４】インデクサＩＤ上のカセットＣから取り出
された基板は、搬送路ＴＲを介して第１加熱部ＨＰ
₁ と、この下方に配備された第１冷却部ＣＰ₁ とに順次
搬入され、まず、基板とレジストとの密着性を良くする
ための熱処理が施される。つぎに、熱処理された基板
は、スピンコータ部ＳＣに搬入され、基板表面に均一に
レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成された基板
は、第２加熱部ＨＰ₂ と、この下方に配備された第２冷
却部ＣＰ₂ とに搬入されて熱処理された後、インターフ
ェイス機構部ＩＦを介して露光装置１０２に搬入され、
露光処理が施される。露光された基板は、再び、インタ
ーフェイス機構部ＩＦを介して基板処理部１０１の第３
加熱部ＨＰ₃ に搬入されて加熱処理されることにより、
上記したように、現像液に対する溶解速度変化を引き起
こす化学反応がレジスト膜内で活性化される。そして、
第３加熱部ＨＰ₃ の下方に配備された第３冷却部ＣＰ₃
で基板が冷却されて化学反応が停止される。その後、基
板は現像部ＳＤに搬入されて現像処理されることによ
り、基板表面にパターンが浮かび上がる。最後に、処理
された基板がインデクサＩＤ上のカセットＣ内に収納さ
れる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の化
学増幅レジストは、パターンニングの精度を維持するた
めに、露光後の加熱処理時間を精度よくコントロールさ
れる必要性がある。しかしながら、従来の装置は、以下
のような理由で、上記の時間を精度よくコントロールす
ることができないという問題点がある。

【０００６】すなわち、基板処理部１０１側に露光後の
基板を熱処理する第３加熱部ＨＰ₃と第３冷却部ＣＰ₃
とを設けているので、基板処理部１０１側の装置が故障
すると、インターフェイス機構部ＩＦ上に露光された基
板が長時間放置される。露光されたレジスト膜の化学反
応は室温中でも若干進むので、基板がインターフェース
機構部ＩＦに長く放置されると、前記化学反応時間がト
ータル的に長くなる。また、正常な場合でも、基板処理
部１０１側での各処理時間は必ずしも同じではないの
で、基板処理部１０１側での基板の順送り時間（タクト
タイム）は一番長い処理時間に合わせられることにな
る。その結果、第３加熱部ＨＰ₃ で加熱処理された基板
が第３冷却部ＣＰ₃ で冷却されるまでの時間が幾分長く
なり、その分だけレジスト膜の化学反応の停止処理が遅
れ、結果として前記化学反応時間が長くなる。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、露光後の基板の加熱処理時間（化学増
幅レジストの反応時間）を精度よくコントロールするこ
とができる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、露光処
理された基板を、加熱処理してレジストの反応を促進
し、その後に基板を現像処理する基板処理装置におい
て、基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、露
光後の基板を現像する現像手段とを備えた基板処理部
と、前記基板処理部と装置外部との間で、基板を受け渡
しするインターフェイス機構部と、前記インターフェイ
ス機構部に設けられ、前記装置外部で露光された基板を
加熱する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を
冷却する冷却手段と、を備えたものである。

【０００９】

【作用】本発明の基板処理装置によれば、基板処理部に
備えられたレジスト塗布手段によって基板はその表面に
レジストが塗布される。そして、レジストが塗布された
基板は、インターフェイス機構部によって基板処理部か
ら装置外部に受け渡される。装置外部で露光処理された
基板は、インターフェイス機構部に受け取られ、このイ
ンターフェイス機構部に設けられた加熱手段により基板
が加熱処理されてレジスト膜の化学反応が促進される。
そして、加熱処理された基板は、インターフェイス機構
部に設けられた冷却手段により冷却処理されてレジスト
膜の化学反応が停止される。冷却後、基板は、インター
フェイス機構部から基板処理部に受け渡され、現像手段
により現像処理される。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本発明に係るインターフェイス機
構部を備えた基板処理装置の一実施例の平面図、図２は
インターフェイス機構部を示す斜視図であり、図３はイ
ンターフェイス機構部の下段を示す平面図である。

【００１１】基板処理装置は、大別すると、複数枚の半
導体ウエハ等の基板Ｗを保管する基板保管部１と、基板
Ｗに後述する所要の処理を施す基板処理部２と、基板処
理部２と本実施例装置に連設される露光装置３との間で
基板Ｗを受け渡しするインターフェイス機構部４とを備
え、装置全体はエアーフィルタ等を備えたクリーンベン
チに覆われて構成されている。以下、各部の構成を説明
する。

【００１２】基板保管部１は、その上に複数個のカセッ
トＣを載置するインデクサＩＤと、各カセットＣと所定
の基板受け渡し位置Ｐ₁ との間で基板Ｗを搬送する第１
ロボット１２とを設けて構成されている。カセットＣ内
には基板Ｗを多段に収納できるようになっている。第１
ロボット１２は、インデクサＩＤに並設された搬送経路
Ｙ₁ に沿って移動自在に設けられ、その上端に基板Ｗを
支持する第１アーム１２ａを備えている。この第１アー
ム１２ａは、昇降自在に、かつその長手方向に伸縮自在
に構成されている。第１ロボット１２はカセットＣに対
向する状態で第１アーム１２ａを伸長させるとともに上
昇させることにより、カセットＣ内の所望の基板Ｗを受
け取り、第１アーム１２ａを収縮させることにより、カ
セットＣ内から基板Ｗを取り出す。また、第１ロボット
１２は、基板受け渡し位置Ｐ₁ で受け取った処理済み基
板Ｗを所定のカセットＣに収納するものである。

【００１３】基板処理部２には、その中央部に前記搬送
経路Ｙ₁ に直交する搬送経路Ｘが配備されている。この
搬送経路Ｘに沿って第２ロボット２１が移動自在に設け
られている。第２ロボット２１は、基板受け渡し位置Ｐ
₁ と基板処理部２との間で、また基板処理部２と基板受
け渡し部Ｐ₂ との間で基板Ｗを搬送する。第２ロボット
２１は、その上端に基板Ｗを支持する第２アーム２１ａ
を備えている。この第２アーム２１ａは昇降するととも
にその長手方向に伸縮し、かつ回動自在に構成されてい
る。第２ロボット２１は、基板受け渡し位置Ｐ₁ に対向
する状態で第２アーム２１ａを伸縮させるとともに昇降
させることにより、基板受け渡し位置Ｐ₁ から基板Ｗを
受け取り、あるいは処理済み基板Ｗを基板受け渡し位置
Ｐ₁ に受け渡すものである。また、第２ロボット２１
は、第２アーム２１ａを回転させ、後述する例えば第１
加熱部ＨＰ₁ に対向する状態で第２アーム２１ａを伸縮
させるととに昇降させることにより、第１加熱部ＨＰ₁
に対して基板搬入、あるいは搬出するものである。

【００１４】搬送経路Ｘの側方（図１の上方）に、基板
保管部１から搬送されてきた基板Ｗを加熱する第１加熱
部ＨＰ₁ と、第１加熱部ＨＰ₁ の下方に設けられ、第１
加熱部ＨＰ₁ で加熱された基板Ｗを冷却する第１冷却部
ＣＰ₁ と、後述するスピンコータ部ＳＣでレジスト膜が
形成された基板Ｗを加熱する第２加熱部ＨＰ₂ と、第２
加熱部ＨＰ₂ の下方に設けられ、第２加熱部ＨＰ₂ で加
熱された基板Ｗを冷却する第２冷却部ＣＰ₂ とが設けら
れている。

【００１５】搬送経路Ｘを挟んで第１加熱部ＨＰ₁ と対
向する位置に、第１加熱部ＨＰ₁ と第１冷却部ＣＰ₁ と
で熱処理された基板Ｗの表面にレジスト液を滴下した
後、基板Ｗを回転して均一な膜厚のレジスト膜を形成す
るスピンコータ部ＳＣが、また、搬送経路Ｘを挟んで第
２加熱部ＨＰ₂ と対向する位置に、露光装置３で露光処
理された基板Ｗを現像する基板現像部ＳＤがそれぞれ設
けられている。

【００１６】インターフェイス機構部４は、図２に示す
ように、上下方向に２段に構成されている。その上段の
搬送経路Ｘの延長上に、基板処理部２に対して基板Ｗの
受け渡しを行う基板受け渡し部Ｐ₂ が設けられている。
基板受け渡し部Ｐ₂ には、上段側の床４１の上面から突
出された複数個の支持ピン４２がある。この支持ピン４
２の上端に第２ロボット２１により搬送されてきた基板
Ｗを受け渡し、あるいは、支持ピン４２の上端に支持さ
れた基板Ｗを第２ロボット２１が受け取って基板処理部
２側に搬送する。

【００１７】基板受け渡し部Ｐ₂ を挟んで搬送経路Ｘと
対向する位置に、基板受け渡し部Ｐ₂ と後述する熱処理
装置５０とバッファ用カセットＢＦＣとの間で基板Ｗを
受け渡しする第３ロボット４３が設けられている。第３
ロボット４３は、その上端に基板Ｗを支持する第３アー
ム４３ａを備えている。この第３アーム４３ａは上記し
た第２ロボット２１の第２アーム２１ａと同じ構成であ
るので、ここでの説明は省略する。第３ロボット４３の
側方（図１では上側）に露光装置３で露光処理された基
板Ｗを熱処理（加熱／冷却）する熱処理装置５０が、ま
た、第３ロボット４３を挟んで熱処理装置５０と対向す
る位置に、熱処理装置５０で熱処理された基板Ｗを待機
させておくためのバッファ用のカセットＢＦＣがそれぞ
れ設けられている。

【００１８】インターフェイス機構部４の下段には、前
記搬送経路Ｘと直交する方向に搬送経路Ｙ₂ が配備され
ている。この搬送経路Ｙ₂ に沿って第４ロボット４４が
移動自在に設けられている。第４ロボット４４は、基板
受け渡し部Ｐ₂ と後述する各テーブル４５，４６との間
で基板Ｗを搬送する。第４ロボット４４は、その上端に
基板Ｗを支持する第４アーム４４ａを備え、この第４ア
ーム４４ａは、インターフェイス機構部４の下段から上
段にわたって昇降するとともにその長手方向に伸縮し、
かつ回動自在に構成されている。

【００１９】また、インターフェイス機構部４の下段に
は、図２、図３に示すように、搬送経路Ｙ₂ を挟んで基
板現像部ＳＤと対向する位置に、露光装置３に基板Ｗを
受け渡すための露光送り用テーブル４５と、露光装置３
で露光処理された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テ
ーブル４６とがそれぞれ設けられている。各テーブル４
５，４６それぞれには、その上面から突出された複数個
の支持ピン４７があり、この支持ピン４７の上端に基板
Ｗが支持される。また、各テーブル４５，４６には、基
板センタリング機構４８が備えられている。基板センタ
リング機構４８は、支持ピン４７を挟んで対向配備され
た一対のガイド板４７ａが、それぞれ遠近移動するよう
に構成されている。各ガイド板４７ａの対向する端縁は
基板Ｗに合わせて円弧状に形成されており、各ガイド板
４７ａが接近した時に、各ガイド板４７ａが基板Ｗの外
周縁に当接して、基板Ｗを各テーブル４５，４６の中心
上に心合わせ位置決めするようになっている。

【００２０】露光装置３には、基板処理部２でレジスト
膜が形成された基板Ｗを露光処理する露光処理部Ｂと、
露光処理部Ｂと上記した各テーブル４５，４６との間で
基板Ｗを搬送する第５ロボット３０とが備えられてい
る。

【００２１】次に、熱処理装置５０の構成を、図４〜図
１０を参照して説明する。図４は熱処理装置５０の斜視
図、図５は加熱装置５１の平面図、図６は図５のＡ−Ａ
矢視断面図、図７は加熱状態を示す図５のＡ−Ａ矢視断
面図、図８は冷却装置５２の平面図、図９は図８のＢ−
Ｂ矢視断面図、図１０は冷却状態を示す図８のＢ−Ｂ矢
視断面図である。

【００２２】熱処理装置５０は、露光処理された基板Ｗ
を加熱することによりレジスト膜内の化学反応を促進さ
せる本発明の加熱手段に相当する加熱装置５１と、加熱
装置５１の下方に設けられ、加熱装置５１で加熱された
基板Ｗを冷却することにより化学反応を停止させる本発
明の冷却手段に相当する冷却装置５２とから構成されて
いる。

【００２３】加熱装置５１は、図５，図６に示すよう
に、基板支持板５３と、この基板支持板５３に埋め込ま
れたヒータ５３ａと、基板支持板５３の下方に設けら
れ、図示しない駆動機構によりその上端が上下運動をす
るベローズ５４と、ベローズ５４の上面に設けられ、基
板支持板５３に穿設された３つの貫通孔５３ｂのそれぞ
れに挿通されるピン５５とから構成されている。ベロー
ズ５４の上面がその上下運動の最上点に位置したとき、
図６に示すように、ピン５５の上端は基板支持板５３の
上面に突出し、この状態で上記した第３ロボット４３に
よって、加熱装置５１に対する基板Ｗの搬入搬出が行わ
れる。一方、ベローズ５４の上面がその上下運動の最下
点に位置したとき、図７に示すように、ピン５５の上端
は貫通孔５３ａ内に没入し、ピン５５の上端に支持され
た基板Ｗが、基板支持板５３上に移載されて加熱処理さ
れる。

【００２４】冷却装置５２は、基板支持板５６と、この
基板支持板５６の下面に取り付けられた冷却槽５７と、
冷却槽５７の下方に設けられた、図示しない駆動機構に
より昇降されるベローズ５８と、このベローズ５８の上
面に立設支持され、基板支持板５６および冷却槽５７に
穿設された３つの貫通孔５６ａ，５７ａにそれぞれ挿通
されるピン５９とから構成されている。冷却槽５７は、
冷却水で満たされる内部空洞を備え、この内部空洞に連
通接続された配管５８ａ，５８ｂを介して冷却水を供給
／排出するように構成されている。

【００２５】ベローズ５８の上面がその上下運動の最上
点に位置したとき、図９に示すように、ピン５９の上端
は基板支持板５６の上面に突出し、この状態で上記した
第３ロボット４３によって、冷却装置５２に対する基板
Ｗの搬入搬出が行われる。一方、ベローズ５８の上面が
その上下運動の最下点に位置したとき、図１０に示すよ
うに、ピン５９の上端は貫通孔５６ａ内に没入し、ピン
５９の上端に支持された基板Ｗが、基板支持板５６上に
移載されて冷却処理される。

【００２６】上記実施例においては、冷却装置５２を基
板支持板５６の下面に冷却槽を取り付ける構成とした
が、これのかわりに、例えば基板支持板５６にペルチエ
素子を埋め込む構成とすることもできる。

【００２７】次に、上述した構成を備えた基板処理装置
の動作を説明する。

【００２８】（１） まず、第１ロボット１２を搬送経
路Ｙ₁ に沿って移動させ、所定のカセットＣに対向する
ように第１アーム１２ａを設定する。その後、第１アー
ム１２ａを伸縮作動させることにより、カセットＣ内か
ら所望の基板Ｗを取り出す。基板Ｗを支持した第１ロボ
ット１２を、搬送経路Ｙ₁ に沿って移動させることによ
り、基板受け渡し位置Ｐ₁ に基板Ｗを搬送する。この位
置Ｐ₁ で第１ロボット１２から第２ロボット２１へ基板
Ｗを受け渡し、第２ロボット２１によって第１加熱部Ｈ
Ｐ₁ に基板Ｗを搬入する。第１加熱部ＨＰ₁ に搬入され
た基板Ｗは、ここで、基板表面とレジストとの密着性を
良くするためにＨＭＤＳ（Hexa MethylDi Silazan）雰
囲気下で加熱処理される。加熱後、第２ロボット２１に
より第１加熱部ＨＰ₁ から基板Ｗを取り出し、第１冷却
部ＣＰ₁ に搬入する。ここで、高温になった基板Ｗが冷
却される。

【００２９】（２） つぎに、第２ロボット２１により
第１冷却部ＣＰ₁ から基板Ｗを取り出し、スピンコータ
部ＳＣに搬入する。ここで、基板Ｗの表面にレジスト液
が滴下された後回転され、基板Ｗの表面に均一なレジス
ト膜が形成される。

【００３０】（３） つぎに、第２ロボット２１により
スピンコータ部ＳＣから基板Ｗを取り出し、第２加熱部
ＨＰ₂ に搬入する。ここで、レジスト膜が形成された基
板Ｗは乾燥される。乾燥後、第２ロボット２１により第
２加熱部ＨＰ₂ から基板Ｗを取り出し、第２冷却部ＣＰ
₂ に搬入する。ここで、高温になった基板Ｗが冷却され
る。冷却後、第２冷却部ＣＰ₂ から基板Ｗを取り出した
第２ロボット２１は、インターフェイス機構部４の基板
受け渡し部Ｐ₂ に基板Ｗを搬送する。これで、一旦基板
処理部２での処理が終わり、基板Ｗはインターフェイス
機構部４を介して露光装置３に搬送される。

【００３１】次に、インターフェイス機構部４による基
板処理部２と露光装置３との間の基板Ｗ受け渡し動作を
説明する。

【００３２】（４） まず、第４ロボット４４を搬送経
路Ｙ₂ に沿って前進させ、基板受け渡し部Ｐ₂ の支持ピ
ン４２上に支持された基板Ｗの下方に第４アーム４４ａ
を挿入する。その後、第４アーム４４ａを上昇させるこ
とにより、支持ピン４２から基板Ｗを受け取る。基板Ｗ
を支持した第４ロボット４４は、第４アーム４４ａを後
退させるとともに下降させ、インターフェイス機構部４
の下段側に基板Ｗを搬送する。つぎに、第４アーム４４
ａを露光送り用テーブル４５に対向するように回転さ
せ、停止後、第４アーム４４ａを前進させ、テーブル４
５の上方に位置した状態で、第４アーム４４ａを下降さ
せることにより、テーブル４５上の支持ピン４７上に基
板Ｗを移載する。第４アーム４４ａを後退させた後、基
板センターリング機構４８を作動させ、基板Ｗのセンタ
ーリングを行う。

【００３３】（５） つぎに、第５ロボット３０によっ
て、テーブル４５でセンターリングされた基板Ｗが受け
取られ、露光装置３の露光処理部Ｂに搬送される。ここ
で、レジストが形成された基板Ｗに、露光光が照射され
ることにより、触媒作用を持つ物質がレジスト膜内に生
成され、レジスト膜中にパターンが潜伏した状態ができ
あがる。

【００３４】（６） 露光後、第５ロボット３０によっ
て、露光済みの基板Ｗは露光戻り用テーブル４６に搬送
される。そして、第４ロボット４４を駆動させ、上記し
た逆の手順で、基板Ｗを再び基板受け渡し部Ｐ₂ に搬送
する。そして、第３ロボット４３を駆動し、基板受け渡
し部Ｐ₂ の支持ピン４２上に支持された基板Ｗの下方に
第３アーム４３ａを挿入する。その後、第３アーム４３
ａを上昇させることにより、支持ピン４２から基板Ｗを
受け取る。第３アーム４３ａを熱処理装置５０の加熱装
置５１に対向するように回転させた後、第３アーム４３
ａを前進させ、基板Ｗを加熱装置５１に搬入する。ここ
で、露光処理された基板Ｗが高温（略110 °Ｃ）に加熱
されることにより、現像液に対する溶解速度変化を引き
起こす化学反応がレジスト膜内で促進される。その後、
第３ロボット４３を駆動させ基板Ｗを冷却装置５２に搬
入する。ここで、加熱された基板Ｗが冷却されることに
より、化学反応が停止される。その後、第３ロボット４
３を駆動させ基板Ｗを基板受け渡し部Ｐ₂ に移動させ
る。

【００３５】なお、この際、基板処理部２の処理能力の
相違、あるいは基板処理部２に故障が発生したりして時
間差が生じた場合等、基板Ｗを一旦待機させる必要があ
る場合には、第３ロボット４３により基板Ｗをバッファ
用カセットＢＦＣに収納する。

【００３６】（７） 第２ロボット２１を駆動させて基
板受け渡し部Ｐ₂ から基板Ｗを受け取り、現像処理部Ｓ
Ｄに搬入する。ここで、露光処理された基板Ｗが現像処
理される。最後に、第２ロボット２１、第１ロボット１
２を介して、インデクサＩＤ上のカセットＣ内に処理済
み基板Ｗが収納される。

【００３７】以上のように、インターフェイス機構部４
上に熱処理装置５０を設け、基板処理部２側のタクトタ
イムに関係なく露光後の基板Ｗを加熱／冷却処理してい
るので、露光後の基板Ｗに対して加熱冷却の時間（レジ
スト膜の化学反応時間）を管理し易い。また、インター
フェイス機構部４上に熱処理装置５０を設けているの
で、基板処理部２に故障が発生しても露光後に基板Ｗが
室温で長時間放置されることなく、露光処理された基板
Ｗを速やかに加熱／冷却処理して、化学増幅レジストの
化学反応を完結させることができる。

【００３８】なお、上記実施例では、インデクサＩＤを
設けてその上に基板を収納するカセットＣを配備した
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、
図１に鎖線で示すように、インターフェイス機構部４の
上段の搬送経路Ｙ₂ に沿って複数個のカセットＣを設
け、ここを基板Ｗの保管部にしてもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、インターフェイス機構部上に露光後の基板を
加熱する加熱手段と、加熱手段で加熱された基板を冷却
する冷却手段とを備えたので、基板処理部側の処理時間
（タクトタイム）に関係なく露光後の基板Ｗを加熱／冷
却処理することができ、その結果、化学増幅レジストの
反応時間を精度よくコントロールすることができる。ま
た、基板処理部に故障が発生しても、化学増幅レジスト
の化学反応をインターフェイス機構部で速やかに完結す
ることができるので、露光後の基板が長時間室温にさら
されることにより、前記化学反応が不測に長くなること
もない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るインターフェイス機構部を備えた
基板処理装置の一実施例の平面図である。

【図２】インターフェイス機構部の斜視図である。

【図３】インターフェイス機構部の下段を示す平面図で
ある。

【図４】熱処理装置の斜視図である。

【図５】加熱装置の平面図である。

【図６】図５のＡ−Ａ矢視断面図である。

【図７】加熱状態を示す図５のＡ−Ａ矢視断面図であ
る。

【図８】冷却装置の平面図である。

【図９】図８のＢ−Ｂ矢視断面図である。

【図１０】冷却状態を示す図８のＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。

【図１１】従来の半導体製造装置を示した図である。

【符号の説明】

１ … 基板保管部 ２ … 基板処理部 ３ … 露光装置 ４ … インターフェイス機構部 ５０ … 熱処理装置 ５１ … 加熱装置 ５２ … 冷却装置 Ｗ … 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 正美 京都府京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日本スクリーン製造株式会社洛西工場 内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光処理された基板を、加熱処理してレ
   ジストの反応を促進し、その後に基板を現像処理する基
   板処理装置において、 基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、露光後
   の基板を現像する現像手段とを備えた基板処理部と、 前記基板処理部と装置外部との間で、基板を受け渡しす
   るインターフェイス機構部と、 前記インターフェイス機構部に設けられ、前記装置外部
   で露光された基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段
   で加熱された基板を冷却する冷却手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。