JPH0722371A - ウェット洗浄装置 - Google Patents
ウェット洗浄装置Info
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- JPH0722371A JPH0722371A JP15717993A JP15717993A JPH0722371A JP H0722371 A JPH0722371 A JP H0722371A JP 15717993 A JP15717993 A JP 15717993A JP 15717993 A JP15717993 A JP 15717993A JP H0722371 A JPH0722371 A JP H0722371A
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- chemical liquid
- chemical solution
- wafer
- chemical
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハを薬液に浸し、オーバーフロー
させながら洗浄するためのウェット洗浄装置に関し、処
理槽内の半導体ウエハに効率良く薬液を供給できるウェ
ット洗浄装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウエハ（４）を薬液に浸して洗浄を行
うウェット洗浄装置であって、半導体ウエハを収容する
ための処理槽（１）と、処理槽内に薬液を供給するため
に、処理槽の下部に配置された薬液吹出手段（５）と、
処理槽内において薬液吹出手段より上に配置され、半導
体ウエハを囲んで配置され、下から上に向う流体の流れ
を半導体ウエハに向うように規制する主流れ規制手段
（８）とを有する。
させながら洗浄するためのウェット洗浄装置に関し、処
理槽内の半導体ウエハに効率良く薬液を供給できるウェ
ット洗浄装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウエハ（４）を薬液に浸して洗浄を行
うウェット洗浄装置であって、半導体ウエハを収容する
ための処理槽（１）と、処理槽内に薬液を供給するため
に、処理槽の下部に配置された薬液吹出手段（５）と、
処理槽内において薬液吹出手段より上に配置され、半導
体ウエハを囲んで配置され、下から上に向う流体の流れ
を半導体ウエハに向うように規制する主流れ規制手段
（８）とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのウェッ
ト洗浄装置に関し、特に半導体ウエハを薬液に浸し、オ
ーバーフローさせながら洗浄するためのウェット洗浄装
置に関する。
ト洗浄装置に関し、特に半導体ウエハを薬液に浸し、オ
ーバーフローさせながら洗浄するためのウェット洗浄装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの洗浄方法の一つとしてウ
ェット洗浄がある。ウェット洗浄は、処理槽の中におい
てウエハを薬液に浸し、薬液を次々と供給して行う。例
えば、薬剤によりウエハ表面や表面上の汚れを化学反応
若しくは溶解によって除去する。一般にウェット洗浄処
理は、被洗浄物の表面をエッチするものと表面の汚染の
みを除去するものがあるが、本明細書ではこれらを特に
区別せずウェット洗浄と呼ぶ。
ェット洗浄がある。ウェット洗浄は、処理槽の中におい
てウエハを薬液に浸し、薬液を次々と供給して行う。例
えば、薬剤によりウエハ表面や表面上の汚れを化学反応
若しくは溶解によって除去する。一般にウェット洗浄処
理は、被洗浄物の表面をエッチするものと表面の汚染の
みを除去するものがあるが、本明細書ではこれらを特に
区別せずウェット洗浄と呼ぶ。
【０００３】図４は、ウェット洗浄に用いる従来の処理
槽である。処理槽５１の内部にキャリアホルダ５２が備
え付けられている。複数のウエハ５４は、キャリア５３
にセットされている。そのキャリア５３は、処理槽５１
内のキャリアホルダ５２により保持される。
槽である。処理槽５１の内部にキャリアホルダ５２が備
え付けられている。複数のウエハ５４は、キャリア５３
にセットされている。そのキャリア５３は、処理槽５１
内のキャリアホルダ５２により保持される。
【０００４】ウエハ５４は処理槽５１内に納められてい
る。処理槽５１の中は薬液で満たされ、ウエハ５４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管５７には、薬液
が供給され、薬液供給口５５より処理槽５１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口５５は、処理槽５１内の下部
に配置されている。
る。処理槽５１の中は薬液で満たされ、ウエハ５４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管５７には、薬液
が供給され、薬液供給口５５より処理槽５１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口５５は、処理槽５１内の下部
に配置されている。
【０００５】薬液は薬液供給口５５より注がれ、処理槽
５１内の障害物の間を潜り抜け、処理槽５１の上部より
溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製（ろ過）され、循環
薬液５６ｂとして再び薬液供給用配管５７に供給され
る。薬液供給用配管５７には、新しい薬液５６ａまたは
循環薬液５６ｂが供給され、薬液供給口５５より処理槽
５１内に供給される。
５１内の障害物の間を潜り抜け、処理槽５１の上部より
溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製（ろ過）され、循環
薬液５６ｂとして再び薬液供給用配管５７に供給され
る。薬液供給用配管５７には、新しい薬液５６ａまたは
循環薬液５６ｂが供給され、薬液供給口５５より処理槽
５１内に供給される。
【０００６】処理槽５１は、キャリア５３の寸法よりも
ある程度余裕を持った大きさの寸法であり、キャリア５
３は処理槽５１の内壁との間に隙間を作ってキャリアホ
ルダ５２によって支持される。
ある程度余裕を持った大きさの寸法であり、キャリア５
３は処理槽５１の内壁との間に隙間を作ってキャリアホ
ルダ５２によって支持される。
【０００７】薬液供給口５５より供給された薬液は、キ
ャリア５３やウエハ５４等の障害物に規制されながら、
処理槽５１内の下部から上部へと流れる。処理槽５１の
内壁とキャリア５３との間が広く開いていれば、多くの
薬液が内壁沿いの路を通って、処理槽５１の上部より溢
れ出る。また、キャリア５３に複数セットされたウエハ
５４間の間隔が狭くなるほど、ウエハ５４間に薬液は流
れ難くなり、処理槽５１の内壁沿いを流れ易くなる。
ャリア５３やウエハ５４等の障害物に規制されながら、
処理槽５１内の下部から上部へと流れる。処理槽５１の
内壁とキャリア５３との間が広く開いていれば、多くの
薬液が内壁沿いの路を通って、処理槽５１の上部より溢
れ出る。また、キャリア５３に複数セットされたウエハ
５４間の間隔が狭くなるほど、ウエハ５４間に薬液は流
れ難くなり、処理槽５１の内壁沿いを流れ易くなる。
【０００８】処理槽５１の内壁は平坦な面であり、処理
槽５１の上部から下部まで寸法が同じである。薬液供給
口５５より供給された薬液は、処理槽５１の下部から上
部に向けて真直ぐに流れ易い。処理槽５１の内壁沿いを
流れる薬液は、ウエハ５４に触れることなく、処理槽５
１の上部から溢れ出てしまう。このような薬液の流れ
は、ウエハ５４表面上の汚染を除去する上で効率が良い
とは言えない。
槽５１の上部から下部まで寸法が同じである。薬液供給
口５５より供給された薬液は、処理槽５１の下部から上
部に向けて真直ぐに流れ易い。処理槽５１の内壁沿いを
流れる薬液は、ウエハ５４に触れることなく、処理槽５
１の上部から溢れ出てしまう。このような薬液の流れ
は、ウエハ５４表面上の汚染を除去する上で効率が良い
とは言えない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】処理槽内において半導
体ウエハをウェット洗浄する際、薬液は処理槽内の下部
より上方の半導体ウエハに向けて供給される。従来の処
理槽を用いれば、処理槽の内壁と半導体ウエハとの間の
隙間を通る薬液は、真直ぐに上方に流れ半導体ウエハに
触れることなく処理槽上部から溢れ出てしまう可能性が
大きい。
体ウエハをウェット洗浄する際、薬液は処理槽内の下部
より上方の半導体ウエハに向けて供給される。従来の処
理槽を用いれば、処理槽の内壁と半導体ウエハとの間の
隙間を通る薬液は、真直ぐに上方に流れ半導体ウエハに
触れることなく処理槽上部から溢れ出てしまう可能性が
大きい。
【００１０】本発明の目的は、処理槽内の半導体ウエハ
に効率良く薬液を供給できるウェット洗浄装置を提供す
ることである。
に効率良く薬液を供給できるウェット洗浄装置を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のウェット洗浄装
置は、半導体ウエハ（４）を薬液に浸して洗浄を行うウ
ェット洗浄装置であって、半導体ウエハを収容するため
の処理槽（１）と、処理槽内に薬液を供給するために、
処理槽の下部に配置された薬液吹出手段（５）と、処理
槽内において薬液吹出手段より上に配置され、半導体ウ
エハを囲んで配置され、下から上に向う流体の流れを半
導体ウエハに向うように規制する主流れ規制手段（８）
とを有する。
置は、半導体ウエハ（４）を薬液に浸して洗浄を行うウ
ェット洗浄装置であって、半導体ウエハを収容するため
の処理槽（１）と、処理槽内に薬液を供給するために、
処理槽の下部に配置された薬液吹出手段（５）と、処理
槽内において薬液吹出手段より上に配置され、半導体ウ
エハを囲んで配置され、下から上に向う流体の流れを半
導体ウエハに向うように規制する主流れ規制手段（８）
とを有する。
【００１２】
【作用】処理槽の内壁にしきり板等の主流れ規制手段を
設けることにより、処理槽の下部より供給された薬液
は、半導体ウエハの表面上に集中して流れる。また処理
槽内には乱流が生じ、薬液置換効率が向上する。
設けることにより、処理槽の下部より供給された薬液
は、半導体ウエハの表面上に集中して流れる。また処理
槽内には乱流が生じ、薬液置換効率が向上する。
【００１３】
【実施例】図１は、処理槽内にしきり板を設けたウェッ
ト洗浄装置を示す。処理槽の中にしきり板を設けて半導
体ウエハのウェット洗浄を行う例を示す。
ト洗浄装置を示す。処理槽の中にしきり板を設けて半導
体ウエハのウェット洗浄を行う例を示す。
【００１４】処理槽１の内部にキャリアホルダ２が備え
付けられている。複数のウエハ４は、キャリア３にセッ
トされている。キャリア３は、処理槽１内のキャリアホ
ルダ２により保持される。
付けられている。複数のウエハ４は、キャリア３にセッ
トされている。キャリア３は、処理槽１内のキャリアホ
ルダ２により保持される。
【００１５】ウエハ４は処理槽１内に納められている。
処理槽１の中は薬液で満たされ、ウエハ４は薬液により
浸されている。薬液供給用配管７には、薬液が供給さ
れ、薬液供給口５より処理槽１内に薬液が注ぎ込まれ
る。薬液供給口５は、処理槽１内の下部に設けられてい
る。
処理槽１の中は薬液で満たされ、ウエハ４は薬液により
浸されている。薬液供給用配管７には、薬液が供給さ
れ、薬液供給口５より処理槽１内に薬液が注ぎ込まれ
る。薬液供給口５は、処理槽１内の下部に設けられてい
る。
【００１６】薬液は薬液供給口５より注がれ、処理槽１
の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製（ろ過）
され、循環薬液６ｂとして再び薬液供給用配管７に供給
される。薬液供給用配管７には、新しい薬液６ａまたは
循環薬液６ｂが供給され、薬液供給口５より処理槽１内
に供給される。
の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製（ろ過）
され、循環薬液６ｂとして再び薬液供給用配管７に供給
される。薬液供給用配管７には、新しい薬液６ａまたは
循環薬液６ｂが供給され、薬液供給口５より処理槽１内
に供給される。
【００１７】処理槽１は、キャリア３の寸法よりも大き
な寸法であり、キャリア３は処理槽５の内壁との間に隙
間を作ってキャリアホルダ２によって支持される。しき
り板８は、処理槽１の内壁に取り付けられている。
な寸法であり、キャリア３は処理槽５の内壁との間に隙
間を作ってキャリアホルダ２によって支持される。しき
り板８は、処理槽１の内壁に取り付けられている。
【００１８】薬液供給口５より供給された薬液は、キャ
リア３やウエハ４等の障害物に規制されつつ、処理槽１
の内壁沿いを流れようとする。薬液は、処理槽１内の内
壁沿いを上部に向けて流れ、内壁に対して水平方向に設
けられたしきり板８により流れを遮られる。しきり板８
に衝突した薬液は、処理槽１内の中央部へと流れ込み、
ウエハ４の表面上に供給される。
リア３やウエハ４等の障害物に規制されつつ、処理槽１
の内壁沿いを流れようとする。薬液は、処理槽１内の内
壁沿いを上部に向けて流れ、内壁に対して水平方向に設
けられたしきり板８により流れを遮られる。しきり板８
に衝突した薬液は、処理槽１内の中央部へと流れ込み、
ウエハ４の表面上に供給される。
【００１９】しきり板８により処理槽１内の中央部に流
れ込んだ薬液は、隙間の多いキャリア３を用いることに
より、キャリア３の隙間を縫ってウエハ４に供給され易
くなる。
れ込んだ薬液は、隙間の多いキャリア３を用いることに
より、キャリア３の隙間を縫ってウエハ４に供給され易
くなる。
【００２０】処理槽１の内壁とキャリア３との隙間に供
給された薬液は、しきり板８により流れを変えられウエ
ハ４の表面上を流れるようになる。そして、ウエハ４表
面上の汚染を除去する。また、薬液がしきり板８によっ
て流れを変えられることにより、処理槽１内に乱流が発
生する。処理槽１内に生じた乱流により、ウエハ４表面
上により効率的に薬液が供給され、汚染が効果的に除去
される。
給された薬液は、しきり板８により流れを変えられウエ
ハ４の表面上を流れるようになる。そして、ウエハ４表
面上の汚染を除去する。また、薬液がしきり板８によっ
て流れを変えられることにより、処理槽１内に乱流が発
生する。処理槽１内に生じた乱流により、ウエハ４表面
上により効率的に薬液が供給され、汚染が効果的に除去
される。
【００２１】以上のように、処理槽１の内壁にしきり板
８を設けることにより、薬液供給口５から供給された薬
液は、ウエハ４の表面上に集中して流れる。また処理槽
１内には乱流が生じ、効率の良いウェット洗浄を行うこ
とができる。
８を設けることにより、薬液供給口５から供給された薬
液は、ウエハ４の表面上に集中して流れる。また処理槽
１内には乱流が生じ、効率の良いウェット洗浄を行うこ
とができる。
【００２２】図２は、処理槽内に２重しきり板を設けた
ウェット洗浄装置を示す。処理槽の中に２つのしきり板
を設けて半導体ウエハのウェット洗浄を行う例を示す。
処理槽１１の内部にキャリアホルダ１２が備え付けられ
ている。複数のウエハ１４は、キャリア１３にセットさ
れている。キャリア１３は、処理槽１１内のキャリアホ
ルダ１２により保持される。
ウェット洗浄装置を示す。処理槽の中に２つのしきり板
を設けて半導体ウエハのウェット洗浄を行う例を示す。
処理槽１１の内部にキャリアホルダ１２が備え付けられ
ている。複数のウエハ１４は、キャリア１３にセットさ
れている。キャリア１３は、処理槽１１内のキャリアホ
ルダ１２により保持される。
【００２３】ウエハ１４は処理槽１１内に納められてい
る。処理槽１１の中は薬液で満たされ、ウエハ１４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管１７には、薬液
が供給され、薬液供給口１５より処理槽１１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口１５は、処理槽１１内の下部
に配置されている。
る。処理槽１１の中は薬液で満たされ、ウエハ１４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管１７には、薬液
が供給され、薬液供給口１５より処理槽１１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口１５は、処理槽１１内の下部
に配置されている。
【００２４】薬液は薬液供給口１５より注がれ、処理槽
１１の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製さ
れ、循環薬液１６ｂとして再び薬液供給用配管１７に供
給される。薬液供給用配管１７には、新しい薬液１６ａ
または循環薬液１６ｂが供給され、薬液供給口１５より
処理槽１１内に供給される。
１１の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製さ
れ、循環薬液１６ｂとして再び薬液供給用配管１７に供
給される。薬液供給用配管１７には、新しい薬液１６ａ
または循環薬液１６ｂが供給され、薬液供給口１５より
処理槽１１内に供給される。
【００２５】処理槽１１は、キャリア１３の寸法よりも
大きな寸法であり、キャリア１３は処理槽１５の内壁と
の間に隙間を作ってキャリアホルダ１２によって支持さ
れる。処理槽１１の中には２つのしきり板１８ａ，１８
ｂが設けられている。しきり板１８ａは、処理槽１１の
内壁においてウエハ１４の中心高さとほぼ同じ高さ程度
の位置に設けられ、しきり板１８ｂは処理槽１１の内壁
においてしきり板１８ａの上方に設けられている。
大きな寸法であり、キャリア１３は処理槽１５の内壁と
の間に隙間を作ってキャリアホルダ１２によって支持さ
れる。処理槽１１の中には２つのしきり板１８ａ，１８
ｂが設けられている。しきり板１８ａは、処理槽１１の
内壁においてウエハ１４の中心高さとほぼ同じ高さ程度
の位置に設けられ、しきり板１８ｂは処理槽１１の内壁
においてしきり板１８ａの上方に設けられている。
【００２６】薬液供給口１５より供給された薬液は、キ
ャリア１３やウエハ１４等の障害物に規制されつつ、処
理槽１１の内壁沿いを流れようとする。薬液は、処理槽
１１内の内壁沿いを上部に向けて流れ、内壁に対して水
平方向に設けられたしきり板１８ａにより流れを遮られ
る。しきり板１８ａに衝突した薬液は、処理槽１１内の
中央部へと流れ込み、ウエハ１４の表面上に供給され
る。
ャリア１３やウエハ１４等の障害物に規制されつつ、処
理槽１１の内壁沿いを流れようとする。薬液は、処理槽
１１内の内壁沿いを上部に向けて流れ、内壁に対して水
平方向に設けられたしきり板１８ａにより流れを遮られ
る。しきり板１８ａに衝突した薬液は、処理槽１１内の
中央部へと流れ込み、ウエハ１４の表面上に供給され
る。
【００２７】しきり板１８ａ上方の処理槽１１の内壁に
流れ込んだ薬液は、しきり板１８ｂの誘導により流れ方
向を反転し、処理槽１１内の中央部へと流れ込む。そし
て、ウエハ１４の表面上に供給される。処理槽１１の内
壁沿いを流れる薬液は、しきり板１８ａによりウエハ１
４の表面上に集中して供給され、更にしきり板１８ｂに
よって処理槽１１内の上部においてもウエハ１４の表面
上へと導かれる。
流れ込んだ薬液は、しきり板１８ｂの誘導により流れ方
向を反転し、処理槽１１内の中央部へと流れ込む。そし
て、ウエハ１４の表面上に供給される。処理槽１１の内
壁沿いを流れる薬液は、しきり板１８ａによりウエハ１
４の表面上に集中して供給され、更にしきり板１８ｂに
よって処理槽１１内の上部においてもウエハ１４の表面
上へと導かれる。
【００２８】しきり板１８ａ，１８ｂによりウエハ１４
の表面上に供給された薬液は、ウエハ１４表面上の汚染
を除去する。そして、薬液がしきり板１８ａ，１８ｂに
よって流れを変えられることにより、処理槽１１内に乱
流が発生する。処理槽１１内に生じた乱流により、ウエ
ハ１４表面上の薬液交換が効率的に行われ、汚染が効果
的に除去される。
の表面上に供給された薬液は、ウエハ１４表面上の汚染
を除去する。そして、薬液がしきり板１８ａ，１８ｂに
よって流れを変えられることにより、処理槽１１内に乱
流が発生する。処理槽１１内に生じた乱流により、ウエ
ハ１４表面上の薬液交換が効率的に行われ、汚染が効果
的に除去される。
【００２９】以上のように、処理槽１１の内壁に２つの
しきり板１８ａ，１８ｂを設けることにより、薬液供給
口１５から供給された薬液は、ウエハ１４の表面上に集
中して流れる。また処理槽１１内には乱流が生じ、効率
の良いウェット洗浄を行うことができる。
しきり板１８ａ，１８ｂを設けることにより、薬液供給
口１５から供給された薬液は、ウエハ１４の表面上に集
中して流れる。また処理槽１１内には乱流が生じ、効率
の良いウェット洗浄を行うことができる。
【００３０】図３は、バブリングを用いたウェット洗浄
において、処理槽内にしきり板を設けたウェット洗浄装
置を示す。処理槽２１の内部にキャリアホルダ２２が備
え付けられている。複数のウエハ２４は、キャリア２３
にセットされている。キャリア２３は、処理槽２１内の
キャリアホルダ２２により保持される。
において、処理槽内にしきり板を設けたウェット洗浄装
置を示す。処理槽２１の内部にキャリアホルダ２２が備
え付けられている。複数のウエハ２４は、キャリア２３
にセットされている。キャリア２３は、処理槽２１内の
キャリアホルダ２２により保持される。
【００３１】ウエハ２４は処理槽２１内に納められてい
る。処理槽２１の中は薬液で満たされ、ウエハ２４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管２７には、薬液
が供給され、薬液供給口２５より処理槽２１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口２５は、処理槽２１内の下部
に配置されている。
る。処理槽２１の中は薬液で満たされ、ウエハ２４は薬
液により浸されている。薬液供給用配管２７には、薬液
が供給され、薬液供給口２５より処理槽２１内に薬液が
注ぎ込まれる。薬液供給口２５は、処理槽２１内の下部
に配置されている。
【００３２】薬液は薬液供給口２５より注がれ、処理槽
２１の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製さ
れ、循環薬液２６ｂとして再び薬液供給用配管２７に供
給される。薬液供給用配管２７には、新しい薬液２６ａ
または循環薬液２６ｂが供給され、薬液供給口２５より
処理槽２１内に供給される。
２１の上部より溢れ出て行く。溢れ出た薬液は精製さ
れ、循環薬液２６ｂとして再び薬液供給用配管２７に供
給される。薬液供給用配管２７には、新しい薬液２６ａ
または循環薬液２６ｂが供給され、薬液供給口２５より
処理槽２１内に供給される。
【００３３】ガス供給用配管２０は、処理槽２１の中に
配管されている。ガス供給用配管２０には、Ｎ2 等の不
活性ガスが供給される。ガス供給用配管２０はガス供給
口２９を有し、ガス供給口２９よりＮ2 等が吹き出され
る。
配管されている。ガス供給用配管２０には、Ｎ2 等の不
活性ガスが供給される。ガス供給用配管２０はガス供給
口２９を有し、ガス供給口２９よりＮ2 等が吹き出され
る。
【００３４】ガス供給口２９は処理槽２１内の下部に設
けられ、ガス供給口２９より吹き出されたＮ2 ガスは、
処理槽２１内の下部から上部へ向け、泡と成って上昇し
て行く。Ｎ2 ガスは、浮力によって上昇する際に薬液供
給口２５より供給された薬液を攪拌しつつ、ウエハ２４
表面上を通過する。このようなＮ2 ガスのバブリングに
よりウエハ２４表面上の汚染はより効率的に除去され
る。
けられ、ガス供給口２９より吹き出されたＮ2 ガスは、
処理槽２１内の下部から上部へ向け、泡と成って上昇し
て行く。Ｎ2 ガスは、浮力によって上昇する際に薬液供
給口２５より供給された薬液を攪拌しつつ、ウエハ２４
表面上を通過する。このようなＮ2 ガスのバブリングに
よりウエハ２４表面上の汚染はより効率的に除去され
る。
【００３５】処理槽２１は、キャリア２３の寸法よりも
大きな寸法であり、キャリア２３は処理槽２５の内壁と
の間に隙間を作ってキャリアホルダ２２によって支持さ
れる。しきり板２８は、処理槽２１の内壁に設けられて
いる。
大きな寸法であり、キャリア２３は処理槽２５の内壁と
の間に隙間を作ってキャリアホルダ２２によって支持さ
れる。しきり板２８は、処理槽２１の内壁に設けられて
いる。
【００３６】薬液供給口２５より供給された薬液は、Ｎ
2 ガスと共に、キャリア２３やウエハ２４等の障害物に
規制されつつ、処理槽２１の内壁沿いを流れようとす
る。薬液は、処理槽２１内の内壁沿いを上部に向けて流
れ、内壁に対して水平方向に設けられたしきり板２８に
より流れを遮られる。しきり板２８に衝突した薬液は、
処理槽２１内の中央部へと流れ込み、Ｎ2 ガスと共にウ
エハ２４の表面上に供給される。
2 ガスと共に、キャリア２３やウエハ２４等の障害物に
規制されつつ、処理槽２１の内壁沿いを流れようとす
る。薬液は、処理槽２１内の内壁沿いを上部に向けて流
れ、内壁に対して水平方向に設けられたしきり板２８に
より流れを遮られる。しきり板２８に衝突した薬液は、
処理槽２１内の中央部へと流れ込み、Ｎ2 ガスと共にウ
エハ２４の表面上に供給される。
【００３７】しきり板２８によりウエハ２４の表面上に
供給された薬液は、ウエハ２４表面上の汚染を除去す
る。そして、薬液がしきり板２８によって流れを変えら
れることにより、処理槽２１内に乱流が発生する。ま
た、バブリングにより細かい乱流が発生する。これらの
乱流により、ウエハ２４表面上の汚染は効果的に除去さ
れる。
供給された薬液は、ウエハ２４表面上の汚染を除去す
る。そして、薬液がしきり板２８によって流れを変えら
れることにより、処理槽２１内に乱流が発生する。ま
た、バブリングにより細かい乱流が発生する。これらの
乱流により、ウエハ２４表面上の汚染は効果的に除去さ
れる。
【００３８】以上のように、処理槽１１の内壁にしきり
板１８を設けることにより、薬液供給口１５から供給さ
れた薬液とガス供給口２９から供給されたＮ2 ガスは、
ウエハ２４の表面上に集中して流れる。また処理槽２１
内には乱流が生じ、効率の良いウェット洗浄を行うこと
ができる。
板１８を設けることにより、薬液供給口１５から供給さ
れた薬液とガス供給口２９から供給されたＮ2 ガスは、
ウエハ２４の表面上に集中して流れる。また処理槽２１
内には乱流が生じ、効率の良いウェット洗浄を行うこと
ができる。
【００３９】このように、従来より用いているウェット
洗浄装置の構造を大きく変更することなく、ウエハを効
果的に洗浄することができる。また、処理槽内に供給す
る薬液の流量を増やす必要もない。
洗浄装置の構造を大きく変更することなく、ウエハを効
果的に洗浄することができる。また、処理槽内に供給す
る薬液の流量を増やす必要もない。
【００４０】なお、しきり板が処理槽に固定されている
場合を説明したが、薬液の流れを変える作用を果たせれ
ばよく、処理槽と別体の流れ規制手段を用いてもよい。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれ
らに制限されるものではない。たとえば、種々の変更、
改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
場合を説明したが、薬液の流れを変える作用を果たせれ
ばよく、処理槽と別体の流れ規制手段を用いてもよい。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれ
らに制限されるものではない。たとえば、種々の変更、
改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
【００４１】
【発明の効果】処理槽の内側に流れ規制手段を設けるこ
とにより、薬液は半導体ウエハの表面上に効率良く流れ
込む。そして、処理槽内には乱流が生成される。これに
より、効率の良いウェット洗浄を行うことができる。
とにより、薬液は半導体ウエハの表面上に効率良く流れ
込む。そして、処理槽内には乱流が生成される。これに
より、効率の良いウェット洗浄を行うことができる。
【図１】処理槽内にしきり板を設けたウェット洗浄装置
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】処理槽内に２重しきり板を設けたウェット洗浄
装置を示す概略断面図である。
装置を示す概略断面図である。
【図３】処理槽内にしきり板を設け、かつバブリングを
併用したウェット洗浄装置を示す概略断面図である。
併用したウェット洗浄装置を示す概略断面図である。
【図４】ウェット洗浄に用いる従来の処理槽を示す概略
断面図である。
断面図である。
１ 処理槽 ２ キャリアホルダ ３ キャリア ４ ウエハ ５ 薬液供給口 ７ 薬液供給用配管
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハ（４）を薬液に浸して洗浄
を行うウェット洗浄装置であって、 半導体ウエハを収容するための処理槽（１）と、 前記処理槽内に薬液を供給するために、前記処理槽の下
部に配置された薬液吹出手段（５）と、 前記処理槽内において前記薬液吹出手段より上に配置さ
れ、半導体ウエハを囲んで配置され、下から上に向う流
体の流れを半導体ウエハに向うように規制する主流れ規
制手段（８）とを有するウェット洗浄装置。 - 【請求項２】 さらに、前記処理槽内において、半導体
ウエハの上を囲んで配置され、下から上に向う流体の流
れを反転させて半導体ウエハに向うように規制する上部
流れ規制手段（１８ｂ）を有する請求項１記載のウェッ
ト洗浄装置。 - 【請求項３】 さらに、前記処理槽の下部に配置された
ガス吹出口（２９）を有し、前記処理槽内に不活性ガス
を供給するためのガス供給手段を有する請求項１ないし
２記載のウェット洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15717993A JPH0722371A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | ウェット洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15717993A JPH0722371A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | ウェット洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722371A true JPH0722371A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15643919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15717993A Withdrawn JPH0722371A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | ウェット洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722371A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147474A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-26 | System Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 |
| US6301925B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Absorption water heater/chiller and high temperature regenerator therefor |
| JP2009141022A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014011463A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Taiwan Uyemura Co Ltd | 微細気泡式処理装置 |
| JPWO2021048983A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | ||
| WO2021132443A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15717993A patent/JPH0722371A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6301925B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Absorption water heater/chiller and high temperature regenerator therefor |
| US6470702B2 (en) | 1997-11-12 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Absorption water heater/chiller and high temperature regenerator therefor |
| JP2000147474A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-26 | System Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 |
| JP2009141022A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014011463A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Taiwan Uyemura Co Ltd | 微細気泡式処理装置 |
| JPWO2021048983A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | ||
| WO2021048983A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
| KR20210032300A (ko) * | 2019-09-12 | 2021-03-24 | 키오시아 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| US11469127B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-10-11 | Kioxia Corporation | Substrate processing device |
| WO2021132443A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |