KR19980029398A - 퀵 덤프트 드레인 세정조 - Google Patents

Abstract

퀵 덤프트 드레인 세정조(Quick Dumped Drain Bath)를 개시하고 있다. 퀵 드레인 린스를 위한 세정조, 순수 샤우워 바(shower bar)가 위치하지 않는 상면 및 좌 우 면에 질소 가스를 공급하기 위해 설치된 다수개의 질소가스 공급노즐, 상기 세정조 내로 공급되는 질소가스의 와류 방지 및 제어를 위해 상기 질소가스 공급노즐과 연결된 배기 장치, 파티클들을 정류하기 위해 상기 세정조 내에 설치된 정류판, 세정액의 버블링이 가능하도록 상기 세정조 바닥면에 설치된 질소가스 버블러 및 세정액의 신속한 배출을 위해 상기 세정조의 바닥면에 설치된 드레인 홀을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, QDR 공정시 웨이퍼 표면에 파티클이 흡착될 가능성을 최소화하고, QDR 공정시 질소가스를 QDR 조 내부에 공급함으로써 파티클 제거력을 높일 수 있다.

Description

퀵 덤프트 드레인 세정조(Quick Dumped Drain Bath)

본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 퀵 덤프드 린스(Quick Dumped Rinse, 이하 QDR 이라 함) 조(bath)에 관한 것이다.

반도체 제조공정중 세정기술은 더욱더 중요하게 인식되고 있으며, 새로운 세정기술 개발이 요구되고 있다. 이는, 미세 오염에 대한 세정공정의 최적화가 고집적 반도체소자를 개발하기 위한 중요한 변수로 작용하기 때문이다. 그러나, 종래의 단순한 약액(chemical)을 이용한 약액조(bath) 형의 세정기술로는 앞으로 다가올 웨이퍼의 대구경화 및 생산 쓰루풋(throughput) 측면에서 대응이 어려워 이를위한 세정기술의 개발이 요구되고 있는 실정이다.

현재 일반적으로 사용되고 있는 세정과정 특히, 습식식각 후 잔존하는 약액을 제거하기 위한 세정공정은, 질소 버블을 이용한 QDR 공정 → 린스공정 순으로 이루어진다.

현재까지 알려진 바에 의하면, QDR 공정 유무에 따른 식각량의 차이가 상당히 크고, QDR 에 의해 더욱 신뢰성있는 세정공정이 가능한 것으로 알려져 있다.

상기 QDR 공정은 습식식각후 잔존하는 약액 및 반응부산물 등과 같은 파티클을 1차적으로 제거하기 위한 세정 공정이며, 현재 사용되는 대부분의 QDR 조는 순수 샤우워(DIW shower), 질소 버블러(N2 bubbler) 및 QDR을 이용하여 공정을 진행하며, 이러한 공정 진행 중에 주위 환경으로부터의 오염 가능성 역시 가지고 있다.

도 1은 종래 일반적인 QDR 내 외부의 압력 변화 및 공기흐름을 설명하기 위해 도시한 사시도로서, 1은 QDR 조를, 3은 드레인 홀을, P1은 QDR 조 내부 압력을, P2는 QDR 조 외부 압력을, 화살표는 공기흐름을 각각 나타낸다.

도 1을 참조하면, QDR 조 내부의 압력(P1)과 QDR 조 외부의 압력(P2)은 차이가 나게 되고, 그 압력차(P1P2)에 의해 외부 환경으로부터 오염원이 QDR 조 내부로 유입될 가능성이 많다. 즉, QDR 공정 진행시 QDR 조 내부 오염이 발생할 수 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 그 내부 오염을 방지할 수 있는 퀵 덤프드 린스(QDR) 조(bath)를 제공하는 것이다.

도 1은 종래 일반적인 QDR 내 외부의 압력 변화 및 공기흐름을 설명하기 위해 도시한 사시도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 QDR 조를 도시한 사시도이다.

상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 퀵 드레인 린스를 위한 세정조, 순수 샤우워 바(shower bar)가 위치하지 않는 상면 및 좌 우 면에 질소 가스를 공급하기 위해 설치된 다수개의 질소가스 공급노즐, 상기 세정조 내로 공급되는 질소가스의 와류 방지 및 제어를 위해 상기 질소가스 공급노즐과 연결된 배기 장치, 파티클들을 정류하기 위해 상기 세정조 내에 설치된 정류판, 세정액의 버블링이 가능하도록 상기 세정조 바닥면에 설치된 질소가스 버블러 및 세정액의 신속한 배출을 위해 상기 세정조의 바닥면에 설치된 드레인 홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 퀵 덤프트 드레인 세정조(Quick Dumped Drain Bath)를 제공한다.

따라서, QDR 공정시 웨이퍼 표면에 파티클이 흡착될 가능성을 최소화하고, QDR 공정시 질소가스를 QDR 조 내부에 공급함으로써 파티클 제거력을 높일 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 QDR 조를 도시한 사시도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 QDR 조(11)는, DIW 샤우워 바(shower bar)가 위치하지 않는 상면 및 좌 우 면에 질소 가스를 공급하기 위한 질소가스 공급노즐(13)과, 순수 공급을 위한 순수 공급노즐(15)을 구비하고 있으며, QDR 조 내로 공급되는 질소가스의 와류 방지 및 제어를 위한 배기 장치(17)를 구비하고 있다.

또한, QDR 조 내부에는 파티클들을 정류하기 위한 정류판(19)이 장착되어 있으며, QDR 조의 하면에는 세정액의 버블링이 가능하도록 질소가스 버블러(21)가 설치되어 있으며, 세정액의 신속한 배출을 위해 드레인 홀(23)이 설치되어 있다.

QDR 공정시 상기 질소가스 공급노즐(13)을 통해 질소가스가 QDR 조 내부로 유입됨에 따라, QDR 조 내부의 압력(P1)을 외부 환경 압력(P2)보다 높게 유지할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, QDR 조 내부의 환경을 항상 일정하게 유지시킴으로써, QDR 공정시 웨이퍼 표면에 파티클이 흡착될 가능성을 최소화하고, QDR 공정시 질소가스를 QDR 조 내부에 공급함으로써 파티클 제거력을 높일 수 있다.

Claims (1)

1. 퀵 드레인 린스를 위한 세정조, 순수 샤우워 바(shower bar)가 위치하지 않는 상면 및 좌 우 면에 질소 가스를 공급하기 위해 설치된 다수개의 질소가스 공급노즐, 상기 세정조 내로 공급되는 질소가스의 와류 방지 및 제어를 위해 상기 질소가스 공급노즐과 연결된 배기 장치, 파티클들을 정류하기 위해 상기 세정조 내에 설치된 정류판, 세정액의 버블링이 가능하도록 상기 세정조 바닥면에 설치된 질소가스 버블러 및 세정액의 신속한 배출을 위해 상기 세정조의 바닥면에 설치된 드레인 홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 퀵 덤프트 드레인 세정조(Quick Dumped Drain Bath).