JP3431419B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP3431419B2 JP3431419B2 JP26514496A JP26514496A JP3431419B2 JP 3431419 B2 JP3431419 B2 JP 3431419B2 JP 26514496 A JP26514496 A JP 26514496A JP 26514496 A JP26514496 A JP 26514496A JP 3431419 B2 JP3431419 B2 JP 3431419B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
ガラス基板等の基板を処理液槽に貯留された処理液中に
浸漬して処理する基板処理装置に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
ガラス基板等の基板を処理液槽に貯留された処理液中に
浸漬して処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような基板処理装置においては、図
７に示すように、基板Ｗを基板搬送装置２のチャック３
により保持した状態で搬送し、この基板Ｗを処理液槽に
貯留された処理液中に浸漬してその表面を処理するよう
に構成されている。そして、このような基板処理装置に
おいては、大気中のパーティクルや処理液から発生する
ミスト等を装置外に速やかに排出するため、気流発生手
段により、ダウンフローと呼称される処理液槽の上方か
ら流下する清浄な気体の流れを発生させるように構成さ
れている。
７に示すように、基板Ｗを基板搬送装置２のチャック３
により保持した状態で搬送し、この基板Ｗを処理液槽に
貯留された処理液中に浸漬してその表面を処理するよう
に構成されている。そして、このような基板処理装置に
おいては、大気中のパーティクルや処理液から発生する
ミスト等を装置外に速やかに排出するため、気流発生手
段により、ダウンフローと呼称される処理液槽の上方か
ら流下する清浄な気体の流れを発生させるように構成さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板Ｗが処理液槽に貯
留された処理液から引き上げられている状態や基板Ｗが
基板搬送装置２により搬送されている状態において、基
板Ｗにダウンフローによる気流が当たった場合には、基
板Ｗの表面において処理液の乾燥が促進され、図７に示
すように、基板Ｗの上方から下方に向かって順次乾燥が
進行する。なお、図７に示す基板Ｗの斜線部分は処理液
が未だ乾燥していない領域を示し、それ以外の部分は処
理液が既に乾燥している領域を示す。
留された処理液から引き上げられている状態や基板Ｗが
基板搬送装置２により搬送されている状態において、基
板Ｗにダウンフローによる気流が当たった場合には、基
板Ｗの表面において処理液の乾燥が促進され、図７に示
すように、基板Ｗの上方から下方に向かって順次乾燥が
進行する。なお、図７に示す基板Ｗの斜線部分は処理液
が未だ乾燥していない領域を示し、それ以外の部分は処
理液が既に乾燥している領域を示す。
【０００４】このように、基板Ｗの表面に付着した処理
液が上方から下方に向かって順次乾燥した場合には、基
板Ｗの処理品質が低下するという問題が生ずる。例え
ば、処理液としてフッ酸等のエッチング液を使用した場
合においては、基板Ｗの表面における乾燥した領域と乾
燥していない領域においてエッチング量に差が生じ、エ
ッチング処理後の処理の均一性が損なわれる。また、処
理液として純水を使用した場合においては、基板Ｗの表
面における乾燥した領域と乾燥していない領域の境界部
分で基板Ｗ表面の酸化が生じ、その結果基板Ｗの表面に
不要な酸化膜が生成される。
液が上方から下方に向かって順次乾燥した場合には、基
板Ｗの処理品質が低下するという問題が生ずる。例え
ば、処理液としてフッ酸等のエッチング液を使用した場
合においては、基板Ｗの表面における乾燥した領域と乾
燥していない領域においてエッチング量に差が生じ、エ
ッチング処理後の処理の均一性が損なわれる。また、処
理液として純水を使用した場合においては、基板Ｗの表
面における乾燥した領域と乾燥していない領域の境界部
分で基板Ｗ表面の酸化が生じ、その結果基板Ｗの表面に
不要な酸化膜が生成される。
【０００５】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板Ｗの不均一な乾燥による処理品質
の低下を防止することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
れたものであり、基板Ｗの不均一な乾燥による処理品質
の低下を防止することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を処理するための処理液を貯留する処理液槽
と、そこに保持した基板を前記処理液槽に浸漬すること
により当該基板を処理するとともに、処理の終了した基
板を前記処理液槽から次の処理部に搬送する基板搬送装
置と、前記処理液槽の上方から流下する気流を発生させ
る気流発生手段とを 有する基板処理装置において、前記
搬送手段は、上下移動可能な支持部材と、基板を保持す
る一対のチャックとを有すると共に、前記一対のチャッ
クは、前記支持部材に軸止されて回転可能な一対の回転
軸と、前記一対のチャックに保持された基板の上方を覆
う一対のカバーとを有することを特徴とする。
は、基板を処理するための処理液を貯留する処理液槽
と、そこに保持した基板を前記処理液槽に浸漬すること
により当該基板を処理するとともに、処理の終了した基
板を前記処理液槽から次の処理部に搬送する基板搬送装
置と、前記処理液槽の上方から流下する気流を発生させ
る気流発生手段とを 有する基板処理装置において、前記
搬送手段は、上下移動可能な支持部材と、基板を保持す
る一対のチャックとを有すると共に、前記一対のチャッ
クは、前記支持部材に軸止されて回転可能な一対の回転
軸と、前記一対のチャックに保持された基板の上方を覆
う一対のカバーとを有することを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記一対のチャックのうち、
前記搬送手段の進行方向の上流側に位置する一方のチャ
ックに、基板の前方を覆うカバーを配設したことを特徴
とする。
の基板処理装置において、前記一対のチャックのうち、
前記搬送手段の進行方向の上流側に位置する一方のチャ
ックに、基板の前方を覆うカバーを配設したことを特徴
とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面に基
づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置の
概要図であり、図２は基板搬送装置２１の斜視図であ
る。なお、この実施の形態においては、略円形の半導体
基板Ｗを処理する基板処理装置にこの発明を適用してい
る。
づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置の
概要図であり、図２は基板搬送装置２１の斜視図であ
る。なお、この実施の形態においては、略円形の半導体
基板Ｗを処理する基板処理装置にこの発明を適用してい
る。
【０００９】これらの図において、１２は処理液を貯留
した処理液槽である。処理液槽１２に貯留された処理液
は、ポンプ１３の作用により、オーバフロー槽１４およ
びフィルター１５を介して循環する。
した処理液槽である。処理液槽１２に貯留された処理液
は、ポンプ１３の作用により、オーバフロー槽１４およ
びフィルター１５を介して循環する。
【００１０】処理液槽１２の上方には、図示しないファ
ン等により発生した気流を通過させることにより清浄な
ダウンフローを形成するためのフィルター１６が配設さ
れている。ダウンフローによる清浄な気体の流れは、図
１において矢印で示すように、フィルター１６から流下
し、処理装置内で発生したパーティクルや処理液のミス
トとともに処理装置外に強制排気される。
ン等により発生した気流を通過させることにより清浄な
ダウンフローを形成するためのフィルター１６が配設さ
れている。ダウンフローによる清浄な気体の流れは、図
１において矢印で示すように、フィルター１６から流下
し、処理装置内で発生したパーティクルや処理液のミス
トとともに処理装置外に強制排気される。
【００１１】基板処理装置内には基板搬送装置２１が配
設されている。この基板搬送装置２１は、基板搬送装置
２１の通路２２内を図２に示すＸ方向（図１における紙
面に垂直な方向）に往復走行可能な走行部材２３と、走
行部材２３に対して上下移動可能な支持部材２４と、支
持部材２４に支持された一対のチャック２５とを有す
る。
設されている。この基板搬送装置２１は、基板搬送装置
２１の通路２２内を図２に示すＸ方向（図１における紙
面に垂直な方向）に往復走行可能な走行部材２３と、走
行部材２３に対して上下移動可能な支持部材２４と、支
持部材２４に支持された一対のチャック２５とを有す
る。
【００１２】一対のチャック２５は、それぞれ、支持部
材２４に軸止されて回動可能な一対の回転軸２６と、一
対の回転軸２６から垂下する支持棒２７と、支持棒２７
間に架設された基板保持棒２８とを有する。各基板保持
棒２８には、複数の基板Ｗの側縁を保持するための保持
溝が刻設されている。そして、一対の回転軸２６には、
チャックに保持された基板Ｗの上方を覆う一対の板状の
カバー３０が配設されている。
材２４に軸止されて回動可能な一対の回転軸２６と、一
対の回転軸２６から垂下する支持棒２７と、支持棒２７
間に架設された基板保持棒２８とを有する。各基板保持
棒２８には、複数の基板Ｗの側縁を保持するための保持
溝が刻設されている。そして、一対の回転軸２６には、
チャックに保持された基板Ｗの上方を覆う一対の板状の
カバー３０が配設されている。
【００１３】この基板搬送装置２１により基板Ｗを保持
した状態で、基板Ｗを処理液槽１２に浸漬した後処理液
槽１２から引き上げ、あるいは、処理液槽１２から図示
しない次の処理部である処理液槽や乾燥装置に搬送する
場合においては、基板搬送装置２１に保持された複数の
基板Ｗ上方位置にはカバー３０が配設されていることか
ら、フィルター１５から流下するダウンフローによる気
流はこのカバー３０により遮られる。このため、ダウン
フローによる気流により基板Ｗ表面に付着した処理液の
乾燥が促進され、基板Ｗの上方の領域のみが乾燥するこ
とに起因する基板Ｗの処理品質の低下を防止することが
できる。
した状態で、基板Ｗを処理液槽１２に浸漬した後処理液
槽１２から引き上げ、あるいは、処理液槽１２から図示
しない次の処理部である処理液槽や乾燥装置に搬送する
場合においては、基板搬送装置２１に保持された複数の
基板Ｗ上方位置にはカバー３０が配設されていることか
ら、フィルター１５から流下するダウンフローによる気
流はこのカバー３０により遮られる。このため、ダウン
フローによる気流により基板Ｗ表面に付着した処理液の
乾燥が促進され、基板Ｗの上方の領域のみが乾燥するこ
とに起因する基板Ｗの処理品質の低下を防止することが
できる。
【００１４】なお、この実施形態においては、一対のカ
バー３０を、一対のチャック２５における処理液槽１２
に貯留された処理液に侵入しない部分たる一対の回転軸
２６に配設している。このため、基板Ｗを処理液槽１２
中に浸漬する場合においても、カバー３０が処理液中に
侵入することはない。なお、一対のカバー３０にかえ
て、支持部材２４に片持ち式に付設された単一のカバー
を使用してもよい。
バー３０を、一対のチャック２５における処理液槽１２
に貯留された処理液に侵入しない部分たる一対の回転軸
２６に配設している。このため、基板Ｗを処理液槽１２
中に浸漬する場合においても、カバー３０が処理液中に
侵入することはない。なお、一対のカバー３０にかえ
て、支持部材２４に片持ち式に付設された単一のカバー
を使用してもよい。
【００１５】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。図３は第２実施形態に係る基板搬送装置４１の
斜視図である。なお、図２に示す基板搬送装置２１と同
一の部材については同一の符号を付して説明を省略す
る。
明する。図３は第２実施形態に係る基板搬送装置４１の
斜視図である。なお、図２に示す基板搬送装置２１と同
一の部材については同一の符号を付して説明を省略す
る。
【００１６】この基板搬送装置４１は、一方のチャック
２５に、さらにカバー４２を配設した点が図２に示す基
板搬送装置２１と異なる。すなわち、この基板搬送装置
４１においては、処理液槽１２中に浸漬された基板Ｗを
基板搬送装置４１の一対のチャック２５により保持して
引き上げた後、この基板搬送装置４１を走行させて基板
Ｗを搬送する場合において、基板搬送装置４１の進行方
向の上流側に位置するチャック２５に複数の基板Ｗの前
方を覆うカバー４２を配設することにより、基板Ｗが移
動する際に生ずる気流が基板Ｗに当たることを防止した
ものである。
２５に、さらにカバー４２を配設した点が図２に示す基
板搬送装置２１と異なる。すなわち、この基板搬送装置
４１においては、処理液槽１２中に浸漬された基板Ｗを
基板搬送装置４１の一対のチャック２５により保持して
引き上げた後、この基板搬送装置４１を走行させて基板
Ｗを搬送する場合において、基板搬送装置４１の進行方
向の上流側に位置するチャック２５に複数の基板Ｗの前
方を覆うカバー４２を配設することにより、基板Ｗが移
動する際に生ずる気流が基板Ｗに当たることを防止した
ものである。
【００１７】この基板搬送装置４１によれば、図２に示
す第１実施形態に係る基板搬送装置２１同様、基板Ｗの
上方の領域のみが乾燥することに起因する基板Ｗの処理
品質の低下を防止することができ、さらに、基板Ｗが移
動する際に生じる気流により基板Ｗの走行方向上流側の
領域の乾燥が促進されることに起因する基板Ｗの処理品
質の低下をも防止することができる。
す第１実施形態に係る基板搬送装置２１同様、基板Ｗの
上方の領域のみが乾燥することに起因する基板Ｗの処理
品質の低下を防止することができ、さらに、基板Ｗが移
動する際に生じる気流により基板Ｗの走行方向上流側の
領域の乾燥が促進されることに起因する基板Ｗの処理品
質の低下をも防止することができる。
【００１８】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図４は第３実施形態に係る基板搬送装置
５１の斜視図である。なお、図２に示す基板搬送装置２
１と同一の部材については同一の符号を付して説明を省
略する。
いて説明する。図４は第３実施形態に係る基板搬送装置
５１の斜視図である。なお、図２に示す基板搬送装置２
１と同一の部材については同一の符号を付して説明を省
略する。
【００１９】この基板搬送装置６１は、一対のチャック
２５配設されたカバー３０に換えて、基板Ｗの外周部の
曲率に対応して湾曲した一対のカバー６０を、基板Ｗに
近接させた状態で支持棒２７に付設した点が図２に示す
基板搬送装置２１と異なる。この基板搬送装置６１にお
いては、カバー６０を一対のチャック２５に保持された
基板Ｗにより近接させて配置することができることか
ら、ダウンフローによる気流をより有効に遮蔽すること
ができる。
２５配設されたカバー３０に換えて、基板Ｗの外周部の
曲率に対応して湾曲した一対のカバー６０を、基板Ｗに
近接させた状態で支持棒２７に付設した点が図２に示す
基板搬送装置２１と異なる。この基板搬送装置６１にお
いては、カバー６０を一対のチャック２５に保持された
基板Ｗにより近接させて配置することができることか
ら、ダウンフローによる気流をより有効に遮蔽すること
ができる。
【００２０】上述した実施の形態においては、カバー３
０および６０として、チャック２５に保持された基板Ｗ
の上方全域を遮蔽する形状のものを使用した場合につい
て説明したが、基板Ｗの上方位置において基板Ｗの一部
を覆う構成としてもよい。すなわち、ダウンフローによ
る気流の作用により、基板Ｗの上端部から順次乾燥が進
行することを考慮すると、基板Ｗとして略円形の半導体
基板等を使用する場合においては、図５に示すように、
少なくともその上端部を含む領域を覆うことのできるカ
バー７０を使用することにより、基板Ｗの上端部からの
乾燥の進行を防止することもできる。また、基板Ｗとし
て角形の液晶表示パネル用ガラス基板等を使用し、これ
を傾斜させて搬送する場合においては、図６に示すよう
に、少なくとも基板Ｗの上端の角部を含む領域を覆うこ
とのできるカバー８０を使用することにより、基板Ｗの
上端部からの乾燥の進行を防止することもできる。
０および６０として、チャック２５に保持された基板Ｗ
の上方全域を遮蔽する形状のものを使用した場合につい
て説明したが、基板Ｗの上方位置において基板Ｗの一部
を覆う構成としてもよい。すなわち、ダウンフローによ
る気流の作用により、基板Ｗの上端部から順次乾燥が進
行することを考慮すると、基板Ｗとして略円形の半導体
基板等を使用する場合においては、図５に示すように、
少なくともその上端部を含む領域を覆うことのできるカ
バー７０を使用することにより、基板Ｗの上端部からの
乾燥の進行を防止することもできる。また、基板Ｗとし
て角形の液晶表示パネル用ガラス基板等を使用し、これ
を傾斜させて搬送する場合においては、図６に示すよう
に、少なくとも基板Ｗの上端の角部を含む領域を覆うこ
とのできるカバー８０を使用することにより、基板Ｗの
上端部からの乾燥の進行を防止することもできる。
【００２１】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、カバー３０、６０、７０、８０として、気流を
完全に遮蔽しうるものを使用しているが、カバー３０、
６０、７０、８０として例えば網状のものや多孔性のも
のを使用し、気流の一部を遮蔽するようにしてもよい。
この明細書における遮蔽とは、このような形態をも含む
概念である。
ずれも、カバー３０、６０、７０、８０として、気流を
完全に遮蔽しうるものを使用しているが、カバー３０、
６０、７０、８０として例えば網状のものや多孔性のも
のを使用し、気流の一部を遮蔽するようにしてもよい。
この明細書における遮蔽とは、このような形態をも含む
概念である。
【００２２】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、基板Ｗを直接搬送装置２１、４１、５１により
保持して搬送する場合について説明したが、基板Ｗをカ
セット内に収納し、このカセットを搬送装置により保持
して搬送するようにしてもよい。
ずれも、基板Ｗを直接搬送装置２１、４１、５１により
保持して搬送する場合について説明したが、基板Ｗをカ
セット内に収納し、このカセットを搬送装置により保持
して搬送するようにしてもよい。
【００２３】さらに、上述した第１〜第３実施形態にお
いては、半導体基板を処理する基板処理装置にこの発明
を適用した場合について説明したが、この発明を液晶表
示パネル用ガラス基板や半導体製造装置用ガラス基板等
の基板を処理する基板処理装置に適用することも可能で
ある。
いては、半導体基板を処理する基板処理装置にこの発明
を適用した場合について説明したが、この発明を液晶表
示パネル用ガラス基板や半導体製造装置用ガラス基板等
の基板を処理する基板処理装置に適用することも可能で
ある。
【００２４】
【発明の効果】この発明に係る基板処理装置によれば、
搬送手段に保持された基板の上方位置に前記気流を遮蔽
するためのカバーを配設していることから、下降気流に
より基板表面に付着した処理液の乾燥が促進され基板の
上方の領域のみが乾燥することに起因する基板の処理品
質の低下を防止することができる。
搬送手段に保持された基板の上方位置に前記気流を遮蔽
するためのカバーを配設していることから、下降気流に
より基板表面に付着した処理液の乾燥が促進され基板の
上方の領域のみが乾燥することに起因する基板の処理品
質の低下を防止することができる。
【図１】この発明に係る基板処理装置の概要図である。
【図２】第１実施形態に係る基板搬送装置２１の斜視図
である。
である。
【図３】第２実施形態に係る基板搬送装置４１の斜視図
である。
である。
【図４】第３実施形態に係る基板搬送装置５１の斜視図
である。
である。
【図５】カバーの変形例を示す説明図である。
【図６】カバーの変形例を示す説明図である。
【図７】従来の基板搬送装置２の概要図である。
１２ 処理液槽
１６ フィルター
２１ 基板搬送装置
３０ カバー
４１ 基板搬送装置
４２ カバー
５１ 基板搬送装置
６０ カバー
７０ カバー
８０ カバー
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304,21/306,21/308
Claims (2)
- 【請求項１】基板を処理するための処理液を貯留する処
理液槽と、そこに保持した基板を前記処理液槽に浸漬す
ることにより当該基板を処理するとともに、処理の終了
した基板を前記処理液槽から次の処理部に搬送する基板
搬送装置と、前記処理液槽の上方から流下する気流を発
生させる気流発生手段とを有する基板処理装置におい
て、 前記搬送手段は、上下移動可能な支持部材と、基板を保
持する一対のチャックとを有すると共に、前記一対のチ
ャックは、前記支持部材に軸止されて回転可能な一対の
回転軸と、前記一対のチャックに保持された基板の上方
を覆う一対のカバーとを有することを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置において、 前記一対のチャックのうち、前記搬送手段の進行方向の
上流側に位置する一方のチャックに、基板の前方を覆う
カバーを配設したことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26514496A JP3431419B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26514496A JP3431419B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092790A JPH1092790A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3431419B2 true JP3431419B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=17413252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26514496A Expired - Fee Related JP3431419B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431419B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3810968B2 (ja) | 1999-12-03 | 2006-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| KR101895406B1 (ko) * | 2018-01-04 | 2018-09-05 | 세메스 주식회사 | 반송유닛 및 기판 처리 장치 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP26514496A patent/JP3431419B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1092790A (ja) | 1998-04-10 |
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