JP4749173B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、IPA雰囲気中に移動することにより、乾燥を促進することができるものの、基板の表面に形成されているパターンに倒壊が生じる恐れがあるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置における待機位置とにわたって昇降自在の保持機構と、前記処理液供給手段から供給された第1の処理液を前記処理槽内に貯留した状態で、前記処理液供給手段から供給される第1の処理液よりも小さな表面張力を有する第2の処理液を前記処理槽の底部から供給させる際に、前記処理槽内の基板の下縁に第2の処理液と第1の処理液との界面が位置するまで第1の供給流量で第2の処理液を供給させた後、第1の供給流量よりも大きい第2の供給流量で第2の処理液を供給させて第1の処理液から第2の処理液へ置換させ、第2の処理液に浸漬された基板を保持した状態の前記保持機構を前記処理位置から前記上方位置へ移動させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
処理例1について、図2を参照しつつ説明する。なお、図2(a)〜(c)は、処理例1を示す模式図である。この処理例1では、例えば、上述したSC1用の薬液を処理液として生成しつつ処理を行い、その後、溶液による洗浄処理を行ってから基板Wを引き上げる。
処理例2について、図3を参照しつつ説明する。なお、図3(a)〜(d)は、処理例2を示す模式図である。この処理例2では、例えば、上述したSC1用の薬液を処理液として生成しつつ処理を行い、その後、純水洗浄を行い、最後に溶液による洗浄処理を行ってから基板Wを引き上げる。
処理例3について、図4を参照しつつ説明する。なお、図4(a)〜(e)は、処理例3を示す模式図である。この処理例3では、例えば、上述したSC1用の薬液を処理液として生成しつつ処理を行い、その後、純水洗浄を行い、次いで溶剤洗浄を行い、最後に溶液による洗浄処理を行ってから基板Wを引き上げる。
処理例4について、図5を参照しつつ説明する。なお、図5(a)〜(e)は、処理例4を示す模式図である。この処理例4では、例えば、上述したSC1用の薬液を処理液として生成しつつ処理を行い、その後、純水洗浄を行い、次いで2種類の低表面張力溶液による二段階の洗浄処理を行ってから基板Wを引き上げる。
上記の各処理例において、第1の処理液を第2の処理液で置換する際には、以下のように流量制御を行うことが好ましい。これについて図6を参照しながら説明する。なお、図6(a)〜(d)は、流量制御の例を示す模式図である。
図7は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成図である。なお、上述した実施例1と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
但し、上述した流量制御例は、次のように行うのが好ましい。これについて図8を参照しつつ説明する。なお、図8(a)〜(d)は、流量制御の例を示す模式図である。
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 保持アーム(保持機構)
9 … アーム
11 … 支持部材
13 … 噴出管(処理液供給手段)
17 … 供給管
23 … ミキシングバルブ
41 … 排出口
47 … 制御部(制御手段)
49 … 供給ノズル(処理液供給手段)
Claims (3)
- 基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、
基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置における待機位置とにわたって昇降自在の保持機構と、
前記処理液供給手段から供給された第1の処理液を前記処理槽内に貯留した状態で、前記処理液供給手段から供給される第1の処理液よりも小さな表面張力を有する第2の処理液を前記処理槽の底部から供給させる際に、前記処理槽内の基板の下縁に第2の処理液と第1の処理液との界面が位置するまで第1の供給流量で第2の処理液を供給させた後、第1の供給流量よりも大きい第2の供給流量で第2の処理液を供給させて第1の処理液から第2の処理液へ置換させ、第2の処理液に浸漬された基板を保持した状態の前記保持機構を前記処理位置から前記上方位置へ移動させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第1の処理液は薬液であり、前記第2の処理液はハイドロフルオロエーテル(HFE)またはシリコン系界面活性剤であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記第1の処理液は純水であり、前記第2の処理液はハイドロフルオロエーテル(HFE)またはシリコン系界面活性剤であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006034006A JP4749173B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006034006A JP4749173B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007214447A JP2007214447A (ja) | 2007-08-23 |
JP4749173B2 true JP4749173B2 (ja) | 2011-08-17 |
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ID=38492595
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006034006A Expired - Fee Related JP4749173B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4749173B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4879126B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2012-02-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5179282B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-04-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4994211B2 (ja) | 2007-12-20 | 2012-08-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2009164214A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法 |
WO2010084826A1 (ja) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
KR101075200B1 (ko) | 2009-01-21 | 2011-10-19 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 실리콘 웨이퍼용 세정제, 실리콘 웨이퍼의 세정과정 중에 사용되는 발수성 세정제, 실리콘 웨이퍼 표면의 세정방법 |
JP5242508B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5284918B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-09-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050600A (ja) * | 2000-05-15 | 2002-02-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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2006
- 2006-02-10 JP JP2006034006A patent/JP4749173B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007214447A (ja) | 2007-08-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100914 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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