CN102197497A - 半导体组件制造方法、半导体组件及半导体组件制造设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体组件制造方法，其包括：提供半导体基材(14)；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物(22)的层(20)；以及接着形成射极区域(30)，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质(16)。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体组件(例如太阳能电池)。这些实施例特别涉及半导体组件制造方法、半导体组件与半导体组件制造设备。
背景技术
半导体组件在数种工业领域中具有许多功能，包括但不限于诸如晶体管和光伏电池(例如太阳能电池)的电子组件的制造。个别的光伏电池用于例如提供功率给小型装置(例如电子计算器)。光伏阵列用于例如远距区域功率系统、绕地球的卫星与太空探测器、远距无线电话及泵水应用中。
运作含p-n结的太阳能电池的原理如以下所概略描述。太阳能电池吸收光且因所吸收的光能而产生电子/电洞(hole)电荷对。由于结电场和扩散所造成的漂移，电子移动朝向结的n-层侧，并且电洞移动朝向p-层侧。
对于太阳能电池制造，可以利用所谓的块体(bulk)技术或薄膜技术，前者系使用块体半导体晶片，后者系造成薄膜太阳能电池。太阳能电池的大部分普遍的块体材料是节晶硅，例如单晶硅(c-Si)或多晶硅(mc-Si)。
典型的使用mc-Si的太阳能电池制造过程可以包括例如下述步骤中的一些步骤：藉由蚀刻从mc-Si晶片移除锯-损坏；藉由在POCl3环境中进行热处理以形成射极；移除产生的磷硅玻璃(PSG)；钝化前侧与/或背侧；藉由例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积前侧抗反射涂层；进行后侧金属化与前接触网格线的网印；以及退火以造成后侧金属相互扩散且引发前接触网格线。
多晶硅晶片可以含有高密度的再结合中心，例如晶格缺陷(诸如像是铁(Fe)或镍(Ni)的杂质)。这造成了不希望的电荷载子的再结合，因而影响了太阳能电池的电气性质。为了改善使用mc-Si之太阳能电池的性质，可以执行所谓的杂质的吸附(gettering)，并且藉此执行杂质的失活(inactivation)，其典型地包括在高温下的磷扩散。磷可以保留射极与/或太阳能电池的表面中的Fe和其它金属杂质，减少了因这些杂质的再结合。在磷扩散期间，会形成磷硅玻璃，磷硅玻璃必须被移除以进行后续的太阳能电池制造过程步骤。
发明内容
鉴于前述问题，本发明提供了根据权利要求1的一种半导体组件制造方法、根据权利要求15的一种半导体组件、以及根据权利要求16的一种半导体组件制造设备。
根据一实施例，本发明提供了一种半导体组件制造方法，其包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附(getter)杂质。
根据另一实施例，本发明提供了一种半导体组件，其可藉由半导体组件制造方法来获得，该方法包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。
根据进一步实施例，本发明提供了一种半导体组件制造设备，其包括：涂覆装置，其适于涂覆半导体基材；加热装置，其适于将该经涂覆之半导体基材予以退火；以及控制装置，其适于控制该涂覆装置与该加热装置，并适于执行半导体组件制造方法，该方法包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。
本发明的进一步特征及细节可由从属权利要求、详细说明和附图了解。
实施例也涉及用来实施所揭示的方法的设备，并且涉及包括多个设备部件以执行所述方法步骤的设备。此外，实施例亦涉及所述设备藉以运作或所述设备藉以制造的方法。其可以包括用于实施设备功能或用于制造设备部件的方法步骤。方法步骤可以藉由硬件构件、固件、软件、经程序化以适当软件的计算机、前述任何组合、或以任何其它方式来执行。
应了解，一个实施例的组件可以有利地被用到其它实施例中，而不需赘述。
附图说明
本发明的前述特征、详细说明可以藉由参照实施例来详细地了解。附图涉及本发明的实施例并且在以下描述。一些实施例藉由参照以下附图而更详细地被描述在“具体实施方式”中，其中：
图1a-1c示出根据实施例的一个实例的半导体组件制造方法的步骤。
图2a-2d示出根据实施例的另一实例的半导体组件制造方法的步骤。
图3a-3d示出根据实施例的又一实例的半导体组件制造方法的步骤。
具体实施方式
下述说明将涉及各种实施例，这些实施例的一个或多个实例在附图中示出。各实例是以解释的方式来提供，并且没有意图要限制本发明。
在以下描述中，半导体组件将示范性地被称为太阳能电池，其不会限制范围。此外，半导体组件的基材将示范性地被称为晶片或硅晶片，也被称为硅基材，其不会限制范围。然而，本文揭露的实施例的实例也可以被应用到其它类型的半导体组件(例如薄膜太阳能电池)。此外，可以设想出其它不是硅的半导体或半导体材料。此外，在以下描述中，硅晶片将示范性地被称为多晶p-型硅晶片，其不会限制范围。然而，可以使用其它类型的硅晶片，例如单晶硅晶片与/或本征硅晶片(诸如实质上纯的硅晶片)。此外，在以下描述中，描述了p-n太阳能电池的制造，其中n-型射极形成在p-型硅基材中。然而，本文描述的实施例的方法的原理可以对应地用于具有相反p-n结构的太阳能电池的制造。此外，在以下描述中，磷被提及作为用来形成射极之n-掺质的实例。然而，可以使用其它n-掺质(例如砷)。
在以下的附图说明中，相同的组件符号指称相同的组件。通常，仅描述个别实施例的不同之处。
本文描述的多个实施例的一种典型应用是太阳能电池(例如使用mc-Si的太阳能电池)的制造。
根据一个实施例，本发明提供一种半导体组件制造方法，其包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附(getter)杂质。因此，射极区域的形成与杂质的吸附是执行于同一步骤中，典型地为同时执行。杂质可以被掺杂添加物所吸附。
图1a-1c示示根据实施例的一个实例的半导体组件制造方法的步骤。在此实例的第一步骤中，提供p-型硅晶片10形式的硅基材(显示于第1a图)以作为半导体基材，其具有前侧12与背侧14。晶片10包括散布在块体晶片10内的金属杂质16。例如，可以使用p-型(典型地为硼掺杂)的多晶硅晶片以作为硅基材，其具有0.2-10Ohm-cm的电阻率(典型地为1Ohm-cm)及厚达500μm的厚度(典型地为200μm)。
在图1b示出的第二步骤中，可以沉积硅化合物与掺杂添加物于硅基材上。因此，非晶硅化合物层20(其包括掺质22，例如磷)形成在晶片10的前侧12上。硅化合物可以是例如氮化硅或碳化硅。在实施例的一个实例中，第二步骤可以藉由溅射该硅化合物与该掺杂添加物(例如藉由溅射含有该硅化合物与该掺杂添加物的标靶)来执行。在溅射期间，可以提供气体，其中该气体包括选自由CH4、NH3及其它适当成分所构成群组的至少一者。在实施例的另一实例中，第二步骤藉由一气体混合物的PECVD来执行，其中该气体混合物包括SiH4与选自由NH3、CH4及PH3所构成群组中的至少一者。
例如，在第二步骤中，可以沉积磷掺杂钝化层在晶片10的前侧12上。产生的钝化层可以具有抗反射性质、70-95nm的厚度、及在622nm波长下的1.95-2.05的折射率。沉积可以如下述来执行：在第一实例中，可以藉由PECVD来沉积碳化硅层SiCx(n):H于晶片10的前侧上。在涂覆腔室中，可以建立1μbar至6μbar的总压力与约200℃至约500℃的晶片温度。为了产生等离子体，可以使用提供约3Hz至约300Hz范围的RF的功率源，典型地为约300kHz至3000kHz范围的中等频率(Medium Frequency，MF)。可以将SiH4、CH4、及PH3气体导入涂覆腔室内。沉积时间可为约1分钟至约10分钟。在替代性实施例中，可以藉由溅射磷掺杂硅标靶来沉积例如氮化硅层SiNx(n)于晶片10的前侧12上。在涂覆腔室中，可以建立1μbar至6μbar的总压力与约200℃至约500℃的晶片温度。可以将Ar、NH3、N2、及选择性地PH3(若标靶未经磷掺杂)导入涂覆腔室内。为了产生等离子体，可以使用提供DC、RF、或MF的功率源。在又一实施例中，可以藉由溅射磷掺杂标靶且使用N2与O2作为反应性气体于晶片上生长包括磷掺杂氮氧化硅的层20。
选择性地，在第二步骤之后，可以执行以本征或硼掺杂的钝化层(未示出)对晶片10的背侧进行钝化。这可以使用类似于第二步骤的条件的沉积条件在不存在磷掺质下来实现。在完成制造方法之后，此层必须保持钝化性质。当选择硼掺杂层时，在晶片(例如太阳能电池)的背侧处存在有经钝化的高低结的额外优点。
然后，在图1c示出的第三步骤中，经涂覆之晶片10被退火于约600℃至约1200℃的退火温度长达约1分钟至约100分钟。可以藉由使用管状炉、带状炉、电阻式加热炉、红外线炉、利用卤素灯的炉、与/或快速热处理(RTP)的加热程序来执行该退火。经涂覆之晶片10的退火可以进行于惰性氛围下(例如N2)或反应性氛围下(例如N2/H2)在约700℃至约950℃的退火温度长达约15分钟至约30分钟。因此，磷22会扩散到晶片10内，并且吸附实质量的杂质16。此外，一定量的磷在硅晶片10与硅化合物层20之间的接口处会扩散到晶片10内，而不会吸附。藉此，n-型射极区域30形成在靠近化合物层20与晶片10的界面处。进一步地，晶片10的前侧12被涂覆以硅化合物层20，其中该硅化合物层20可以实质上耗尽磷。由于氮化硅或碳化硅可以作为硅化合物，包含射极区域30的晶片10的表面可以被层20钝化。此外，层20可以作为抗反射涂层。此外，退火温度可以位在约950℃至约1200℃的范围中，典型地为约1100℃。因此，可以额外地执行化合物层20的热氧化。
在第三步骤中，由于磷的活化和扩散到晶片内，形成了射极。此外，在此步骤中，可以藉由存在磷的辅助来在层中查成金属杂质的吸附。因此，藉由根据实施例的方法，半导体晶片的表面区域中与/或块体区域中金属杂质的吸附及射极形成在同一步骤中同时来执行。此外，可以达到表面钝化与/或抗反射涂覆。
在实施例的其它实例中，退火温度可以典型地位于约600℃至约1200℃的范围中，更典型地为位于约650℃至约780℃的范围中或约750℃至约830℃的范围中，最典型地为位于约700℃至约800℃的范围中。
在实施例的又一实例中，退火时间可以典型地位于约1分钟至约100分钟的范围中，更典型地为位于约75分钟至约100分钟的范围中或约80分钟至约90分钟的范围中，最典型地为位于约15分钟至约30分钟的范围中或约20分钟至约30分钟的范围中。
在一些实施例中，在沉积硅化合物与掺杂添加物于硅基材上的步骤期间，可以形成两层(例如两层相同的组成)。在实施例的其它实例中，在沉积硅化合物与掺杂添加物于硅基材上的步骤期间，可以形成两层不同的组成。这样的实施例的一个实例在图2a-2d中示出。此实例与图1a-1c所示出的方法的不同点在于此实例在第二步骤期间执行两个涂覆程序。首先，包含磷作为掺质22的硅化合物20被沉积在晶片10的前侧12上，如图2b所示。额外的涂覆程序系如图2c所示，其显示没有掺杂磷的硅化合物层24被形成在包含磷的硅化合物层20上。因此，在图2d的第三步骤期间，一定量的磷会在硅晶片10与硅化合物层20的界面处扩散到晶片内。故，射极区域30的形成和晶片10的杂质16的吸附系同时执行。此外，同时，层20可以提供表面钝化，而层24可以提供抗反射性质。
在上述图2a-2d显示的实例的变化中，在第二步骤之后，层20可以包括氮化硅与磷，而层24包括氮化硅而未经掺杂磷。根据此实例的另一变化，层20可以包括碳化硅与磷，而层24包括氮化硅而未经掺杂磷。在此实例的又一变化中，层20可以包括氮化硅与磷，而层24包括碳化硅而未经掺杂磷。此外，层20可以包括碳化硅与磷，而层24包括碳化硅而未经掺杂磷。
如前所述，在执行退火步骤之前，层20可以包括氮化硅与磷，或碳化硅与磷。在图3a-3d示出的又一实例中，可以形成经涂覆的晶片10，其中在退火之前层24可以具有与层20相同的成分，层24中掺质22的浓度实质上等于或低于层20中掺质22的浓度。在替代性实例中(未示出)，层24中掺质22的浓度可以甚至高于层20中掺质22的浓度。因此，层20可以包括磷掺杂氮化硅或磷掺杂碳化硅，而层24也包括磷掺杂氮化硅或磷掺杂碳化硅。这些实例具有与图1a-1c所解释的实例相同的效果：可以在同一步骤中同时执行在半导体晶片的表面区域中与/或块体区域中金属杂质的吸附、射极形成、及在一些情况中表面钝化和抗反射涂覆。
在图2a-2d与图3a-3d各自显示的实例的变化中(未示出)，可以藉由先在半导体基材上沉积此两个半导体化合物层中的一层且接着使用前述退火温度和退火时间进行退火，以及沉积另一层且接着使用前述退火温度和退火时间进行退火，以形成此两个半导体化合物层。此外，在图2a-2d显示的实例的变化中(未示出)，在个别层20与24的两者或各者进行退火之前，半导体化合物层20可以不经掺质来掺杂，而层24可以包括掺质22。在这些变化中，于退火之后，可以产生如图2d或图3d所示的相同的结构。
层20与层24的典型实例是a-SiCx和a-SiyCx(例如a-Si0.8C0.2)以及a-SiNx和a-SiyNx，其中x典型地位于0至约1范围中，并且y典型地位于超过0至约1范围中。所形成的层的厚度可以位于约30nm至约120nm范围中。此外，适当量的氢与/或氧或其它成分可以被包括在层20和24中，以提供合适的钝化与/或抗反射性质。包含氢的层20或24的一个实例为经氢化的磷掺杂的非晶碳化硅a-SiCx(n):H，其藉由从SiH4、CH4、及PH3执行PECVD来形成。包含氧之层20或24的一个实例为磷掺杂的氮氧化硅，其藉由溅射n-掺杂的硅标靶且利用N2和O2作为反应性气体来生长。
根据一些实施例，硅基材可以选自由结晶硅基材、多晶硅基材、具有结晶硅表面层的基材、及具有多晶硅表面层的基材所构成群组。
如前所述，根据一些实施例，硅基材可以是p-型硅基材。在其它实施例中，硅基材可以是本征硅基材，即未经掺杂的硅晶片10。此外，根据一些实施例，此方法可以包括形成本征硅材料层于硅晶片10的背侧上的步骤。因此，在一些实施例中，晶片10的前侧能够被提供以经掺杂的a-硅化合物层，而背侧可以由本征材料所构成。因此，在执行此方法期间，可以避免在背侧处的射极形成。在其它实施例中，此方法可以包括形成经掺杂(例如p-掺杂)的材料层于硅晶片10的背侧上的步骤。所形成的背侧层可以是例如经硼掺杂硅表面层。这会在经涂覆的晶片(例如太阳能电池)的背侧处导致钝化的高低结。
如前所述，藉由本文描述的实施例，可以在同一步骤中同时执行一半导体晶片的表面区域中与/或块体区域中金属杂质或其它晶格缺陷的吸附以及射极形成。此外，当形成射极及吸附杂质时，可以达成表面钝化。在相同的步骤中，可以完成抗反射涂层的形成。此外，不需要移除磷硅玻璃，这是因为本文实施例所提供的磷扩散不会造成PSG区域的形成。此外，所制造的半导体组件或太阳能电池的经改善射极轮廓可以更陡。因此，本文揭露的实施例的方法允许射极轮廓的更佳控制。这可取决于磷扩散到晶片基材内的较慢速度(由于半导体化合物和掺质的选择以及退火温度和退火时间的选择)。所以，能够以简单的制造过程来制造改善的射极区域、改善表面钝化、减少电荷载子再结合与/或改善抗反射性质的半导体组件(例如太阳能电池)。因此，可以显著地降低太阳能电池生产成本。
在下文中，将描述实施例的又一实例。
在第一实例中，使用p-型的硼掺杂多晶硅晶片作为基材，其具有1Ohm-cm的电阻率200μm的厚度。晶片具有在结晶生长期间所导入的金属杂质。
在第二步骤中，两个磷掺杂的非晶碳化硅钝化层a-SiCx(n):H的堆栈沉积在晶片的前侧上。沉积条件为如下：反应器：PECVD，直接等离子体，运作于RF频率(13.56MHz)；反应器腔室中的真空压力低于10e-5hPa；气流：SiH4(95％)+PH3(5％)：3sccm；CH4：32sccm；总压力：3μbar；温度：300℃；沉积时间(静态)：12分钟；功率密度：0.086W/m2。所形成的a-SiCx(n):H双层具有抗反射性质、80nm的厚度、及在622nm波长下的2.00的折射率。
在第三步骤中，经涂覆的晶片在N2氛围下于830℃的温度下进行长达20分钟退火时间的退火。太阳能电池的前驱物被形成了。仅需要施加多个接点。
第二实例与第一实例的不同点在于第二实例在第二步骤之后且在第三步骤的退火之前，以a-SiCx(i):H的本征非晶碳化硅膜来执行晶片的背侧的钝化。沉积条件对应于第二步骤的沉积条件，而不存在磷掺质。反应器：PECVD，直接等离子体，运作于RF频率(13.56MHz)；反应器腔室中的真空压力低于10e-5hPa；气流：SiH4(95％)+PH3(5％)：3sccm；CH4：32sccm；总压力：3μbar；温度：300℃；沉积时间(静态)：12分钟；功率密度：0.086W/m2。
在第三实例中，执行第一实例的三个步骤，但第三步骤被更改成经涂覆的晶片被退火于780℃的温度长达75分钟。
在第四实例中，第三实例被更改成经涂覆的晶片被退火于780℃的温度长达20分钟。
根据一个实施例，本发明提供了一种半导体组件制造方法，其包括：提供一半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附(getter)杂质。因此，射极区域的形成与杂质的吸附是执行于同一步骤中，典型地为同时执行。杂质可以被掺杂添加物所吸附。杂质可以是金属杂质或其它晶格缺陷。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该半导体基材是硅基材且该半导体化合物是硅化合物，并且退火系藉由加热于约600℃至约1200℃的退火温度长达约1分钟至约100分钟的退火时间来执行。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，在形成该层的步骤中，经掺杂的半导体化合物层被形成在半导体基材的表面上。经掺杂的半导体层可以是非晶的。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，在形成该层的步骤中，至少两个相同或不同组成的层被形成。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，在形成该层的步骤中，形成至少两层，这些层的至少两层包括相同的半导体化合物或不同的半导体化合物。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，至少一种半导体化合物包括选自由硅化合物、碳化硅及氮化硅所构成群组中的至少一者。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该掺杂添加物包括选自由p-型掺质、n-型掺质、磷及砷所构成群组中的至少一者。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，形成该层的步骤藉由溅射该半导体化合物与该掺杂添加物来执行。典型地，可以溅射包括该半导体化合物与该掺杂添加物的标靶。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，形成该层的步骤藉由气体混合物的PECVD来执行，其中该气体混合物包括SiH4与选自由NH3、CH4及PH3所构成群组中的至少一者。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，在退火的步骤中，该半导体基材的表面被氧化。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该半导体基材为选自由硅基材、结晶硅基材、多晶硅基材、具有结晶硅表面层的基材、及具有多晶硅表面层的基材所构成群组中的一者。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该半导体基材为选自由n-型半导体基材、p-型半导体基材、本征半导体基材、n-型硅基材、p-型硅基材、及本征硅基材所构成群组中的至少一者。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该退火温度位于约650℃至约780℃范围中或位于约950℃至约1200℃范围中。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该退火时间系位于约75分钟至约100分钟范围中或位于约15分钟至约30分钟范围中。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该半导体基材包括前侧与背侧，并且该半导体化合物层形成在该前侧上。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，该方法还包含在该背侧上形成层的步骤，该层包含本征或经掺杂之半导体化合物。该经掺杂的半导体化合物可以是n-掺杂或p-掺杂(例如硼掺杂)。
在可以与本文中任何其它实施例结合的实施例中，退火藉由加热程序来执行，该加热程序系使用选自由管状炉、带状炉、电阻式加热炉、红外线炉、及多个卤素灯所构成群组中的至少一者。
在另一实施例中，本发明提供了一种半导体组件，其可藉由半导体组件制造方法来获得，该方法包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。
在又一实施例中，本发明提供了一种半导体组件，其藉由半导体组件制造方法来获得，该方法包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。
根据另一实施例，本发明提供了一种半导体组件制造方法，该方法实质上由下列步骤构成：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。
根据另一实施例，本发明提供了一种半导体组件，其可藉由任何前述实施例的方法来获得。
根据另一实施例，本发明提供了一种半导体组件，其系藉由任何前述实施例的方法来获得。
根据又一实施例，本发明提供一种半导体组件制造设备，其包括：涂覆装置，其适于涂覆半导体基材；加热装置，其适于将该经涂覆的半导体基材予以退火；以及控制装置，其适于控制该涂覆装置与该加热装置，并适于执行半导体组件制造方法，该方法包括：提供半导体基材；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物的层；以及接着形成射极区域，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质。为了执行该提供半导体基材的步骤，可以在该制造设备中包括由该控制装置控制的基材支撑件，例如用于在该涂覆装置前面传送基材的传送系统。
详细说明使用实例来揭示本发明(包括最佳实施例)，并且也可使任何本领域的技术人员使用且利用本发明。尽管本发明以各种特定实施例来描述，任何本领域的技术人员将可了解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的前提下，可以实施具有变化的本发明。此外，前述实施例的彼此非独占特征可以互相结合。本发明的可保护范围由权利要求来界定，并且可以包括本领域技术人员所能设想的其它实例。这样的其它实例被涵盖在权利要求的范畴内。
虽然前述说明是着重在本发明的实施例，在不脱离本发明的基本范围的前提下，可以设想出本发明的其它实施例，并且本发明的范围由所附权利要求所决定。
Claims (16)
1.一种半导体组件制造方法，包含：
提供半导体基材(14)；
在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物(22)的层(20)；以及
接着形成射极区域(30)，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质(16)。
2.如权利要求1所述的方法，其中该半导体基材是硅基材且该半导体化合物是硅化合物，并且该退火是藉由加热于约600℃至约1200℃的退火温度长达约1分钟至约100分钟的退火时间来执行。
3.如上述任一项权利要求所述的方法，其中在形成该层的步骤中，形成至少两层，这些层的至少两层包括相同的半导体化合物或不同的半导体化合物。
4.如上述任一项权利要求所述的方法，其中至少一种半导体化合物包括选自由硅化合物、碳化硅及氮化硅所构成群组中的至少一者。
5.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该掺杂添加物包括选自由p-型掺质、n-型掺质、磷及砷所构成群组中的至少一者。
6.如上述任一项权利要求所述的方法，其中形成该层的步骤藉由溅射该半导体化合物与该掺杂添加物来执行。
7.如上述任一项权利要求所述的方法，其中形成该层的步骤藉由气体混合物的PECVD来执行，其中该气体混合物包括SiH4与选自由NH3、CH4及PH3所构成群组中的至少一者。
8.如上述任一项权利要求所述的方法，其中在退火的步骤中，该半导体基材的表面被氧化。
9.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该半导体基材为选自由硅基材、结晶硅基材、多晶硅基材、具有结晶硅表面层之基材、具有多晶硅表面层之基材、n-型半导体基材、p-型半导体基材、本征半导体基材、n-型硅基材、p-型硅基材、及本征硅基材所构成群组中的一者。
10.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该退火温度位于约650℃至约780℃范围中或位于约950℃至约1200℃范围中。
11.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该退火时间位于约75分钟至约100分钟范围中或位于约15分钟至约30分钟范围中。
12.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该半导体基材包括前侧与背侧，并且该半导体化合物层形成在该前侧上。
13.如权利要求12项所述的方法，包含在该背侧上形成层的步骤，该层包含本征或经掺杂的半导体化合物。
14.如上述任一项权利要求所述的方法，其中该退火是藉由加热程序来执行，该加热程序使用选自由管状炉、带状炉、电阻式加热炉、红外线炉、及多个卤素灯所构成群组中的至少一者。
15.一种半导体组件，其可藉由上述任一项权利要求所述的方法来获得。
16.一种半导体组件制造设备，包含：
涂覆装置，其适于涂覆半导体基材；
加热装置，其适于将该经涂覆的半导体基材予以退火；以及
控制装置，其适于控制该涂覆装置与该加热装置，并适于执行根据权利要求1至14中任一项所述的方法。
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