CN114335249A - N-TOPCon电池及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
一种N‑TOPCon电池及其制作工艺,属于太阳能电池技术领域。一种N‑TOPCon电池的制作工艺,包括:S1:对硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质;S2:去除硅片表面形成的磷硅玻璃;S3:对硅片依次进行制绒、硼扩散形成pn结;S4:对步骤S3得到的硅片进行后处理制得N‑TOPCon电池。该制作工艺能够有效提高N‑TOPCon电池的少子寿命,增加转换效率。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种N-TOPCon电池及其制作工艺。
背景技术
N型TOPCon电池和HJT电池是当下比较热门的两大新型电池,N型TOPCon电池与现有的PERC电池产线具有很好的兼容性。对于N型TOPCon太阳能电池,目前的主流制备工艺包括:硅片-制绒-正面硼扩散形成N型硅片-背面刻蚀-隧穿氧化-原位掺杂非晶硅-去绕镀-正面氧化铝-正面氮化硅-背面氮化硅-印刷烧结-测试分选。
P型太阳能电池的制备工艺中,需要对硅片进行磷扩散以使得硅片成为P型硅片,进行磷扩散的主要目的是为了形成PN结。而P型太阳能电池的寿命相较于N型太阳能电池寿命较短,现有技术中,有在常规P型太阳能电池的制作工艺前先通过磷扩散的方式吸杂,从而达到提高P型太阳能电池的转换效率,提高少子寿命。由于P型太阳能电池的制备工艺中,原本就需要进行磷扩散形成PN结,则可以利用原本的产线设备进行磷扩散除杂。
现有的N型TOPCon电池所使用的单晶硅片一般都不是100%的纯硅,其是带有一些杂质的具有一定纯度的硅片,这些杂质则会影响N型TOPCon电池的少子寿命。由于N型太阳能电池的少子寿命一般都比P型太阳能电池的少子寿命长,本领域人员通常不会去增加工艺来提升N型TOPCon电池的少子寿命,因为N型太阳能电池的少子寿命本身较高,则认为没有必要进行进一步提高了;另一方面,即使是有提升N型TOPCon电池的少子寿命和电池效率的手段,现有的一些提升N型TOPCon电池的少子寿命和电池效率的方式一般是通过镀钝化膜来实现的。
发明内容
本申请提供了一种N-TOPCon电池及其制作工艺,该制作工艺能够有效提高硅片来料较差的N-TOPCon电池的少子寿命,增加电池效率。
本申请的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种N-TOPCon电池的制作工艺,包括:
S1:对硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质;
S2:去除硅片表面形成的磷硅玻璃;
S3:对硅片依次进行制绒、硼扩散形成pn结;
S4:对步骤S3得到的硅片进行后处理制得N-TOPCon电池。
在一种可能的实施方案中,对硅片进行磷扩散的步骤包括:在第一温度下通入磷源并将硅片保持在磷源气氛下,然后在第二温度下保温,第一温度小于第二温度;可选地,第一温度为700~900℃,第二温度为800~1000℃。
在一种可能的实施方案中,磷源包括三氯氧磷、氧气和氮气。
在一种可能的实施方案中,去除硅片表面形成的磷硅玻璃的步骤包括:将步骤S1得到的硅片采用HF进行清洗。
在一种可能的实施方案中,对硅片进行磷扩散之前,先对硅片进行前清洗、烘干。
在一种可能的实施方案中,对硅片进行前清洗的步骤包括:将硅片依次进行碱洗和酸洗。
在一种可能的实施方案中,对硅片进行碱洗的步骤包括:采用体积浓度为1~20%的KOH在40~80℃对硅片进行碱洗。
在一种可能的实施方案中,对硅片进行酸洗的步骤包括:采用体积浓度为1~30%的HF对硅片进行酸洗。
在一种可能的实施方案中,S4步骤包括:对步骤S3得到的硅片依次进行刻蚀、隧穿氧化、掺杂非晶硅、退火、去绕度、沉积正面氧化铝、正面氮化硅和背面氮化硅以及丝网印刷。
第二方面,本申请实施例提供一种N-TOPCon电池,其由第一方面实施例的N-TOPCon电池的制作工艺制得。
本申请实施例至少具有如下有益效果:
对硅片进行磷扩散,金属在磷扩散区比在硅体有更大的溶解性,杂质会发生分凝往磷扩散区迁移,完成吸杂;磷扩散后硅片表面会形成磷硅玻璃,后续将磷硅玻璃去除以及通过制绒去除磷扩散区域,能够去除杂质,通过后续的硼扩散和后处理制得N-TOPCon电池,该N-TOPCon电池具有较高的少子寿命。针对一些采用杂质较多的硅片进行N-TOPCon电池的制作时,本申请实施例的N-TOPCon电池的制作工艺能明显提高N-TOPCon电池的少子寿命,增加电池效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请具体实施方式中的N-TOPCon电池的制作工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本申请的实施方案进行详细描述,但是本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本申请,而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
现有的N型TOPCon电池所使用的单晶硅片一般都不是100%的纯硅,其是带有一些杂质的具有一定纯度的硅片,这些杂质则会影响N型TOPCon电池的少子寿命。但是,现有的N型太阳能电池的少子寿命一般也比P型太阳能电池的少子寿命高,一般提高电池少子寿命的技术,都是针对P型太阳能电池的,本领域人员通常不会去增加工艺来提升N型TOPCon电池的少子寿命,因为N型太阳能电池的少子寿命本身较高,则认为没有必要进行进一步提高了。另外,虽然有一些提升N型TOPCon电池的少子寿命和电池效率的方法,但是一般都是通过镀钝化膜来实现的。
本申请实施例提供一种N-TOPCon电池及其制作工艺,针对一些采用杂质较多的硅片进行N-TOPCon电池的制作时,本申请实施例的N-TOPCon电池的制作工艺也能明显提高N-TOPCon电池的少子寿命,增加电池效率。
以下针对本申请实施例的N-TOPCon电池及其制作工艺进行具体说明:
第一方面,本申请实施例提供一种N-TOPCon电池的制作工艺,请参照图1,其包括以下步骤:
S1:对硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质。
金属在磷扩散区比在硅体有更大的溶解性,杂质会发生分凝往磷扩散区迁移,完成吸杂;磷扩散后硅片表面会形成磷硅玻璃。
在一些实施方案中,对硅片进行磷扩散的步骤包括:在第一温度下通入磷源并将硅片保持在磷源气氛下,然后在第二温度下保温,第一温度小于第二温度。
在第一温度下通入磷源并使得硅片保持在磷源气氛下,能够使得磷源较好地扩散至硅片,并在表面形成磷硅玻璃,然后在第二温度下进行保温,由于第二温度高于第一温度,则更加有利于磷的扩散,利于吸杂。
可选地,第一温度为700~900℃,第二温度为800~1000℃。
示例性地,第一温度为700℃、750℃、800℃、850℃和900℃中的任一者或者任意两者之间的数值。示例性地,在第一温度下通入磷源时保持20~1500s,例如为20s、100s、300s、500s、700s、1000s、1200s或1500s。
示例性地,第二温度为800℃、850℃、900℃、950℃和1000℃中的任一者或者任意两者之间的数值。示例性地,在第二温度下的保温时间为30~6000s,例如为30s、100s、500s、1000s、2000s、3000s、4000s、5000s或6000s。
其中,磷源包括三氯氧磷、氧气和氮气,氮气作为载气气体,能够用于携带三氯氧磷,将三氯氧磷和氧气通入后,在第一温度的条件下三氯氧磷和氧气会发生反应生成五氧化二磷,五氧化二磷与硅片发生反应生成磷硅玻璃。可选地,三氯氧磷和氧气的通入流量之比为1:0.5~2。
进一步地,在一些实施方案中,对硅片进行磷扩散之前,先对硅片进行前清洗、烘干。
通过将硅片进行前清洗,能够先清洗掉硅片表面的一些杂质,避免这些杂质在后续工序中进入到硅片内部,影响硅片的性能。烘干后再进行磷扩散吸杂,能够进一步提高硅片的纯度,从而能够更加有效地提高N-TOPCon电池的少子寿命,增加电池效率。
可选地,烘干的温度为60~100℃,例如为60℃、70℃、80℃、90℃或100℃。
示例性地,对硅片进行前清洗的步骤包括:将硅片依次进行碱洗和酸洗。通过碱洗能够将硅片的一些杂质清洗掉,再通过酸洗能够将残留的碱洗残留的碱液中和掉。其中,碱洗步骤之后可以先进行水洗,再进行酸洗。另外,酸洗之后也可以进行水洗,然后再进行烘干。
在一些实施方案中,对硅片进行碱洗的步骤包括:采用体积浓度为1~20%的KOH在40~80℃对硅片进行碱洗。示例性地,KOH的体积浓度为1%、3%、5%、8%、10%、12%、15%、18%和20%中的任一者或者任意两者之间的数值。示例性地,对硅片进行碱洗的温度为40℃、50℃、60℃、70℃和80℃中的任一者或者任意两者之间的数值。
在一些实施方案中,对硅片进行酸洗的步骤包括:采用体积浓度为1~30%的HF对硅片进行酸洗。可选地,HF的体积浓度为1%、5%、10%、15%、20%、25%和30%中的任一者或者任意两者之间的数值。
S2:去除硅片表面形成的磷硅玻璃。
S3:对硅片依次进行制绒、硼扩散形成pn结。
磷扩散后硅片表面会形成磷硅玻璃,通过将磷硅玻璃去除以及通过制绒去除磷扩散区域,能够去除杂质。
在一些实施方案中,制绒步骤包括:将步骤S2得到的硅片放置于制绒槽中进行制绒,然后进行酸洗、水洗、慢提拉、在80~100℃的温度下烘干。其中,制绒槽中具有体积浓度为1~20%的KOH,制绒步骤的温度条件为40~80℃。酸洗采用体积浓度为1~30%的HF。
在一些实施方案中,对硅片进行硼扩散的步骤包括:将制绒完的硅片放置于硼扩管中,在700~900℃的温度下通入硼源20~1000s,然后在900~1200℃的温度下推结100~5000s。
S4:对步骤S3得到的硅片进行后处理制得N-TOPCon电池。
其中,步骤S4可以采用常规的N-TOPCon电池的制作工艺,本申请实施例的N-TOPCon电池的制作工艺在不改变原有的N-TOPCon电池的制作步骤上,增加了磷扩散步骤,进一步地增加了前清洗的步骤,工艺调整较小,且磷扩散步骤可以采用企业原本PERC电池生产设备中的磷扩散设备,能够尽可能地减小成本。而且,针对一些采用杂质较多的硅片进行N-TOPCon电池的制作时,本申请实施例的N-TOPCon电池的制作工艺也能明显提高N-TOPCon电池的少子寿命,增加电池效率,避免了企业花费高成本去购买高纯度的硅片。需要说明的是,在本申请中,对硼扩散后的硅片进行后处理的步骤只要能够实现制得N-TOPCon电池,都是可行的,本申请对其不做具体限定。
示例性地,对步骤S3得到的硅片进行后处理的步骤包括:对步骤S3得到的硅片依次进行刻蚀、隧穿氧化、掺杂非晶硅、退火、去绕度、沉积正面氧化铝、正面氮化硅和背面氮化硅以及丝网印刷。
在一些实施方案中,刻蚀的步骤包括:将硼扩散步骤得到的硅片在链式酸刻机台进行刻蚀,刻蚀槽中具有体积浓度为1%-20%的HNO3和体积浓度为1%-20%HF。
在一些实施方案中,隧穿氧化的步骤包括:将刻蚀后的硅片进行热氧化在硅片背面形成隧穿氧化层,其中,氧化温度为500~700℃,例如为500℃、550℃、600℃、650℃和700℃中的任一者或者任意两者之间的数值。
在一些实施方案中,掺杂非晶硅的步骤包括:对隧穿氧化步骤后得到的硅片进行原位掺杂非晶硅,其中,该步骤通入的气体为PH3和SiH4混合气体,工艺温度为200~600℃,例如为200℃、300℃、400℃、500℃和600℃中的任一者或者任意两者之间的数值。
在一些实施方案中,退火步骤包括:将掺杂非晶硅步骤后得到的硅片在700~1000℃下进行1-120min恒温退火,使得掺杂非晶硅变为掺磷多晶硅。示例性地,退火步骤的温度为700℃、800℃、900℃和1000℃中的任一者或者任意两者之间的数值。
在一些实施方案中,去绕镀的步骤包括:在退火完的硅片背面生长氧化硅,正面绕镀区域用体积浓度为1~40%的HF洗去氧化硅,然后放置于碱抛槽(KOH体积浓度1%-20%、温度40-90℃、碱抛添加剂2-20L)进行碱抛去掉正面多晶硅绕度。
在一些实施方案中,沉积正面氧化铝的步骤包括:采用热原子沉积(ALD)的方式沉积正面氧化铝,工艺温度为200~250℃,例如为200℃、210℃、220℃、230℃、240℃或250℃。
在一些实施方案中,沉积正面氮化硅和背面氮化硅的步骤包括:采用等离子体化学气相沉积法沉积正面和背面氮化硅薄膜,沉积时通入NH3和SiH4气体,其中,工艺温度450-500℃,例如为400℃、410℃、420℃、430℃、440℃或450℃,压力为200-300Pa,例如为200Pa、220Pa、250Pa、280Pa或300Pa。
在一些实施方案中,丝网印刷的步骤采用DUP网版进行丝网印刷。
进一步地,丝网印刷之后还包括烧结和光注入的步骤,烧结步骤的峰值温度为600~1000℃,例如为600℃、700℃、800℃、900℃或1000℃,光注入步骤的退火峰值温度为200~700℃,例如为200℃、300℃、400℃、500℃、600℃或700℃;进行光注入的温度为100~400℃,例如为100℃、200℃、300℃或400℃。
第二方面,本申请实施例提供一种N-TOPCon电池,其由第一方面实施例的N-TOPCon电池的制作工艺制得。
以下结合实施例对本申请的N-TOPCon电池及其制作工艺作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种N-TOPCon电池的制作工艺,其包括以下步骤:
(1)把硅片放置到碱槽中进行碱洗,碱槽中具有体积浓度为10%的KOH和碱液添加剂10L,温度为60℃;碱洗后依次进行水洗、酸洗(体积浓度为10%HF)、水洗、慢提拉、烘干,其中,烘干温度80℃。
(2)对清洗过的硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质;其中,通入磷源的温度为800℃,通入时间为800s,然后在900℃保温1000s,磷源包括三氯氧磷和氧气。
(3)将步骤(2)得到的硅片表面形成的磷硅玻璃去除。
(4)将步骤(3)得到的硅片放置于制绒槽中进行制绒,然后进行酸洗、水洗、慢提拉、在90℃的温度下烘干。其中,制绒槽中具有体积浓度为5%的KOH,制绒步骤的温度条件为70℃。酸洗采用体积浓度为20%的HF。
(5)将步骤(4)得到的硅片放置于硼扩管中,在900℃的温度下通入硼源500s,然后在1000℃的温度下推结1000s。
(6)将步骤(5)得到的硅片在链式酸刻机台进行刻蚀,刻蚀槽中具有体积浓度为15%的HNO3和体积浓度为10%HF。
(7)将步骤(6)得到的硅片进行热氧化在硅片背面形成隧穿氧化层,其中,氧化温度为600℃。
(8)将步骤(7)得到的硅片进行原位掺杂非晶硅,其中,该步骤通入的气体为PH3和SiH4混合气体,工艺温度为600℃。
(9)将步骤(8)得到的硅片在850℃下进行60min恒温退火,使得掺杂非晶硅变为掺磷多晶硅。
(10)在退火完的硅片背面生长氧化硅,正面绕镀区域用体积浓度为20%的HF洗去氧化硅,然后放置于碱抛槽(KOH体积浓度10%、温度50℃、碱抛添加剂10L)进行碱抛去掉正面多晶硅绕度。
(11)采用热原子沉积(ALD)的方式在步骤(10)得到的硅片沉积正面氧化铝,工艺温度为250℃。
(12)采用等离子体化学气相沉积法在步骤(11)得到的硅片表面沉积正面和背面氮化硅薄膜,沉积时通入NH3和SiH4气体,其中,工艺温度500℃,压力为200Pa。
(13)对步骤(12)得到的硅片采用DUP网版进行丝网印刷制得N-TOPCon电池。
实施例2
本实施例提供一种N-TOPCon电池的制作工艺,其包括以下步骤:
(1)对硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质;其中,通入磷源的温度为800℃,通入时间为800s,然后在900℃保温1000s,磷源包括三氯氧磷和氧气。
(2)将步骤(1)得到的硅片表面形成的磷硅玻璃去除。
(3)将步骤(2)得到的硅片放置于制绒槽中进行制绒,然后进行酸洗、水洗、慢提拉、在90℃的温度下烘干。其中,制绒槽中具有体积浓度为5%的KOH,制绒步骤的温度条件为70℃。酸洗采用体积浓度为20%的HF。
(4)将步骤(3)得到的硅片放置于硼扩管中,在900℃的温度下通入硼源500s,然后在1000℃的温度下推结1000s。
(5)将步骤(4)得到的硅片在链式酸刻机台进行刻蚀,刻蚀槽中具有体积浓度为15%的HNO3和体积浓度为10%HF。
(6)将步骤(5)得到的硅片进行热氧化在硅片背面形成隧穿氧化层,其中,氧化温度为600℃。
(7)将步骤(6)得到的硅片进行原位掺杂非晶硅,其中,该步骤通入的气体为PH3和SiH4混合气体,工艺温度为600℃。
(8)将步骤(7)得到的硅片在850℃下进行60min恒温退火,使得掺杂非晶硅变为掺磷多晶硅。
(9)在退火完的硅片背面生长氧化硅,正面绕镀区域用体积浓度为20%的HF洗去氧化硅,然后放置于碱抛槽(KOH体积浓度10%、温度50℃、碱抛添加剂10L)进行碱抛去掉正面多晶硅绕度。
(10)采用热原子沉积(ALD)的方式在步骤(9)得到的硅片沉积正面氧化铝,工艺温度为250℃。
(11)采用等离子体化学气相沉积法在步骤(10)得到的硅片表面沉积正面和背面氮化硅薄膜,沉积时通入NH3和SiH4气体,其中,工艺温度500℃,压力为200Pa。
(12)对步骤(11)得到的硅片采用DUP网版进行丝网印刷制得N-TOPCon电池。
对比例1
本对比例提供一种N-TOPCon电池的制作工艺,其制备步骤与实施例1的不同之处仅在于,本对比例省略了实施例1中的步骤(1)和步骤(2)。
试验例1
将实施例1和对比例1沉积了正面和背面氮化硅薄膜后的硅片在800℃的温度下烧结后测试其少子寿命和iVoc性能,其结果记录在表1中,其中iVoc性能代表钝化水平。
其中,本申请采用微波光电导衰退法对烧结后的N-TOPCon电池的少子寿命进行测试:包括利用904nm激光注入N-TOPCon电池产生电子-空穴对,撤去外界光注入时,利用少子寿命测试仪探测电导随时间变化的规律得到其少子寿命,其中,环境温度为25±2℃,湿度50%±10%。
表1.实施例1和对比例1的N-TOPCon电池烧结后的性能测试结果
少子寿命/us | iVoc/V | |
实施例1 | 1031.30 | 0.7150 |
对比例1 | 893.4 | 0.7106 |
从表1的结果可以看出,本申请实施例1和对比例1的N-TOPCon电池的制作工艺制得的N-TOPCon电池经烧结后,实施例1对应的N-TOPCon电池的少子寿命比对比例1高,说明了本申请实施例1的N-TOPCon电池的制作工艺能够提高N-TOPCon电池的少子寿命。
试验例2
将实施例1和对比例1制得的N-TOPCon电池在800℃的温度下烧结后进行光注入,然后采用halm在线I-V测试系统,在25℃、AM 1.5、1个标准太阳的条件下测试光注入后的N-TOPCon电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、串联电阻(Rs)、并联电阻(Rsh)、填充因子(FF)、转换效率(Ncell),其结果记录在表2中。
表2.实施例1和对比例1的N-TOPCon电池的性能测试结果
Voc/V | Isc/A | Rs/Ω | Rsh/Ω | FF/% | Ncell | |
对比例1 | 0.7037 | 18.0720 | 0.0009 | 486 | 83.06 | 23.95% |
实施例1 | 0.7068 | 18.0914 | 0.0009 | 563 | 83.24 | 24.08% |
从表2的结果可以看出,本申请实施例1和对比例1的N-TOPCon电池的制作工艺制得的N-TOPCon电池经烧结、光注入后,实施例1对应的N-TOPCon电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率均比对比例1高,说明了本申请实施例1的N-TOPCon电池的制作工艺能够提高N-TOPCon电池的转换效率。
以上仅为本申请的具体实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,包括:
S1:对硅片进行磷扩散以吸附所述硅片的杂质;
S2:去除所述硅片表面形成的磷硅玻璃;
S3:对所述硅片依次进行制绒、硼扩散形成pn结;
S4:对步骤S3得到的硅片进行后处理制得N-TOPCon电池。
2.根据权利要求1所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,所述对硅片进行磷扩散的步骤包括:在第一温度下通入磷源并将所述硅片保持在所述磷源的气氛下,然后在第二温度下保温,所述第一温度小于所述第二温度;
可选地,所述第一温度为700~900℃,所述第二温度为800~1000℃。
3.根据权利要求2所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,所述磷源包括三氯氧磷、氧气和氮气。
4.根据权利要求1~3任一项所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,去除所述硅片表面形成的磷硅玻璃的步骤包括:将步骤S1得到的所述硅片采用HF进行清洗。
5.根据权利要求1~3任一项所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,对所述硅片进行磷扩散之前,先对所述硅片进行前清洗、烘干。
6.根据权利要求4所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,对所述硅片进行前清洗的步骤包括:将所述硅片依次进行碱洗和酸洗。
7.根据权利要求6所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,对所述硅片进行碱洗的步骤包括:采用体积浓度为1~20%的KOH在40~80℃对所述硅片进行碱洗。
8.根据权利要求7所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,对所述硅片进行酸洗的步骤包括:采用体积浓度为1~30%的HF对所述硅片进行酸洗。
9.根据权利要求1~3任一项所述的N-TOPCon电池的制作工艺,其特征在于,S4步骤包括:对步骤S3得到的所述硅片依次进行刻蚀、隧穿氧化、掺杂非晶硅、退火、去绕度、沉积正面氧化铝、正面氮化硅和背面氮化硅以及丝网印刷。
10.一种N-TOPCon电池,其特征在于,其由权利要求1~9任一项所述的N-TOPCon电池的制作工艺制得。
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