CN113394308A - 半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法，半导体衬底层的处理方法包括：提供初始半导体衬底层；对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中；进行所述扩散退火处理之后，完全去除所述掺杂层。所述半导体衬底层的处理方法能够降低半导体衬底层内部的缺陷。

Description

半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法。
背景技术
太阳能电池(Solar Cell)是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置。太阳能电池是一种清洁能源电池，广泛的应用在生活和生产中。异质结太阳能电池是一种重要的太阳能电池，异质结(HeteroJunctionwith intrinsic Thin layer，简称HJT)结构就是以N型硅衬底为中心，在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层本征氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了PN结的性能，因而使异质结太阳能电池的转换效率提高。另外，异质结太阳能电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。
目前异质结太阳能电池采用的硅衬底内部具有较高的缺陷，硅衬底内部的缺陷难以有效地去除，影响异质结太阳能电池的电学性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体衬底层内部缺陷高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体衬底层的处理方法，包括：提供初始半导体衬底层；对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中；进行所述扩散退火处理之后，完全去除所述掺杂层。
可选的，所述掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层的导电类型相同。
可选的，在进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层的导电类型为N型，所述掺杂层的导电类型为N型。
可选的，所述掺杂层中掺杂离子的浓度为1E16atom/cm3～8E19atom/cm3。
可选的，所述扩散退火处理在炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述掺杂层中含有磷离子。
可选的，所述含磷气源包括POCl3。
可选的，所述扩散退火处理采用的温度为800摄氏度～900摄氏度；所述扩散退火处理采用的时间为0.5小时～2小时。
可选的，所述掺杂层的厚度为0.15微米～0.3微米。
可选的，在进行所述扩散退火处理之前，所述初始半导体衬底层的表面具有损伤区；所述掺杂层位于所述损伤区中，所述掺杂层的厚度小于或者等于所述损伤区的厚度；所述半导体衬底层的处理方法还包括：去除所述损伤区，去除所述掺杂层的步骤在去除所述损伤区的过程中完成。
可选的，在进行所述扩散退火处理之前，所述初始半导体衬底层的正面和背面均具有损伤区；所述扩散退火处理使得所述初始半导体衬底层的正面和背面均具有掺杂层。
可选的，还包括：在进行所述扩散退火处理之前，对所述初始半导体衬底层进行第一表面清洗处理。
可选的，还包括：进行所述第一表面清洗处理之后，且在进行所述扩散退火处理之前，对初始半导体衬底层的表面进行第一去氧化层处理；进行所述第一去氧化层处理之后，且在进行所述扩散退火处理之前，对所述初始半导体衬底层进行第一干燥处理。
可选的，还包括：在进行所述扩散退火处理之后，且在去除所述掺杂层之前，对所述初始半导体衬底层的表面进行第二去氧化层处理。
可选的，去除所述损伤区之后，使得初始半导体衬底层形成半导体衬底层；所述半导体衬底层的处理方法还包括：对所述半导体衬底层的正面和背面进行制绒处理，以在所述半导体衬底层的正面和背面形成陷光结构。
可选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：形成所述陷光结构之后，对所述半导体衬底层进行第二表面清洗处理。
可选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：在进行第二表面清洗处理之前，对所述陷光结构的表面进行圆滑处理。
可选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：进行所述第二表面清洗处理之后，对所述半导体衬底层的表面进行第三去氧化层处理。
可选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：进行所述第三去氧化层处理之后，对所述半导体衬底层进行第二干燥处理。
本发明还提供一种太阳能电池的形成方法，包括本发明的半导体衬底层的处理方法。
本发明技术方法具有以下有益效果：
1.本发明技术方案提供的半导体衬底层的处理方法，对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述掺杂层对于杂质的溶解性增加，通过扩散处理将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中，使得半导体衬底层内部的杂质含量降低。进行所述扩散退火处理之后，将含有杂质的掺杂层去除。综上，使得半导体衬底层内部缺陷降低。
2.进一步，所述掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层的导电类型相同。这样使得掺杂层中的掺杂离子即使有部分扩散至掺杂层侧部的初始半导体衬底层中，初始半导体衬底层的导电类型不会改变。
3.进一步，所述掺杂层中具有掺杂离子，所述掺杂离子的浓度为1E16atom/cm3～8E19 atom/cm3。所述掺杂层中掺杂离子的浓度大于等于1E16atom/cm3，使得掺杂层溶解杂质的能力提高。所述掺杂层中掺杂离子的浓度小于等于8E19 atom/cm3，降低了掺杂层中的掺杂离子扩散至初始半导体衬底层中的几率。
4.进一步，所述掺杂层的厚度为0.15微米～0.3微米。所述掺杂层的厚度大于等于0.15微米，使得掺杂层具有较多的空间来吸收杂质，所述掺杂层的厚度小于等于0.3微米，使得避免太多的杂质进入初始半导体衬底层的内部产生负面影响。
5.进一步，所述扩散退火处理采用的温度一方面需要将气源中的掺杂离子有效的掺杂进入初始半导体衬底层的表面区域，另一方面还需要保证将初始半导体衬底层中的杂质迁移至所述掺杂层中，因此选择扩散退火处理采用的温度不低于800摄氏度；其次，所述扩散退火处理采用的温度不超过900摄氏度，这样使得更好的控制掺杂厚度，且成本较低。
6.进一步，在进行所述扩散退火处理的过程中，一方面由于温度的作用，另一方面由于POCl3中含有氧，因此在进行所述扩散退火处理的过程会使得初始半导体衬底层的表面被氧化而形成氧化层，氧化层在所述扩散退火处理的过程保护初始半导体衬底层的表面，避免初始半导体衬底层的表面受到高温粒子轰击造成损伤。
7.本发明技术方案提供的太阳能电池的形成方法，包括本发明的半导体衬底层的处理方法，由于半导体衬底层内部缺陷降低，因此使得载流子在半导体衬底层中复合的几率降低，使得太阳能电池的开路电压提高，太阳能电池的转换效率提高。综上，太阳能电池的电学性能得到提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中的半导体衬底层的处理过程的流程图；
图2至图7是本发明一实施例中半导体衬底层处理过程的结构示意图；
附图标记：
100、初始半导体衬底层；110、损伤区；120、掺杂层；100a、半导体衬底层；130、陷光结构。
具体实施方式
本发明实施例提供一种半导体衬底层的处理过程，请参考图1，包括以下步骤：
S01:提供初始半导体衬底层；
S02:对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中；
S03:进行所述扩散退火处理之后，完全去除所述掺杂层。
下面结合图2至图7具体介绍半导体衬底层处理过程。
参考图2，提供初始半导体衬底层100。
所述初始半导体衬底层100的材料包括单晶硅。在其他实施例中，所述初始半导体衬底层的材料为其他的半导体材料，如锗或者硅锗。所述半导体衬底层的材料还可以为其他的半导体材料。
本实施例中，所述初始半导体衬底层100的导电类型为N型，后续形成的半导体衬底层的导电类型为N型，半导体衬底层用于太阳能电池。需要说明的是，在其他实施例中，初始半导体衬底层的导电类型为P型。
本实施例中，所述初始半导体衬底层100的表面具有损伤区110。在一个具体的实施例中，所述初始半导体衬底层100的正面和背面均具有损伤区110。
所述损伤区110的厚度为10微米～15微米。具体的，指的是，初始半导体衬底层100的正面的损伤区110的厚度为10微米～15微米，初始半导体衬底层100的背面的损伤区110的厚度为10微米～15微米。
所述损伤区110是由于在切割单晶原料以形成初始半导体衬底层100的过程中造成的。
参考图3，对所述初始半导体衬底层100进行第一表面清洗处理。
所述第一表面清洗处理的作用包括：去除初始半导体衬底层100表面的有机物以及金属杂质污染物。
具体的，第一表面清洗处理不仅对初始半导体衬底层100的正面进行了清洗，还对初始半导体衬底层100的背面进行了清洗。
所述第一表面清洗处理采用的溶液包括：盐酸和双氧水的混合溶液。
参考图4，进行所述第一表面清洗处理之后，对初始半导体衬底层100的表面进行第一去氧化层处理。
第一表面清洗处理的过程中，初始半导体衬底层100的表面被氧化而形成氧化层，氧化层的厚度为小于等于1微米。当所述初始半导体衬底层100的材料为单晶硅时候，该氧化层的材料为氧化硅。
所述第一去氧化层处理的作用包括：去除所述初始半导体衬底层100表面的氧化层，具体的，第一去氧化层处理去除了初始半导体衬底层100正面和背面的氧化层。
所述第一去氧化层处理采用工艺为湿法刻蚀工艺，具体采用的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液，氢氟酸的质量百分比浓度为2％～5％，如2％、3％、4％或5％，刻蚀时间为150秒～300秒，如150秒、200秒、250秒或300秒。
本实施例中，还包括：进行所述第一去氧化层处理之后，对所述初始半导体衬底层100进行第一干燥处理。
在一个实施例中，所述第一干燥处理采用过滤后的空气对初始半导体衬底层100进行烘干，温度为40摄氏度～80摄氏度,如40摄氏度、50摄氏度、60摄氏度、70摄氏度或80摄氏度，时间为600秒～900秒,如600秒、700秒、800秒或900秒。该方法节约了成本。
在其他实施例中，所述第一干燥处理采用氮气烘干。
本实施例中，在进行第一干燥处理之前，进行第一去氧化层处理，第一去氧化层处理去除了亲水性的氧化层，使得第一干燥处理及时将所述初始半导体衬底层100表面的水分去除，相应的，第一干燥处理花费的时间较少。
进行第一干燥处理之后，且在后续进行扩散退火处理之前，所述损伤区110的厚度为9微米～14微米。具体的，指的是，初始半导体衬底层100的正面的损伤区110的厚度为9微米～14微米，初始半导体衬底层100的背面的损伤区110的厚度为9微米～14微米。
参考图5，对所述初始半导体衬底层100的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层100中形成掺杂层120，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层100内部的杂质迁移至所述掺杂层120中。
本实施例中，在进行第一干燥处理之后，进行所述扩散退火处理。在其他实施例中，进行扩散退火处理之前，可以选择进行第一表面清洗处理、第一去氧化层处理以及第一干燥处理的步骤。
所述初始半导体衬底层100内部的杂质包括金属杂质。
所述掺杂层120对于杂质的溶解性增加，通过扩散处理将所述初始半导体衬底层100内部的杂质迁移至所述掺杂层120中，使得半导体衬底层内部的杂质含量降低。进行所述扩散退火处理之后，将含有杂质的掺杂层去除。综上，使得半导体衬底层内部缺陷降低。
在一个实施例中，所述扩散退火处理使得所述初始半导体衬底层100的正面和背面均具有掺杂层120。在其他实施例中，所述扩散退火处理使得所述初始半导体衬底层的仅正面具有掺杂层，或者，所述扩散退火处理使得所述初始半导体衬底层的仅背面具有掺杂层。
本实施例中，所述掺杂层120的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层100的导电类型相同。这样使得掺杂层120中的掺杂离子即使有部分扩散至掺杂层120侧部的初始半导体衬底层100中，初始半导体衬底层100的导电类型不会改变。
当所述初始半导体衬底层100的导电类型为N型时，所述掺杂层120的导电类型为N型。当所述初始半导体衬底层100的导电类型为P型时，所述掺杂层120的导电类型为P型。
在一个实施例中，用于太阳能电池的半导体衬底层的导电类型通常为N型，相应的，所述初始半导体衬底层100的导电类型为N型，所述掺杂层120的导电类型为N型。
在一个实施例中，所述掺杂层120中掺杂离子的浓度为1E16atom/cm3～8E19atom/cm3，如1E16atom/cm3、1E17atom/cm3、1E18atom/cm3、1E19atom/cm3或8E19 atom/cm3。所述掺杂层120中掺杂离子的浓度大于等于1E16atom/cm3，使得掺杂层120溶解杂质的能力提高。所述掺杂层120中掺杂离子的浓度小于等于8E19 atom/cm3，降低了掺杂层120中的掺杂离子扩散至初始半导体衬底层100中的几率。
所述掺杂层120位于所述损伤区110中，所述掺杂层120的厚度小于或者等于损伤区110的厚度。具体的，对于初始半导体衬底层100的正面的掺杂层120和损伤区110，所述掺杂层120的厚度小于或者等于损伤区110的厚度；对于初始半导体衬底层100的背面的掺杂层120和损伤区110，所述掺杂层120的厚度小于或者等于损伤区110的厚度。
在一个实施例中，所述掺杂层120的厚度为0.15微米～0.3微米，如0.15微米、0.2微米、0.25微米或0.3微米。所述掺杂层120的厚度大于等于0.15微米，使得掺杂层120具有较多的空间来吸收杂质，所述掺杂层120的厚度小于等于0.3微米，使得避免太多的杂质进入初始半导体衬底层100的内部产生负面影响。
在一个实施例中，所述扩散退火处理在炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述掺杂层120中含有磷离子。所述含磷气源包括POCl3。
在其他实施例中，所述扩散退火处理还可以采用其他的掺杂气源。
在一个实施例中，所述扩散退火处理采用的温度为800摄氏度～900摄氏度，如800摄氏度、850摄氏度或900摄氏度；所述扩散退火处理采用的时间为0.5小时～2小时，如0.5小时、1小时、1.5小时或2小时。所述扩散退火处理采用的温度一方面需要将气源中的掺杂离子有效的掺杂进入初始半导体衬底层的表面区域，另一方面还需要保证将初始半导体衬底层中的杂质迁移至所述掺杂层120中，因此选择扩散退火处理采用的温度不低于800摄氏度；其次，所述扩散退火处理采用的温度不超过900摄氏度，这样使得更好的控制掺杂厚度，且成本较低。
本实施例中，在进行所述扩散退火处理的过程中，一方面由于温度的作用，另一方面由于POCl3中含有氧，因此在进行所述扩散退火处理的过程会使得初始半导体衬底层100的表面被氧化而形成氧化层，氧化层在所述扩散退火处理的过程保护初始半导体衬底层100的表面，避免初始半导体衬底层100的表面受到高温粒子轰击造成损伤。
本实施例中，还包括：在进行所述扩散退火处理之后，对所述初始半导体衬底层100的表面进行第二去氧化层处理。
所述第二去氧化层处理的作用包括：去除所述初始半导体衬底层100表面的氧化层。
在一个具体的实施例中，所述第二去氧化层处理采用工艺为湿法刻蚀工艺，具体采用的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液，氢氟酸的质量百分比浓度为2％～5％，如2％、3％、4％或5％，刻蚀时间为150秒～300秒，如150秒、200秒、250秒或300秒。
参考图6，完全去除所述掺杂层120。
本实施例中，去除所述损伤区110，去除所述掺杂层120的步骤在去除所述损伤区110的过程中完成。
本实施例中，进行所述第二去氧化层处理之后，完全去除所述掺杂层120，具体的，进行所述第二去氧化层处理之后，去除所述损伤区110。在其他实施例中，进行所述扩散退火处理之后，直接采用一道工艺步骤去除所述损伤区110。
本实施例中，去除所述损伤区110的工艺包括湿法刻蚀工艺，具体的为各向同性湿法刻蚀工艺，在一个具体的实施例中，所述各向同性湿法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀溶液包括KOH，KOH的质量百分比浓度为10％～20％，如10％、15％或20％；刻蚀温度为80摄氏度～85摄氏度,刻蚀时间为60秒～150秒，如60秒、80秒、100秒、120秒或150秒。所述KOH的质量百分比浓度较高，保证刻蚀的各向同性。
在其他实施例中，还可以采用干法刻蚀工艺去除所述损伤区。
本实施例中，完全去除所述掺杂层120之前，进行所述第二去氧化层处理，好处在于：去除表面氧化层，同时去除了表面沾污和杂质，露出洁净的表面便于后续在碱溶液中去除损伤层。
本实施例中，去除所述损伤区110之后，使得初始半导体衬底层100形成半导体衬底层100a。
参考图7，对所述半导体衬底层100a的正面和背面进行制绒处理，以在所述半导体衬底层100a的正面和背面形成陷光结构130。
在一个实施例中，所述陷光结构130的形成为金字塔形。在其他实施例中，陷光结构130的形状还可以为其他形状，不做限制。
本实施例中，还包括：进行所述制绒处理之后，对所述陷光结构130的表面进行圆滑处理。
所述圆滑处理采用湿法刻蚀工艺，具体的，所述圆滑处理的过程为：采用氢氟酸溶液对所述陷光结构130的表面进行刻蚀，在刻蚀的过程中，在所述氢氟酸溶液中通入氧化气体，所述氧化气体包括臭氧。所述氧化气体用于对所述陷光结构130的表面进行氧化，被氧化后的陷光结构130的表面被所述氢氟酸溶液刻蚀，从而完成对陷光结构130的表面进行圆滑处理。
本实施例中，还包括：形成所述陷光结构130之后，对所述半导体衬底层100a进行第二表面清洗处理。
本实施例中，进行所述圆滑处理之后，对所述半导体衬底层100a进行第二表面清洗处理。
需要说明的是，在其他实施例中，可以不进行所述圆滑处理。
所述第二表面清洗处理的作用包括：去除半导体衬底层100a表面的杂质，具体的，去除半导体衬底层100a正面和背面的杂质。
所述第二表面清洗处理采用的溶液包括：盐酸和双氧水的混合溶液。
需要说明的是，所述第二表面清洗处理采用的溶液的纯度大于所述第一表面清洗处理采用的溶液的纯度，减少第二表面清洗处理过程中引入额外的杂质的含量。
本实施例中，还包括：进行所述第二表面清洗处理之后，对所述半导体衬底层的表面进行第三去氧化层处理。
所述第三去氧化层处理采用工艺为湿法刻蚀工艺，具体采用的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液，氢氟酸的质量百分比浓度为2％～5％，刻蚀时间为150秒～300秒。
所述第三去氧化层处理采用的溶液纯度大于所述第二去氧化层处理采用的溶液纯度，且大于所述第一去氧化层处理采用的溶液纯度，减少第三去氧化层处理过程中引入额外的杂质的含量。
本实施例中，还包括：进行所述第三去氧化层处理之后，对所述半导体衬底层进行第二干燥处理。
第二干燥处理的工艺参数参照第一干燥处理的工艺参数，不再详述。
本实施例中，由于在第二干燥处理之前，采用第三去氧化层处理去除了半导体衬底层表面的亲水的氧化层，这样利于第二干燥处理更好的对所述半导体衬底层进行干燥。
本发明另一实施例还提供一种太阳能电池的形成方法，包括上述的半导体衬底层的处理方法。
在一个实施例中，所述太阳能电池为异质结太阳能电池。
具体的，在进行所述第二干燥处理之后，在所述半导体衬底层的正面形成第一本征半导体层；在所述半导体衬底层的背面形成第二本征半导体层；在所述第一本征半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成N型半导体层；在所述第二本征半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成P型半导体层；在所述N型半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜；在所述P型半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成第二透明导电膜；在所述第一透明导电膜背向所述半导体衬底层的一侧形成第一栅线电极；在所述第二透明导电膜背向所述半导体衬底层的一侧形成第二栅线电极。
使用上述实施例的方案形成的异质结太阳能电池，做了两次实验，分别为实验1和实验2。需要说明的是，实验1和实验2的工艺步骤和条件以及测试条件均一致，实验1和实验2中的数据有一点小的差别，主要是由工艺误差或者测试误差引起的。
对比组形成异质结太阳能电池中半导体衬底层的处理过程包括：去除半导体衬底层表面的损伤层；去除半导体衬底层表面的损伤层之后，进行所述制绒处理，以在所述半导体衬底层的正面和背面形成陷光结构；进行所述制绒处理之后，对所述陷光结构的表面进行圆滑处理；之后，去除半导体衬底层表面的杂质；之后，去除半导体衬底层表面的氧化层；之后，对所述半导体衬底层进行干燥处理；关于异质结太阳能电池的第一本征半导体层、第二本征半导体层、N型半导体层、P型半导体层、第一透明导电膜、第二透明导电膜、第一栅线电极和第二栅线电极的形成过程和上述实施例的内容相同，不再详述。
将实验1和实验2的异质结太阳能电池与对比组的异质结太阳能电池的性能进行对比，可知，实验1和实验2的异质结太阳能电池的电学性能得到提高，表现在：转化效率(Eta)、开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和填充因子(FF)均得到提高。
实验数据如下表：
种类 Eta Voc Isc FF
对比组 100％ 100％ 100％ 100％
实验1 101.61％ 100.35％ 100.25％ 101.04％
实验2 101.10％ 100.23％ 100.18％ 100.73％
需要说明的是，上表中的数据均为相对值，并不是绝对值。
本实施例提供的太阳能电池的形成方法，包括本发明的半导体衬底层的处理方法，由于半导体衬底层内部缺陷降低，因此使得载流子在半导体衬底层中复合的几率降低，使得太阳能电池的开路电压提高，太阳能电池的转换效率提高。综上，太阳能电池的电学性能得到提高。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种半导体衬底层的处理方法，其特征在于，包括：
提供初始半导体衬底层；
对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中；
进行所述扩散退火处理之后，完全去除所述掺杂层。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，所述掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层的导电类型相同；
优选的，在进行所述扩散退火处理之前所述初始半导体衬底层的导电类型为N型，所述掺杂层的导电类型为N型；
优选的，所述掺杂层中掺杂离子的浓度为1E16atom/cm3～8E19atom/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，所述扩散退火处理在炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述掺杂层中含有磷离子；
优选的，所述含磷气源包括POCl3；
优选的，所述扩散退火处理采用的温度为800摄氏度～900摄氏度；所述扩散退火处理采用的时间为0.5小时～2小时。
4.根据权利要求1所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，所述掺杂层的厚度为0.15微米～0.3微米。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，在进行所述扩散退火处理之前，所述初始半导体衬底层的表面具有损伤区；所述掺杂层位于所述损伤区中，所述掺杂层的厚度小于或者等于所述损伤区的厚度；
所述半导体衬底层的处理方法还包括：去除所述损伤区，去除所述掺杂层的步骤在去除所述损伤区的过程中完成；
优选的，在进行所述扩散退火处理之前，所述初始半导体衬底层的正面和背面均具有损伤区；所述扩散退火处理使得所述初始半导体衬底层的正面和背面均具有掺杂层。
6.根据权利要求1所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，还包括：在进行所述扩散退火处理之前，对所述初始半导体衬底层进行第一表面清洗处理。
7.根据权利要求6所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，还包括：
进行所述第一表面清洗处理之后，且在进行所述扩散退火处理之前，对初始半导体衬底层的表面进行第一去氧化层处理；
进行所述第一去氧化层处理之后，且在进行所述扩散退火处理之前，对所述初始半导体衬底层进行第一干燥处理。
8.根据权利要求1所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，还包括：在进行所述扩散退火处理之后，且在去除所述掺杂层之前，对所述初始半导体衬底层的表面进行第二去氧化层处理。
9.根据权利要求5所述的半导体衬底层的处理方法，其特征在于，去除所述损伤区之后，使得初始半导体衬底层形成半导体衬底层；
所述半导体衬底层的处理方法还包括：对所述半导体衬底层的正面和背面进行制绒处理，以在所述半导体衬底层的正面和背面形成陷光结构；
优选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：形成所述陷光结构之后，对所述半导体衬底层进行第二表面清洗处理；
优选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：在进行第二表面清洗处理之前，对所述陷光结构的表面进行圆滑处理；
优选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：进行所述第二表面清洗处理之后，对所述半导体衬底层的表面进行第三去氧化层处理；
优选的，所述半导体衬底层的处理方法还包括：进行所述第三去氧化层处理之后，对所述半导体衬底层进行第二干燥处理。
10.一种太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的半导体衬底层的处理方法。
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