CN113471311B - 一种异质结电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种异质结电池及其制备方法，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层；以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；之后，去除所述保护层；之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。该方法使得异质结电池的光电转换效率得到提高。

Description

一种异质结电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种异质结电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池(Solar Cell)是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应直接转换成电能的装置。太阳能电池是一种清洁能源电池，广泛的应用在生活和生产中。异质结(HeteroJunction with intrinsic Thinlayer，简称HJT)太阳能电池是一种重要的太阳能电池，异质结电池结构是以N型硅衬底为中心，在P型非晶硅和N型非晶硅与N型硅衬底之间增加一层本征非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能，因而使异质结太阳能电池的转换效率提高。另外，异质结太阳能电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。
目前异质结电池的光电转换效率还有待提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中异质结电池的光电转换效率有待提高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层；以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述保护层；去除所述保护层之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。
可选的，所述腐蚀处理采用碱液，所述碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为8％-12％,温度为75℃-80℃。
可选的，所述保护层的材料包括氮化硅。
可选的，所述保护层的厚度为75纳米-120纳米。
可选的，还包括：在进行所述腐蚀处理之后、形成所述保护层之前，进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述半导体衬底层两侧分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的正面，所述第二掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的背面且被所述保护层覆盖，所述扩散退火处理适于将所述半导体衬底层内部的杂质迁移至所述第一掺杂层和第二掺杂层中；进行所述扩散退火处理之后，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之前，去除所述第一掺杂层；
在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述第二掺杂层。
可选的，所述扩散退火处理在扩散炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中含有磷离子。
可选的，所述含磷气源包括O2和POCl3。
可选的，所述扩散退火处理采用的温度为600℃-1200℃；所述扩散退火处理采用的时间为10min-120min；
可选的，所述扩散退火处理采用的温度为800℃-900℃；
可选的，所述扩散退火处理采用的O2流量为400sccm-1000sccm；
可选的，所述扩散退火处理采用的POCl3流量为400sccm-1000sccm。
可选的，所述第一掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同；所述第二掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同。
可选的，在进行所述扩散退火处理之前，所述半导体衬底层的导电类型为N型，所述第一掺杂层的导电类型为N型，所述第二掺杂层的导电类型为N型。
可选的，所述第一掺杂层中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21atom/cm3；所述第二掺杂层中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21atom/cm3。
可选的，还包括：在进行所述腐蚀处理之前，对所述半导体衬底层进行表面预清洗处理，所述表面预清洗处理采用HF和HCl的混合溶液。
本发明还提供一种异质结电池，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面，所述半导体衬底层的背面呈光面；位于所述半导体衬底层的正面一侧的第一掺杂半导体层；位于所述半导体衬底层的背面一侧的第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层的导电类型和第一掺杂半导体层的导电类型相反。
可选的，还包括：第一本征半导体层，位于所述半导体衬底层和所述第一掺杂半导体层之间；第二本征半导体层，位于所述半导体衬底层和所述第二掺杂半导体层之间。
可选的，所述半导体衬底层的背面的反射率为40％-50％。
可选的，所述半导体衬底层的厚度为130微米-170微米。
本发明技术方法具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的异质结电池的制备方法中，所述异质结电池的正面接收的太阳光量大于所述异质结电池的背面接收的太阳光量。首先，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面，从异质结电池正面入射的太阳光的反射量降低，这样使得从异质结电池的正面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层中。其次，所述半导体衬底层的背面呈光面，这样从异质结电池的正面入射进入半导体衬底层中的太阳光容易被半导体衬底层的背面反射再次回到半导体衬底层，增加了从异质结电池的正面入射的太阳光在半导体衬底层中的光程，半导体衬底层中的载流子增加。因此提高了异质结电池的光电转换效率。
接着，对半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，之后，在半导体衬底层的背面形成保护层。所述保护层保护半导体衬底层的背面构成的光面，避免半导体衬底层的背面的光面在制绒处理的过程受到损伤。
进一步，在进行所述腐蚀处理之后、形成保护层之前，进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述半导体衬底层两侧分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述半导体衬底层内部的杂质迁移至所述第一掺杂层和第二掺杂层中，使得半导体衬底层内部的杂质含量降低。进行所述扩散退火处理之后，将含有杂质的第一掺杂层和第二掺杂层去除。综上，使得半导体衬底层内部缺陷降低，进而降低载流子被缺陷陷阱捕获的几率，提高了异质结电池的光电转换效率。
相应的，本发明技术方案提供的异质结电池中，所述异质结电池的正面接收的太阳光量大于所述异质结电池的背面接收的太阳光量。所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面，从异质结电池的正面入射的太阳光被半导体衬底层反射的量降低，这样使得从异质结电池的正面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层中。所述半导体衬底层的背面呈光面，这样从异质结电池的正面入射进入半导体衬底层中的太阳光容易被半导体衬底层的背面反射再次经过半导体衬底层，增加了从异质结电池的正面入射的太阳光在半导体衬底层中的光程，使得半导体衬底层从正面充分的吸收太阳光，半导体衬底层中的载流子增加。因此提高了异质结电池的光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中异质结电池制备过程的流程图；
图2至图10是本发明一实施例中异质结电池制备过程的结构示意图；
附图标记：
100、半导体衬底层；111、第一掺杂层；112、第二掺杂层；122、保护层；141、第一掺杂半导体层；142、第二掺杂半导体层。
具体实施方式
本发明实施例提供一种异质结电池的制备方法，请参考图1，包括以下步骤：
S1:提供半导体衬底层；
S2:对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；
S3:对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层；
S4:以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；
S5:在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述保护层；
S6:去除所述保护层之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。
下面参照图2至图10详细介绍本实施例形成半导体衬底层的过程。
参考图2，提供半导体衬底层100。
半导体衬底层100的材料包括单晶硅。在其他实施例中，半导体衬底层的材料为其他的半导体材料，如硅或者硅锗。半导体衬底层的材料还可以为其他的半导体材料。
本实施例中，半导体衬底层100的导电类型为N型，适合用于异质结电池的制备。
参考图3，对半导体衬底层100进行表面预清洗处理。
表面预清洗处理的作用包括：去除半导体衬底层100表面的有机物以及金属杂质污染物。
具体的，表面预清洗处理不仅对半导体衬底层100的正面进行了清洗，还对半导体衬底层100的背面进行了清洗。表面预清洗处理采用的溶液包括：盐酸和双氧水的混合溶液。
参考图4，对半导体衬底层100的正面和背面进行腐蚀处理。
进行表面预清洗处理之后，对半导体衬底层100的正面和背面进行腐蚀处理。对半导体衬底层100的背面进行腐蚀处理以使得半导体衬底层100的背面呈光面。相应的，后续形成的半导体衬底层的背面呈光面。
腐蚀处理采用碱液。碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为8％-12％,如8％、9％、10％、11％或12％，KOH溶液的温度为75℃-80℃。
在腐蚀处理中采用的碱液浓度比后续制绒处理中采用的碱液的浓度高，这样使得腐蚀处理中刻蚀的各向同性，利于提高半导体衬底层的背面的光面的反射率。在腐蚀处理中，KOH溶液的温度不超过80度，这样使得刻蚀速率容易控制，不同区域的刻蚀程度较为一致，形成的光面平整度较高，在腐蚀处理中，KOH溶液的温度不低于75度，这样使得刻蚀速率较高。
通常情况下，受限于硅片的形成机制，半导体衬底层100内部的杂质包括金属杂质。参考图5，本实施例的制备方法中还包括：对半导体衬底层100进行扩散退火处理，以在部分厚度的半导体衬底层100中形成第一掺杂层111和第二掺杂层112，第一掺杂层111的表面位于半导体衬底层100的正面，第二掺杂层112的表面位于半导体衬底层100的背面，扩散退火处理适于将半导体衬底层100内部的杂质迁移至所述第一掺杂层111和第二掺杂层112中。
通过扩散退火处理，第一掺杂层111和第二掺杂层112对于杂质的溶解性增加，通过扩散退火处理将所述半导体衬底层100内部的杂质迁移至第一掺杂层111和第二掺杂层112中，使得半导体衬底层100内部的杂质含量降低。使得后续形成的半导体衬底层内部缺陷降低。
本实施例中，第一掺杂层111的导电类型与进行所述扩散退火处理之前半导体衬底层100的导电类型相同；第二掺杂层112的导电类型与进行扩散退火处理之前半导体衬底层100的导电类型相同。优选的是，第一掺杂层111与第二掺杂层112均为N型，掺杂元素为磷。
在一个实施例中，第一掺杂层111中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21atom/cm3，如1E19atom/cm3、1E20atom/cm3、1E21atom/cm3。第二掺杂层112中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21atom/cm3，如1E19atom/cm3、1E20atom/cm3、1E21atom/cm3。
在一个实施例中，扩散退火处理在扩散炉管中进行，扩散退火处理采用的气源为含磷气源；第一掺杂层111和第二掺杂层112中含有磷离子。含磷气源包括O2和POCl3。
在一个实施例中，扩散退火处理采用的温度为600℃-1200℃，优选为800℃-900℃，如800℃、850℃或900℃；扩散退火处理采用的时间为10min-120min，如10分钟、30分钟、1小时、1.5小时或2小时。扩散退火处理采用的温度一方面需要将气源中的掺杂离子有效的掺杂进入半导体衬底层的表面区域，另一方面还需要保证将半导体衬底层中的杂质迁移至所述掺杂层120中；其次，扩散退火处理采用的温度需要更好的控制掺杂厚度，且成本较低。
在一个实施例中，扩散退火处理采用的氧气(O2)流量为400sccm-1000sccm，三氯氧磷(POCl3)流量为400sccm-1000sccm。在进行所述扩散退火处理的过程中，在一定的温度下(600℃-1200℃)，由于POCl3和O2反应生成P2O5和Cl2，高温下P2O5和半导体衬底层的表面反应生成氧化物和P，P再向半导体衬底层中扩散，当所述半导体衬底层的材料为硅时，氧化物为SiO2。因此在进行所述扩散退火处理的过程会使得半导体衬底层100的表面被氧化而形成氧化层，最终氧化层位于第一掺杂层111背离半导体衬底层的表面和第二掺杂层112背离半导体衬底层的表面，氧化层在所述扩散退火处理的过程保护半导体衬底层100的表面，避免半导体衬底层100的表面受到Cl2原子气氛的腐蚀损伤。
在一个实施例中，第一掺杂层111的厚度为0.15微米-0.3微米，如0.15微米、0.2微米、0.25微米或0.3微米；第二掺杂层112的厚度为0.15微米-0.3微米，如0.15微米、0.2微米、0.25微米或0.3微米。第一掺杂层111和第二掺杂层112的厚度均大于等于0.15微米，使第一掺杂层111和第二掺杂层112具有较多的空间来吸收杂质，所述第一掺杂层111和第二掺杂层112的厚度均小于等于0.3微米，使得避免太多的杂质进入半导体衬底层100的内部产生负面影响。
参考图6，在半导体衬底层100的背面的第二掺杂层112的外侧形成保护层122。
在进行所述扩散退火处理之后，形成保护层122。第二掺杂层112被保护层122覆盖。
本实施例中，保护层的材料包括氮化硅。生成氮化硅的化学反应式为：
NH3+SiH4→3H2+SiN:H
氮化硅绝缘层的主要作用是在进行单面制绒时保护抛光面不被腐蚀。
在一个实施例中，保护层122的厚度为75纳米-120纳米。若保护层的厚度小于75纳米，则保护层122的保护能力较差；若保护层的厚度超过120纳米，则成本大幅提高。
形成保护层122的工艺包括等离子体化学气相沉积工艺，沉积温度为400℃-500℃，沉积时间为30min-60min。
参考图7，形成保护层122之后，去除第一掺杂层111，第一掺杂层111中含有的杂质也将一并去除。本实施例中，在去除第一掺杂层111的过程中，将半导体衬底层100正面的氧化层去除。
去除第一掺杂层111的工艺采用湿法刻蚀工艺，具体的，采用链式清洗的方式去除第一掺杂层111，链式清洗的方式使得去除第一掺杂层111的效率提高，采用的刻蚀液为氢氟酸和HCl的混合溶液，氢氟酸的质量百分比浓度为2％-5％，如2％、3％、4％或5％，HCl的质量百分比浓度为5％-8％，如5％、6％、7％或8％。这里应该理解的是，采用链式清洗的方式去除第一掺杂层111的过程中，可以不将保护层122和第二掺杂层112浸入刻蚀液中，因此保留保护层122和第二掺杂层112。
参考图8，去除第一掺杂层111之后，以保护层122作为保护，在半导体衬底层100的正面进行制绒处理，以在半导体衬底层100的正面形成减反射绒面。减反射绒面为金字塔形。具体的，采用槽式制绒槽，槽式制绒槽中具有碱性制绒溶液，将半导体衬底层100浸入所述槽式制绒槽中的碱性制绒溶液。
保护层122能保护半导体衬底层100的背面构成的光面，避免半导体衬底层100的背面的光面在制绒处理的过程受到损伤，提高了半导体衬底层100的背面的光面的反射率。
需要说明的是，在其他实施例中，可以不进行扩散退火处理，相应的，形成保护层之后，以保护层作为保护，在半导体衬底层的正面进行制绒处理。
本实施例中，还包括：进行所述制绒处理之后，对所述减反射绒面的进行圆滑处理。
参考图9，在半导体衬底层100的正面进行制绒处理之后，去除保护层122和第二掺杂层112。具体的，在进行圆滑处理之后，去除保护层122和第二掺杂层112。
本实施例中，在去除保护层122和第二掺杂层112的过程中，将半导体衬底层100背面的氧化层去除。第二掺杂层112中含有的杂质也将一并去除。
去除保护层122和第二掺杂层112的工艺采用湿法刻蚀工艺，具体的，采用链式清洗的方式去除保护层122和第二掺杂层112，链式清洗的方式使得去除保护层122和第二掺杂层112的效率提高，采用的刻蚀液为氢氟酸和HCl的混合溶液，氢氟酸的质量百分比浓度为2％-5％，如2％、3％、4％或5％，HCl的质量百分比浓度为5％-8％，如5％、6％、7％或8％。这里应该理解的是，采用链式清洗的方式去除保护层122和第二掺杂层112的过程中，减反射绒面不会浸入刻蚀液。
半导体衬底层100的正面呈减反射绒面，从异质结电池的正面入射的太阳光的反射量降低，这样使得从异质结电池的正面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层100中。其次，所述半导体衬底层100的背面呈光面，这样从异质结电池的正面入射进入半导体衬底层100中的太阳光容易被半导体衬底层100的背面反射再次回到半导体衬底层，增加了从异质结电池的正面入射的太阳光在半导体衬底层100中的光程，半导体衬底层100中的载流子增加。因此提高了异质结电池的光电转换效率。
参考图10，在半导体衬底层100的正面形成第一本征半导体层(图中未具体示出)；在半导体衬底层100的背面形成第二本征半导体层(图中未具体示出)；在第一本征半导体层背向半导体衬底层100的一侧形成第一掺杂半导体层141；在第二本征半导体层背向半导体衬底层100的一侧形成第二掺杂半导体层142。
本实施例中，还包括：在第一掺杂半导体层141背向半导体衬底层100的一侧形成第一透明导电膜(图中未具体示出)；在第二掺杂半导体层142背向半导体衬底层100的一侧形成第二透明导电膜(图中未具体示出)；在第一透明导电膜背向所述半导体衬底层100的一侧形成第一栅线电极(图中未具体示出)；在第二透明导电膜背向半导体衬底层100的一侧形成第二栅线电极(图中未具体示出)。
第一掺杂半导体层141的导电类型与第二掺杂半导体层142的导电类型相反，本实施例中，以第一掺杂半导体层141的导电类型为N型，第二掺杂半导体层142的导电类型为P型为示例。
本发明实施例还提供一异质结电池，参考图10，包括：半导体衬底层100，半导体衬底层100的正面呈减反射绒面，半导体衬底层100的背面呈光面；位于半导体衬底层的100正面一侧的第一掺杂半导体层141；位于半导体衬底层100的背面一侧的第二掺杂半导体层142，第二掺杂半导体层142的导电类型和第一掺杂半导体层141的导电类型相反。
异质结电池还包括：第一本征半导体层，位于半导体衬底层和第一掺杂半导体层之间；第二本征半导体层，位于半导体衬底层和第二掺杂半导体层之间。
半导体衬底层100的背面的反射率为40％-50％，如45％、46％、47％、48％、49％或者50％。半导体衬底层100背面的反射率，尤其在400nm-500nm和1050nm-1200nm波段，能起到较好的陷光作用，增强光的利用率，从而提高内量子效率(IQE)，进而提升短路电流。
所述半导体衬底层100的厚度为130微米-170微米，如130微米、140微米、150微米、160微米或170微米，使得太阳光从正面入射至半导体衬底层100中被背面反射之后的光程较大。通过增大光在异质结电池中传播的光程,从而增强光在层结构中的作用时间,可以有效提高太阳光的吸收率,使得太阳能电池能够转换更多的电能，提高光电转换效率。
本实施例的异质结电池中，异质结电池的正面接收的太阳光量大于异质结电池的背面接收的太阳光量。半导体衬底层的正面呈减反射绒面，从异质结电池的正面入射的太阳光被半导体衬底层反射的量降低，这样使得从异质结电池的正面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层中。其次，半导体衬底层的背面呈光面，这样从异质结电池的正面入射进入半导体衬底层中的太阳光容易被半导体衬底层的背面反射再次经过半导体衬底层，增加了从异质结电池的正面入射的太阳光在半导体衬底层中的光程，使得半导体衬底层从正面充分的吸收太阳光，半导体衬底层中的载流子增加。因此提高了异质结电池的光电转换效率。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (14)

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底层；
对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；
对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述半导体衬底层两侧分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的正面，所述第二掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的背面，所述扩散退火处理适于将所述半导体衬底层内部的杂质迁移至所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中；
进行扩散退火处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层，所述保护层覆盖第二掺杂层；进行扩散退火处理之后，去除所述第一掺杂层；
去除所述第一掺杂层之后，以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；
在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述保护层，去除所述第二掺杂层；
去除所述保护层和第二掺杂层之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；
其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理采用碱液，所述碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为8%-12%,温度为75℃-80℃。
3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述保护层的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述保护层的厚度为75纳米-120纳米。
5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述扩散退火处理在扩散炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中含有磷离子。
6.根据权利要求5所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述含磷气源包括O2和POCl3。
7.根据权利要求5所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述扩散退火处理采用的温度为600℃-1200℃；所述扩散退火处理采用的时间为10min-120min。
8.根据权利要求7所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述扩散退火处理采用的温度为800℃-900℃。
9.根据权利要求6所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述扩散退火处理采用的O2流量为400sccm-1000sccm。
10.根据权利要求6所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述扩散退火处理采用的POCl3流量为400sccm-1000sccm。
11.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同；所述第二掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同。
12.根据权利要求11所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
在进行所述扩散退火处理之前，所述半导体衬底层的导电类型为N型，所述第一掺杂层的导电类型为N型，所述第二掺杂层的导电类型为N型。
13.根据权利要求11所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
所述第一掺杂层中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21 atom/cm3；所述第二掺杂层中掺杂离子的浓度为1E19atom/cm3-8E21 atom/cm3。
14.根据权利要求1-13任一项所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，还包括：
在进行所述腐蚀处理之前，对所述半导体衬底层进行表面预清洗处理，所述表面预清洗处理采用HF和HCl的混合溶液。
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