JPH0487334A - 浸漬洗浄装置 - Google Patents
浸漬洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0487334A JPH0487334A JP2201408A JP20140890A JPH0487334A JP H0487334 A JPH0487334 A JP H0487334A JP 2201408 A JP2201408 A JP 2201408A JP 20140890 A JP20140890 A JP 20140890A JP H0487334 A JPH0487334 A JP H0487334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magazine
- enclosure
- gas
- cleaning tank
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)O XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
- B08B15/02—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using chambers or hoods covering the area
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、半導体ウェハなどの材料片(ワーク)を薬
液に浸漬して洗浄する浸漬装置の改善に関する。
液に浸漬して洗浄する浸漬装置の改善に関する。
[従来の技術]
LSIなどの半導体デバイスの製造においては様々な原
因から多種多様な微粒子の塵が発生する。
因から多種多様な微粒子の塵が発生する。
例えば、拡散・CVD・イオン注入などのプロセスで発
生するプロセス発塵、ハンドリング・保管・輸送などの
工程で生じるメカニカル発塵なとである。このような微
粒子が半導体ウェハに付着すると、付着微粒子は半導体
デバイスの製造歩留りに大きな影響をあたえる。従って
半導体デバイスを製造する際には半導体ウェハを清浄に
洗浄する必要がある。
生するプロセス発塵、ハンドリング・保管・輸送などの
工程で生じるメカニカル発塵なとである。このような微
粒子が半導体ウェハに付着すると、付着微粒子は半導体
デバイスの製造歩留りに大きな影響をあたえる。従って
半導体デバイスを製造する際には半導体ウェハを清浄に
洗浄する必要がある。
半導体ウェハの洗浄プロセスは一般に5〜10工程は繰
り返される。この洗浄には、薬液や純水などの液体を用
いて汚れを除去する湿式洗浄装置と、液体を用いない乾
式洗浄装置があるが、浸漬洗浄装置は、多様な微粒子を
底コストで一括して洗浄することが可能であり、効率的
である。
り返される。この洗浄には、薬液や純水などの液体を用
いて汚れを除去する湿式洗浄装置と、液体を用いない乾
式洗浄装置があるが、浸漬洗浄装置は、多様な微粒子を
底コストで一括して洗浄することが可能であり、効率的
である。
第7図は、従来の湿式洗浄装置の一例としての浸漬洗浄
装置をしめす。図において、(,1)は浸漬洗浄装置で
あり、天井部(la)、複数の洗浄槽(薬液槽ないし純
水槽)<10b)を有する洗浄槽部(lb)、ローダ部
(lc)、アンローダ部(1d)およびワーク搬送部(
1e)から構成される、半導体ウェハを搭載したマガジ
ン(1f)は、ローダ部(IC)に一定数、載置される
。ここで制御機(1g)に洗浄条件を打ち込むと、ワー
ク搬送部(1e)が爪(11)でマガジン(1f)を挟
持して目的の洗浄槽(10b)に順次、所定時間づつ搬
入・搬出して半導体ウェハを洗浄し、さらにアンローダ
部(1d)のIPA<イソプロピルアルコール)蒸気乾
燥機(1h)において半導体ウェハを乾燥する。こうし
て洗浄処理が終了すると制御機(1g)はオペレータに
処理の終了を知らせる。
装置をしめす。図において、(,1)は浸漬洗浄装置で
あり、天井部(la)、複数の洗浄槽(薬液槽ないし純
水槽)<10b)を有する洗浄槽部(lb)、ローダ部
(lc)、アンローダ部(1d)およびワーク搬送部(
1e)から構成される、半導体ウェハを搭載したマガジ
ン(1f)は、ローダ部(IC)に一定数、載置される
。ここで制御機(1g)に洗浄条件を打ち込むと、ワー
ク搬送部(1e)が爪(11)でマガジン(1f)を挟
持して目的の洗浄槽(10b)に順次、所定時間づつ搬
入・搬出して半導体ウェハを洗浄し、さらにアンローダ
部(1d)のIPA<イソプロピルアルコール)蒸気乾
燥機(1h)において半導体ウェハを乾燥する。こうし
て洗浄処理が終了すると制御機(1g)はオペレータに
処理の終了を知らせる。
なお半導体ウェハの洗浄処理のシーケンスとしては、例
えば、 加熱濃硫酸−純水一加熱濃硝酸一純水一希フツ酸−純水
−IPA蒸気乾燥 の方式や、 (アンモニア水+過酸化水素水)−純水−(アンモニア
水+塩酸)−純水御粘フッ酸−純水IPA蒸気乾燥 の方式が一般的に採用されている。また第71の装置の
ように複数のワーク搬送部(1e)を有する場合には、
各ワーク搬送部(1e)が受は持つ洗浄槽(10b)の
範囲は決まっており、各ワーク搬送部(1e)は、それ
ぞれが担当する洗浄槽(10b)へのマガジン(1f)
の出し入れを行う。(この際、隣合うワーク搬送部(1
e)の受は持つ洗浄槽(10b)の範囲は部分的に重な
るように設定される。) また浸漬洗浄装置によっては、半導体ウェハの微粒子お
よびミストによる汚染を防止するため、高性能フィルタ
を通過した清浄空気を天井部(1a)から下方に向かっ
て吹き出して排気溝(排気手段)(lj)から排気する
方式を採用し、これにより浸漬洗浄装置(1)の内部を
清浄に保ち、洗浄槽(10b)から発生してくるガスを
下方に押さえ付けている。 次に第8図を参照しながら
、このような装置における半導体ウェハの洗浄工程の一
例についてさらに詳しく説明する。
えば、 加熱濃硫酸−純水一加熱濃硝酸一純水一希フツ酸−純水
−IPA蒸気乾燥 の方式や、 (アンモニア水+過酸化水素水)−純水−(アンモニア
水+塩酸)−純水御粘フッ酸−純水IPA蒸気乾燥 の方式が一般的に採用されている。また第71の装置の
ように複数のワーク搬送部(1e)を有する場合には、
各ワーク搬送部(1e)が受は持つ洗浄槽(10b)の
範囲は決まっており、各ワーク搬送部(1e)は、それ
ぞれが担当する洗浄槽(10b)へのマガジン(1f)
の出し入れを行う。(この際、隣合うワーク搬送部(1
e)の受は持つ洗浄槽(10b)の範囲は部分的に重な
るように設定される。) また浸漬洗浄装置によっては、半導体ウェハの微粒子お
よびミストによる汚染を防止するため、高性能フィルタ
を通過した清浄空気を天井部(1a)から下方に向かっ
て吹き出して排気溝(排気手段)(lj)から排気する
方式を採用し、これにより浸漬洗浄装置(1)の内部を
清浄に保ち、洗浄槽(10b)から発生してくるガスを
下方に押さえ付けている。 次に第8図を参照しながら
、このような装置における半導体ウェハの洗浄工程の一
例についてさらに詳しく説明する。
各洗浄槽(10b−1)〜(10b−3)はそれ洗浄槽
部(1b)の上面に形成された凹部に収容されている。
部(1b)の上面に形成された凹部に収容されている。
まず加熱源硝酸槽(10b−1>にマガジン(1f)を
10分間浸漬する。つぎにワーク搬送部(1e)がマガ
ジン(1f)を把持し、純水槽(10b〜2)に搬送す
る。純水槽(1b−2)で半導体ウェハを10分間洗浄
した後、ワーク搬送部(1e)はふたたびマガジン(1
f)を把持して希フッ酸槽(10b−3)に搬送し、5
分間浸漬する。この後、ワーク搬送部(le)は再びマ
ガジン(1f)を次の槽に搬送する。このようにしてマ
ガジン(1f)を順次、薬液槽および純水槽に搬入・搬
出し、マガジン内の半導体ウェハを洗浄する。
10分間浸漬する。つぎにワーク搬送部(1e)がマガ
ジン(1f)を把持し、純水槽(10b〜2)に搬送す
る。純水槽(1b−2)で半導体ウェハを10分間洗浄
した後、ワーク搬送部(1e)はふたたびマガジン(1
f)を把持して希フッ酸槽(10b−3)に搬送し、5
分間浸漬する。この後、ワーク搬送部(le)は再びマ
ガジン(1f)を次の槽に搬送する。このようにしてマ
ガジン(1f)を順次、薬液槽および純水槽に搬入・搬
出し、マガジン内の半導体ウェハを洗浄する。
この際、天井部(1a)から吹き出される清浄空気(1
k)は、各洗浄槽(10b)から発生してくるガスとと
もに排気溝(排気手段)(lj)から排出される。なお
図では清浄空気(1k)は洗浄槽(10b−2)の上に
のみ示されているが、−mに清浄空気は洗浄槽部(1b
)全体にわたって天井部 (1a)から吹き出される。
k)は、各洗浄槽(10b)から発生してくるガスとと
もに排気溝(排気手段)(lj)から排出される。なお
図では清浄空気(1k)は洗浄槽(10b−2)の上に
のみ示されているが、−mに清浄空気は洗浄槽部(1b
)全体にわたって天井部 (1a)から吹き出される。
[発明が解決しようとする問題点]
上述の装置の場合、材料片(ワーク)としての半導体ウ
ェハを搭載したマガジン(1f)が洗浄槽内に完全に浸
漬されている状態の洗浄槽(例えば第8図の洗浄槽(1
0b−3))から発生するガスや、マガジン(1f)が
浸漬されていない洗浄槽(例えば第8図の洗浄槽(10
b−1)から発生するガスはほとんど各排気m (1j
)から排気される。しかしく例えば第8図の洗浄槽(
10b−2)の上方に示されているような)搬送途中の
マガジン(1f)ないし半導体ウェハ(材料片)に付着
した薬液から発生するガスは排気溝(1j)に完全には
吸引されないず、天井部(1a)から吹き出される清浄
空気〈1k)にかく乱される。
ェハを搭載したマガジン(1f)が洗浄槽内に完全に浸
漬されている状態の洗浄槽(例えば第8図の洗浄槽(1
0b−3))から発生するガスや、マガジン(1f)が
浸漬されていない洗浄槽(例えば第8図の洗浄槽(10
b−1)から発生するガスはほとんど各排気m (1j
)から排気される。しかしく例えば第8図の洗浄槽(
10b−2)の上方に示されているような)搬送途中の
マガジン(1f)ないし半導体ウェハ(材料片)に付着
した薬液から発生するガスは排気溝(1j)に完全には
吸引されないず、天井部(1a)から吹き出される清浄
空気〈1k)にかく乱される。
また薬液が加熱されている場合には比重が空気より軽く
なるため、ガスは清浄空気(1k)の流れる方向に逆ら
って上方ないし側方に飛散する。この際、薬液の一部は
空気中の水分と結合してミストとなってガスとともに浸
漬洗浄装置(1)の外に飛散する。
なるため、ガスは清浄空気(1k)の流れる方向に逆ら
って上方ないし側方に飛散する。この際、薬液の一部は
空気中の水分と結合してミストとなってガスとともに浸
漬洗浄装置(1)の外に飛散する。
薬液から発生したガスやミストは酸性もしくはアルカリ
性であることが多い。したがって、このようなガスやミ
ストが浸漬洗浄装置(1)の外に飛散した場合、周辺の
部品を腐食・劣化させるだけではなく、人体にも好まし
くない影響を与えるという問題点がある。
性であることが多い。したがって、このようなガスやミ
ストが浸漬洗浄装置(1)の外に飛散した場合、周辺の
部品を腐食・劣化させるだけではなく、人体にも好まし
くない影響を与えるという問題点がある。
また上記のような清浄空気を吹き出す型の装置の場合に
は、飛散したガスやミストの一部は室内空気とともに再
び天井部(1a)の高性能フィルターに取り込まれて装
置内を循環し、運転時間に比例して濃縮されていく。こ
の結果、高性能フィルターやモーターファンが腐食され
る。またワーク搬送部(1e)や装置のセンサー系が腐
食された場合、装置の誤動作を引き起こすことがある。
は、飛散したガスやミストの一部は室内空気とともに再
び天井部(1a)の高性能フィルターに取り込まれて装
置内を循環し、運転時間に比例して濃縮されていく。こ
の結果、高性能フィルターやモーターファンが腐食され
る。またワーク搬送部(1e)や装置のセンサー系が腐
食された場合、装置の誤動作を引き起こすことがある。
これは半導体ウェハの洗浄不良・破損につながるだけで
はなくオペレータにとっても危険である。
はなくオペレータにとっても危険である。
従来の装置には以上のような問題点があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、搬送途中の半導体ウェハなどの材料片から発生
するガスおよびミストを閉じ込めてほぼ確実に排気処理
することができる浸漬洗浄装置を得ることを目的とする
。
もので、搬送途中の半導体ウェハなどの材料片から発生
するガスおよびミストを閉じ込めてほぼ確実に排気処理
することができる浸漬洗浄装置を得ることを目的とする
。
[問題点を解決するための手段]
この発明にかかる浸漬洗浄装置は、材料片を浸漬する薬
液槽を収容する凹部と、凹部に収容された薬液槽から発
生するガスおよびミストを排気する排気手段と、材料片
を把持して薬液槽に出し入れする搬送手段と、を備える
ものにおいて、搬送途中の材料片から発生するガスおよ
びミストを実質的に内部に閉じ込める囲い体により材料
片および搬送手段の把持部分を囲むように構成したもの
である。
液槽を収容する凹部と、凹部に収容された薬液槽から発
生するガスおよびミストを排気する排気手段と、材料片
を把持して薬液槽に出し入れする搬送手段と、を備える
ものにおいて、搬送途中の材料片から発生するガスおよ
びミストを実質的に内部に閉じ込める囲い体により材料
片および搬送手段の把持部分を囲むように構成したもの
である。
[作用]
囲い体は、搬送途中の材料片に付着した薬液から発生す
るガスおよびミストを実質的にその内部に閉じ込める。
るガスおよびミストを実質的にその内部に閉じ込める。
囲い体の内部に閉じ込められたガスおよびミストは排気
手段等によりほぼ完全に排気される。
手段等によりほぼ完全に排気される。
[実施例コ
以下に図面を参照しながらこの発明の実施例について説
明する。
明する。
第1図および第2図はこの発明の第1の実施例を示す。
図において(1a)〜(1j)は上に第7図、第8図に
示した従来の装置と同一であるのでその説明は省略する
。
示した従来の装置と同一であるのでその説明は省略する
。
(10e)は、塩化ビニール樹脂板等からなる囲い体で
あり、各ワーク搬送体(1e)の把持部分くすなわち爪
(11)および爪(11)が取り付けられた棒状部材部
分)と、これに把持されたマガジン(1f)の上方およ
び4側面を囲む。マガジン(1f)は、洗浄材料片とし
ての半導体ウェハを搭載する。各囲い体(1e)の背面
の側板には、(第2図に示されたワーク搬送体(1e)
の位置から)下方に延在する長穴(図示せず)が設けら
れており、ワーク搬送体(1e)を構成する水平方向の
棒状部材は、(第2図に図示された位置から)囲い体(
10e)に対して下方に摺動することができる。
あり、各ワーク搬送体(1e)の把持部分くすなわち爪
(11)および爪(11)が取り付けられた棒状部材部
分)と、これに把持されたマガジン(1f)の上方およ
び4側面を囲む。マガジン(1f)は、洗浄材料片とし
ての半導体ウェハを搭載する。各囲い体(1e)の背面
の側板には、(第2図に示されたワーク搬送体(1e)
の位置から)下方に延在する長穴(図示せず)が設けら
れており、ワーク搬送体(1e)を構成する水平方向の
棒状部材は、(第2図に図示された位置から)囲い体(
10e)に対して下方に摺動することができる。
従って例えば、第2図の位置からワーク搬送体(1e)
が下降してマガジン(1f)を洗浄槽(10b−2>に
浸漬する場合、ワーク搬送体(1e)の下降にともなっ
て下降した囲い体(10e)は洗浄槽部(1b)の上面
にその下端で当接して停止する。さらにワーク搬送体(
1e)が下降するとワーク搬送体(1e)およびマガジ
ン(1f)のみが囲い体(10e)を停止位置に残して
下降し、マガジン(1f)を洗浄槽(10b−2)に浸
漬する。マガジン(1f)の洗浄槽(10b−2)にお
ける浸漬が終了してワーク搬送体(1e)が再び上昇し
、ワーク搬送体(1e)が、停止中の囲い体(10e)
背面の長穴の上端に当接すると、囲い体(IQe)は再
びワーク搬送体(1e)に担われ、次の洗浄槽までワー
ク搬送体(1e)とともに移動する。
が下降してマガジン(1f)を洗浄槽(10b−2>に
浸漬する場合、ワーク搬送体(1e)の下降にともなっ
て下降した囲い体(10e)は洗浄槽部(1b)の上面
にその下端で当接して停止する。さらにワーク搬送体(
1e)が下降するとワーク搬送体(1e)およびマガジ
ン(1f)のみが囲い体(10e)を停止位置に残して
下降し、マガジン(1f)を洗浄槽(10b−2)に浸
漬する。マガジン(1f)の洗浄槽(10b−2)にお
ける浸漬が終了してワーク搬送体(1e)が再び上昇し
、ワーク搬送体(1e)が、停止中の囲い体(10e)
背面の長穴の上端に当接すると、囲い体(IQe)は再
びワーク搬送体(1e)に担われ、次の洗浄槽までワー
ク搬送体(1e)とともに移動する。
したがって、マガジン(1f)の搬送途中においても、
マガジン(1f)ないし半導体ウェハ(材料片)に付着
している薬液から発生するガスやミストは囲い体(10
e)で閉じ込められて飛散しない。なおこの実施例にお
いては、囲い体(10e)の下方はマガジン(1f)の
出し入れのために開放しているが、ここから飛散するガ
スやミストはほぼ完全に排気溝(排気手段)(lj>に
吸引される。また第2図に示すように清浄空気(1k)
が吹き出す場合においても、囲い体(10e)が清浄空
気(1k)を遮るため、マガジン(1f)ないし半導体
ウェハから発生したガスやミストが清浄空気(1k)で
撹乱されることはない。
マガジン(1f)ないし半導体ウェハ(材料片)に付着
している薬液から発生するガスやミストは囲い体(10
e)で閉じ込められて飛散しない。なおこの実施例にお
いては、囲い体(10e)の下方はマガジン(1f)の
出し入れのために開放しているが、ここから飛散するガ
スやミストはほぼ完全に排気溝(排気手段)(lj>に
吸引される。また第2図に示すように清浄空気(1k)
が吹き出す場合においても、囲い体(10e)が清浄空
気(1k)を遮るため、マガジン(1f)ないし半導体
ウェハから発生したガスやミストが清浄空気(1k)で
撹乱されることはない。
次に第3図を参照しながらこの発明の第2の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第3図の実施例もその基本的構成は第1図、第2図の装
置と同様である。しかし第3図の実施例においては、各
囲い体(100e)は内部に通気性の内壁で囲まれた排
気空間(101e)を有し、マガジン(1f)ないし半
導体ウェハから発生するガスやミストは囲い体(100
e)上部に設けられて排気空間<101e)を吸引する
排気ポンプ(200e)で補数され、排気ポンプ(20
0e)に接続された専用のチューブ(図示せず)を介し
て排気ダクト(図示せず)に導かれて排気される。した
がってガスおよびミストの飛散はさらに効果的に防止さ
れる。
置と同様である。しかし第3図の実施例においては、各
囲い体(100e)は内部に通気性の内壁で囲まれた排
気空間(101e)を有し、マガジン(1f)ないし半
導体ウェハから発生するガスやミストは囲い体(100
e)上部に設けられて排気空間<101e)を吸引する
排気ポンプ(200e)で補数され、排気ポンプ(20
0e)に接続された専用のチューブ(図示せず)を介し
て排気ダクト(図示せず)に導かれて排気される。した
がってガスおよびミストの飛散はさらに効果的に防止さ
れる。
次に第4図を参照しながらこの発明の第3の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
この第4図の実施例においては、囲い体く1000e)
に排気空間(1001e)を設け、これを排気ポンプ(
200e)で排気するのみならず、囲い体(1000e
)の下端部にクツションラバー (3000e )を設
けている。したがって第4図に示されているように囲い
体(1000e)が洗浄槽部(1b)の上面と当接する
位置においては、囲い体(1000e)は洗浄槽部(1
b)の上面とクツションラバー(3000e)で密着す
る。このため、マガジン(1f)の洗浄槽への出し入れ
の過程において発生するガスおよびミストは外部に漏れ
ることがなく完全に補数される。なおりッションラバー
(3000e)としては、耐薬品性に優れた弾性シール
材料、たとえばデュポン社からカルレッツゴム(登録商
標)の商品名で市販されているパーフロロエラストマー
を用いることが好ましい。
に排気空間(1001e)を設け、これを排気ポンプ(
200e)で排気するのみならず、囲い体(1000e
)の下端部にクツションラバー (3000e )を設
けている。したがって第4図に示されているように囲い
体(1000e)が洗浄槽部(1b)の上面と当接する
位置においては、囲い体(1000e)は洗浄槽部(1
b)の上面とクツションラバー(3000e)で密着す
る。このため、マガジン(1f)の洗浄槽への出し入れ
の過程において発生するガスおよびミストは外部に漏れ
ることがなく完全に補数される。なおりッションラバー
(3000e)としては、耐薬品性に優れた弾性シール
材料、たとえばデュポン社からカルレッツゴム(登録商
標)の商品名で市販されているパーフロロエラストマー
を用いることが好ましい。
次に第5図および第6図を参照しながらこの発明の第4
の実施例について説明する。この実施例は、囲い体に排
気ポンプを取り付けることが困難な場合に、特別に設け
た排気ダクトにより囲い体内に捕捉したガスおよびミス
トを排気するものである。
の実施例について説明する。この実施例は、囲い体に排
気ポンプを取り付けることが困難な場合に、特別に設け
た排気ダクトにより囲い体内に捕捉したガスおよびミス
トを排気するものである。
第5図に示されているように囲い体(10000e)は
その背面が開放されており、囲い体(10000e)の
内部に補数されたガス・ミストは、洗浄槽部(1b)の
背面に設けられた排気ダクト(1m)に吸引されて排気
される。この排気ダク)(lrn)は第6図に示されて
いるように、ワーク搬送体(1e)の移動範囲全域にわ
たって開口しており、ワーク搬送体(1e)の位置にか
かわらずマガジン(1f)ないし半導体ウェハから発生
するガスおよびミストを補数する。
その背面が開放されており、囲い体(10000e)の
内部に補数されたガス・ミストは、洗浄槽部(1b)の
背面に設けられた排気ダクト(1m)に吸引されて排気
される。この排気ダク)(lrn)は第6図に示されて
いるように、ワーク搬送体(1e)の移動範囲全域にわ
たって開口しており、ワーク搬送体(1e)の位置にか
かわらずマガジン(1f)ないし半導体ウェハから発生
するガスおよびミストを補数する。
なお以上の各実施例においては囲い体(10e)(10
0e)、<1000e)、(10000e)はワーク搬
送体(1e)に担われて運動するが、ワーク搬送体を移
動させるための独立の移動機構を設け、ワーク搬送体(
1e)と同期して運動するように構成してもよい。また
上の説明では半導体ウェハを洗浄処理する浸漬洗浄装置
の場合について述べたが、この発明は他のあらゆる材料
片物品の浸漬洗浄装置に適用でき、また、浸漬処理を行
うメツキ装置などにも利用できる。
0e)、<1000e)、(10000e)はワーク搬
送体(1e)に担われて運動するが、ワーク搬送体を移
動させるための独立の移動機構を設け、ワーク搬送体(
1e)と同期して運動するように構成してもよい。また
上の説明では半導体ウェハを洗浄処理する浸漬洗浄装置
の場合について述べたが、この発明は他のあらゆる材料
片物品の浸漬洗浄装置に適用でき、また、浸漬処理を行
うメツキ装置などにも利用できる。
[発明の効果]
この発明の浸漬洗浄装置は、搬送途中の材料片から発生
ずるガスおよびミストを実質的に内部に閉じ込める囲い
体により材料片および搬送手段の把持部分を囲んでいる
ので、簡単な構造により搬送途中の材料片から発生する
ガスおよびミストを効果的に補数し、これにより装置内
外の部品の腐食・劣化を防止し、さらにオペレータの労
働環境を守ることができるという効果がある。
ずるガスおよびミストを実質的に内部に閉じ込める囲い
体により材料片および搬送手段の把持部分を囲んでいる
ので、簡単な構造により搬送途中の材料片から発生する
ガスおよびミストを効果的に補数し、これにより装置内
外の部品の腐食・劣化を防止し、さらにオペレータの労
働環境を守ることができるという効果がある。
第1図はこの発明の第1の実施例にかかる浸漬洗浄装置
の斜視図、第2図は第1図の浸漬洗浄装置の動作原理を
示す部分正面断面図、第3図は第2の実施例にかかる浸
漬洗浄装置の部分正面断面図、第4図は第3の実施例に
かかる浸漬洗浄装置の部分正面断面図、第5図は第4の
実施例にかかる浸漬洗浄装置の部分側面断面図、第6図
は第5図の浸漬洗浄装置の斜視図、第7図は従来の浸漬
洗浄装置を示す斜視図、第8図は第7図の浸漬洗浄装置
の動作原理を示す部分正面断面図である。 (1)は浸漬洗浄装置、(1a)は天井部、(1b)は
洗浄槽部、(1c)はローダ一部、(1d)はアンロー
ダ一部、(1e)はワーク搬送部(搬送手段)、(1f
)はマガジン、(10e )−1(100e)、(10
00e)、(10000e)は囲い体である。 なお図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
の斜視図、第2図は第1図の浸漬洗浄装置の動作原理を
示す部分正面断面図、第3図は第2の実施例にかかる浸
漬洗浄装置の部分正面断面図、第4図は第3の実施例に
かかる浸漬洗浄装置の部分正面断面図、第5図は第4の
実施例にかかる浸漬洗浄装置の部分側面断面図、第6図
は第5図の浸漬洗浄装置の斜視図、第7図は従来の浸漬
洗浄装置を示す斜視図、第8図は第7図の浸漬洗浄装置
の動作原理を示す部分正面断面図である。 (1)は浸漬洗浄装置、(1a)は天井部、(1b)は
洗浄槽部、(1c)はローダ一部、(1d)はアンロー
ダ一部、(1e)はワーク搬送部(搬送手段)、(1f
)はマガジン、(10e )−1(100e)、(10
00e)、(10000e)は囲い体である。 なお図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)材料片を浸漬する薬液槽を収容する凹部と、凹部
に収容された薬液槽から発生するガスおよびミストを排
気する排気手段と、材料片を把持して薬液槽に出し入れ
する搬送手段と、を備える浸漬洗浄装置において、搬送
途中の材料片から発生するガスおよびミストを実質的に
内部に閉じ込める囲い体により材料片および搬送手段の
把持部分を囲んだことを特徴とする浸漬洗浄装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201408A JP2593237B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 浸漬洗浄装置 |
US07/727,761 US5313966A (en) | 1990-07-31 | 1991-07-10 | Immersion cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201408A JP2593237B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 浸漬洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487334A true JPH0487334A (ja) | 1992-03-19 |
JP2593237B2 JP2593237B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16440594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2201408A Expired - Fee Related JP2593237B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 浸漬洗浄装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5313966A (ja) |
JP (1) | JP2593237B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993014885A1 (en) * | 1992-01-22 | 1993-08-05 | Japan Field Co., Ltd. | Washing system |
JP2009006267A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Olympus Corp | 洗浄装置 |
JP2017095289A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 信越半導体株式会社 | シリコン原料洗浄装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5799677A (en) * | 1996-02-23 | 1998-09-01 | Finishing Equipment, Inc. | Hermetic enclosure for treating a workpiece with a solvent |
TW363903B (en) * | 1996-03-11 | 1999-07-11 | Memc Electronic Materials Spa | Apparatus for use in automatically cleaning semiconductor wafers and methods for drying a semiconductor wafer in the automatic drying machine |
DE19652526C2 (de) * | 1996-04-22 | 2000-12-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Transporteinrichtung für Substrate und Verfahren zum Beladen der Transporteinrichtung mit Substraten |
US5954068A (en) * | 1996-12-06 | 1999-09-21 | Steag Microtech Gmbh | Device and method for treating substrates in a fluid container |
US7364625B2 (en) * | 2000-05-30 | 2008-04-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing processes and equipment |
JP2008227121A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5038024B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2012-10-03 | 上村工業株式会社 | ワークの表面処理システム |
CN104259129A (zh) * | 2014-07-25 | 2015-01-07 | 江苏美科硅能源有限公司 | 一种用于硅料处理的酸碱浸泡机 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265519A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 浸漬式基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3143975A (en) * | 1962-09-05 | 1964-08-11 | Harold G Abbey | Cantilevered work carriers for conveyor systems |
US3335839A (en) * | 1966-09-26 | 1967-08-15 | Udylite Corp | Conveying machine |
US3426772A (en) * | 1967-04-06 | 1969-02-11 | Practical Mfg Co | Parts cleaning machine |
US4493333A (en) * | 1982-11-23 | 1985-01-15 | Interlab, Inc. | Corrosion-resistant work transfer system |
US4520834A (en) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Dicicco Paolo S | Apparatus for processing articles in a series of process solution containers |
US4714010A (en) * | 1985-04-12 | 1987-12-22 | Cm & E/California, Inc. | Industrial exhaust ventilation system |
US4832066A (en) * | 1987-03-05 | 1989-05-23 | Shipman David O | Hydro centrifugal paint roller cleaning aid |
DE3734267A1 (de) * | 1987-09-14 | 1989-03-23 | Gottlob Schwarzwaelder | Geraet zum halb- bzw. vollautomatischen reinigen von farb- und lackspritzpistolen od. dgl. sowie von farb- und lackverschmutzten gegenstaenden |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2201408A patent/JP2593237B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-10 US US07/727,761 patent/US5313966A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265519A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 浸漬式基板処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993014885A1 (en) * | 1992-01-22 | 1993-08-05 | Japan Field Co., Ltd. | Washing system |
US5499642A (en) * | 1992-01-22 | 1996-03-19 | Japan Field Co., Ltd. | Washing apparatus |
JP2009006267A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Olympus Corp | 洗浄装置 |
JP2017095289A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 信越半導体株式会社 | シリコン原料洗浄装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5313966A (en) | 1994-05-24 |
JP2593237B2 (ja) | 1997-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI780030B (zh) | 形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的方法及系統 | |
CN105990196B (zh) | 夹持装置、基板输入输出装置以及基板处理装置 | |
CN106876310B (zh) | Efem中的晶圆搬运部及装载端口部的控制方法 | |
JPH0487334A (ja) | 浸漬洗浄装置 | |
WO2011108215A1 (ja) | 基板収納装置 | |
JP7038524B2 (ja) | 基板処理装置の洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2006228808A (ja) | 基板搬送装置、基板搬送方法及び半導体製造装置 | |
JP2008100805A (ja) | 基板保管庫 | |
JP6796782B2 (ja) | プローバ | |
JP2006128559A (ja) | 基板処理システム | |
KR101530357B1 (ko) | 설비 전방 단부 모듈 | |
JP2008147303A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI804029B (zh) | 半導體條帶切割及分類設備、封裝體乾燥裝置及搬運裝置 | |
JP3131751B2 (ja) | 被処理体検出装置 | |
TW201943627A (zh) | 搬送機構 | |
JP2004119628A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000031106A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH07211679A (ja) | 洗浄装置 | |
JP3061339B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP2876250B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP3162702B2 (ja) | 処理装置 | |
JPH07275815A (ja) | 浸漬洗浄装置および材料片洗浄方法 | |
TWI829309B (zh) | 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP2634693B2 (ja) | ウエハのクリーニングシステム | |
JPH07183262A (ja) | 洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |