CN103433233A - 晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料，在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；同时，由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。

Description

晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作领域，具体而言，涉及一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。

背景技术

晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。随着技术的进步，N型晶硅电池越来越受到市场的重视，而N型太阳能电池选择性背场的工艺又成为提升效率必不可少工艺步骤。现在制作选择性背场的技术中，最好的工艺方法就是采用丝网印刷的方式把弱酸性的腐蚀浆料直接印刷到背场表面，N型太阳能电池选择性背场的工艺即在电池的背场电极栅线（包括主栅和细栅）下及其四周形成高掺杂深扩散区，其他区域形成低掺杂浅扩散区，表面形成高低结，提高太阳电池的开路电压Voc、短路电流Isc，使电池获得高的光电转换效率；待腐蚀浆料与氧化硅反应后把残余的腐蚀浆料去掉即可。

目前，残余腐蚀浆料的清洗方法，首先把反应后留有残余腐蚀浆料的硅片放入常温纯水中清洗2～5分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡；然后把硅片再放入高温纯水中清洗10～25分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡；最后把硅片再放入常温纯水中清洗2～8分钟，清洗过程要求在伴随鼓泡的槽中进行。

但是上述清洗方法存在以下主要缺点：1）腐蚀浆料清洗不完全，特别是一些边角位置；2）清洗时间比较长，影响太阳能电池的制作效率。

发明内容

本发明旨在提供一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中腐蚀浆料清洗不完全的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。

进一步地，上述步骤S1在进行超声清洗的同时使硅片在弱碱性溶液中上下运动。

进一步地，上述步骤S1中，弱碱性溶液为质量浓度为0.1～2%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，超声清洗的时间为2～8min，超声的频率为1500～2500Hz，弱碱性溶液的温度为20～45℃，硅片在碱性溶液中上下运动的频率为1～5次/min。

进一步地，上述步骤S2在清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，上述步骤S2中，清洗的时间为2～8min，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述清洗方法还包括：步骤A，在步骤S1之前还包括采用纯水对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，上述步骤A中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述清洗方法还包括在步骤A之前采用弱酸性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向弱酸性溶液充入气体。

进一步地，上述清洗方法还包括：步骤S3，在步骤S2之后采用弱酸性溶液对完成步骤S2的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向弱酸性溶液充入气体；步骤S4，采用纯水将完成步骤S3的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，采用上述弱酸性溶液进行超声清洗时，弱酸性溶液为温度为15～25℃、质量浓度为0.5～1%的盐酸或硝酸，超声清洗的时间为1～4min，超声的频率为1500～2500Hz，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述步骤S4中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

根据本发明的另一方面，提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，印刷电极包括印刷浆料和清洗浆料的过程，清洗浆料的过程采用上述的清洗方法进行。

根据本发明的又一方面，提供了一种晶硅太阳能电池，晶硅太阳能电池采用上述的制作方法制作而成。

应用本发明的技术方案，采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料，在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；同时，由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照具体实施方式，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了实施例5得到清洗后的硅片的显微镜检测结果图；

图2示出了实施例5得到清洗后的硅片印刷电极后栅线处的显微镜检测结果图；

图3示出了对比例1得到清洗后的硅片的显微镜检测结果图；以及

图4示出了对比例1得到清洗后的硅片印刷电极后栅线处的显微镜检测结果图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

鉴于目前的清洗方法存在背景技术中所分析的缺点，本发明在不影响所制作的晶硅太阳能电池的效率的前提下，将怎样清洗残余腐蚀浆料作为研究的重点，在本发明一种典型的实施方式中，提出了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，该清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。

上述实施方式所提供的清洗方法采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料，在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；同时，在清洗过程中，碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。

为了进一步改善弱酸性腐蚀浆料与弱碱性溶液的接触效果，优选上述清洗方法的步骤S1在进行超声清洗的同时使硅片在弱碱性溶液中上下运动。硅片在弱碱性溶液中上下运动时，有利于将反应生成的盐类物质冲刷出硅片表面，并且将未反应的弱碱性溶液及时与硅片表面接触，改善浆料与弱碱性溶液的接触效果，提高清洗效率。

在本发明一种优选的实施例中，上述清洗方法的步骤S1中，弱碱性溶液为质量浓度为0.1～2%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，超声清洗的时间为2～8min，超声的频率为1500～2500Hz，弱碱性溶液的温度为20～45℃，硅片在碱性溶液中上下运动的频率为1～5次/min。在上述条件下进行步骤S1的清洗，不仅能够在较短的时间内完成，而且保证了对腐蚀浆料的清洗效果。

本发明的清洗方法在利用纯水进行清洗时，为了加快清洗速度，优选上述步骤S2在清洗的同时向纯水充入气体。向纯水充入气体使纯水鼓泡，利用鼓泡的纯水清洗硅片，使纯水处于类似于搅拌的动态中，增加了纯水与硅片的冲击几率，改善了清洗的效果。本申请优选采用鼓泡机向纯水中充入气体，实现鼓泡。后续向弱酸性溶液中充气也优选采用鼓泡机充气。

在本发明又一种优选的实施例中，上述清洗方法的步骤S2中，清洗的时间为2～8min，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。在上述条件下进行步骤S2的清洗，不仅能够在较短的时间内完成，而且保证了对步骤S1反应产物的清洗效果。

在本发明又一种优选的实施例中，上述清洗方法还包括：步骤A，在步骤S1之前还包括采用纯水对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。在利用弱碱性溶液清洗之前对残余腐蚀浆料的硅片进行清洗，一方面有利于去除硅片上的污染物，另一方面对残余腐蚀浆料也有一定的清洗、稀释作用，进而能够优化弱碱性溶液的清洗效果。

在按照上述优选的实施例清洗硅片是，优选上述步骤A中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。在上述条件下进行清洗能在短时间内完成对污染物的清洗。

为了更好地清洗完成腐蚀的硅片上的污染物，本申请还采用弱酸性溶液对硅片进行清洗，其中采用的弱酸性溶液为质量浓度为0.5～1%的盐酸，具体的清洗方法如下：

在本发明又一种优选的实施例中，上述清洗方法还包括在步骤A之前采用弱酸性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时使弱酸性溶液鼓泡。首先采用弱酸性溶液对硅片进行清洗，能够更好地将存在于残余腐蚀浆料的污染物溶解在弱酸性溶液中，进而利用进一步的纯水将污染物清洗完全。

在本发明又一种优选的实施例中，上述清洗方法还包括：步骤S3，在步骤S2之后采用弱酸性溶液对完成步骤S2的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向弱酸性溶液充入气体；步骤S4，采用纯水将完成步骤S3的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。在完成弱碱性溶液清洗和纯水清洗后再利用弱酸性溶液进行污染物的清洗，也能得到较为理想的清洗效果。为了保证将弱酸性溶液、弱碱性溶液、污染物及反应生成物在更短的时间内更彻底地清除，本发明优选上述步骤S4中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

在上述两种实施例中，采用弱酸性溶液进行超声清洗时，弱酸性溶液为温度为15～25℃、质量浓度为0.5～1%的盐酸或硝酸，超声清洗的时间为1～4min，超声的频率为1500～2500Hz，气体的流量为15～25slm。能在更短的时间内完成对污染物的清洗，并能保证具有较好的清洗效果。

在本发明另一种典型的实施方式中，提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，印刷电极包括印刷浆料和清洗浆料的过程，该清洗浆料的过程采用上述清洗方法进行。上述晶硅太阳能电池的制作方法采用现有技术中常用的制作流程进行，只需要利用本申请的清洗方法替换现有技术中纯水清洗的方法即可，因此适用性较广，使用成本较低，并且清洗时间较短，提高了晶硅太阳能电池的制作效率。

在本发明又一种典型的实施方式中，提供了一种晶硅太阳能电池，晶硅太阳能电池采用上述制作方法制作而成。由于本申请的清洗方法对硅片不会造成损伤，而且会改善清洗效果，因此有利于进一步改善晶硅太阳能电池的制作方法。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

1）在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；

2）由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。

以下将结合实施例和对比例，进一步说明本发明的有益效果。

对的N型硅片进行清洗、表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷浆料后得到的硅片作为实施例和对比例清洗的对象。

实施例1

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入50℃、质量浓度为0.1%的KOH溶液中，清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，其中超声的频率为2000Hz；然后把硅片再放入32℃的纯水中清洗10分钟得到清洗后的硅片。

实施例2

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入35℃、质量浓度为1%的KOH溶液中，清洗10分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，其中超声的频率为2500Hz；然后把硅片再放入25℃的纯水中清洗5分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为20slm。

实施例3

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入35℃、质量浓度为0.5%的KOH溶液中，清洗8分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在KOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为2000Hz，上下运动的速率为2次/min；然后把硅片再放入25℃的纯水中清洗8分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为25slm。

实施例4

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入25℃的纯水中清洗3分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向纯水中充入空气，其中超声的频率为1500Hz，空气的流量为20slm；紧接着把硅片再放入35℃、质量浓度为1%的KOH溶液中，清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在KOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为1500Hz，上下运动的速率为5次/min；最后把硅片再放入25℃的纯水中清洗5分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为30slm。

实施例5

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入20℃质量浓度为0.8%的盐酸溶液，清洗2分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向盐酸溶液中充入空气，其中超声的频率为2000Hz，空气的流量为20slm；然后把硅片再放入25℃的纯水中清洗4分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向纯水中充入空气，其中超声的频率为2000Hz，空气的流量为20slm；紧接着把硅片再放入35℃、质量浓度为1%的KOH溶液中，清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在KOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为2000Hz，上下运动的速率为3次/min；最后把硅片再放入25℃的纯水中清洗5分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为20slm。

实施例6

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入15℃质量浓度为0.5%的盐酸溶液，清洗4分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向盐酸溶液中充入空气，其中超声的频率为1500Hz，空气的流量为25slm；然后把硅片再放入20℃的纯水中清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向纯水中充入空气，其中超声的频率为2500Hz，空气的流量为15slm；紧接着把硅片再放入20℃、质量浓度为2%的KOH溶液中，清洗2分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在KOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为2500Hz，上下运动的速率为1次/min；最后把硅片再放入20℃的纯水中清洗8分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为15slm。

实施例7

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入25℃质量浓度为1%的盐酸溶液，清洗1分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向盐酸溶液中充入空气，其中超声的频率为2500Hz，空气的流量为25slm；然后把硅片再放入30℃的纯水中清洗2分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向纯水中充入空气，其中超声的频率为1500Hz，空气的流量为25slm；紧接着把硅片再放入45℃、质量浓度为0.1%的NaOH溶液中，清洗8分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在NaOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为1500Hz，上下运动的频率为5次/min；最后把硅片再放入30℃的纯水中清洗2分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入空气，空气的流量为25slm。

实施例8

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片紧接着把硅片放入35℃、质量浓度为1%的KOH溶液中，清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行，而且要求带有硅片的片盒在KOH溶液中一直上下运动，其中超声的频率为2000Hz，上下运动的频率为3次/min；然后把硅片再放入25℃的纯水中清洗5分钟，清洗过程向纯水中充入空气，空气的流量为20slm；紧接着将硅片放入20℃质量浓度为1%的盐酸溶液，清洗2分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且向盐酸溶液中充入压缩空气，其中超声的频率为3000Hz，空气的流量为12slm；最后把硅片再放入25℃的纯水中清洗3分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入压缩空气，空气的流量为25slm。

对比例1

首先把反应后留有残余腐蚀浆料的N型硅片放入常温纯水中清洗5分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡，清洗过程向纯水中充入空气，其中超声的频率为2000Hz，空气的流量为20slm；然后把硅片放入50℃纯水中清洗20分钟，清洗过程在带有超声的槽中进行且清洗过程向纯水中充入空气，其中超声的频率为2000Hz，空气的流量为20slm；最后把硅片放入常温纯水中清洗5分钟得到清洗后的硅片，在利用纯水清洗的同时向纯水中充入压缩空气，空气的流量为25slm。

将实施例1至8以及对比例1清洗后的硅片进行烧结后得到晶硅太阳能电池硅片，利用电子显微镜检测实施例5以及对比例1清洗后的硅片以及印刷电极后的硅片，检测结果见图1至图4。采用德国berger模拟太阳光测试仪测试开路电压（Uoc）、短路电流（Isc）、串联电阻（Rsh）、填充因子（FF）和转换效率（Eff）。测试结果见表1。

表1

	Uoc（V）	Isc（A）	Rs（Ω）	Rsh（Ω）	FF（%）	Eff（%）
							实施例1	0.6400	9.202	0.0022	691	78.53	19.33
实施例2	0.6400	9.210	0.0025	689	78.47	19.35
							实施例3	0.6401	9.211	0.0023	724	78.37	19.31
实施例4	0.6402	9.217	0.0022	429	78.60	19.40
							实施例5	0.6410	9.222	0.0022	1380	78.38	19.39
实施例6	0.6409	9.254	0.0023	680	78.13	19.37
							实施例7	0.6404	9.245	0.0022	1266	78.40	19.42
实施例8	0.6402	9.217	0.0024	687	78.47	19.37
							对比例1	0.6364	9.223	0.0025	1338	78.06	19.17

由图1和图3、图2和图4的对比可以看出，采用本发明的清洗方法清洗后的硅片表面光洁，无暗处，即使完成电极印刷后栅线处也没有暗斑出现；而采用对比例1的清洗方法清洗后的硅片表面和栅线处均有不定大小的暗斑点出现，说明清洗效果不好。

由表1中实施例和对比例的数据对比可以发现，采用本发明的清洗方法清洗后的硅片制作成的太阳能电池硅片的转换效率有明显改善。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：

步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；

步骤S2，采用纯水将完成所述步骤S1的硅片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1在进行所述超声清洗的同时使所述硅片在所述弱碱性溶液中上下运动。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述弱碱性溶液为质量浓度为0.1～2%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，所述超声清洗的时间为2～8min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述弱碱性溶液的温度为20～45℃，所述硅片在所述碱性溶液中上下运动的频率为1～5次/min。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2在所述清洗的同时向所述纯水充入气体。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述清洗的时间为2～8min，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：

步骤A，在所述步骤S1之前还包括采用纯水对所述残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述纯水充入气体。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤A中，所述超声清洗的时间为2～5min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

8.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括在所述步骤A之前采用弱酸性溶液对所述残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述弱酸性溶液充入气体。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：

步骤S3，在所述步骤S2之后采用弱酸性溶液对完成所述步骤S2的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述弱酸性溶液充入气体；

步骤S4，采用纯水将完成所述步骤S3的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述纯水充入气体。

10.根据权利要求8或9所述的清洗方法，其特征在于，采用所述弱酸性溶液进行超声清洗时，所述弱酸性溶液为温度为15～25℃、质量浓度为0.5～1%的盐酸或硝酸，所述超声清洗的时间为1～4min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述气体的流量为15～25slm。

11.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述超声清洗的时间为2～5min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

12.一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，所述印刷电极包括印刷浆料和清洗浆料的过程，其特征在于，所述清洗浆料的过程采用权利要求1至11中任一项所述的清洗方法进行。

13.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池采用权利要求12所述的制作方法制作而成。

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