JP2001316871A5 - - Google Patents

Description

【書類名】 明細書
【発明の名称】 液処理方法、及び液処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液槽に収容された処理液について液面へ向けた第１の流量の流れを形成し、
被処理面を前記処理液の液面に向けた被処理基板を前記処理液に浸漬して前記処理液の液面よりも低い位置で保持し、
前記処理液について前記第１の流量より小さい第２の流量の流れを形成して前記被処理面に液処理を施すこと
を特徴とする液処理方法。
【請求項２】
前記被処理基板の前記処理液への浸漬は、前記被処理基板を略水平面内で回転させて前記処理液に浸漬するものであることを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項３】
前記被処理基板の前記処理液への浸漬は、前記被処理基板を前記処理液の液面方向に揺動させて前記処理液に浸漬するものであることを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項４】
前記被処理基板の前記処理液への浸漬は、前記被処理基板を昇降させ前記処理液の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被処理面を移動させて浸漬するものであることを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項５】
前記被処理基板の前記処理液への浸漬は、前記処理液の液面を昇降させ前記処理液の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被処理面を移動させて浸漬するものであることを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項６】
前記被処理基板の前記処理液への浸漬は、前記被処理基板の被処理面を前記処理液の液面に対して傾けた状態で昇降させて前記処理液に浸漬するものであることを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項７】
処理液を収容する処理液槽と、
前記処理液の液面上側に配設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、
前記保持機構を上下させて被処理基板を前記処理液の液面より高い第１の位置と前記処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記被処理基板の被処理面に向けて流動する処理液の流量を第１の流量とし、前記被処理基板が前記第２の位置となった後に前記第１の流量より小さい第２の流量に調節する流量調節手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項８】
前記保持機構は、前記被処理基板を略水平面内で回転させつつ前記被処理基板を保持することを特徴とする請求項７記載の液処理装置。
【請求項９】
前記保持機構は、前記被処理基板を前記処理液の液面方向に揺動させつつ前記被処理基板を保持することを特徴とする請求項７記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記保持機構は、前記被処理基板を前記処理液の液面に対して傾けつつ前記被処理基板を保持することを特徴とする請求項７記載の液処理装置。
【請求項１１】
前記保持機構は、前記被処理基板の被処理面に付着する泡を泡抜きする泡抜き孔を備えていることを特徴とする請求項８記載の液処理装置。
【請求項１２】
被処理基板に第１の液処理を施し、かつ、少なくとも金属イオンを含む第１の処理液を収容可能に構成された第１の液処理装置であって、第１の処理液を収容する処理液槽と、前記第１の処理液の液面上側に配設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、前記保持機構を上下させて前記被処理基板を前記第１の処理液の液面より高い第１の位置と前記第１の処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させる昇降機構と、前記被処理基板の被処理面に向けて流動する第１の処理液の流量を第１の流量とし、前記被処理基板が前記第２の位置となった後に前記第１の流量より小さい第２の流量に調節する流量調節手段とを有する第１の液処理装置と、
前記第１の液処理装置により液処理を施された被処理基板に対し、第２の液処理を施す第２の液処理装置と、
前記第１の液処理装置と前記第２の液処理装置との間で被処理基板を搬送可能に、かつ垂直方向に移動可能に構成された第１の搬送手段と、を備え、
前記第１の液処理装置及び前記第２の液処理装置が前記第１の搬送手段の周囲に多段に配設されていることを特徴とする液処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の液処理に係り、更に詳細には被処理基板の被処理面に液相で金属層を形成する液処理方法、液処理装置、及び液処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハ」という。）等の被処理基板の表面に金属層を形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形成するスパッタリング処理装置が用いられてきたが、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、埋め込み性の問題から液相で金属層を形成するメッキ処理装置を用いることが主流になりつつある。図２２は代表的なメッキ処理装置の概略垂直断面図である。
【０００３】
図２２に示すように、このメッキ処理装置では処理の効率上の問題からウエハＷの被メッキ面を下方に向けてウエハＷを載置する、いわゆるフェイスダウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する。即ち、ウエハホルダ２０１にウエハＷの被メッキ面を下方に向けて載置した後、ウエハホルダ２０１が下降してメッキ液槽２０２内のメッキ液の液面にウエハＷの被メッキ面を接触させてウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、フェイスダウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する場合には、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させる際にウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間に空気が入り込み、空気の泡がウエハＷの被メッキ面に付着して均一なメッキ層を形成することができないという問題がある。また、ウエハＷと電極２０３との間に電界を形成してウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成させる電解メッキ工程をフェイスダウン方式で行う場合には、メッキ液の電気分解により発生する酸素や水素のような泡がウエハＷの被メッキ面に付着して均一なメッキ層を形成することができないという問題がある。そのため、メッキ液の液面にウエハＷを接触させた状態でメッキ層を形成する工程以前或いは同時にウエハＷを回転させて泡抜きする装置が提案されている。
【０００５】
しかし、上記のような装置ではメッキ液の液面にウエハＷを接触させた状態でウエハＷを回転させて、ウエハＷをメッキ液槽２０２内に浸漬する際に形成される泡や電解メッキ工程中に発生する泡を泡抜きしているので泡にかかる圧力が低くウエハＷの被メッキ面に付着している泡が十分に泡抜きできないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記従来の問題を解決するためになされたものである。即ち、本発明は被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される泡を確実に泡抜きすることができる液処理方法、液処理装置及び液処理システムを提供することを目的とする。更に、本発明は被処理基板と液処理槽との間に電界を形成したときに発生する泡を被処理基板の被処理面から確実に泡抜きすることができる液処理方法、液処理装置、及び液処理システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に係る液処理方法は、処理液槽に収容された処理液について液面へ向けた第１の流量の流れを形成し、被処理面を処理液の液面に向けた被処理基板を処理液に浸漬して処理液の液面よりも低い位置で保持し、処理液について第１の流量より小さい第２の流量の流れを形成して被処理面に液処理を施すことを特徴とする。この態様に係る液処理方法では、被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される泡を処理液槽に収容された処理液の液面よりも低い位置で被処理基板を保持するとともに液処理を施す工程での流量よりも大きい流量で処理液を処理液槽内に供給して泡抜きを行うので、確実に泡抜きすることができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る液処理装置は、処理液を収容する処理液槽と、処理液の液面上側に配設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、保持機構を上下させて被処理基板を処理液の液面より高い第１の位置と処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させる昇降機構と、被処理基板の被処理面に向けて流動する処理液の流量を第１の流量とし、被処理基板が第２の位置となった後に第１の流量より小さい第２の流量に調節する流量調節手段と、を具備することを特徴とする。この態様に係るの液処理装置では、保持機構に保持する被処理基板を昇降させる昇降機構及び被処理基板の被処理面に向けて流動する処理液の流量を調節する流量調節手段を備えているので、被処理基板を処理液の液面より高い第１の位置と前記処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させることができるとともに処理液の流量を調節することができ、確実に泡抜きすることができる。
【０００９】
本発明の第３の態様に係る液処理システムは、被処理基板に第１の液処理を施し、かつ、少なくとも金属イオンを含む第１の処理液を収容可能に構成された第１の液処理装置であって、第１の処理液を収容する処理液槽と、第１の処理液の液面上側に配設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、保持機構を上下させて被処理基板を第１の処理液の液面より高い第１の位置と第１の処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させる昇降機構と、被処理基板の被処理面に向けて流動する第１の処理液の流量を第１の流量とし、被処理基板が第２の位置となった後に第１の流量より小さい第２の流量に調節する流量調節手段とを有する第１の液処理装置と、第１の液処理装置により液処理を施された被処理基板に対し、第２の液処理を施す第２の液処理装置と、第１の液処理装置と第２の液処理装置との間で被処理基板を搬送可能に、かつ垂直方向に移動可能に構成された第１の搬送手段と、を備え、第１の液処理装置及び第２の液処理装置が第１の搬送手段の周囲に多段に配設されていることを特徴とする。この態様の液処理システムでは、第１の液処理装置と第２の液処理装置とを多段に配設するので液処理システムにおけるフットプリントを小さくすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第一の実施の形態に係るメッキ処理システムについて説明する。図１は本実施の形態に係るメッキ処理システムの斜視図であり、図２は同メッキ処理システムの平面図であり、図３は同メッキ処理システムの正面図であり、図４は同メッキ処理システムの側面図である。図１〜図４に示すように、このメッキ処理システム１はウエハＷを出し入れしたり運搬するキャリアステーション２とウエハＷに実際に処理を施すプロセスステーション３とから構成されている。
【００１１】
キャリアステーション２はウエハＷを収容する載置台２１と載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣにアクセスしてその中に収容されたウエハＷを取り出したり、処理が完了したウエハＷを収容したりするサブアーム２２とから構成されている。キャリアカセットＣ内には複数枚、例えば２５枚のウエハＷを等間隔毎に水平に保った状態で垂直方向に収容されるようになっている。載置台２１上には図中Ｘ方向に例えば４個のキャリアカセットＣが配設されるようになっている。サブアーム２２は図２中Ｘ方向に配設されたレール上を移動するとともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち図２中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転可能な構造を備えている。このサブアーム２２は略水平面内で伸縮可能なウエハ保持部２３材を備えており、これらのウエハ保持部材２３を伸縮させることにより載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣの未処理のウエハＷをキャリアカセットＣから取り出したり、処理が完了したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納するようになっている。またこのサブアーム２２は後述するプロセスステーション３との間でも、処理前後のウエハＷを受け渡しするようになっている。
【００１２】
プロセスステーション３は図１〜図４に示すように直方体又は立方体の箱型の外観を備えており、その周囲全体は耐食性の材料、例えば樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属板などでできたハウジング３１で覆われている。プロセスステーション３の内部は図１〜図４に示すように略立方形或いは直方形の箱型の構成となっており、内部には処理空間Ｓが形成されている。処理空間Ｓは図１及び図４に示すように直方体型の処理室であり、処理空間Ｓの底部には底板３３が取り付けられている。処理空間Ｓには、複数の処理ユニット、例えば４基のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４が例えば処理空間Ｓ内の、次に説明するメインアーム３５の周囲にそれぞれ配設されている。
【００１３】
図１及び図２に示すように底板３３のほぼ中央にはウエハＷを搬送するためのメインアーム３５が配設されている。このメインアーム３５は昇降可能かつ略水平面内で回転可能になっており、更に略水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材３６を備えており、これらのウエハ保持部材３６を伸縮させることによりメインアーム３５の周囲に配設された処理ユニットに対して処理前後のウエハＷを出し入れできるようになっている。またメインアーム３５は垂直方向に移動して上段側の処理ユニットへもアクセス可能に構成されており、下段側の処理ユニットから上段側の処理ユニットへウエハＷを搬送したり、その逆に上段側の処理ユニットから下段側の処理ユニットへウエハＷを搬送するようになっている。更にこのメインアーム３５は保持したウエハＷを上下反転させる機構を備えており、一の処理ユニットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間にウエハＷを上下反転できる構造を備えている。なお、このウエハＷを反転する機能はメインアーム３５に必須の機能ではない。
【００１４】
上段側には他の処理ユニット、例えば洗浄処理ユニット１００が例えば２基キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処理ユニットＭ１、Ｍ２の上側にそれぞれ配設されている。また、例えばアニーリング処理ユニットが例えば２基キャリアステーションに遠い側、即ち前記メッキ処理メッキユニットＭ３〜Ｍ４の上側にぞれぞれ配設されている。
【００１５】
プロセスステーション３のハウジング３１のうち、キャリアステーション２に対面する位置に配設されたハウジング３１ａには、図３に示すように３つの開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。これらのうちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニットＭ１とＭ２との間に配設された中継載置台３７の位置に対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサブアーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセスステーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際には開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサブアーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材２３を伸長させて中継載置台３７上にウエハＷを置く。この中継載置台３７にメインアーム３５がウエハ保持部材３６を伸長させて中継載置台３７上に載置されたウエハＷを保持してメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内まで運ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキャリアステーション２に近い側に配設された洗浄処理ユニット１００に対応する位置に配設されており、これらの開口部Ｇ２、Ｇ３を介してサブアーム２２が処理空間Ｓ内の上段側に配設された洗浄処理ユニット１００に直接ウエハ保持部材２３を伸長させて処理が完了したウエハＷを受け取ることができるようになっている。
【００１６】
また、処理空間Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形成されており、システム外から供給された清浄なエアが処理空間Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット１００、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処理空間Ｓの底部から排気されてシステム外に排出されるようになっている。このように処理空間Ｓ内を上から下に清浄な空気を流すことにより、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４から上段側の洗浄ユニット１００の方には空気が流れないようになっている。そのため、常に洗浄処理ユニット側は洗浄な雰囲気に保たれている。更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット１００等の各処理ユニット内はシステムの処理空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気の流れは処理空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流れ、各処理ユニットからシステム外に排気される。そのため、処理ユニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散するのが防止される。
【００１７】
次に、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１について説明する。図５は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１の一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図であり、図６は同メッキ処理ユニットＭ１の概略平面図である。図５及び図６に示すように、このメッキ処理ユニットＭ１では、ユニット全体が密閉構造のハウジング４１で覆われている。このハウジング４１も樹脂等の耐食性の材料で構成されている。ハウジング４１の内部は上下２段、即ち下段に位置する第１の処理部Ａと上段に位置する第２の処理部Ｂとに分かれた構造になっている。
【００１８】
第１の処理部Ａの内部にはメッキ液槽４２が配設されている。このメッキ液槽４２は内槽４２ａと内槽４２ａの外側に内槽４２ａと同心的に配設された外槽４２ｂの２重槽から構成されている。メッキ液で内槽４２ａを満たしたときに後述するメッキ位置（Ｖ）にあるウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面よりも低くなるように内槽４２ａが固定されている。内槽４２ａは有底の略円筒形に形成されており、内槽４２ａの開口面は略水平に維持されている。内槽４２ａの内部には内槽４２ａの底面側から上面に向けてメッキ液を噴出させる噴出管４３が内槽４２ａの底面の略中心から内槽４２ａの深さ方向略中間付近まで突出している。
【００１９】
噴出管４３の周囲には例えば複数の銅球を集めて形成された略円盤状のアノードとしての電極４４が内槽４２ａと同心的に配設されており、電極４４としての銅球を例えば硫酸銅を含んだメッキ液中に溶解させることによりメッキ液中の銅イオンの減少を防止している。また、この電極４４には導線が外槽４２ｂの外部にある図示しない電源まで延設されており、この電源を投入することにより電極４４と後述するドライバ６１に設けられた凸形コンタクト６４を介してウエハＷとの間に電界を形成するようになっている。噴出管４３の端部外周と内槽４２ａとの間には内槽４２ａを上下に仕切り分ける隔膜４５が電極４４の上方に設けられており、隔膜４５で仕切られた内槽４２ａの上側（以下「内槽の上側」という。）には噴出管４３からメッキ液が供給され、隔膜４５で仕切られた内槽４２ａの下側（以下「内槽の下側」という。）には後述する循環配管４６からメッキ液が供給されるようになっている。また、この隔膜４５はイオンを透過するが、電極４４としての銅球を溶解させたときに生じる不純物及びウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する工程中に発生する例えば酸素及び水素のような泡を透過させないように構成されている。
【００２０】
また、内槽４２ａの底面の中心から偏心した位置には循環配管４６，４７が設けられており、この循環配管４６，４７の間には図示しないポンプが配設されている。このポンプを作動させて内槽４２ａの下側にメッキ液を循環させるようになっている。外槽４２ｂは、内槽４２ａと同様に有底の略円筒形に形成されており、外槽４２ｂの開口面は略水平に維持されている。外槽４２ｂの底部には排出口が２箇所設けられており、この排出口には配管４８が接続されている。この配管４８と噴出管４３との間にはポンプ４９が配設されており、このポンプ４９を作動させて内槽４２ａからオーバーフローして外槽４２ｂに溜められたメッキ液を再び内槽４２ａの上側に供給するようになっている。
【００２１】
また、ポンプ４９には図示しない制御装置が接続されている。この制御装置にはポンプ４９の作動を制御するプログラムが入力されており、ポンプ４９の作動を制御することにより噴出管４３からウエハＷの被メッキ面に向けて噴出されるメッキ液の流量を調節するようになっている。ここで、メッキ層を形成する工程でのメッキ液の流量は予め実験等で把握したメッキ層を形成するのに適した流量に設定され、泡抜きする工程でのメッキ液の流量はメッキ液の噴出によりウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間に形成された泡をウエハＷの中心から外周縁に向けて移動させるためにメッキ層を形成する工程での流量よりも大きい流量に設定されている。
【００２２】
また、配管４８にはメッキ液を収容したタンク５０がポンプ５１とバルブ５２を介して接続されており、ポンプ５１を作動させるとともにバルブ５２を開くことによりタンク５０内のメッキ液を内４２ａ槽に供給するようになっている。第２の処理部ＢにはウエハＷを保持する保持機構としてのドライバ６１がメッキ液槽４２の中心の真上に配設されている。またドライバ６１はウエハＷを保持する保持部６２と、この保持部６２ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモータ６３とから構成されている。保持部６２は１枚のウエハＷを略水平に収容可能な有底の略円筒形に形成されている。
【００２３】
図５中の一部拡大図に示すように保持部６２底面の内側上には例えば１２８等分された位置にウエハＷに電圧を印加するための凸形コンタクト６４が配設されている。この凸形コンタクト６４は図示しない電源と導線を介し電気的に接触している。凸形コンタクト６４上にはウエハＷの被メッキ面に例えばスパッタリングにより予め銅の薄膜を形成したウエハＷを載置するので、凸形コンタクト６４に印加された電圧がウエハＷの被メッキ面にも印加される。また、保持部６２の底面内側にはシール部材６５が同心的に設けられており、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面より低い位置にある後述するメッキ位置（Ｖ）で保持する際にメッキ液が保持部６２内に浸入するのを防止している。
【００２４】
さらに、保持部６２には図示しない押圧機構が備えられており、保持部６２にウエハＷを載置するとウエハＷのメッキ層を形成しない面に対して押圧するので後述するメッキ位置（Ｖ）までウエハＷを下降させてもウエハＷの被メッキ面以外の部分にメッキ液が接触するのを防止している。モータ６３は樹脂等の耐食性の材料で形成されたカバー６６で覆われており、後述するメッキ位置（Ｖ）でウエハＷを保持する際にメッキ液及び蒸発したミスト、飛散したミストがモータ６３内に浸入するのを防止している。また、モータ６３の外側容器にはドライバ６１を支持する支持梁６７が取り付けられている。支持梁６７の端はハウジング４１の内壁に対してガイドレール６８を介して昇降可能に取り付けられている。支持梁６７は更に上下方向に伸縮自在なシリンダ６９を介してハウジング４１に取り付けられており、このシリンダ６９を駆動させることにより支持梁６７に支持されたドライバ６１がガイドレール６８に沿って上下動してウエハＷを昇降させるようになっている。
【００２５】
具体的には図５に示すように、ドライバ６１の保持部６２に載置されたウエハＷは、搬送のための搬送位置（Ｉ）と、ウエハＷのメッキ形成面を洗浄処理するための洗浄位置（ＩＩ）と、凸形コンタクト６４を洗浄処理するための洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）と、後述するスピンドライを行うためのスピンドライ位置（ＩＶ）と、メッキを行なうためのメッキ位置（Ｖ）とのメッキ液槽４２の中心軸上にある主に５つの異なる高さの位置との間で昇降する。また、搬送位置（Ｉ）、洗浄位置（ＩＩ）及び洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）はメッキ液槽４２の内槽４２ａ内にメッキ液を一杯にしたときのメッキ液の液面より高い位置にあり、スピンドライ位置（ＩＶ）はメッキ液の液面と同じ高さにあり、メッキ位置（Ｖ）はメッキ液の液面より低い位置にある。ここで、例えばメッキ液の液面より高い搬送位置（Ｉ）を第１の位置とし、メッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）を第２の位置とする。
【００２６】
また、メッキ位置（Ｖ）はメッキ液の液面より低く泡が良く抜ける位置にあり、具体的には例えばメッキ液の液面から約１．０ｍｍ〜２０ｍｍの深さｄにあることが好ましい。ここで、好ましい深さｄの範囲を上記範囲としたのは、この範囲を上回るとメッキ液の噴出管４３の流速に影響され、メッキ液に流れる電流の値である電流濃度が不均一になるという問題があり、またこの範囲を下回ると内槽４２ａの開口部付近のメッキ液の流速に影響され均一にウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成することができないという問題があるからである。
【００２７】
第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間には洗浄ノズル７０及びその下側に配設された排気口７１を内蔵したセパレータ７２が配設されている。このセパレータ７２の中央には、ドライバ６１に保持されたウエハＷが第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来できるように貫通孔が設けられている。また、第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの境界にあたる部分のハウジングにはウエハＷをメッキ処理ユニットＭ１内に搬出入するゲートバルブ７３が設けられている。このゲートバルブ７３を閉じるとメッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処理空間Ｓとは隔絶された空間となるので、メッキ処理ユニットＭ１から外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防止される。また、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ２はそれぞれ別個独立に運転することができ、処理システムに対してそれぞれが着脱可能に構成されている。そのため、一つのメッキ処理ユニットを代替使用することができ、保守管理が容易に行える。
【００２８】
次にウエハＷの被メッキ面にメッキを施すメッキ処理システムについて説明する。図７は本実施の形態に係るメッキ処理システム全体のフローを示すフローチャートである。図７に示すように、電源を投入してこのメッキ処理システムを立ち上げ、ウエハＷを１ロット、例えば２５枚収容したキャリアカセットＣを図示しない搬送ロボットにより載置台２１に載置する。キャリアカセットＣが載置されると、サブアーム２２がキャリアカセットＣの前まで移動し、載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣ内にウエハ保持部材２３を差し込ませキャリアカセットＣから未処理のウエハＷを取り出す。さらにサブアーム２２が回転するとともにウエハＷを保持したウエハ保持部材２３が伸長して、開口部Ｇ１を介し第１の処理室内にある中継載置台３７上にウエハＷを一旦載置する。
【００２９】
中継載置台３７上にウエハＷが載置されると、メインアーム３５のウエハ保持部材３６が伸長して中継載置台３７の未処理のウエハＷを受け取る。未処理のウエハＷを受け取った後メインアーム３５がウエハＷの上下を反転させるとともに回転して、ウエハ保持部材３６が伸長して例えばメッキ処理ユニットＭ１内にウエハＷを搬入する（ステップ１）。
【００３０】
以下、メッキ処理ユニットＭ１のメッキ処理（ステップ２）のフローについて図８及び図９〜図１３に沿って説明する。図８は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートであり、図９〜図１２は本実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図であり、図１３は本実施の形態に係るメッキ処理工程のタイミングチャートである。中継載置台３７からウエハＷを受け取ったメインアーム３５がウエハＷの上下を反転させてメッキ処理ユニットＭ１にアクセスする。即ちメッキ処理ユニットＭ１の側壁に設けられたゲートバルブ７３が開かれて、未処理のウエハＷを保持したままウエハ保持部材３６が伸長して図９（ａ）に示すようにウエハＷを搬送位置（Ｉ）に保持する位置に待機しているドライバ６１の保持部６２にウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に向けて略水平に載置する（ステップ２（１ａ））。
【００３１】
ウエハＷが保持部６２に載置されると保持部６２に備えられた図示しない押圧機構によりウエハＷのメッキ層を形成しない面に対して押圧する。また、ウエハ保持部材３６がドライバ６１の保持部６２にウエハＷを引き渡した後、ウエハ保持部材３６が縮退してゲートバルブ７３を閉じる。なお、このときメッキ液槽４２の内槽４２ａ内にはメッキ液を一杯にさせておく。ゲートバルブ７３を閉じた後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で下降して図９（ｂ）に示すようにウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させる（ステップ２（２ａ））。
【００３２】
ここで、ウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面に接触する際にウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間には空気が入り込んでしまうので被メッキ面に均一なメッキ層を形成するには被メッキ面に付着した空気の泡を泡抜きする必要がある。そこで、さらにドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図９（ｃ）に示すように下降してウエハＷをメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）に位置させるとともに制御装置がポンプ４９の作動を制御して流量ｑ１のメッキ液が噴出管４３から供給されてウエハＷの被メッキ面に形成された泡を泡抜きする（ステップ２（３ａ））。
【００３３】
また、この流量ｑ１はウエハＷの被メッキ面に付着した泡を確実に泡抜きできる流量であり、具体的には例えば約５．０〜３０ ｌ／ｍｉｎであるのが好ましい。ここで、好ましいｑ１の範囲を上記範囲としたのは、この範囲を上回ると十分に泡抜きすることができなるので泡抜きに時間が掛かるという問題が生じるからであり、一方この範囲を下回ると電流濃度が不均一になるという問題が生じるからである。十分に泡抜きが行われた後、図９（ｄ）に示すように制御装置がポンプ４９の作動を制御して流量ｑ１より小さい流量ｑ２のメッキ液が噴出管４３から供給されるとともに電極４４と凸形コンタクト６４に接触しているウエハＷとの間に電圧が印加されてウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始する（ステップ２（４ａ））。
【００３４】
また、この流量ｑ２はウエハＷの被メッキ面に均一にメッキ層を形成することができる流量であり、具体的には例えば約１．０〜１０ ｌ／ｍｉｎであるのが好ましい。ここで、好ましいｑ２の範囲を上記範囲としたのは、この範囲を上回ると面内均一性が低下するという問題が生じるからであり、一方この範囲を下回ると再現性及び安定性が低下するという問題が生じるからである。流量ｑ２でメッキ液を供給するとともに電圧を印加してウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、図１０（ａ）に示すように電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５ａ））。即ち、噴出管４３から供給されるメッキ液の流量は、図１３に示すように泡抜き開始時期ｔ１から泡抜き終了時期ｔ２まではｑ１であり、メッキ層形成開始時期ｔ３からメッキ形成終了時期ｔ４まではｑ２である。
【００３５】
続いてポンプ５１の作動及びバルブ５２の開放で所定量のメッキ液をタンク５０に戻し、図１０（ｂ）に示すようにメッキ位置（Ｖ）がメッキ液の液面より高くなるようにメッキ液槽４２のメッキ液の液面を低下させる（ステップ２（６ａ））。
【００３６】
この状態で保持部６２がモータ６３の駆動で図１０（ｃ）に示すように略水平面内で回転してスピンドライを行いウエハＷのメッキ形成面に付着している余分なメッキ液を取り除く（ステップ２（７ａ））。
【００３７】
十分にスピンドライを行った後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１１（ａ）に示すようにウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）に上昇させる（ステップ２（８ａ））。
【００３８】
この位置で保持部６２がモータ６３の駆動で図１１（ａ）に示すように略水平面内で回転するとともにセパレータ７２に内蔵されている洗浄ノズル７０から純水をウエハＷのメッキ層形成面に向けて噴射させて、ウエハＷのメッキ層形成面を洗浄する（ステップ２（９ａ））。
【００３９】
ウエハＷのメッキ層形成面の洗浄が終了した後、ドライバ６１をその位置に維持したままウエハＷの押圧を停止して例えばウエハＷを昇降させる図示しないチャックによりウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）に上昇させる。この状態で保持部６２のみがモータ６３の駆動で図１１（ｂ）に示すように回転するとともにセパレータ７３に内蔵された洗浄ノズル７０から純水が保持部６１の凸形コンタクト６４に向けて噴射して凸形コンタクト６４を洗浄する（ステップ２（１０ａ））。
【００４０】
凸形コンタクト６４の洗浄が終了した後、図示しないチャックによりウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）に下降させて保持部６２に載置する。この状態でドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１１（ｃ）に示すようにウエハＷをメッキ位置（Ｖ）まで下降させる（ステップ２（１１ａ））。
【００４１】
更に保持部６２がモータ６３の駆動で図１１（ｄ）に示すようにウエハＷとともに回転してスピンドライを行い、洗浄された凸形コンタクト６４に付着されている水分を取り除く（ステップ２（１２ａ））。
【００４２】
その後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１２（ａ）に示すようにウエハＷを搬送位置（Ｉ）まで上昇させる（ステップ２（１３ａ））。
【００４３】
この状態でゲートバルブ７３を開きメインアーム３５のウエハ保持部材３６が伸長して保持部６２に保持されたウエハＷを受け取り、図１２（ｂ）に示すようにメッキ処理ユニットＭ１での処理が完了したウエハＷが搬出される（ステップ２（１４ａ））。
【００４４】
メッキ処理ユニットＭ１での処理が完了した後、ウエハ保持部材３６に保持されたウエハＷは必要に応じて組成の異なるメッキ液が収容された他のメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４に搬送されて、メッキ処理が行われる。同様にして次々に組成の異なるメッキ液が収容されたメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４にウエハＷが搬送されて、メッキ処理が行われる。一連のメッキ処理が終了した後、メインアーム３５のウエハＷを保持したウエハ保持部材３６が上昇して洗浄処理ユニット１００内にウエハＷを搬送し、洗浄処理が行われる（ステップ３）。
【００４５】
洗浄処理ユニット１００による洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば、アニーリング処理を行なう。このアニーリング処理はいわゆる熱盤であるサセプタ１２５上にウエハＷを所定時間載置して行う（ステップ４）。
【００４６】
アニーリングが完了すると、再びサブアーム２２がプロセスステーション３の前まで移動するとともに開口部Ｇ２又はＧ３の高さまで上昇するとともに再びメインアーム３５が処理後のウエハＷを受け取り、中継載置台３７を経由して、或いは洗浄ユニット１００内を経由してメインアーム３５からサブアーム２２へウエハＷが引き渡される（ステップ５）。その後、ウエハＷを保持したサブアーム２２は、キャリアカセットＣの高さまで下降するとともにキャリアカセットＣの前に移動してウエハ保持部材２３を伸長させて処理済のウエハＷをキャリアカセットＣ内に収容する。
【００４７】
このように、本実施の形態のメッキ処理ユニットＭ１では、メッキ液槽４２内に収容されたメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）までウエハＷを下降させるとともにメッキ層を形成する工程での流量ｑ２より大きい流量ｑ１でメッキ液を供給して泡抜きする工程を行うので、ウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間に生ずる空気の泡を確実に泡抜きすることができる。即ち、メッキ液槽４２の内に収容されたメッキ液の液面より低い位置にあるメッキ位置（Ｖ）までウエハＷを下降させるので、メッキ液の液面で泡抜きするよりも泡にかかる圧力が高くなり泡が上昇し易くなる。
【００４８】
また、メッキ層形成時の流量ｑ２より大きい流量ｑ１でメッキ液を中心に向けて供給するので、ウエハＷの中心から外周縁に向かうメッキ液の流れが速くなり、この流れに沿って泡がウエハＷの中心から半径方向外側に向かって押し流される。従って、ウエハＷをメッキ液の液面より低い位置に位置させることとメッキ液の流量を大きくすることの相乗効果によりウエハＷの被メッキ面から泡を確実に除去することができる。また、保持部６２に備えられた図示しない押圧機構によりウエハＷの被メッキ面のみメッキ液に接触させて泡抜きする工程及びメッキ層を形成する工程を行うので、被メッキ面以外の部分にメッキ液が接触することがない。また、ドライバ６１を昇降させているのでウエハＷをメッキ液の液面よりも低いメッキ位置（Ｖ）に移動させることができる。更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４と洗浄処理ユニット１００を多段に配設するのでメッキ処理システムにおけるフットプリントを小さく抑えることができる。
【００４９】
（第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する内容については説明を省略する。本実施の形態ではウエハＷを略水平面内で回転させながら泡抜きする工程及びメッキ層を形成する工程を行う構成とした。即ち、本実施の形態のメッキ処理ユニットＭ１はドライバ６１のモータ６３を駆動させることによりウエハＷが載置される保持部６２を略水平面内で回転するように構成されている。
【００５０】
以下、メッキ処理ユニットＭ１内でのメッキ処理のフローについて図１４及び図１５に沿って説明する。図１４は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートであり、図１５（ａ）及び（ｂ）は本実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理のウエハＷが搬送され、シリンダ６９の駆動で保持部６２に載置されたウエハＷがメッキ位置（Ｖ）にまで下降する（ステップ２（１ｂ）〜ステップ２（３ｂ））。
【００５１】
ウエハＷがメッキ位置（Ｖ）まで下降した後、モータ６３の駆動で図１５（ａ）に示すようにウエハＷを保持した保持部６２が略水平面内で回転して泡抜きする（ステップ２（４ｂ））。
【００５２】
十分に泡抜きした後、ウエハＷをメッキ位置に保持したまま図１５（ｂ）に示すように保持部６２が略水平面内で回転するとともにウエハＷと電極４４との間に電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始する（ステップ２（５ｂ）〜ステップ２（６ｂ））。
【００５３】
ウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、保持部６２の回転及び電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５ｂ））。
【００５４】
その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ１から搬出される（ステップ２（６ｂ）〜ステップ２（１４ｂ））。
【００５５】
このように、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１では、ウエハＷを略水平面内で回転させながら泡抜きする工程及びメッキ層を形成する工程を行うので泡がウエハＷの外周縁に沿って移動し易くなり、より効率的に泡抜きすることができる。
【００５６】
（第３の実施の形態）以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態ではウエハＷをメッキ液の液面方向に揺動させながら泡抜きする工程を行う構成とした。即ち、保持部６２は図示しない揺動機能を備えており、この揺動機能の作動で保持部６２に保持されたウエハＷがメッキ液の液面方向に揺動するように構成されている。
【００５７】
以下、メッキ処理ユニットＭ１内でのメッキ処理のフローについて図１６及び図１７に沿って説明する。図１６は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートであり、図１７（ａ）及び（ｂ）は本実施の形態に係るメッキ処理工程の模式的に示した垂直断面図である。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理のウエハＷが搬送され、シリンダ６９の駆動で保持部６２に載置されたウエハＷがメッキ位置（Ｖ）にまで下降する（ステップ２（１ｃ）〜ステップ２（２ｃ））。
【００５８】
ウエハＷがメッキ位置（Ｖ）まで下降しながら、保持部６２に備えられた図示しない揺動機能の作動で図１７（ａ）に示すようにウエハＷを保持した保持部６２がメッキ液の液面方向に揺動して泡抜きする（ステップ２（３ｃ））。
【００５９】
十分に泡抜きした後、保持部６２の揺動を停止してウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に維持して図１７（ｂ）に示すようにウエハＷを略水平に保持した状態で電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始する（ステップ２（４ｃ））。
【００６０】
ウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５ｃ））。
【００６１】
その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ１から搬出される（ステップ２（６ｃ）〜ステップ２（１４ｃ））。
【００６２】
このように、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１では、ウエハＷをメッキ液の液面方向に向けて揺動させながら泡抜きする工程を行うので泡がウエハＷの中心から外周縁に向かって移動し易くなり、より効率的に泡抜きすることができる。
【００６３】
（第４の実施の形態）以下、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態ではメッキ液の液面に対して傾けた状態でウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させて泡抜きする工程を行う構成とした。即ち、保持部６２は図示しないウエハ傾斜機能を備えており、このウエハ傾斜機構の作動で保持部６２に保持されたウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面に対して傾くように構成されている。
【００６４】
以下、メッキ処理ユニットＭ１内でのメッキ処理のフローについて図１８及び図１９に沿って説明する。図１８は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートであり、図１９（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理のウエハＷが搬送される（ステップ２（１ｄ））。
【００６５】
ウエハＷが保持部６２に載置すると、略水平に保持されていた保持部６２が保持部６２に備えられた図示しないウエハ傾斜機能の作動でメッキ液の液面に対して傾く。その状態のままドライバ６１がシリンダ６９の駆動で下降して図１９（ａ）に示すようにウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させる（ステップ２（２ｄ））。
【００６６】
このウエハＷを傾けた状態で、さらにドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図２４（ｂ）に示すようにウエハＷをメッキ位置（Ｖ）まで下降させて泡抜きする（ステップ２（３ｄ））。
【００６７】
十分に泡抜きした後、ウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に保持し、図１９（ｃ）に示すように保持部６２を略水平に保持した状態で電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始する（ステップ２（４ｄ））。
【００６８】
ウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５ｄ））。
【００６９】
その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ１から搬出される（ステップ２（６ｄ）〜ステップ２（１４ｄ））。
【００７０】
このように、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１では、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に対して傾けた状態で昇降させているので、メッキ液の液面にウエハＷの被メッキを接触させた際にウエハＷの被メッキ面に泡が形成され難くなるとともに泡が形成された場合でも泡が泡自身の浮力によりウエハＷの中心から外周縁に向かって移動し、より効率的に泡抜きすることができるという特有の効果が得られる。
【００７１】
なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記実施の形態では、ウエハＷと内槽４２ａの内部にある電極４４との間に電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成しているが、電極４４を設けないで、即ち電圧を印加しないで例えば硫酸銅を溶解した強塩基性の還元作用を有するメッキ液の液面にウエハＷの被メッキ面を接触させて還元析出反応によりウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成することも可能である。また、上記実施の形態では、ウエハＷの片面のみメッキ層を形成しているが、ウエハＷの両面にメッキ層を形成してもよい。
【００７２】
また、上記実施の形態では、保持部６２に備えられた図示しない押圧機構によりウエハＷの被メッキ面以外の部分にメッキ液の接触を防止しているが、保持部６２の概略垂直断面図である図２０に示すように被メッキ面以外の部分を完全にシールしてメッキ液の接触を防止してもよい。また、上記実施の形態では、シリンダ６９によりドライバ６１を昇降させているがウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面よりも低いメッキ位置（Ｖ）に移動させることができればメッキ液槽４２を昇降又はメッキ液を増減させてもよい。また、上記実施の形態では、メッキ処理ユニットを下段に配設した構造としたが、液相で処理を施す処理ユニットであれば、メッキ処理ユニット以外の処理ユニットの使用してもよい。
【００７３】
また、上記実施の形態では、メッキ処理ユニットＭ１がドライバ６１を１基配設しているが、メッキ処理ユニットＭ１の概略斜視図である図２１に示すようにドライバ６１を複数基配設することも可能である。ドライバ６１を複数基配設することにより一度に複数枚のウエハＷを処理することができる。また、上記実施の形態では、被処理基板としてウエハＷを使用しているが液晶用のＬＣＤガラス基板を使用することも可能である。さらに、上記第２の実施の形態では、泡抜きする工程とメッキ層を形成する工程の両方でウエハＷを回転させているが、どちらかの工程だけでウエハＷを回転させてもよい。また、上記実施の形態では、ウエハＷの回転、揺動、及び傾斜をそれぞれ単独で行っているが、例えば回転と揺動を同時に行ってもよい。またウエハＷ傾斜させた後回転又は揺動させてもよい。
【００７４】
【発明の効果】
以上、詳説したように、本発明によれば、被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される泡を処理液槽に収容された処理液の液面よりも低い位置で被処理基板を保持するとともに液処理を施す工程での流量よりも大きい流量で処理液を処理液槽内に供給して泡抜きするので、確実に泡抜きすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの平面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの正面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの側面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図である。
【図６】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの概略平面図である。
【図７】第１の実施の形態に係るメッキ処理システム全体のフローを示したフローチャートである。
【図８】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートである。
【図９】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１２】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１３】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程のタイミングチャートである。
【図１４】第２の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートである。
【図１５】第２の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１６】第３の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１７】第３の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１８】第４の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートである。
【図１９】第４の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図２０】保持部の変形例を示した概略平面図である。
【図２１】保持部の変形例を示した概略側面図である。
【図２２】従来のメッキ処理装置の概略垂直断面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、Ｓ…処理空間、Ｍ１〜Ｍ４…メッキ処理ユニット（第１の液処理装置）、３５…メインアーム（第１の搬送手段）、４２…メッキ液槽、４３…噴出管、４４…電極、４９…ポンプ、６１…ドライバ、６２…保持部、６３…モータ、６４…凸形コンタクト、６９…シリンダ、８１、８２…泡抜き孔、１００…洗浄処理ユニット（第２の液処理装置）。