JPH0210728A - 半導体ウエハのウエット処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体ウェハに対してエツチング。

レジスト除去等の化学処理や洗浄を順次自動的に施すウ
ェット処理装置に関する。

〈従来の技術〉 第５図は従来のウェット処理装置の断面概略図、第６図
は同側断面概略図である。

図で示す様に装置全体は、筐体ｌ内に収納され、筐体ｌ
の前板１ａはメンテナンスを行う際に開閉し得る様に透
明引戸構造とされている。

そしてこのウェット処理装置には、ローダ部２と、処理
槽部３と、乾燥部４と、アンローダ部５とが配列される
とともに、これら各部２〜５の後方に、隔壁６で仕切っ
た状態で搬送ロボットである搬送装置７が設けられてい
る。更に天井部分には、送風ファンや１−ＩＥＰＡフィ
ルタを内蔵したクリーンユニット８が設けられ、又上記
搬送装置７の下方には排気ダクト９が配設されている。

上記処理槽部３には、硫酸通水、塩酸過水。

フッ酸、リン酸、硝酸等の各種薬液及び洗浄用の純水を
貯留させた複数の処理槽ｌＯが一列に並べられている。

上記隔壁６には、搬送装置７のアーム７ａがローダ部２
とアンローダ部５間で横移動し得る様に、丘つ所定位置
て上下動し得る様に切欠き６ａか設けられている。

１−記構成において、半導体ウェハを複数枚収納したウ
ェハキャリヤＣは、ロータ部２に位置決めされた状態て
載置された後、搬送装置７のアーム７ａの先端て把持さ
れて処理槽部３へ搬送され、アーム７ａが横移動すると
ともに上下動することにより処理槽部３の各処理槽１０
に対するウェハキャリヤＣの投入、引上げが順次行われ
る。これにより、クエハキャリャＣ内の半導体ウェハに
対する各種薬液及び純水によるエツチング、レジスト除
去等の化学処理及び洗油が自動的に施される。

そしてウェハキャリヤＣは、スピン乾燥機等を備えた乾
燥部４で乾燥された後、アンローダ部５から筐体ｌ外へ
搬出される。

又り記クリーンユニット８からクリーンエアな送出する
とともに排気ダクト９から一定吸気する所謂ド方排気構
造とすることにより、塵埃等を除去するとともに、薬液
雰囲気つまり薬液からの発煙や蒸気を排気して処理槽部
３内を清浄な状態に保っている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし上記構成のウェット処理装置では、一つの処理槽
ｌＯからウェハキャリヤＣを引上げた際、そのウェハキ
ャリヤＣに付着した薬液から発散する薬液雰囲気がクリ
ーンユニット８からのクリーンエアによって拡散して、
他の処理槽１０内の薬液や純水に悪影響を及ぼし、更に
は搬送装置７の金属部分を腐食させるといった問題かあ
った。

（課題を解決するための手段〉 本発明は上記問題点を解決すべく提案された半導体ウェ
ハのウェット処理装置で、ノズルと雰囲気ダクトとを、
複数の処理槽を挟んで対向させた状態で設けることによ
り、該ノズルから雰囲気ダクトへ流れる気流を、搬送装
置により引上げられたウェハキャリヤに対応させて形成
したことを特徴とするものである。

く作用〉 上記構成によれば、処理槽から引上げられたウェハキャ
リヤは、ノズルから雰囲気ダクトへ流れる気流中に置か
れた状態となり、よってウェハキャリヤに付着した薬液
から発散する薬液雰囲気は、Ｌ記気流と共に雰囲気ダク
トへ流入して排気される。

〈実施例〉 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。

第１図は、本発明のウェット処理装置の要部斜視概略図
である。尚第１図において、第５図及び第６図で示した
従来例と相違ない構成要素については、同一の符号を付
して説明を省略する。

図で示す様に本発明のウェット処理装置では、ノズル１
１と角型の雰囲気ダクト１２とが、処理槽部３の複数の
処理槽ｌＯを挟んで対向した状態で設けられている。

ノズル１１は、隔壁６に略水平に固設された給気配管１
３に、各処理槽ＩＯに例えば四個ずつ対応させて設けら
れている。又ノズル１１の高さ、つまり給気配管１３を
設置する高さは、ウェハキャリヤＣの−Ｌ昇位置、つま
り搬送装置７のアーム７ａにより処理槽ｌＯから引上げ
られて横移動されるウェハキャリヤＣの高さとほぼ同じ
に設定されている。

そしてノズル１１からは、処理槽ｌＯ内の薬液や純水に
悪影響を及ぼさない気体、例えば窒素ガスが前方へ向け
て噴射される。しかも各ノズル１１に電磁弁（図示せず
）等を連結して開閉を制御することにより、後述の如く
ウェハキャリヤＣを引上げた処理槽１０に対応する四個
のノズル１１からたけ窒素ガスが噴射される。

一方雰囲気ダクト１２は、第１図と、第２図の断面概略
図、及び第３図の第２図におけるＡ−Ａ線矢視断面概略
図で示す様に、処理槽ｌＯと筐体ｌの前板１ａ間に略水
平に配設された角型のトンネルダクト１４の上面に横移
動可能に取付けられている。即ちトンネルダクト１４の
上面は、このトンネルダクト１４内の両端に設けられた
二つのローラ１５、１６に巻掛けられたベルト１７で構
成されており、雰囲気ダクト１２はこのベルト１７に、
トンネルタクト１４と連通した状態で固定されている。

そして一方のローラ１６に連結された駆動源１８を作動
させることにより、ベルト１７か走行して、雰囲気ダク
ト１２は処理槽ｌＯの設置された全範囲で横移動し得る
。しかも駆動源１８を制御することにより、後述の如く
搬送装置７によるウェハキャリヤＣの移動に伴ってその
ウェハキャリヤＣと常に同一位置にある様に移動される
。

上記トンネルダクト１４は、その一端が後方へ延長され
て、固設された排気ダクト９に取外し可能に連結されて
いる。従って雰囲気ダクト１２から一定吸気が為される
とともに、メンテナンスを行う際には、雰囲気ダクト１
２と共にトンネルダクト１４を取外すことかできる。

第４図の概略図で示す様に、上記雰囲気ダクト１２の開
口部１２ａには、ブラインド１９が取付けられ、雰囲気
ダクト１２の側部に設けられたツマミ２０を回転させる
ことにより開口部１２ａの開口面積を変えることかでき
る。しかもこのブラインド１９の隙間１９ａを、開口部
１２ａの下端で最も狭く、上部はど広くなる様に調整す
れば、開口部１２ａの全域から均一な流量て吸気させる
ことがてきる。これは、トンネルタクト１４に近い開口
部１２ａの下部はど吸気流量か多い為である。

又上記雰囲気ダクト１２の大きさと配置は、開口部１２
ａの幅が一つの処理槽１０の幅とほぼ同一、開口部１２
ａの下端が処理槽ｌＯの上縁とほぼ同一、開口部１２ａ
の上端か上昇位置にあるウェハキャリヤＣの上方的１０
ｃｍとなる様に設定されている。

更に上記雰囲気ダクト１２．トンネルダクト１４゜ベル
ト１７の材質は、高温処理の行われる処理槽１０に近接
することから耐熱性を考慮するとともに、耐摩耗性を考
慮して選定される。例えば、雰囲気ダクト１２は厚さ３
ｍｍの耐熱性ポリ塩化ビニールで形成され、又トンネル
ダクト１４は５〜１０ｍｍ厚の耐熱性ポリ塩化ビニール
で、ベルト１７は５■厚のフッ素樹脂で夫々形成される
。

上記構成のウェット処理装置において、複数の半導体ウ
ェハＷを収納したウェハキャリヤＣは、二個−緒に搬送
装置７のアーム７ａで把持されて横移動され、各処理槽
ｌＯへ順次搬送される。モして上下動により各処理槽ｌ
Ｏに対して投入、引上げが行われ、ウェハキャリヤＣ内
の半導体ウェハＷに対する各種薬液及び純水によるエツ
チング、レジスト除去等の化学処理及び洗浄が自動的に
施される。この動作においてアーム７ａは、一つの処理
槽ｌＯからウェハキャリヤＣを引上げると、上昇位置で
一秒程度停止する。

ウェハキャリヤＣが移動した位置には雰囲気ダクト１２
が移動しており、そのウェハキャリヤＣが上昇位置で停
止した際に、対応する四個のノズル１１から窒素ガスが
噴射されることにより、雰囲気ダクト１２への気流２１
が形成される。即ちこの気流２１は、処理槽ｌＯから引
上げられたウェハキャリヤＣに対応して形成されること
になり、ウェハキャリヤＣはこの気流２１中に置かれた
状態となる。

従ってウェハキャリヤＣに付着した薬液から発散する薬
液雰囲気は、上記気流２１と共に雰囲気ダクト１２へ流
入して排気される為、ウェット処理装置内に拡散するこ
とはない。しかも引上げられたウェハキャリヤＣに対応
させて狭い範囲にのみ気流２１を形成させる為、処理槽
部３内に流れる既存のクリーンエアな乱すことがない。

又トンネルダクト１４とベルト１７との摩擦により粉塵
が発生したとしても、トンネルダクト１４内へ吸引され
て排気される為、ウェット処理装置内に拡散することは
ない。

（発明の効果〉 以上述べた様に本発明によれば、ウェハキャリヤに付着
した薬液から発散する薬液雰囲気が他の処理槽内の薬液
や純水に悪影響を及ぼしたり、搬送装置の金属部分を腐
食させるといったことが防止され、よって信頼性の高い
ウェット処理装置が実現される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のウェット処理装置の要部斜視概略図
、 第２図は、雰囲気ダクトの取付は状態を示す断面概略図
、 第３図は、第２図のＡ−Ａ線矢視断面概略図。 第４図は、雰囲気ダクトの開口部を示す概略図。 第５図は、従来例を示す断面概略図、 第６図は、同側断面概略図である。 ７・・・搬送装置、　　１０・・・処理槽、１１・・・
ノズル。 １２・・・雰囲気ダクト、２１川気流。 Ｃ・・・ウェハキャリヤ、Ｗ・・・半導体ウェハ。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 代理人　　　　　　　弁理士　船　橘　國　則第６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 薬液を貯留した複数の処理槽と、搬送装置とを備え、該
   搬送装置により半導体ウェハ入りのウェハキャリヤを前
   記複数の処理槽へ順次搬送して投入、引上げを行い、前
   記半導体ウェハに化学処理を施すウェット処理装置にお
   いて、 ノズルと雰囲気ダクトとを、前記複数の処理槽を挟んで
   対向させた状態で設けることにより、該ノズルから雰囲
   気ダクトへ流れる気流を、前記搬送装置により引上げら
   れたウェハキャリヤに対応させて形成することを特徴と
   する半導体ウェハのウェット処理装置。