CN105624795A - 一种n型硅片热处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料中的硅材料领域，特别是涉及一种n型硅片热处理方法。
背景技术
硅材料是半导体技术的基础，晶体硅片的制作是所有硅基半导体器件的基本材料，其质量直接影响半导体器件的性能。晶体硅片的主要技术指标除电阻率外，还包括缺陷和位错密度，杂质浓度等，其电学性质受制作过程中的热应力和杂质元素所引起的载流子复合中心的影响。随着硅片尺寸不断扩大，硅片制作过程中的热场分布以及由此产生的热应力越来越难以控制，由此可能产生各种晶体缺陷和位错，形成载流子复合中心，最终影响半导体器件的性能。
单晶硅一般由直拉法(CZ法)和区熔法(FZ法)两种方法制备。在CZ法中使用高纯度石英坩埚作为容器，硅原材料在高温下溶解后会与石英反应产生氧原子融于硅中，氧原子通常结合在两个硅原子之间的晶格位置，也就是通常所说的间隙氧，其浓度大约为1x1018cm-3，相当于在1250度硅中的氧原子的固溶度。因此，在低于这个温度的条件下，硅片中的间隙氧原子总是处在过饱和状态，只要硅片处在氧原子能够移动的温度，氧原子就会产生析出，或者形成团簇沉淀(Clustersegregation)，团簇的形态和性质受温度的影响而异，甚至形成各种形态的热施主(ThermalDonor)，这些热施主在硅片使用过程中受工艺温度的影响发生改变，对半导体器件的工艺控制和器件性能产生影响。尤其在n型硅片，由于n型掺杂元素的偏析系数(segregationcoefficient)很小，在同一个硅锭中掺杂元素的浓度分布差异大，导致硅片之间的电阻率差异大，从而影响硅片的电学性质的均匀性。
太阳能光伏是一种新能源技术，太阳能光伏电池是直接把太阳光能转化成电能的能量转化器件，也是一种泛半导体技术。在不同场合，不同教科书中，对其称呼也稍有差异，例如，英文中一般称为“Solarcell”，也有称之为“Photovoltaiccell”，或者“Photovoltaicsolarcell”，中文中对应的名词为“太阳电池”，“光伏电池”，“光伏太阳能电池”等，这些名词只是说法不一，内容和本质完全相同。本发明中，选择“太阳电池”作为专业名词，对应英文中的“Solarcell”。
太阳电池因材料和结构而异具有多种类型，例如，晶体硅太阳电池，薄膜硅太阳电池，铜铟镓硒太阳电池等。晶体硅太阳电池中由于硅片结构的差异又分为单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池。为了提高晶体硅太阳电池的转换效率，又出现了晶体硅与非晶硅薄膜结合的异质结太阳电池，也就是通常所说的晶体硅异质结太阳电池，对应英语中的Heterojunctionwithintrinsicthinlayer，简称为SHJ太阳电池，取自Siliconheterojunctionsolarcell。
在太阳电池中，由于硅材料的纯度比半导体用的硅材料低，通常为7-9N，也就是杂质浓度相对较高，杂质主要为以铁为代表的过渡金属(Transitionmetals)，这些金属在硅中形成深能级，捕捉载流子，降低硅片的载流子寿命以及太阳电池的转换效率。同时，由于直拉单晶中设备及工艺的限制，硅片中的氧含量也相对较高，氧含量的分布更容易受工艺和热场的影响形成不均匀分布，影响太阳电池的性能以及各个电池片之间的均匀性，具有代表性的现象是“同心环”，“黑心硅片”等，同样降低硅片的载流子寿命以及太阳电池的转换效率。
到目前为止，以上问题大多通过改进硅片制作中的工艺技术进行控制和改进，例如，通过采用高纯度的硅材料降低硅片中的杂质含量，或者通过控制硅片制作工艺，包括晶体生长炉的温度分布，硅锭的生长速度和生长方向等，使杂质析出到硅锭的表面，降低内部的杂质浓度，从而得到杂质含量低的硅片。同时通过控制炉内的温度分布降低由于热应力产生的晶体缺陷，但这些方法都比较复杂，也难以控制。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种n型硅片热处理方法，用于解决现有技术中n型硅片内杂质含量过高，影响太阳能电池转换效率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：
提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，所述热处理炉中通入载气，使所述热处理炉内维持恒定的气压，所述气压为常压或者在常压附近正负0.5个大气压以内，所述载气为氮气、氩气或者氦气中的一种或多种的混合气体。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体或者固体，当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体时，所述含有n型掺杂元素的扩散剂在所述氧气通入之前、或者之后、或者同时通入所述热处理炉中；当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为固体时，在所述n型硅片置于热处理炉之前，将所述含有n型掺杂元素的扩散剂以涂覆、印刷或者喷墨打印的方式形成在所述n型硅片的表面。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，将所述n型硅片置于热处理炉进行热处理之前，所述热处理炉的温度为600～800℃。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，在所述热处理炉内进行热处理的温度范围为800～1050℃。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，在所述热处理炉内进行热处理的温度分两个阶段，先在800～1050℃的高温下进行热处理，再在600～800℃的低温下进行热处理。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，形成的所述n型掺杂层的厚度在10纳米至1微米之间，所述n型掺杂层的浓度在1×1018cm-3至8×1021cm-3之间。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，形成的所述氧化硅层的厚度在10纳米至5微米之间。
作为本发明n型硅片热处理方法的一种优选的方案，热处理完成后，采用化学刻蚀或者物理剥离的方法去除形成在所述n型硅片表面的氧化硅层和n型掺杂层。
如上所述，本发明的n型硅片热处理方法，包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
附图说明
图1为本发明的热处理技术的温度和气体导入工艺曲线示意图。
图2为本发明热处理炉的基本结构以及n型硅片设置方法的示意图。
图3a为采用旋涂法涂覆含有n型掺杂元素的扩散剂的示意图。
图3b为采用喷涂的方法涂覆含有n型掺杂元素的扩散剂的示意图。
图4为本发明制作n型太阳电池的工艺流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。
本发明中，所提供的热处理方法是在硅锭切片之后针对硅片实施，硅片表面用化学或者化学机械研磨(ChemicalMechanicalPoslish，CMP)的方法进行抛光，除去由于切片所引起的表面损伤，也可以在制作绒面金字塔结构之后甚至在进行表面清洗之后进行热处理，甚至是切片之后的原貌、在不除去损伤层的状态下实施。总之，本发明针不受硅片表面状态的限制，但是，在热处理之前必须保持表面清洁，防止表面吸附的杂质元素向内部扩散，形成新的杂质污染。
n型硅片进行清洁之后，将清洁的硅片放置在耐高温的托盘或者舟上面，也就是通常所说的Cassette或者Tray，材质为高纯度的石英、石墨等。这些材料在600度以上的高温条件下不与硅反应，也不会产生杂质扩散。每个硅片之间保持一定的间距，便于各种气体均匀流通，形成均匀分布。
再把装有硅片的石英舟导入到常压或者减压的洁净热处理炉中，例如高纯度石英炉等，洁净热处理炉可以避免在热处理过程中对硅片产生金属、有机、或者钠、钾等其它离子污染。导入时炉内的温度控制在600度至800度之间(即硅片在放入热处理炉进行热处理之前，热处理炉内应该具有600～800度的温度)，炉内温度稳定，均匀，防止硅片在低温条件下产生热施主或者其他缺陷。硅片放入后将热处理炉封闭，此时炉内通入氮气、氩气或者氦气等高纯度气体，使所述热处理炉内维持恒定的气压，所述气压为常压或者在常压附近正负0.5个大气压以内，防止外部环境的气体或者其他杂质混入炉内，另一方面载气的通入可以使放置硅片区域的温度以及反应物分布均匀。然后升温，使炉内温度达到热处理的温度，此时炉内继续通入氮气或者氩气等高纯度气体。
进行热处理的温度范围可以在800度至1050度之间。在热处理过程中向热处理炉内导入含有n型掺杂元素的扩散剂，例如，用于掺磷的POCl3蒸汽，在硅片表面进一步形成高浓度的n型掺杂层，n型掺杂层的厚度在10纳米至1微米之间，掺杂层的浓度在1×1018cm-3至8×1021cm-3之间。之后，在杂质扩散以及后续的热处理过程中，通入少量氧气，使氧气与硅反应，在硅片表面形成氧化硅层，氧化硅层的厚度在10纳米至5微米之间。
需要说明的是，在热处理过程中，往热处理炉中导入含有n型掺杂元素的扩散剂和导入氧气的先后顺序不受限制，也就是说，制作n型掺杂层和氧化硅层的顺序可以改变。上述以先制作n型掺杂层然后在制作氧化硅层进行了说明，实际上两者的顺序可以改变，即，先通入氧气制作氧化硅层，再通入含有n型掺杂元素的扩散剂制作n型掺杂层，或者两者同时通入，这几种方式的效果相同。
再需要说明的是，含有n型掺杂元素的扩散剂除了气体，还可以是固体。当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为固体时，按以下方式处理：n型硅片清洗之后，导入热处理炉之前，采用旋涂(Spinningcoat)、印刷(Print)或者喷墨打印(Inkjetprint)等方法在n型硅片两面涂覆含有n型掺杂元素的扩散剂材料，例如，含有P2O5的扩散剂材料，经过干燥后导入到热处理炉，同样可以在表面形成高浓度的n型掺杂层。需要注意的是，在导入表面含有n型掺杂元素的扩散剂(固态)的硅片进行热处理的同时将氧气通入，可以使氧气与扩散剂层中的有机物反应形成气体排出，减少由于涂覆扩散剂中有机物对硅片表面形成的污染。
所述含有n型掺杂元素的扩散剂材料包括含有磷原子以及其他五族n型掺杂原子的原材料，使n型掺杂原子向硅片内部扩散，在硅片表面形成高浓度的n型掺杂层。
对于进行热处理的时间，可以根据硅片的质量来确定。对于金属杂质含量少，缺陷少的硅片，所需热处理时间较短。相反，如果硅片金属杂质含量较高，缺陷较多，热处理时间较长。即使硅片需要较长的热处理时间，n型掺杂层和氧化硅层的厚度达到以上要求的技术指标后，就可以停止导入含有n型掺杂元素的扩散剂气体和氧气，便于节省成本。对于后者这种硅片一般采用两段热处理的方法，即，在高温下(800～1050度)形成n型掺杂层和氧化硅层后，把温度降低至600度至800度的温度范围进行长时间低温热处理，这样既不增加n型掺杂层和氧化硅层的厚度，又便于杂质扩散和缺陷修复，可以取得同样的效果。
热处理过程结束后，停止n型掺杂元素的扩散剂气体和氧气的导入，把热处理炉内的温度下降低到可以开炉导出硅片的温度范围，导出硅片，开炉的温度范围在600度至800度之间。如图1所实施为本发明的热处理技术的温度和气体导入工艺曲线示意图。
接着采用化学腐蚀或者物理剥离的方法把表面氧化硅层以及高浓度n型掺杂层全部去掉。例如，采用高浓度碱溶液KOH、NaOH、NH3OH，或者HF和HNO3的混合溶液，或者采用等离子体刻蚀的方法把表面氧化硅层以及高浓度n型掺杂层全部去掉。腐蚀的厚度以正好去掉表面n型掺杂层和氧化硅层为宜。
在去除表面n型掺杂层和氧化硅层后，对硅片进行清洗，然后进行电子器件制作或者太阳电池制作。制作太阳电池的工艺流程如图4所示。
本发明通过该热处理方法可以降低n型硅片中的杂质浓度以及热应力所产生的载流子复合中心，提高载流子寿命以及太阳电池转换效率。
下面通过两个具体实施例对发明的n型硅片热处理方法进行更加详细的说明。
实施例一
本实施例提供利用本发明的热处理技术提高n型晶体硅异质结太阳电池转换效率的具体实施方法。晶体硅异质结太阳电池也就是以上说介绍的SHJ太阳电池。
本实施例中使用n型单晶硅片，硅片的四个边长为156.75mm，圆角直径为205mm，切片后经过清洗，采用太阳电池的清洁塑料包装。
首先，采用KOH水溶液对硅片进行除损伤处理。KOH水溶液的浓度为20％，温度为85度，硅片单面在厚度方向的腐蚀厚度约为10微米。经过充分的水洗后，使用氨水和双氧水的水溶液进行表面清洗，再次经过水洗后，采用2％HF水溶液除去表面氧化硅层，经过超纯水清洗、清洁空气干燥后，垂直插入耐高温的半导体用高纯度石英舟里，每批处理400片，如图2所示。
如图2所示，采用密封的石英管状炉作为热处理炉，炉的一端为硅片导入口，设有可开、闭的耐高温密封门(炉门)，其材质为磨砂石英，另一端为进气管和排气管，排气管口连接尾气处理和排气装置。为了形成均匀的分布，气体导入管一直延伸到导入端，在管的侧壁开有微小孔，小孔的间隔和直径经过设计，使气体在整个炉管的长度方向形成均匀分布，通过微小孔向炉内导入所需的气体。硅片导入前，炉内温度为800度，通过气体导入系统向炉内通入高纯度氮气(纯度：4N)，氮气流量为30L/min，炉内压力为常压(一个大气压)。
之后打开炉门导入石英舟和硅片，关闭炉门后开始升温，升温速度为10度/min，设定热处理温度为840度。然后在氮气中加入高纯度氧气(纯度5N)，氧气流量为2L/min，使硅片表面氧化形成氧化硅层，时间为10分钟。
然后，采用如图2的装置，通过氮气作为载气向炉内通入POCl3，载气氮气的流量为1.5L/min，并且保持其它氮气和氧气的流量不变，扩散时间为10分钟，在硅片表面形成n型掺杂层，n型掺杂层的厚度约为0.2微米。
停止氧气和POCl3气体载入，保持氮气流量不变，把炉内温度降至700度，维持40分钟进行低温热处理，结束后打开炉门把石英舟和硅片导出。
将硅片从石英舟转移至清洗用塑料花篮。首先用2％HF水溶液除去表面氧化物。经过纯水漂洗后，采用20％KOH水溶液进行表面制绒处理，制绒时添加制绒添加剂，获得均匀的绒面结构。制绒结束后，硅片依次进行氨水及双氧水水溶液(RCA1)清洗、盐酸及双氧水的水溶液清洗(RCA2)，HF表面腐蚀，每一步化学清洗之间都有充分的超纯水清洗，干燥后转移至电池制作工艺。
SHJ太阳电池采用普通的电池结构和制作工艺。如图4所示，RCA清洗后，采用PECVD在硅片的表面沉积本征非晶硅和n型非晶硅薄膜的叠层，另一面沉积本征非晶硅和p型非晶硅叠层，每一层非晶硅的厚度大约为6纳米。
然后，把硅片转移至磁控溅射设备，在硅片的两面分别沉积透明导电薄膜，即TCO薄膜，材料为掺锡氧化铟，即ITO，氧化锡的掺杂浓度为5％，ITO薄膜的厚度为110纳米。
最后，采用丝网印刷的办法在两面TCO上分别印刷栅线银电极，材料为低温烧结银浆，在130度干燥后，在250度进一步固化，完成电池制作。
表1显示在标准条件下电池的测试结果。作为对比，未经本发明技术处理的硅片也采用同样的工艺制成电池。
表1
从表1中可以看出，使用经过热处理的n型硅片制作的电池的性能有大幅度的提高，提高的幅度和具体参数的变化受硅片初始状态的影响，与硅片的初始质量有关。经过其它测试方法分析，这些硅片中的氧含量和金属杂质含量各有差异，所以，热处理表现的效果也不完全相同。经过进一步比对确认，热处理后金属杂质的浓度明显降低。
从表1的结果同时可以看出，本发明的热处理方法对多种厂家和不同质量的硅片都有明显的效果，充分证明了本发明技术的实用性。
实施例二
本实施例提供n型掺杂层的另一种技术路径。在此实施例中，使用硅片、热处理炉以及太阳电池的制作方法和工艺与实施例一完全相同。
使用n型单晶硅片，硅片的四个边长为156.75mm，圆角直径为205mm，切片后经过清洗，采用太阳电池的清洁塑料包装。
首先，采用KOH水溶液对硅片进行除损伤处理。KOH水溶液的浓度为20％，温度为85度，硅片单面在厚度方向的腐蚀厚度约为10微米。经过充分的水洗后，使用氨水和双氧水的水溶液进行表面清洗，再次经过水洗后，采用2％HF水溶液除去表面氧化硅层，经过超纯水清洗、清洁空气干燥后，使用旋涂方法涂覆提供含有n型掺杂元素的扩散剂，其主要成分为P2O5，另加其它表面亲和剂、分散剂和有机溶剂。
如图3a所示，把硅片平放在旋涂机的吸盘上，采用滴瓶或者滴管，或者其它容器把扩散剂滴定在硅片上，让硅片按照设定的速度旋转，使扩散剂在硅片表面形成均匀分布。
把硅片放入干燥设备中进行干燥，干燥温度因扩散剂的规格要求而异，一般为150-300度，时间为10分钟。取出硅片，按照同样的方法涂覆另一面，干燥后进行热处理。
干燥后的硅片采用与实施例一相同的方法，把硅片插入石英舟中导入到实施例一中相同的热处理炉进行处理。石英舟和硅片导入时的炉内温度为800度，炉内通入高纯度氮气(纯度为4N)，炉内压力为一个大气压的常压条件，氮气流量为30L/min。炉门关闭后，开始升温，升温速度为10度/min，同时，在氮气中加入高纯度的氧气(5N)，氧气的流量为2L/min，这样使硅片在热处理炉中边扩散边氧化。同时，氧气的导入可以除去扩散剂中残留的有机物，以免形成新的污染。热处理温度为840度，时间为10分钟。
停止氧气供应，保持氮气流量不变，把炉内温度降至700度，维持40分钟进行低温热处理。结束后把石英舟和硅片导出。
随后的硅片清洗和太阳电池制作工艺与实施例一完全相同，在此不再累赘。
实施结果证明，该方法提供的扩散剂以及制作的n型掺杂层与实施例一具有同样的效果，SHJ电池的各项参数得到同样的提高，在此不再列举。
该实施例中，采用旋涂机对硅片逐一涂覆，然后集中成批次进行热处理，从原理上不难想象，在批量生产中采用具有多个旋涂装置的涂覆设备、或者采用丝网印刷和喷墨打印都具有同样的效果，该发明技术对表面涂覆的实施方法不作具体限制。在其他实施例中，也可以采用如图3b所示的喷涂方法在硅片表面涂覆形成固态的含有n型掺杂元素的扩散剂。
采用旋涂、印刷或者喷墨打印时，不限于采用以上的石英管式炉进行热处理，也可采用链式炉或者其他热处理设备进行连续处理。例如，采用清洁的链式炉或者旋转式传送炉，按照以上温度和气体导入顺序预先设置所需的温度区间和气体氛围区间、涂覆后连续处理，从而可以避免向石英舟中插片时所带来的时间损失和工艺难度，在此不对具体实施方法一一列举。
综上所述，本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (9)
1.一种n型硅片热处理方法，其特征在于，所述n型硅片热处理方法至少包括：
提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。
2.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：所述热处理炉中通入载气，使所述热处理炉内维持恒定的气压，所述气压为常压或者在常压附近正负0.5个大气压以内，所述载气为氮气、氩气或者氦气中的一种或多种的混合气体。
3.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体或者固体，当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体时，所述含有n型掺杂元素的扩散剂在所述氧气通入之前、或者之后、或者同时通入所述热处理炉中；当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为固体时，在所述n型硅片置于热处理炉之前，将所述含有n型掺杂元素的扩散剂以涂覆、印刷或者喷墨打印的方式形成在所述n型硅片的表面。
4.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：将所述n型硅片置于热处理炉进行热处理之前，所述热处理炉的温度为600～800℃。
5.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：在所述热处理炉内进行热处理的温度范围为800～1050℃。
6.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：在所述热处理炉内进行热处理的温度分两个阶段，先在800～1050℃的高温下进行热处理，再在600～800℃的低温下进行热处理。
7.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：形成的所述n型掺杂层的厚度在10纳米至1微米之间，所述n型掺杂层的浓度在1×1018cm-3至8×1021cm-3之间。
8.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：形成的所述氧化硅层的厚度在10纳米至5微米之间。
9.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法，其特征在于：热处理完成后，采用化学刻蚀或者物理剥离的方法去除形成在所述n型硅片表面的氧化硅层和n型掺杂层。
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