CN113257661A - 一种提升8寸磨洗fo槽漂洗效果的方法 - Google Patents

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黄春峰
王楷
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Abstract

本发明公开了一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其方法包括以下步骤：S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出：S2、然后在4#槽内增加压缩空气鼓泡装置，硅片放入漂洗槽，超声一段时间后，表面附着一层沾污，压缩空气形成的气泡。

Description

一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体为一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法。
背景技术
硅研磨片的清洗在半导体清洗工艺中具有重要作用，是由“脏”到“净”的第一步，研磨片清洗的洁净度直接影响化腐工序的加工，在半导体材料加工过程，几乎每道工序都涉及到清洗，清洗效果直接影响下一工序加工，其中研磨片清洗，直接影响酸腐后硅片表面是否合格，现有的清洗方法对研磨片清洗效果不佳，且导致酸腐后硅片表面残留的沾污、药液较多。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，以解决上述背景技术中提出的现有的清洗方法对研磨片清洗效果不佳，且导致酸腐后硅片表面残留的沾污、药液较多的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其方法包括以下步骤：
S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出。
S2、然后在4#槽内增加压缩空气鼓泡装置，硅片放入漂洗槽，超声一段时间后，表面附着一层沾污，压缩空气形成的气泡，由下向上涌动，将表层沾污带走，失去表层沾污的影响，超声更易将损伤层沾污析出到表层，然后重复鼓泡，将沾污带走，从而达到提升漂洗能力的效果。
S3、最后原磨片清洗机7#槽为QDR槽，因硅片与片架接触位置冲洗较弱，此时经过多个药液槽的清洗，硅片表面已相对洁净，故增加N2气鼓泡装置，全程鼓泡，使QDR槽未完全排净纯水或纯水加到一半时，在鼓泡作用下，硅片来回小幅度晃动，增加硅片边缘与片架间隙，提高冲洗效果。
优选的，所述压缩空气鼓泡装置设置每90s鼓泡10s，所述4#槽鼓泡使用0.1-0.4MPa压缩空气，且7#槽使用0.1-0.4MPa的N2鼓泡。
优选的，所述本方法所使用的辅料分别为氢氧化钾、表面活性剂、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸和醋酸。
优选的，所述本方法所采用的验证流程分别为磨片→磨片清洗→酸腐→外观检验→腐后清洗→外观检验。
优选的，所述本方法所采用的设备分别为SCC磨片清洗机、AWES硅片酸腐机和ASE腐后清洗机。
优选的，所述本方法中的SCC磨洗机槽体数量为11个。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过鼓泡与换水相结合，有效提升了硅片表面的清洗效果，且成本较低，实用性较高，通过增加溢流槽鼓泡装置，有效的减少酸腐后硅片表面残留的沾污和药液等问题。
附图说明
图1为本发明的SCC磨洗机槽体尺寸分布示意表；
图2为本发明的不加鼓泡清洗硅片表面示意图；
图3为本发明的加鼓泡清洗硅片表面示意图；
图4为本发明的漂洗槽结构示意；
图5为本发明的鼓泡状态图。
图中：1、漂洗槽本体；2、鼓泡管。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
本实施例的方法包括以下步骤：
S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出。
S2、然后在4#槽内增加压缩空气鼓泡装置，硅片放入漂洗槽，超声一段时间后，表面附着一层沾污，压缩空气形成的气泡，由下向上涌动，将表层沾污带走，失去表层沾污的影响，超声更易将损伤层沾污析出到表层，然后重复鼓泡，将沾污带走，从而达到提升漂洗能力的效果。
S3、最后原磨片清洗机7#槽为QDR槽，因硅片与片架接触位置冲洗较弱，此时经过多个药液槽的清洗，硅片表面已相对洁净，故增加N2气鼓泡装置，全程鼓泡，使QDR槽未完全排净纯水或纯水加到一半时，在鼓泡作用下，硅片来回小幅度晃动，增加硅片边缘与片架间隙，提高冲洗效果。
本实施例中，压缩空气鼓泡装置设置每90s鼓泡10s，4#槽鼓泡使用0.1-0.4MPa压缩空气，且7#槽使用0.1-0.4MPa的N2鼓泡。
本实施例中，本方法所使用的辅料分别为氢氧化钾、表面活性剂、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸和醋酸。
本实施例中，本方法所采用的验证流程分别为磨片→磨片清洗→酸腐→外观检验→腐后清洗→外观检验。
本实施例中，本方法所采用的设备分别为SCC磨片清洗机、AWES硅片酸腐机和ASE腐后清洗机。
本实施例中，本方法中的SCC磨洗机槽体数量为11个。
结果表明本发明酸腐后表面蓝色雾状残留实为沾污物与混酸生成物，轻微蓝雾过腐后清洗可洗净，但严重蓝雾过腐后清洗无法完全洗净，会呈现出灰色药液残留，该种蓝雾若过重，则无法在腐蚀后清洗干净，故必须在腐蚀前增加清洗效果，增加鼓泡装置与清洗过程换水，有效的改善了这一缺陷。
实施例二：
与实施例一的区别特征在于：
本实施例的方法包括以下步骤：
S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出，。
S2、最后原磨片清洗机7#槽为QDR槽，因硅片与片架接触位置冲洗较弱，此时经过多个药液槽的清洗，硅片表面已相对洁净，故增加N2气鼓泡装置，全程鼓泡，使QDR槽未完全排净纯水或纯水加到一半时，在鼓泡作用下，硅片来回小幅度晃动，增加硅片边缘与片架间隙，提高冲洗效果。
本实施例中，本方法所使用的辅料分别为氢氧化钾、表面活性剂、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸和醋酸。
本实施例中，本方法所采用的验证流程分别为磨片→磨片清洗→酸腐→外观检验→腐后清洗→外观检验。
本实施例中，本方法所采用的设备分别为SCC磨片清洗机、AWES硅片酸腐机和ASE腐后清洗机。
本实施例中，本方法中的SCC磨洗机槽体数量为11个。
综上：本发明实施例一中的本发明结果表明，相比于实施例二中原方法结果，本发明通过鼓泡与换水相结合，有效提升了硅片表面的清洗效果，且成本较低，实用性较高，通过增加溢流槽鼓泡装置，有效的减少酸腐后硅片表面残留的沾污和药液等问题，因此本发明的效果更加优于原方法的效果。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：其方法包括以下步骤：
S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出；
S2、然后在4#槽内增加压缩空气鼓泡装置，硅片放入漂洗槽，超声一段时间后，表面附着一层沾污，压缩空气形成的气泡，由下向上涌动，将表层沾污带走，失去表层沾污的影响，超声更易将损伤层沾污析出到表层，然后重复鼓泡，将沾污带走，从而达到提升漂洗能力的效果；
S3、最后原磨片清洗机7#槽为QDR槽，因硅片与片架接触位置冲洗较弱，此时经过多个药液槽的清洗，硅片表面已相对洁净，故增加N2气鼓泡装置，全程鼓泡，使QDR槽未完全排净纯水或纯水加到一半时，在鼓泡作用下，硅片来回小幅度晃动，增加硅片边缘与片架间隙，提高冲洗效果。
2.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：所述压缩空气鼓泡装置设置每90s鼓泡10s，所述4#槽鼓泡使用0.1-0.4MPa压缩空气，且7#槽使用0.1-0.4MPa的N2鼓泡。
3.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：所述本方法所使用的辅料分别为氢氧化钾、表面活性剂、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸和醋酸。
4.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：所述本方法所采用的验证流程分别为磨片→磨片清洗→酸腐→外观检验→腐后清洗→外观检验。
5.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：所述本方法所采用的设备分别为SCC磨片清洗机、AWES硅片酸腐机和ASE腐后清洗机。
6.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其特征在于：所述本方法中的SCC磨洗机槽体数量为11个。
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