TWI446423B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

A substrate processing apparatus and a substrate processing method Download PDF

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明是有關使用處理液來處理基板的基板處理裝置，特別是可減少處理液的使用量的同時，可抑止處理液的温度變動，且具有被單純化的裝置構成之基板處理裝置。
又，本發明是有關利用處理液來處理基板的基板處理方法，特別是可減少處理液的使用量的同時，可抑止處理液的温度變動之基板處理方法。
以往，具備保持一片的基板處理所保持的一片基板的處理單元亦即所謂單片式的處理單元之基板處理裝置為人所知(例如，特開11－319732號公報)。通常，在基板處理裝置中裝入複數的處理單元，可在各處理單元內並行處理基板。
通常，被保持於單片式的處理單元內之一片的基板是藉由一邊旋轉一邊供給處理液來進行處理。若利用如此單片式的處理單元，則可藉由在基板的板面上供給處理液來均一地處理一片的基板。又，可在處理單元供給複數的處理液，而使能夠對基板實施使用各種處理液的各種處理。並且，為了節省處理液，可回收處理單元內使用於基板處理的處理液。然後，所被回收的處理液可經由回收路線再度供給至處理單元內，使用於基板的處理。
可是，一般若處理液(更具體而言是藥液)的温度高，則處理液的反應會被活化，對基板的處理進行會變快。因此，會有將加熱保持於高温的處理液予以使用於基板的處理之情況。在上述回收路線也設置加熱器等，而使能夠將循環利用的處理液的温度保持於一定。
然而，在單片式的處理單元內處理一片的基板時，無法完全防止處理中之處理液的温度變動。例如，從旋轉的基板上高速被甩開的處理液的温度會降低。並且，在開始處理時，所被供給的高温處理液的熱容易被處理單元的各部吸收。而且，處理液的供給系及回收系是在複數的處理單元間共通。因此，例如，在一個的處理單元中處理基板時，一旦從該處理單元回收的處理液的温度降低，則也會引起供給至其他處理單元的處理液的温度變動。
並且，處理液是在供給至基板上時，從旋轉的基板上高速被甩開而飛散至處理單元內。再加上在變更供給至各處理單元內的處理液的種類時，為了防止相異的處理液混雜供給至基板，而必須多少廢棄處理液。因此，無法完全回收供給處理單元內的處理液。
又，處理單元除了供給處理液的供給路線及上述的回收路線以外，更具有：用以從處理單元內廢棄處理液的廢棄路線、及用以排除處理單元內的氣氛的排氣路線。該等的供給路線、回收路線、廢棄路線及排氣路線的其中幾個是必須按照所使用的處理液的種類，針對處理液的各種類來分別設置。並且，在複數的處理單元間，該等的各路線 會被連結。其結果，在包含複數個單片式的處理單元之基板處理裝置中，配管類的構成非常複雜，隨之，基板處理裝置的控制也會非常複雜。
本發明是考量該等的點而研發者，其目的是在於提供一種改良至少包含一個以上的單片式處理單元之基板處理裝置，可減少處理液的使用量的同時，可抑止處理液的温度變動，且具有被單純化的裝置構成之基板處理裝置。
又，本發明是考量該等的點而研發者，其目的是在於提供一種改良至少包含一個以上的單片式處理單元之基板處理裝置，可減少處理液的使用量的同時，可抑止處理液的温度變動之基板處理方法。
本發明的基板處理裝置，其特徵係具備：處理單元，其係保持一個的基板，處理保持後的一個基板；處理槽，其係可同時收容複數的基板，即一面循環供給用以浸漬基板而處理的處理液一面積蓄的處理槽；及搬送裝置，其係可同時搬送未滿上述處理槽的基板收容可能數量之一個以上的基板，至少將基板搬送至積蓄有上述處理液的上述處理槽內，並且，使用上述處理單元及上述處理槽的至少其中之一個來處理基板。
若根據本發明的基板處理裝置，則可在處理槽內進行 使用某處理液的處理，在處理單元內進行使用其他處理液的處理。因此，可減少使用於處理單元的處理液的種類，而使基板處理裝置的全體構成及基板處理裝置的控制單純化。而且，在處理槽內處理基板時，可藉由循環利用處理液，來減少處理液的使用量。又，在處理槽內處理基板時，可將處理槽內所被加熱的處理液的温度維持於一定的温度範圍內，大幅度抑止高温處理液的温度變動。另外，如此的基板處理裝置可更具備控制裝置，其係判斷首先將被帶入處理裝置的未處理基板搬送至處理單元及處理槽的哪個。
本發明的基板處理裝置可更具備控制裝置，其係針對藉由上述搬送裝置來同時搬送至上述處理槽的一個以上的各基板，管理在上述處理槽內之基板的處理時間。
若根據如此的基板處理裝置，則可將基板依序搬入至處理槽內，並行處理多數的基板。因此，可有效率地處理基板。
又，本發明的基板處理裝置中，上述控制裝置，係針對藉由上述搬送裝置來同時搬送至上述處理槽之一個以上的各基板計測處理經過時間，若處理經過時間到達預定的處理時間，則以該一個以上的基板能夠從上述處理槽內搬出之方式，控制上述搬送裝置。
若根據如此的基板處理裝置，則可將並行處理的各基板的處理時間形成相同，藉此，可充分抑止各基板的處理不一致，進而能夠安定地處理基板。
又，本發明的基板處理裝置中，上述搬送裝置，係可受取在上述處理槽所處理的基板，而搬送至上述處理單元。
若根據如此的基板處理裝置，則與另外設置擔任處理槽與處理單元之間的基板搬送的搬送裝置及擔任往處理槽的基板搬送的搬送裝置相較之下，可使基板處理裝置的構成及控制單純化。並且，可降低基板處理裝置的製造成本或維持成本，隨之，可價格便宜地處理基板。
又，本發明的基板處理裝置，可更具備洗滌裝置，其係將基板浸漬於積蓄的水，而洗滌處理該基板，
上述洗滌裝置，係具有分別可同時收容未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板之複數的收容部。
若根據如此的基板處理裝置，則因為可浸漬於水來洗滌處理基板，所以可迅速地洗滌處理基板。又，由於洗滌裝置具有複數的收容部，因此可將處理完成的基板依序收容至相異的收容部。若根據如此的方法，則可防止附著於往新的收容部搬送而來的基板之粒子附著至目前為止收容於收容部內進行洗滌處理的基板(粒子的轉印)。
在如此的基板處理裝置中，上述複數的收容部係分別成為彼此離間配置的個別的槽。
若根據如此的基板處理裝置，則可更確實地防止粒子的轉印。
或，在如此的基板處理裝置中，上述洗滌裝置可具有 內部設置隔開構件的槽，上述槽的內部係藉由上述隔開構件來區分成複數的收容部。
若根據如此的基板處理裝置，則可使洗滌裝置的構成單純化。並且，如此的洗滌裝置可對既存的槽施以簡易的改良來作成。
又，本發明的基板處理裝置，可更具備連接至上述洗滌裝置的控制裝置，上述控制裝置係針對各收容部設定往上述洗滌裝置的各收容部內之每單位時間的水的補給量。
若根據如此的基板處理裝置，則可按照各收容部內的狀況來變更往該收容部的水的補給量。藉此，可迅速地洗滌處理基板的同時，可減少使用於洗滌處理的水的使用量。
又，本發明的基板處理裝置中，上述搬送裝置，係可將在上述處理槽所處理的基板搬送至上述洗滌裝置，且可將在上述洗滌裝置所洗滌處理的基板搬送至上述處理單元。在如此的基板處理裝置中，上述收容部所能同時收容的基板的數量為上述搬送裝置所能同時搬送的基板的數量以上。
若根據如此的基板處理裝置，則可將從處理槽內同時搬送而來的基板予以收容於同一收容部內。若根據此方法，則可更確實地防止粒子的轉印。
又，本發明的基板處理裝置，可更具備：可動式擋板，其係設於上述處理槽的上方開口的上方；及 控制裝置，其係控制上述可動式擋板對上述處理槽的位置，上述控制裝置，係為了在上述搬送裝置與上述處理槽之間進行基板的交接，而控制上述可動式擋板，使上述處理槽內之應收容基板的位置的上方能夠開放。
若根據如此的基板處理裝置，則可抑止來自處理槽內所積蓄的處理液的放熱。
在如此的基板處理裝置中，上述可動式擋板包含可移動於上述處理槽的上述上方開口的上方之二個的板狀材，上述控制裝置係控制上述可動式擋板，而使上述二個的板狀材能夠彼此離間，藉由該二個板狀材的間隙來開放上述處理槽內之應收容基板的位置的上方。
若根據如此的基板處理裝置，則可更降低經由開口之來自處理液的放熱。在如此的基板處理裝置中，上述控制裝置可控制上述可動式擋板，而使上述二個板狀材的相對位置能夠變化，同時按照進行交接的基板的數量來使上述間隙的大小變化。
若根據如此的基板處理裝置，則可更降低經由開口之來自處理液的放熱。
又，在如此的基板處理裝置中，從上述可動式擋板突出的整流板可被設於上述開口的附近。
若根據如此的基板處理裝置，則可防止藉由處理槽周圍的氣氛的氣流來促進該氣氛與處理液的熱交換。
又，本發明的基板處理裝置中，上述處理單元、上述 處理槽及上述搬送裝置可配置於藉由隔壁來區劃的空間內，設有使上述處理單元與上述空間的外部連通之閉鎖可能的開口。
又，本發明的基板處理裝置可更具備：區劃收容上述處理單元、上述處理槽及上述搬送裝置的空間之隔壁、及配置於上述空間的外部，對上述空間內交接基板之交接裝置，且上述交接裝置可在與上述處理單元之間進行基板的交接。
又，本發明的基板處理裝置亦可更具備：區劃收容上述處理單元、上述處理槽及上述搬送裝置的空間之隔壁、及配置於上述空間的外部，對上述空間內交接基板之交接裝置，且上述處理單元是在上述空間內配置於接近上述交接裝置的隔壁的附近。如此的基板處理裝置可更具備配置於接近上述交接裝置的隔壁的附近之交接單元，在基板搬入上述空間時，上述交接裝置會將基板帶入至上述交接單元，在從上述空間搬出基板時，上述交接裝置會從上述處理單元取出基板。並且，在如此的基板處理裝置中，上述處理槽亦可配置於比上述處理單元、或上述處理單元及上述交接單元更離開交接裝置的位置。又，如此的基板處理裝置中，上述處理單元、或上述處理單元及上述交接單元亦可配置於上述處理槽與上述交接裝置之間。又，如此的基板處理裝置中，上述交接裝置可沿著上述隔壁移動，上述處理單元及上述交接單元可沿著移動路徑來排列配置於上述交接裝置。
本發明的基板處理方法，係利用具有：可保持一個基板的處理單元、及積蓄處理液的處理槽即可同時收容複數個基板的處理槽之基板處理裝置來處理基板的基板處理方法，其特徵係具備：判斷被帶入基板處理裝置的未處理基板首先是搬送至上述處理單元及上述處理槽的哪個之工程；及利用上述處理單元來處理基板的工程及將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液而進行處理的工程之其中至少一個的工程，並且，在上述處理槽內進行處理的工程包含：同時搬送未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板至積蓄有上述處理液的上述處理槽之工程；及一面將處理液循環供給至上述處理槽，一面將上述同時被搬送的一個以上的基板浸漬於上述處理槽內的處理液而進行處理之工程。
若根據本發明的基板處理方法，則可在處理槽內進行使用某處理液的處理，在處理單元內進行使用其他處理液的處理。而且，在處理槽內處理基板時，可藉由循環利用處理液，來減少處理液的使用量。又，在處理槽內處理基板時，可將處理槽內所被加熱的處理液的温度維持於一定的温度範圍內，大幅度抑止高温處理液的温度變動。又，可減少使用於處理單元的處理液的種類，使基板處理裝置的全體構成及基板處理裝置的控制單純化。
本發明的基板處理方法中，可在上述處理槽內進行處理的工程之將上述基板浸漬於處理液而進行處理的工程中，上述處理槽內之基板的處理時間，係針對藉由上述搬送裝置來同時被搬送的一個以上的各基板進行管理。
若根據如此的基板處理方法，則可將基板依序搬入至處理槽內，並行處理多數的基板。因此，可有效率地處理基板。
又，本發明的基板處理方法中，在上述處理槽的上方開口的上方設有可動式擋板，在上述處理槽內進行處理的工程更包含：為了將上述一個以上的基板搬入上述處理槽內，使上述可動式擋板移動，而令應收容上述一個以上的基板之上述處理槽內的位置的上方能夠開放之工程。
若根據如此的基板處理方法，則可大幅度抑止來自處理槽內所積蓄的處理液的放熱。
又，本發明的基板處理方法，可具備利用上述處理單元來進行處理的工程、及在上述處理槽內進行處理的工程之雙方，且利用上述處理單元來進行處理的工程，係於上述處理槽內進行處理的工程之後被實施。
在如此的基板處理方法中，利用上述處理單元來進行處理的工程可具有：藉由處理單元來保持上述處理槽內所被進行處理的一個基板之工程；對藉由上述處理單元所保持的一個基板供給水來進行 洗滌處理之工程；及使藉由上述處理單元所保持被施以上述洗滌處理的一個基板乾燥之工程。
或，在如此的基板處理方法中，利用上述處理單元來進行處理的工程係具有：藉由處理單元來保持上述處理槽內所被進行處理的一個基板之工程；供給與在上述處理槽內進行處理的工程中所被使用的處理液相異的處理液，處理藉由上述處理單元所保持的一個基板之工程；對於藉由上述處理單元所保持被施以上述處理液的處理的一個基板供給水，而進行洗滌處理之工程；及使藉由上述處理單元所保持被施以上述洗滌處理的一個基板乾燥之工程。
又，本發明的基板處理方法，可更具備：將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液內，而進行處理的工程之後實施的工程，亦即將基板浸漬於洗滌裝置中所積蓄的水內，而進行洗滌處理之工程，又，上述洗滌裝置係具有分別可同時收容未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量的基板之複數的收容部，在上述洗滌裝置內進行洗滌處理的工程係包含：往積蓄有上述水的上述洗滌裝置的上述複數的收容部中未收容有基板的其中之一的收容部搬送一個以上的基板之工程；及 在上述洗滌裝置的上述收容部內，將上述一個以上的基板浸漬於水，而進行洗滌處理之工程。
若根據如此的基板處理方法，則因為將基板浸漬於洗滌裝置內的水來洗滌處理該基板，所以可迅速地洗滌處理基板。又，由於處理完成的基板是依序收容於未收容有基板的收容部，因此可防止附著於往新的收容部搬送而來的基板之粒子附著至目前為止收容於收容部內進行洗滌處理的基板(粒子的轉印)。
在如此的基板處理方法中，可針對同時被搬送至上述處理槽內的一個以上的各基板，同時搬送至上述洗滌裝置內。
若根據如此的基板處理方法，則針對同時被搬送至處理槽的一個以上的各基板，進行往處理槽內的處理、從處理槽往洗滌裝置的搬送、及洗滌裝置內的洗滌處理。因此，被處理基板的處理及管理可單純化。又，在上述洗滌裝置內進行洗滌處理的工程中，往收容有上述基板的上述一個收容部補給的水量，可與往其他的收容部補給的水量獨立設定。
若根據如此的基板處理方法，則可按照收容部內的處理狀況來適當變更往收容部的水的補給量。因此，可迅速地洗滌處理基板的同時，可減少使用於洗滌處理的水的使用量。
又，如此的基板處理方法可具備利用上述處理單元來進行處理的工程、及在上述處理槽內進行處理的工程之雙 方，且利用上述處理單元來進行處理的工程，係於上述洗滌裝置內洗滌處理基板的工程之後被實施。
在如此的基板處理方法中，利用上述處理單元來進行處理的工程可具有：藉由處理單元來保持上述洗滌裝置內所被進行洗滌處理的一個基板之工程；使藉由上述處理單元所保持的一個基板乾燥之工程。又，在如此的基板處理方法中，利用上述處理單元來進行處理的工程可具有：藉由處理單元來保持上述洗滌裝置內所被進行洗滌處理的一個基板之工程；供給與在上述處理槽內進行處理的工程中所被使用的處理液相異的處理液，處理藉由上述處理單元所保持的一個基板之工程；對於藉由上述處理單元所保持的一個基板供給水，而進行洗滌處理之工程；及使藉由上述處理單元所保持被施以上述洗滌處理的一個基板乾燥之工程。
本發明的程式係藉由控制基板處理裝置的控制裝置來實行的程式，該基板處理裝置係具備：可保持一個基板的處理單元、及積蓄處理液的處理槽即可同時收容複數個基板的處理槽，其特徵係藉由上述控制裝置來實行，使被處理基板的處理方法實行於基板處理裝置，該被處理基板的處理方法係具備：
判斷被帶入基板處理裝置的未處理基板首先是搬送至上述處理單元及上述處理槽的哪個之工程；及利用上述處理單元來處理基板的工程及將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液而進行處理的工程之其中至少一個的工程，並且，在上述處理槽內進行處理的工程包含：同時搬送未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板至積蓄有上述處理液的上述處理槽之工程；及一面將溢出的處理液循環供給至上述處理槽，一面將上述同時被搬送的一個以上的基板浸漬於上述處理槽內的處理液而進行處理之工程。
本發明的記錄媒體係記錄有藉由控制基板處理裝置的控制裝置來實行的程式，該基板處理裝置係具備：可保持一個基板的處理單元、及積蓄處理液的處理槽即可同時收容複數個基板的處理槽，其特徵係上述程式藉由上述控制裝置來實行，使被處理基板的處理方法實行於基板處理裝置，該被處理基板的處理方法係具備：判斷被帶入基板處理裝置的未處理基板首先是搬送至上述處理單元及上述處理槽的哪個之工程；及利用上述處理單元來處理基板的工程及將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液而進行處理的工程之其中至少一個的工程，並且，在上述處理槽內進行處理的工程包含： 同時搬送未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板至積蓄有上述處理液的上述處理槽之工程；及一面將溢出的處理液循環供給至上述處理槽，一面將上述同時被搬送的一個以上的基板浸漬於上述處理槽內的處理液而進行處理之工程。
以下，參照圖面說明有關本發明之一實施形態。另外，在以下的實施形態中，是說明將本發明的基板處理裝置適用於半導體晶圓的處理裝置之例。但，本發明的基板處理裝置並非限於對半導體晶圓之處理的適用，亦可廣泛適用於基板的處理。
圖1~圖13是用以說明本發明的基板處理裝置及基板處理方法之一實施形態以及其變形例。其中圖1是表示基板處理裝置的內部構成的上面圖，圖2是表示基板處理裝置的內部構成的側面圖，圖3是表示基板處理裝置的處理槽的縱剖面圖，圖4是表示基板處理裝置的洗滌(rinse)裝置的縱剖面圖，圖5是將處理槽及洗滌裝置與可動式擋板(shutter)一起顯示的上面圖，圖6是表示處理單元的概略構成模式圖，圖7是用以說明組裝於處理單元的供給液量異常檢測器的構成模式圖。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置10是包含：載置應被處理的晶圓W及處理完成的晶圓W之載置部10a、 處理晶圓W的處理部10c、在載置部10a與處理部10c之間進行晶圓W的交接之交接部10b、及控制設於各部10a，10b，10c的裝置類的動作之控制裝置20。
在載置部10a載置有收容複數的晶圓W之載體11。在交接部10b，與載置部10a及處理部10c之間設有進行晶圓W的交接之交接裝置13。交接裝置13是具有用以保持晶圓W的一個以上的叉子13a。交接裝置13是如圖1及圖2所示，可使叉子13a移動於上下、左右及前後，且亦可以垂直軸為中心改變叉子13a的方向。藉由如此的構成，交接裝置13可將自載置部10a及處理部10c的其中一方受取的晶圓W交給載置部10a及處理部10c的其中另一方。
另外，如圖1及圖2所示，交接部10b是藉由隔壁15來從外部隔開。在交接部10b與載置部10a之間的晶圓W的交接、以及在交接部10b與處理部10c之間的晶圓W的交接是經由交接時以外閉鎖的開口(未圖示)來實施。
其次，說明有關處理部10c。如圖1及圖2所示，在處理部10c設有：區劃機器類的配置空間S之隔壁22、及設於隔壁22的上部之送風裝置24。配置空間S是藉由隔壁22來從外部隔開。並且，送風裝置24會將被清浄化的氣體予以從上方吹入所被區劃的空間S內。藉由來自該送風裝置24的送風，可在由隔壁22所區劃的空間S內形成垂直層流<Down flow>。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置10是在藉由隔壁22所區劃的空間S內具有：在與交接部10b之間進行晶圓W的交接之交接單元25、及可在藉由隔壁22所區劃的空間S內搬送晶圓W之搬送裝置30、及可同時收容數片或數十片的晶圓W積蓄處理液之處理槽40、及可收容一片以上的晶圓W積蓄純水之洗滌裝置50、及保持一個基板W處理所保持的一個基板之單片式的處理單元60。在本實施形態中，二個的交接單元25是上下重疊配置於空間S內。並且，合計四個的處理單元60是在交接單元25的兩相隣上下重疊配置於空間S內。處理槽40與洗滌裝置50是並列配置。搬送裝置30是可一次搬送未滿處理槽40的晶圓收容可能片數的片數，一片以上的晶圓W，擔任所有處理部10c內之晶圓W的搬送。以下，依序詳述有關各裝置。
另外，圖示的配置僅為例示，可適當變更。例如，圖1及圖2中二點鎖線所示，另外別項的處理裝置28亦可設置於藉由隔壁22所區劃的空間S內。
又，在此所謂的「處理液」為使用於處理的液體，含藥液及純水的概念。
首先，詳述有關交接單元25。如上述，上下排列的二個交接單元25會被設於處理部10c內。各交接單元25是經由交接時以外被閉鎖的開口25a來取得與交接部10b連通。當開口25a被開放時，上述交接裝置13的叉子13a可存取於各交接單元25內。並且，搬送裝置30可經 由交接時以外被閉鎖的別的開口25b來存取於各交接單元25的內部。然後，搬送裝置30及交接裝置13可將晶圓W交接至交接單元25內，或取出收容至交接單元25內的晶圓W。在本實施形態中，各交接單元25可收容複數的晶圓、例如二片的晶圓。
其次，詳述有關搬送裝置30。如上述，搬送裝置30可同時搬送未滿處理槽40的晶圓收容可能片數的片數，具體的例子為二片的晶圓W。然後，搬送裝置30可自交接單元25、或處理槽40、洗滌裝置50及處理單元60受取晶圓W。並且，搬送裝置30可將晶圓W交給交接單元25、或處理槽40、洗滌裝置50及處理單元60。
具體的構成，如圖1及圖2所示，搬送裝置30是具有：台座31、被連結至台座31的第1手臂(arm)32、被連結至第1手臂32的第2手臂33、被連結至第2手臂33的支撐手臂34、被支撐於支撐手臂34的第1叉子(fork)35a及第2叉子35b。第1手臂32可對台座31旋轉於水平面內。並且，第1手臂32可對台座31搖動於垂直面內。而且，第2手臂33可對第1手臂32搖動於垂直面內。支撐手臂34可對第2手臂33搖動於垂直面內。又，支撐手臂34可對第2手臂33旋轉於水平面內。第1叉子35a及第2叉子35b可分別獨立對支撐手臂34滑動。藉由如此之搬送裝置30的構成，可使第1叉子35a及第2叉子35b移動至處理部10c內的所望位置。
在本實施形態中，如圖1所示，第1叉子35a及第2 叉子35b是具有：一對的保持用手臂36，36、即被安裝於各保持用手臂36的接觸部37。一對的保持用手臂36，36可互相接近，且互相離開。並且，接觸部37具有沿著保持對象的晶圓W的外形狀之輪廓。而且，第1叉子35a及第2叉子35b是使一對的手臂36，36互相接近而令接觸部37抵接於晶圓W，藉此可夾持晶圓W。又，第1叉子35a及第2叉子35b是使一對的手臂36，36互相離開，藉此可解放所夾持的晶圓W。
如此的搬送裝置30是被連接至控制裝置20，根據來自控制裝置20的控制信號進行動作。
其次，主要參照圖1~圖3，詳述有關處理槽40。如圖1~圖3所示，處理槽40是具有大略正方體的輪廓。並且，在處理槽40形成有用以使晶圓W出入的上方開口40a。
如圖1~圖3所示，處理槽40是可使晶圓W的板面沿著垂直方向，取大略等間隔來收容數片或數十片的晶圓W。另外，處理槽40的晶圓收容可能片數是比搬送裝置30所能同時搬送的晶圓的片數更多。在處理槽40內配置有晶圓舟(boat)41。在此晶圓舟41形成有取大略等間隔來與晶圓W的外周部卡合的溝41a。藉由使晶圓舟41的溝41a與晶圓W的外周部卡合，晶圓W可在起立的狀態下被晶圓舟41支撐。又，如圖3所示，以能夠包圍處理槽40的上方開口40a之方式設有外槽(回收槽)42。外槽42可回收自處理槽40溢出的處理液。
如圖3所示，處理槽40及外槽42是被配置於處理槽用槽43內。處理槽用槽43是具有大略正方體的輪廓，且形成上方開口。並且，在處理槽用槽43的上方開口設有由板狀材所構成的一對可動式擋板80a，80b。可動式擋板80a，80b可移動於處理槽用槽43上，亦即處理槽40的上方關口40a的上方。因此，為了在搬送裝置30與處理槽40之間進行晶圓W的交接，處理槽40內之應收容晶圓W的位置或應從處理槽40內取出的晶圓W所被收容的位置之上方會被開放。另外，有關可動式擋板80a，80b的構成會在往後詳述。
處理槽40是用以將晶圓W浸漬於積蓄的處理液中，而來處理該晶圓W的槽。而且，在處理槽40中，例如可積蓄被加熱的第1藥液、例如被保持於80℃程度的硫酸水溶液。如圖3所示，在外槽42與處理槽40之間設有循環路線45。在此循環路線45中介設有泵等的處理液吐出機構46、過濾器47、及加熱器48。亦即，溢出於外槽42的處理液會藉由液體吐出機構46來通過循環路線45而再度回到處理槽40內。此時，混入處理液中的粒子等會藉由過濾器47來除去。並且，藉由加熱器48來調整流動於循環路線45內的處理液的温度，使處理槽40內的處理液的温度可被維持於預定的範圍內。若根據如此的處理液的循環供給方法，則可不使處理液消失循環再利用。但，循環路線45亦可連接至處理液源49，將適宜新的處理液供給至處理槽40。
另外，處理液吐出機構46或加熱器48等是被連接至控制裝置20，往處理槽40之處理液的供給及處理液的温度調整可藉由控制裝置20來控制。
其次，主要參照圖1、圖2及圖4，詳細說明有關洗滌裝置50。洗滌裝置50是用以將晶圓W浸漬於積蓄的純水(DIW)中，而來洗滌處理該晶圓W的裝置。
如圖1、圖2及圖4所示，洗滌裝置50是具有複數的收容部50a，其係分別可收容未滿處理槽40的晶圓收容可能片數之片數的晶圓W。在本實施形態中，洗滌裝置50是具有：用以積蓄純水的洗滌槽51、及配置於洗滌槽51內的晶圓舟52。洗滌槽51在本實施形態中是與上述處理槽40同樣構成。亦即，洗滌槽51是具有大略正方體的輪廓，且在洗滌槽51形成有晶圓W出入用的上方開口51a。並且，晶圓舟52是具有和配置於處理槽40內的晶圓舟41相同的構成。亦即，在晶圓舟52取大略等間隔形成可與晶圓W的外周部卡合的溝52a。因此、如圖1、圖2及圖4所示，洗滌槽51是可使晶圓W的板面沿著垂直方向，而收容與處理槽40的晶圓收容片數同數的晶圓W。
另一方面，在洗滌槽51內設有複數個板狀的隔開構件54。然後，洗滌槽51的內部是藉由該隔開構件54來區分成複數的收容部50a。在本實施形態中，隔開構件54可隔開洗滌槽51的內部相隣的收容部50a間。又，如圖4所示，隔開構件54是超越洗滌槽51的上方開口51a而 延伸至上方。因此，可完全防止純水從一個收容部50a流入至與該一個收容部相隣的其他收容部。另外，在本實施形態中，一個收容部50a同時可收容的晶圓片數為二片，形成與搬送裝置30同時可搬送的晶圓W的片數相同。
如圖1及圖5所示，洗滌裝置50的洗滌槽51及處理槽40是以收容於洗滌槽51的晶圓W的板面與收容於處理槽40的晶圓W的板面能夠形成平行之方式排列配置。更具體而言，一旦從處理槽40內的各晶圓W所被保持的位置偏移至與所被保持的晶圓W的板面平行的方向，則在洗滌槽51內存在應保持晶圓W的位置。
又，如圖4所示，洗滌槽51是被配置於洗滌槽用槽55內。洗滌槽用槽55是構成與上述處理槽用槽43相同。亦即，洗滌槽用槽55是具有大略正方體的輪廓，且形成上方開口。並且，洗滌槽用槽55的上方開口是與處理槽用槽43同樣，藉由板狀材所構成的一對可動式擋板80a，80b所覆蓋。然後，為了在搬送裝置30與洗滌槽51之間進行晶圓W的交接，洗滌槽51內之應收容晶圓W的位置或應從洗滌槽51內取出的晶圓W所被收容的位置之上方會被開放。
洗滌裝置50是具有連結洗滌槽51與純水源57的純水供給路線56。純水供給路線56是經由可流量控制的開閉閥56a來連接至所有的收容部50a。因此，往洗滌裝置50的收容部50a之每單位時間的純水供給量，可藉由操作對應於各收容部50a的開閉閥56a來對各收容部50a進 行設定。另外，在本實施形態中，從洗滌槽51溢出的純水會被回收至洗滌槽用槽55內，經由連接至洗滌槽用槽55的下部之排水路線58而廢棄。
另外，操作往各收容部51a的純水供給量之開閉閥56a是被連接至控制裝置20，開閉閥56a的動作可藉由控制裝置20來控制。
其次，詳述有關可動式擋板80a，80b。如圖3~圖5所示，可動式擋板80a，80b是被配置於處理槽40的上方開口40a的上方及洗滌槽51的上方開口51a的上方。如圖5所示，可動式擋板80a，80b是由沿著收容於處理槽40或洗滌槽51的晶圓W的板面，換言之，沿著處理槽40及洗滌槽51所排列的方向延伸的板狀材所構成。
可動式擋板80a，80b是藉由支撐板材82來支撐其兩端部。各可動式擋板80a，80b可沿著處理槽40及洗滌槽51內之晶圓W的配列方向來移動於支撐構件82上。一對的可動式擋板80a，80b是被連結至個別的第1驅動手段81a，81b、例如汽缸，可彼此相對移動。藉此，可使形成於一對的可動式擋板80a，80b之間的間隙(開口)88的寬度變化。
又，支撐板材82可沿著處理槽40及洗滌槽51內之晶圓W的配列方向來移動。在圖5所示的例子中，支撐構件82是被連接至馬達等的第2驅動手段83，可藉由此驅動手段83來移動。藉此，形成於一對的可動式擋板80a，80b之間的開口88可位於處理槽40內及洗滌槽51 內之應收容晶圓W的位置的上方或應從處理槽40內及洗滌槽51內取出的晶圓W所被收容的位置的上方。
另外，第1驅動手段81a，81b及第2驅動手段83是被連接至控制裝置。然後，根據第1驅動手段81a，81b的動作之一對的可動式擋板80a，80b對支撐構件82的位置、及根據第2驅動手段82的動作之一對的支撐板材82對處理槽40及洗滌槽51的位置，可藉由控制裝置20來控制。
如圖3及圖4所示，在第1可動式擋板80a之第2可動式擋板80b側的緣部設有上方突出的第1整流板86a。同樣，在第2可動式擋板80b之第1可動式擋板80a側的緣部設有上方突出的第2整流板86b。如圖3所示，往各整流板86a，86b的上方之突出量是形成與大略圓板狀構成的晶圓W的板面的直徑大略相同。
如上述，在處理部10c內，藉由來自送風裝置24的送風，形成垂直層流。整流板86a，86b是用以減少吹進處理槽40內的風量，抑止來自處理槽40內的處理液之放熱者。
其次，主要參照圖6及圖7，詳述有關單片式的處理單元60。如上述，合計四個的處理單元60會被設於處理部10c內。各處理單元60是經由交接時以外被閉鎖的開口60a來與交接部10b取得連通。當開口60a被開放時，上述交接裝置13的叉子13a可存取於各處理單元60內。並且，經由交接時以外被閉鎖的別的開口60b，搬送裝置 30可對各處理單元60的內部進行存取。然後，搬送裝置30及交接裝置13可交接晶圓W至處理單元60內，或取出收容至處理單元60內的晶圓W。
處理單元60是具有：以晶圓W的板面能夠沿著水平面之方式，保持一片的晶圓W之保持機構62、及位於被保持機構62所保持的晶圓的外方之杯子63、及對被保持機構62所保持的晶圓W的表面(上面)吐出處理液及氣體之上方噴嘴64、及支撐上方噴嘴64的手臂65、及被裝入保持機構62，對被保持機構62所保持的晶圓W的背面吐出處理液之下方噴嘴66。保持機構62可旋轉地保持晶圓W。手臂65可使上方噴嘴64移動，藉此，上方噴嘴64可沿著該晶圓W的板面來移動於被保持機構62所保持的晶圓W的上方。其結果，可經由上方噴嘴64來朝向晶圓W的板面上的所望位置吐出處理液及氣體。並且，被供給至晶圓W的處理液可隨著晶圓W的旋轉來飛散回收至杯子63。該等的保持機構62、杯子63、上方噴嘴64、手臂65、及下方噴嘴66是被配置於藉由處理單元用隔壁61所形成的處理室內。
其次，說明有關連接至處理單元60的配管類。如圖6所示，上方噴嘴64是被連接至上方供給路線68。上方供給路線68是經由上方供給閥69及連接路線70來連接至各種的處理液源及氣體源。並且，下方噴嘴66是被連接至下方供給路線71。下方供給路線71是經由下方供給閥72及連接路線70來連接至各種的處理液源及氣體源。 在本實施形態中，如圖6所示，上方供給路線68及下方供給路線71是被連接至同一處理液源及氣體源。具體而言，上方供給路線68及下方供給路線71是經由連接路線70中所含的各別配管來連接至第2藥液源、第3藥液源、純水源、及惰性氣體源。在此，從第2藥液源供給的藥液，例如可為酸系的DHF(HF/H2 O)。又，從第3藥液源供給的藥液，例如可為鹼(alkali)系的氨水。又，從惰性氣體源供給的惰性氣體可為氮。
又，如圖6所示，在回收供給至晶圓W上的處理液之杯子63連接有廢棄路線74。在廢棄路線74設有分岐閥75。廢棄路線74可藉由分岐閥75的操作來分開廢棄酸系的第2藥液、鹼系的第3藥液、及其他的液體。
在處理單元用隔壁61的頂面形成有未圖示的送風用開口。因此，在處理單元用隔壁61內，自上述送風裝置24送風的氣體會進入而來。而且，在處理單元用隔壁61的下方設有用以將處理單元用隔壁61內的氣氛予以排氣的排氣路線78。其結果，可經由排氣路線78來將處理單元用隔壁61內的氣氛予以排氣，在處理單元用隔壁61內安定形成垂直層流。在圖示的例子中，在排氣路線78介設有排氣閥79。然後，排氣路線78可藉由排氣閥79的操作，將使用酸系的第2藥液之期間的氣氛、使用鹼系的第3藥液之期間的氣氛、及其他狀況的氣氛予以分開排氣。
如上述，在本實施形態中，在高温使用的第1藥液之 處理，並非是在處理單元60，而是在處理槽40實施。因此，不必在處理單元60設置用以進行使用第1藥液的處理之配管類。藉此，可使處理單元60的構成及處理單元60的控制大幅度地單純化。
並且，連接路線70、廢棄路線74及排氣路線78是在基板處理裝置10中所含的複數個處理單元(在本實施形態中是如上述四個的處理單元)共通使用。因此，藉由省略用以進行使用第1藥液的處理之配管類，可使基板處理裝置10的構成及基板處理裝置10的控制大幅度地單純化。
另外，各閥69，72，75，79、手臂65、保持機構62、各處理液源等是被連接至控制裝置20。對處理單元20內的晶圓W之處理(具體而言，處理液的供給、氣體的供給、保持機構62之晶圓W的保持、上方噴嘴的位置等)可藉由控制裝置20來控制。
又，上述處理單元60的構成僅為例示，並非限於圖示的例子。
在本實施形態中，如圖6及圖7所示，有關連接路線70中所含的配管中的第2藥液用的配管及第3藥液用的配管，在藥液源96與供給噴嘴69，72之間，介設有用以判定經由供給路線68，71來供給至晶圓W的處理液的液量是否有異常之供給液量異常檢測器90。供給液量異常檢測器90是具有積蓄被使用於晶圓W的處理的處理液之供給瓶(bottle)91。供給瓶91為細長的容器，被支撐成沿 著鉛直方向延伸。供給瓶91是在其下面連接至連接路線70。供給液量異常檢測器90是具有被配置於供給瓶91的高度方向(鉛直方向)的相異位置之上限感測器93a、下限感測器93b、及下下限感測器93c。並且，供給液量異常檢測器90更具有配置於供給瓶91附近的促動器(actuator)95、及可藉由促動器95來沿著供給瓶91的高度方向(鉛直方向)移動支撐的液面感測器94。各感測器93a，93b，93c，94是具有判定供給瓶91內所被積蓄液體是否到達各感測器所被安裝的高度之機能。
各感測器93a，93b，93c，94是被連接至控制裝置20，各感測器的判定結果會被傳送至控制裝置20。並且，促動器95是被連接至控制裝置20，促動器95是根據來自控制裝置20的信號而動作。而且，在控制裝置20中預先記錄有關於在使用各處理液的處理中處理一片的晶圓W時所必要的處理液的液量之資訊。根據所被記錄的該資訊，控制裝置20決定液面感測器94所應被支撐的高度方向位置。具體而言，以佔據液面感測器94所被支撐的高度方向位置與下限感測器93b所被配置的高度方向位置之間的供給瓶91內的區域R1的容積要比處理一片的晶圓W時所必要的處理液的液量更少，及佔據液面感測器94所被支撐的高度方向位置與下下限感測器93c所被配置的高度方向位置之間的供給瓶91內的區域R2的容積要比處理一片的晶圓W時所必要的處理液的液量更多之方式來定位液面感測器94。
若利用如此的供給液量異常檢測器90，則可藉由確認在晶圓W的處理前事先在供給瓶91內將處理液積蓄至液面感測器94的高度，在晶圓W的處理終了時殘存於供給瓶91內的處理液的液面高度，而來判斷是否適量的處理液被供給晶圓W。具體而言，若残留處理液的液面高度位於下限感測器93b及下下限感測器93c之間，則判斷被供給適量的處理液，若比下限感測器93b高，則判斷處理液的供給量過少，若比下下限感測器93c低，則判斷處理液的供給量過多。並且，上限感測器93a是為了檢測出供給過多處理液至供給瓶91時而設置者。
市售的流量感測器有可能在液體的供給開始時及供給停止時、或氣泡混入液體內時誤作動。並且，市售的流量感測器非常高價。相對的，若利用如此的供給液量異常檢測器90，則不僅可安定地判定液體供給的異常，且價格便宜。
另外，如圖7所示，供給瓶91是在其上面被連接至氣體源97，由氣體源97供給氣體，而使供給瓶91內昇圧，藉此可自供給瓶91吐出供給瓶91內所積蓄的處理液。
其次，說明有關控制裝置20。控制裝置20是具有可讀取記錄媒體21的CPU，可控制基板處理裝置10的各構成要素的動作。在記錄媒體21中記錄有用以執行基板處理裝置10的處理之程式。控制裝置20是根據預先記錄於記錄媒體21的程式來使基板處理裝置10的各構成要素動 作，而處理晶圓W。另外，記錄媒體21可由ROM或RAM等的記憶體、硬碟、CD－ROM之類的碟狀記錄媒體、及其他公知的記錄媒體所構成。
其次，說明有關利用以上那樣構成的基板處理裝置10來處理晶圓W的方法之一例。另外，以下説明的基板處理裝置10的各構成要素的動作是依照來自控制裝置20(根據預先儲存於程式記錄媒體21的程式)的控制信號進行控制。
首先，如上述，收容複數的晶圓W之載體11會被載置於載置部11a。載體11內的晶圓W是藉由配置於交接部10b的交接裝置13來從載體11抽出，帶入至處理部10c的交接單元25內。
以下，說明對處理部10c內的晶圓W之處理方法。
首先，控制裝置20會根據記錄於記錄媒體21的程式來判斷首先將被帶入處理部10c的未處理晶圓W搬送至處理單元60及處理槽40的哪個。另外，在以下説明的例子中，如圖8所示，晶圓W是首先搬入處理槽40內。
具體而言，被收容於交接單元25內的未處理晶圓W是藉由搬送裝置30來保持，從交接單元25帶出。所被帶出的晶圓W是從水平狀態變更姿勢成垂直狀態，藉由搬送裝置20來搬入至處理槽40內。此時，搬送裝置30是藉由二個的叉子35a，35b來同時保持被收容於交接單元25內的二片晶圓W，將二片的晶圓W同時搬送至處理槽40。
在被搬入晶圓W的處理槽40內積蓄有第1藥液(例如、硫酸水溶液)。並且，液體吐出機構46及加熱器48會動作。因此，第1藥液會一邊循環於由處理槽40及外槽42以及循環路線45所形成的循環路，一邊被加熱。其結果，處理槽40內的第1藥液的温度會被保持於比室温更高之預定的範圍內。
並且，在將晶圓W搬入至處理槽40內之前，可動式擋板80a，80b會被移動，在應收容二片晶圓W的處理槽40內的位置上方，形成有用以搬入晶圓W的開口(間隙)88。亦即，藉由可動式擋板80a，80b的移動，應收容二片晶圓W的處理槽40內的位置上方會被開放。本實施形態中，藉由搬送裝置40來同時搬送的二片晶圓W是在處理槽40內被配置成相隣。具體而言，根據來自控制裝置20的信號，第1驅動手段81a，81b會使可動式擋板80a，80b相對移動於支撐板材82上，調整形成於一對可動式擋板80a，80b間的開口(間隙)88的寬度。所被形成的開口88，如圖3所示，具有被保持於搬送裝置30的二片晶圓W可通過的寬度。並且，根據來自控制裝置20的信號，藉由第2驅動手段83來使支撐板材82移動於處理槽40的上方開口40a的上方，使形成於一對可動式擋板80a，80b間的開口88能夠位於處理槽40應收容晶圓W的位置正上方。
如此一來，在被積蓄於處理槽40之高温的第1藥液(例如、硫酸水溶液)中，二片的晶圓W會同時被浸漬，開 始對二片的晶圓W進行處理(例如阻劑除去處理)。並且，搬送裝置20會根據應搬送其他的晶圓W之來自控制裝置20的信號持續動作。而且，可動式擋板80a，80b會因應其他的晶圓W往處理槽40內的搬入或從處理槽40的搬出而移動。
然後，控制裝置20會各針對藉由搬送裝置30來同時搬送而搬入處理槽40的二片晶圓計測處理經過時間。一旦晶圓W的處理經過時間達到預定的處理時間，則控制裝置20會對搬送裝置30傳送信號，而使該晶圓W能從處理槽40搬出。同時，控制裝置20也會對第1驅動手段81a，81b及第2驅動手段82傳送信號，在應搬出的二片晶圓W上方形成開口88。如以上般，完成對同時被搬入處理槽40的二片晶圓W之處理槽40的處理。
如上述，及圖3所示般，處理槽40是可一次收容搬送裝置30所能一次搬送的晶圓W的片數以上的片數的晶圓W。因此，可在對同時被搬送的二片晶圓W之處理進行於處理槽40內的期間，藉由搬送裝置30來將之後應處理的晶圓W依序帶入處理槽40內，在處理槽40內的其他區域進行處理。如此一來，可在能收容多數的晶圓W之處理槽40內，有效率地並行處理晶圓W。並且，可使並行處理的各晶圓W的處理時間形成一致，藉此可充分抑止各晶圓W的處理不一致，安定地處理晶圓W。
又，處理槽40內的第1藥液是一邊藉由加熱器48來調整由處理槽40及外槽42以及循環路線45所形成的循 環路的溫度，一邊循環。因此，雖被積蓄於處理槽40的第1藥液的量變多，但可使用同一第1藥液來依序處理多數的晶圓。結果，可減少第1藥液的使用量。
又，第1藥液是一邊循環於由處理槽40及外槽42以及循環路線45所形成的循環路，一邊藉由加熱器48來温度調整。並且，在處理槽40中積蓄有多量的第1藥液。因此，即使比第1藥液的温度更低温的晶圓W被依序搬入處理槽40內，被積蓄於處理槽40的第1藥液的温度也不會有大幅度變化的情況。
又，由於處理槽40的上方開口40a的上方設有可動式擋板80a，80b，因此可抑止來自積蓄於處理槽40內的處理液之放熱。特別是用以進行晶圓W的交接之可動式擋板80a，80b間的間隙(開口)88的寬度是對應於同時被交接的晶圓W的片數而變化。因此，可降低經由間隙88之第1藥液的放熱。並且，在鄰接於可動式擋板80a，80b的開口88之緣部突設有整流板86a，86b。因此，可抑止處理槽周圍的氣氛藉由形成於處理部10c內的垂直層流而吹進來處理槽40內，藉此可防止處理槽周圍的氣氛與處理槽40內的第1藥液的熱交換被促進。
然後，如圖8所示，從處理槽40同時取出的二片晶圓W會被收容於洗滌裝置50的洗滌槽51內。具體而言，從處理槽40搬送至洗滌裝置50的二片晶圓W是藉由搬送裝置40從處理槽40內往上方舉起至位於整流板86a，86b之間。然後，搬送裝置20是一邊維持其高度方 向位置(圖3之紙面的上下方向的位置)，一邊在與搬送對象的晶圓W的板面平行的方向上同時搬送二片的晶圓W。若二片的晶圓W到達洗滌裝置50的洗滌槽51的正上方，則搬送裝置20會使二片的晶圓W降下。藉此，二片的晶圓W會藉由搬送裝置20來同時搬入至洗滌裝置50內。此時，從處理槽40內同時被搬送而來的晶圓W會被收容於同一收容部50a內。
亦即，自處理槽40取出的晶圓W可由被保持於處理槽40內的位置來收容至相當於沿著該晶圓W的板面而偏移的位置之洗滌槽51內的位置。若利用如此的搬送方法，則不必使可動式擋板80a，80b移動，迅速進行搬送。並且，在從處理槽40的上方移動至洗滌裝置50的上方時，被保持於搬送裝置20的晶圓W是移動於一對的整流板86a，86b間。因此，可格外抑止附著於晶圓W的第1藥液的液滴或粒子藉由處理部10c內的氣流來飛散至處理部10c內。
另一方面，在被搬入晶圓W的洗滌裝置50的洗滌槽51內積蓄有純水。然後，二片的晶圓W會同時被浸漬於洗滌裝置50的收容部50a所積蓄的純水，開始對二片的晶圓W進行洗滌處理。並且，搬送裝置20會根據應搬送其他的晶圓W之來自控制裝置20的信號，持續動作。
對洗滌裝置50的收容部50適當補給純水。在本實施形態中，根據來自控制裝置20的信號，往洗滌裝置50的各收容部50a內補給之純水的每單位時間的補給量是針對 各收容部50a來設定。而且，對於收容有利用藥液來處理的晶圓W的收容部50a，是以多量的補給量來補給純水。另一方面，對於未收容有晶圓W的收容部50，是以微量的補給量來補給純水，或不補給純水。
一旦純水被補給於洗滌槽51，則純水會從洗滌槽51的上方開口51a溢出。在本實施形態中，如圖4所示，純水是由下方往洗滌槽51內補給。因此，在洗滌槽51內形成由下方往上方之純水的液流。然後，在洗滌槽51內從晶圓W除去的粒子W會被誘導至該純水的流動，而移動至上方，與純水一起溢出。溢出的粒子會與純水一起被廢棄。
因此，藉由按照收容部50a內的狀況來變更往該收容部50a的水的補給量，可迅速地洗滌處理晶圓W的同時，可減少使用於洗滌處理的純水的使用量。
另外，如上述，將洗滌槽51內區分成各收容部的隔開構件54是可在洗滌槽51的內部隔開相隣的收容部50a間。又，如圖4所示，隔開構件54是越過洗滌槽51的上方開口51a而延伸至上方。因此，可完全防止純水從一個的收容部50a往與該一個的收容部相隣的其他收容部流入。亦即，可防止在一個的收容部50a內從晶圓W除去的第1藥液或粒子流入至隣接的收容部。
因此，在一個的收容部50a洗滌處理晶圓W時，即使在處理槽40剛被處理的晶圓W搬入至相隣的收容部，還是可確實地防止在被搬入而來的晶圓W所附著的粒子 附著於目前為止洗滌處理已進行的晶圓W(粒子的轉印)。亦即，可依序搬入被施以藥液處理的晶圓W至洗滌裝置50內的各收容部50a，在各收容部50a內並行洗滌處理晶圓W。
而且，控制裝置20是與在處理槽40的處理同樣，各針對藉由搬送裝置30來同時搬送而搬入洗滌裝置50的二片晶圓計測處理經過時間。一旦晶圓W的處理經過時間到打預定的處理時間，則控制裝置20會對搬送裝置30傳送信號，而使該晶圓W能夠從洗滌裝置50搬出。同時，控制裝置20也會對第1驅動手段81a，81b及第2驅動手段82傳送信號，在應搬出的二片晶圓W的上方形成開口88。如此一來，完成對同時被搬入洗滌裝置50的二片晶圓W之洗滌裝置50的處理。
如上述，且如圖4所示般，洗滌裝置50是具有複數個可收容搬送裝置30所能一次搬送的片數的晶圓W的收容部50a。因此，可在對同時被搬送的二片晶圓W之洗滌處理進行於一個的收容部50a內的期間，藉由搬送裝置30來將之後應處理的晶圓W依序帶入其他的收容部50a內，進行洗滌處理。如此一來，可在能收容多數的晶圓W之洗滌裝置50內，有效率地並行洗滌處理晶圓W。並且，可使並行處理的各晶圓W的處理時間形成一致，藉此可充分抑止各晶圓W的處理不一致，安定地處理晶圓W。
然後，如圖8所示，從洗滌裝置50同時被取出的二 片晶圓W是由垂直狀態變更姿勢成水平狀態，搬送至處理單元60。如上述，各處理單元60可只收容一片的晶圓W。因此，被保持於搬送裝置30的二片晶圓W是依序搬入至各別的處理單元60。
在本實施形態中，如上述，四個的處理單元60會被設於處理部10c，各處理單元60內的處理是分別並行。在以下的説明中，是說明有關在一個的處理單元60內對一片的晶圓W之處理。
在本實施形態中，如圖8所示實施：藉由處理單元60來保持洗滌裝置50內所被進行洗滌處理的一片晶圓W之工程、及供給與在處理槽40內進行處理的工程中所被使用的第1藥液相異的第2藥液，處理藉由處理單元60所保持的一片晶圓W之工程、及對於藉由處理單元60所保持的一片晶圓W供給純水而來進行洗滌處理之工程、及使藉由處理單元60所保持被施以洗滌處理的一片晶圓W乾燥之工程。以下，說明有關各工程。
首先，利用搬送裝置30來搬送至處理單元60內的一片晶圓W會藉由處理單元60的保持機構62來保持。保持機構62是使具有大略圓形狀的板面之晶圓W以其板面的中心為軸心旋轉。在此動作之前或並行，對供給液量異常檢測器90的供給瓶91內供給第2藥液(例如、氟化氫水溶液)至支撐高度被預先調節的液面感測器的支撐位置為止。
然後，經由上方噴嘴64開始供給被積蓄於供給瓶91 內的第2藥液至藉由保持機構62來邊旋轉邊保持的晶圓W的表面(上面)。如此一來，第2藥液(例如、氟化氫水溶液)會從上方噴嘴64供給至一片的晶圓W，開始對一片的晶圓W進行處理(例如、氧化膜除去處理)。上方噴嘴64亦可停在對向於晶圓W的板面的中心區域之位置，對晶圓W的板面的中心區域持續供給第2藥液。此情況，被供給至晶圓W的中心區域的第2藥液會隨著晶圓W的旋轉，從晶圓W的板面的中心區域往晶圓W的板面的周緣區域自然移動，處理晶圓W的全表面。或，上方噴嘴64亦可藉由手臂65在晶圓W的上方一邊沿著晶圓W的板面移動，一邊對晶圓W的板面的中心區域與晶圓W的板面的周緣區域之間的各區域供給第2藥液。
一旦供給第2藥液的時間超過預定的時間，則停止從供給瓶91供給第2藥液至上方噴嘴64。藉此，完成利用第2藥液之晶圓W的處理。
另外，在本例中是顯示未從下方噴嘴66供給第2藥液之例，但並非限於此，亦可在由上方噴嘴64供給第2藥液的期間，從下方噴嘴66供給第2藥液至晶圓W的背面。
其次，在處理單元60內對一片的晶圓W實施洗滌處理。在此工程中，處理對象的晶圓W也是藉由保持機構62來一邊旋轉一邊被保持。
首先，操作上方供給閥69，由上方噴嘴64供給純水至一片的晶圓W。如此，開始對一片的晶圓W進行洗滌 處理。與利用第2藥液的處理同樣，上方噴嘴64亦可停止，而只對晶圓W的板面的中心區域持續供給純水，或一邊移動一邊對晶圓W的板面的中心區域與晶圓W的板面的周緣區域之間的各區域供給純水。
一旦供給純水的時間超過預定的時間，則來自上方噴嘴64的純水供給會停止，而完成利用純水之晶圓W的洗滌處理。
另外，在本例中是顯示未從下方噴嘴66供給純水之例，但並非限於此，亦可在由上方噴嘴64供給純水的期間，從下方噴嘴66供給純水至晶圓W的背面。
其次，在處理單元60內對一片的晶圓W實施乾燥處理。在此工程中，處理對象的晶圓W是藉由保持機構62來一邊高速旋轉一邊被保持。並且，操作上方供給閥69，由上方噴嘴64吐出惰性氣體至一片的晶圓W。此時，上方噴嘴64最好是一邊從晶圓W的板面的中心區域往晶圓W的板面的周緣區域移動，一邊對晶圓W的板面的各區域吐出惰性氣體。藉由如此惰性氣體的吐出及晶圓W的旋轉，晶圓W上的純水會從晶圓W的表面上吹飛至外方。
如此完成處理單元60內之晶圓W的乾燥處理。而且，藉由以上的處理，完成對處理單元60內之晶圓W的處理。然後，被配置於交接部10b的交接裝置13會經由開口60a來從處理單元60搬出處理完成的晶圓W，且再度收納於載置部10a所載置的載體11內。如以上那樣， 完成對一片的晶圓W之處理。
另外，在上述搬送裝置30的第1及第2叉子35a，35b附著有被積蓄於處理槽50內的藥液及被積蓄於洗滌槽51內的純水。亦即，若藉由搬送裝置30來保持晶圓W，則乾燥完成的晶圓W會再度附著液體。另一方面，在交接裝置13的叉子13a未有附著液體的情況，因此可在不使處理完成的晶圓W沾溼的情況下搬出。
若根據以上那樣的本實施形態，則被利用於晶圓W的處理之基板處理裝置10是在藉由隔壁22所區劃的處理部10c內具備：保持一片的晶圓W，處理所保持的一片晶圓W之處理單元60、及可同時收容複數的晶圓W之處理槽40，亦即可將晶圓W浸漬於所積蓄的處理液而來處理該晶圓W之處理槽40、及可同時搬送未滿處理槽40的晶圓收容可能片數的片數的晶圓W之搬送裝置30，亦即至少可在積蓄有處理液的處理槽40內搬入晶圓W之搬送裝置40。因此，可在處理槽40內進行使用被高温加熱的處理液(第1藥液)之處理，在處理單元60內進行使用其他的處理液之處理。所以，可減少在處理單元60所被使用的處理液種類，使基板處理裝置10的全體構成及基板處理裝置10的控制單純化，藉此可價格便宜地處理晶圓W。並且，在可收容複數的晶圓W之處理槽40內處理時，至處理液(第1藥液)不具處理能力為止，可持續使用該處理液。因此，可減少處理液(第1藥液)的使用量，藉此可價格便宜地處理晶圓W。並且，可容易使積蓄於處理 槽40內的處理液(第1藥液)的温度維持於一定的温度範圍內。因此，可大幅度抑止處理液的温度變動，藉此，可抑止各晶圓的處理不一致，而使能夠均一地處理晶圓W。
另外，本實施形態的基板處理裝置10並非限於上述的形態，亦可實施各種的變更。特別是在以上的説明中，是將本發明的基板處理裝置及基板處理方法適用於晶圓W的處理，但並非限於此，亦可適用於LCD基板或CD基板等的處理。
以下，參照圖9~圖13來説明有關其他的變形例。另外，亦可複數組合以下説明的變形例而適用。並且，在圖9~圖13中，對於和上述實施形態相同的部份賦予同樣的符號，且省略重複的詳細説明。
(變形例1)
上述的實施形態中，對於被搬送至基板處理裝置10的處理部10c而來的晶圓W，是實施使用相異的藥液之二種類的處理，但並非限於此例。
例如圖9所示，亦可對晶圓W只實施一次利用藥液的處理。另外，在圖9所示的例子中，是從上述實施形態的基板處理方法(參照圖8)省略了在處理單元60內利用第2藥液來對晶圓W實施處理的工程、及在處理單元60內利用純水來對晶圓W實施洗滌處理的工程。
或，亦可對晶圓W實施三次以上利用藥液的處理。
(變形例2)
又，上述的實施形態中，是利用洗滌裝置50來洗滌處理晶圓W，但並非限於此例。在上述的實施形態之基板處理方法中，亦可取代利用洗滌裝置50來洗滌處理晶圓W的工程，而設置利用處理單元60來洗滌處理晶圓W的工程。亦即，如圖10所示，將在處理槽40所被施以處理的晶圓W從處理槽40搬送至處理單元60。此情況，在處理單元60內會被實施：藉由處理單元60來保持處理槽40內所被進行處理的一個基板W之工程、及對於藉由處理單元60所保持的一個基板W供給純水而來進行洗滌處理之工程、及供給與在處理槽40內進行處理的工程中所被使用的處理液相異的處理液，處理藉由處理單元60所保持被施以洗滌處理的一個基板W之工程、對於藉由處理單元60所保持被施以處理液的處理的一個基板W供給純水而來進行洗滌處理之工程、及使藉由處理單元60所保持被施以洗滌處理的一個基板W乾燥之工程。
此外，只進行1次利用藥液的處理時，如圖11所示，在處理單元60內會被實施：藉由處理單元60來保持處理槽40內所被進行處理的一個基板W之工程、及對於藉由處理單元60所保持的一個基板W供給純水而來進行洗滌處理之工程、及使藉由處理單元60所保持被施以洗滌處理的一個基板W乾燥之工程。
另外，省略利用洗滌裝置50來洗滌處理晶圓W的工程時，可由基板處理裝置10省略了用以將晶圓W浸漬於 純水而來進行洗滌處理的洗滌裝置50。
(變形例3)
又，上述的實施形態中，是設有利用處理單元60來處理晶圓W的工程、及在處理槽40內處理晶圓W的工程之雙方，但並非限於此例，例如亦可只利用處理單元60來處理晶圓W。
(變形例4)
又，上述實施形態的洗滌裝置50中，隔開構件54會在洗滌槽51的內部完全隔開相隣的收容部50a間，而得以完全防止純水從一個收容部50a往與該一個收容部相隣的其他收容部流入，但並非限於此例。只要以能夠抑止純水從一個收容部50a往與該一個收容部相隣的其他收容部流入的程度來構成隔開構件54即可。即使藉由如此的隔開構件54，照樣可充分抑止上述粒子的轉印。可藉由被晶圓舟52所支撐的虛擬晶圓來構成如此的隔開構件。如此的隔開構件是價格極便宜，且可容易變更收容部50a的晶圓收容可能片數。
(變形例5)
又，上述實施形態中，洗滌裝置50是具有一個洗滌槽51，且藉由設於洗滌槽51內的隔開構件54來將洗滌槽51分割成複數的收容部50a，但並非限於此例。例如 圖12所示，洗滌裝置150亦可具有複數個能夠將基板W浸漬於積蓄的純水而來洗滌處理基板W的洗滌槽作為收容部150a。亦即，一個收容部150a作為一個槽，與其他的收容部別體形成。換言之，複數的收容部150a分別成為彼此離間配置的個別槽。若利用如此的洗滌裝置150，則可完全防止純水從一個收容部150a往與該一個收容部相隣的其他收容部流入，確實防止上述粒子的轉印。
另外，在圖12所示的例子中，洗滌裝置150是具有連結各洗滌槽151(收容部150a)與純水源157的純水供給路線156。純水供給路線156是經由可流量控制的開閉閥156a來連接至各個的收容部150a(洗滌槽150)。因此，可針對各收容部150a來設定往洗滌裝置150的收容部150a之每單位時間的純水供給量。
(變形例6)
又，上述的實施形態中，洗滌裝置50的收容部50a所能同時收容的晶圓W的片數是與搬送裝置30所能同時搬送的晶圓W的片數形成相同，但並非限於此例。例如，洗滌裝置50的收容部50a所能同時收容的晶圓W的片數亦可形成搬送裝置30所能同時搬送的晶圓W的片數以上。在如此的洗滌裝置50中，同樣可將從處理槽40內同時搬送而來的晶圓W收容於同一收容部50a內。因此，可有效地防止上述粒子的轉印。
(變形例7)
又，上述的實施形態中，各收容部50a內可收容二片的晶圓W，且在各收容部50a各二片地收容晶圓W，但並非限於此例。例如，亦可在各收容部50a收容一片的晶圓W。在各收容部50a各一片地收容晶圓W時，可確實地防止相異的晶圓W間之粒子的轉印。
在各收容部50a各一片地收容晶圓W時，可將晶圓W一片一片地搬送至處理槽40內。並且，在一片一片地搬送晶圓W時，搬送裝置30可形成只具有一個的叉子35a。在搬送裝置30只具有一個的叉子35a一片一片地搬送晶圓W時，照樣可在處理槽40內並行處理多數的晶圓W，且在洗滌裝置50內並行洗滌處理多數的晶圓W，因此其結果可在每單位時間使處理能力提升。
(變形例8)
又，上述的實施形態中，配置於處理槽40的上方開口41的上方之可動式擋板80a，80b分別形成平板狀，可在處理槽40的上方開口41的上方沿著水平面直線狀移動，但並非限於此例。例如圖13所示，可動式擋板180a，180b亦可側面視沿著弧狀的移動路徑移動。圖13所示例的可動式擋板180a，180b是具有側面視沿著可動式擋板180a，180b的移動軌跡之弧狀的輪廓。若利用如此的可動式擋板180a，180b，則可削減為了使擋板180a，180b動作所必要的空間。因此，可使基板處理裝 置10小型化。
(變形例9)
又，上述的實施形態中，是以一個的搬送裝置30來擔任處理部10a內的晶圓W的所有交接，但並非限於此。亦可按照處理部10c內的各處理裝置40，50，60的配置來設置二個以上的搬送裝置。
例如，擔任搬入晶圓W至處理單元60的搬送裝置、與擔任搬入晶圓至處理槽40的搬送裝置30亦可另外設置。又，擔任處理槽40與處理單元60之間的晶圓W搬送的搬送裝置、與擔任搬入晶圓W至處理槽40的搬送裝置30亦可另外設置。又，擔任處理槽40與洗滌裝置50之間的晶圓W搬送的搬送裝置、與擔任搬入晶圓W至處理槽40的搬送裝置30亦可另外設置。又，擔任洗滌裝置50與處理單元40之間的晶圓W搬送的搬送裝置、與搬入晶圓W至處理槽40的搬送裝置30亦可另外設置。
又，上述的實施形態中，搬送裝置30的各構成構件可彼此搖動地連結，使各構成構件相對搖動，藉此使保持晶圓W的叉子35a，35b能夠移動於各種的位置，但並非限於此，亦可採用其他公知的基板搬送裝置。例如，可採用各構成構件可彼此滑動地連結，使各構成構件相對滑動，藉此使保持晶圓W的叉子35a，35b能夠移動於各種的位置之搬送裝置。
(變形例10)
又，上述的實施形態中，是從交接部10b經由交接單元25來將晶圓W搬送至處理部10c，從處理部10c經由處理單元60來將晶圓W搬送至交接部10b，但並非限於此例。例如，論及防止液體附著於乾燥完成的晶圓W之措施，在交接部10b與處理部10c之間的所有晶圓W交接可經由交接單元25。防止液體附著於乾燥完成的晶圓W之措施，可舉有別於上述搬送裝置30另外設置用以從處理單元60往交接單元25搬送晶圓W的搬送裝置，或設置用以洗浄及乾燥搬送裝置30的叉子35a，35b之裝置等。
(變形例11)
又，上述的實施形態中，被回收於處理單元60的杯子的處理液是全部被廢棄，但並非限於此，亦可循環再利用。
10‧‧‧基板處理裝置
20‧‧‧控制裝置
21‧‧‧記錄媒體
30‧‧‧搬送裝置
40‧‧‧處理槽
50‧‧‧洗滌裝置
50a‧‧‧收容部
51‧‧‧洗滌槽
54‧‧‧隔開構件
60‧‧‧處理單元
80a，80b‧‧‧可動式擋板
86a，86b‧‧‧整流板
88‧‧‧間隙(開口)
180a，180b‧‧‧可動式擋板
150‧‧‧洗滌裝置
150a‧‧‧收容部
151‧‧‧洗滌槽
圖1是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的內部構成的上面圖。
圖2是表示圖1所示之基板處理裝置的內部構成的側面圖。
圖3是表示圖1所示之基板處理裝置的處理槽的縱剖面圖。
圖4是表示圖1所示之基板處理裝置的洗滌裝置的縱剖面圖。
圖5是將圖3所示之處理槽及圖4所示之洗滌裝置與可動式擋板一起顯示的上面圖。
圖6是表示圖1所示之基板處理裝置的單片式的處理單元的模式圖。
圖7是用以說明組裝於圖6所示之處理單元的供給液量異常檢測器的構成模式圖。
圖8是本發明之一實施形態的基板處理方法，用以說明藉由圖1所示之基板處理裝置來實施的基板處理方法的流程圖。
圖9是對應於圖8的圖，用以說明基板處理方法的變形例的流程圖。
圖10是對應於圖8的圖，用以說明基板處理方法的其他變形例的流程圖。
圖11是對應於圖8的圖，用以說明基板處理方法的另外其他變形例的流程圖。
圖12是表示洗滌裝置的變形例的縱剖面圖。
圖13是對應於圖3的圖，將可動式擋板的變形例與處理槽一起顯示的圖。
10‧‧‧基板處理裝置
10a‧‧‧載置部
10b‧‧‧交接部
10c‧‧‧處理部
11‧‧‧載體
13‧‧‧交接裝置
13a‧‧‧叉子
15‧‧‧隔壁
21‧‧‧記錄媒體
20‧‧‧控制裝置
22‧‧‧隔壁
24‧‧‧送風裝置
28‧‧‧處理裝置
30‧‧‧搬送裝置
31‧‧‧台座
32‧‧‧第1手臂
33‧‧‧第2手臂
34‧‧‧支撐手臂
35a‧‧‧第1叉子
35b‧‧‧第2叉子
60‧‧‧處理單元
60a‧‧‧開口

Claims (25)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：處理單元，其係具有：構成保持一個基板的保持機構，及構成對被保持於保持機構的基板供給處理液而處理的噴嘴；處理槽，其係可同時收容複數的基板，積蓄用以浸漬基板而處理的處理液；外槽，其係設於處理槽，構成回收從處理槽溢出的處理液；循環路線，其係設於處理槽與外槽之間，可使溢出至外槽的處理液回到處理槽；及搬送裝置，其係具有：可轉動的支撐手臂，及被支撐手臂支撐的至少二個的保持部，至少二個的保持部係可對支撐手臂互相獨立動作，各保持部係可保持一個的基板，又，上述搬送裝置係構成至少藉由二個的保持部來將未滿處理槽所能收容基板的數量，即一個以上的基板同時往處理槽內搬送於垂直方向，且至少藉由二個個保持部來將一個的基板搬送於水平方向至處理單元內，構成利用上述處理單元及上述處理槽的至少任一個來處理基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備控制裝置，其係針對藉由上述搬送裝置來同時搬送至 上述處理槽的一個以上的各基板，管理在上述處理槽內之基板的處理時間。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置，係針對藉由上述搬送裝置來同時搬送至上述處理槽之一個以上的各基板計測處理經過時間，若處理經過時間到達預定的處理時間，則以該一個以上的基板能夠從上述處理槽內搬出之方式，控制上述搬送裝置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述搬送裝置，係可受取在上述處理槽所處理的基板，而搬送至上述處理單元。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備洗滌裝置，其係將基板浸漬於積蓄的水，而洗滌處理該基板，上述洗滌裝置，係具有分別可同時收容未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板之複數的收容部。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述複數的收容部係分別成為彼此離間配置的個別的槽。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述洗滌裝置係具有內部設置隔開構件的槽，上述槽的內部係藉由上述隔開構件來區分成複數的收容部。
  8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，更具備連接至上述洗滌裝置的控制裝置， 上述控制裝置係針對各收容部設定往上述洗滌裝置的各收容部內之每單位時間的水的補給量。
  9. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述搬送裝置，係可將在上述處理槽所處理的基板搬送至上述洗滌裝置，且可將在上述洗滌裝置所洗滌處理的基板搬送至上述處理單元。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述收容部所能同時收容的基板的數量為上述搬送裝置所能同時搬送的基板的數量以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備：可動式擋板，其係設於上述處理槽的上方開口的上方；及控制裝置，其係控制上述可動式擋板對上述處理槽的位置，上述控制裝置，係為了在上述搬送裝置與上述處理槽之間進行基板的交接，而控制上述可動式擋板，使上述處理槽內之應收容基板的位置的上方能夠開放。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述可動式擋板包含可移動於上述處理槽的上述上方開口的上方之二個的板狀材，上述控制裝置係控制上述可動式擋板，而使上述二個的板狀材能夠彼此離間，藉由該二個板狀材的間隙來開放上述處理槽內之應收容基板的位置的上方。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係控制上述可動式擋板，而使上述二個板狀材的相對位置能夠變化，同時按照進行交接的基板的數量來使上述間隙的大小變化。
  14. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，從上述可動式擋板突出的整流板會被設於上述開口的附近。
  15. 一種基板處理方法，係利用具有：可保持一個基板的處理單元、及積蓄處理液的處理槽即可同時收容複數個基板的處理槽之基板處理裝置來處理基板的基板處理方法，其特徵係具備：判斷被帶入基板處理裝置的未處理基板首先是搬送至上述處理單元及上述處理槽的哪個之工程；及利用上述處理單元來處理基板的工程及將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液而進行處理的工程之其中至少一個的工程，並且，在上述處理槽內進行處理的工程包含：同時搬送未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量之一個以上的基板至積蓄有上述處理液的上述處理槽之工程；及一面將處理液循環供給至上述處理槽，一面將上述同時被搬送的一個以上的基板浸漬於上述處理槽內的處理液而進行處理之工程。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其 中，在上述處理槽內進行處理的工程之將上述基板浸漬於處理液而進行處理的工程中，上述處理槽內之基板的處理時間，係針對藉由上述搬送裝置來同時被搬送的一個以上的各基板進行管理。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，在上述處理槽的上方開口的上方設有可動式擋板，在上述處理槽內進行處理的工程更包含：為了將上述一個以上的基板搬入上述處理槽內，使上述可動式擋板移動，而令應收容上述一個以上的基板之上述處理槽內的位置的上方能夠開放之工程。
  18. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，具備利用上述處理單元來進行處理的工程、及在上述處理槽內進行處理的工程之雙方，利用上述處理單元來進行處理的工程，係於上述處理槽內進行處理的工程之後被實施。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理方法，其中，利用上述處理單元來進行處理的工程係具有：藉由處理單元來保持上述處理槽內所被進行處理的一個基板之工程；供給與在上述處理槽內進行處理的工程中所被使用的處理液相異的處理液，處理藉由上述處理單元所保持的一個基板之工程；對於藉由上述處理單元所保持被施以上述處理液的處理的一個基板供給水，而進行洗滌處理之工程；及 使藉由上述處理單元所保持被施以上述洗滌處理的一個基板乾燥之工程。
  20. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，更具備：將基板浸漬於上述處理槽內所積蓄的處理液內，而進行處理的工程之後實施的工程，亦即將基板浸漬於洗滌裝置中所積蓄的水內，而進行洗滌處理之工程，又，上述洗滌裝置係具有分別可同時收容未滿上述處理槽的基板收容可能數量的數量的基板之複數的收容部，在上述洗滌裝置內進行洗滌處理的工程係包含：往積蓄有上述水的上述洗滌裝置的上述複數的收容部中未收容有基板的其中之一的收容部搬送一個以上的基板之工程；及在上述洗滌裝置的上述收容部內，將上述一個以上的基板浸漬於水，而進行洗滌處理之工程。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，針對同時被搬送至上述處理槽內的一個以上的各基板，同時搬送至上述洗滌裝置內。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理方法，其中，在上述洗滌裝置內進行洗滌處理的工程中，往收容有上述基板的上述一個收容部補給的水量，係與往其他的收容部補給的水量獨立設定。
  23. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，具備利用上述處理單元來進行處理的工程、及在上述處理槽內進行處理的工程之雙方， 利用上述處理單元來進行處理的工程，係於上述洗滌裝置內洗滌處理基板的工程之後被實施。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板處理方法，其中，利用上述處理單元來進行處理的工程係具有：藉由處理單元來保持上述洗滌裝置內所被進行洗滌處理的一個基板之工程；使藉由上述處理單元所保持的一個基板乾燥之工程。
  25. 如申請專利範圍第23項之基板處理方法，其中，利用上述處理單元來進行處理的工程係具有：藉由處理單元來保持上述洗滌裝置內所被進行洗滌處理的一個基板之工程；供給與在上述處理槽內進行處理的工程中所被使用的處理液相異的處理液，處理藉由上述處理單元所保持的一個基板之工程；對於藉由上述處理單元所保持的一個基板供給水，而進行洗滌處理之工程；及使藉由上述處理單元所保持被施以上述洗滌處理的一個基板乾燥之工程。
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