CN104025304A - 用于提高si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式一般涉及太阳能电池的制造且更具体地涉及用于提高Si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层。一般来说，包含缓冲层(中间层)的钝化层堆叠形成在基于硅的基板的表面上。在一个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的背表面上。在另一实施方式中，钝化层堆叠形成在基板的背表面和基板的前发射区(光接收表面)上。

Description

用于提高SI太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层
发明背景
技术领域
本发明的实施方式一般涉及太阳能电池的制造且更具体地涉及用于提高Si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层。
相关技术描述
太阳能电池为光生伏打装置，所述装置将太阳光直接转换成电功率。最常见的太阳能电池材料为硅，所述硅采取单晶、多晶、多结晶基板或非晶体膜的形式。减少太阳能电池的制造成本且因此减少产生的电池的成本，同时维持或增加生产的太阳能电池的总效率的努力正在进行。
更具体来说，光生伏打(photovoltaics；PV)或太阳能电池为将太阳光转换为直流(direct current；DC)电功率的装置。典型的PV电池包括p型硅晶片或基板，通常小于大约0.3mm厚，具有安置在p型基板的顶端上的n型硅材料的薄层。PV电池产生的电压或光电压和产生的电流取决于p-n结的材料性质、沉积层之间的介面性质和装置的表面区域。当暴露至太阳光(由来自光子的能量组成)时，PV电池的p-n结产生自由电子和空穴对。跨过p-n结的耗尽区形成的电场分离自由电子和空穴，产生电压。从n侧至p侧的电路允许当PV电池连接至电负载时电子流动。电功率为电压乘以当电子和空穴移动经过外部电负载且最终再结合时产生的电流的结果。每一太阳能电池产生具体数量的电功率。多个太阳能电池平铺成一定大小的模块以传送期望数量的系统功率。
太阳能电池将入射光能转换成电能的效率不利地受到许多因素的影响，包括太阳能电池的光接收表面反射的部分入射光和/或未从太阳能电池的背表面反射的部分入射光，和太阳能电池中的电子和空穴的再结合效率。当电子和空穴再结合时，入射的太阳能作为热和光再发射，因此降低太阳能电池的转换效率。再结合可存在于基板的块体硅中，所述再结合为块体硅中的缺点数量的函数，或再结合可存在于基板的前表面或背表面上，所述再结合为有多少悬空键(也就是，无端接化学键(表示为陷阱地点))在基板表面上的函数。悬空键通常出现在基板的表面上，因为基板的硅晶格在前表面或背表面处结束。这些悬空键用作缺点陷阱且因此为电子空穴对的再结合地点。
太阳能电池的效率可通过使用太阳能电池的背表面上的钝化层增强。良好的钝化层可提供期望的膜性质，所述期望的膜性质减少太阳能电池中的电子或空穴的再结合且重定向电子和电荷回到太阳能电池中以产生光电流。此外，钝化层也可用作背侧反射体以最小化光吸收同时帮助反射光回到太阳能电池装置。
为了钝化用于p型基底太阳能电池的n型发射体表面、用于p型基底太阳能电池的背部p型Si表面或用于n型基底太阳能电池的p型发射体表面，钝化层，诸如氧化铝(诸如Al2O3)层，可形成在硅基板的背表面上。氧化铝不仅有效钝化悬空键，而且具有提高场效应钝化的有效固定电荷。在随后的高温退火工艺(有时称为烧结工艺)期间，氮化硅(SiN)层可进一步沉积在氧化铝层上以阻止氧化铝与随后沉积的(例如，丝网印刷的)金属背部接触材料(例如，Al膏)反应。然而，问题出现在氧化铝层和氮化硅层之间的介面处。举例来说，介面显示低于期望热量和机械应力稳定性、电荷不稳定性，且经常遭受氧化铝和氮化硅沉积之间的交叉污染。并且，需要大量的氧化铝提供期望的太阳能电池性能特征，所述氧化铝一般遭受低沉积速率且最终减少产量。此外，在随后的激光烧蚀和背面场(back surface field；BSF)形成中由于氧化铝和氮化硅层之间的介面的上述特征，经常出现困难。因此，所属技术领域中存在以下需要：提高的太阳能电池的钝化，更具体来说，提高的层堆叠，所述层堆叠减少或消除上述挑战。
除了太阳能电池钝化的挑战之外，制造具有钝化层的太阳能电池的成本效率为不懈的努力。以低成本制造高效率太阳能电池是制造对于大量消耗的发电更具有竞争力的太阳能电池的关键。太阳能电池的效率直接与收集各种层中吸收的光子产生的电荷的电池能力有关。良好的前表面和后表面钝化层可帮助减少形成的太阳能电池装置中产生的电子或空穴的再结合，且重定向电子和空穴回到太阳能电池中以产生期望的光电流。当电子和空穴再结合时，入射的太阳能作为热和光再发射，因此降低太阳能电池的转换效率。并且，一般来说，钝化层将具有当光经过钝化层时最小化光反射和吸收的期望的光学性质和“表面”钝化表面(所述钝化层安置于所述表面上方)，“块体”钝化基板的相邻区域和表面和储存期望的电荷以“场”钝化太阳能电池基板表面(所述钝化层安置于所述太阳能电池基板表面上方)的期望的功能性质。太阳能电池上期望的钝化层的形成可大大地提高太阳能电池的效率，然而，形成的正面钝化层的折射率(n)和固有的消光系数(k)需要以环绕层调谐从而最小化光反射且增强太阳能电池装置的光吸收。然而，沉积速率且因此可在设定的一段时间内处理的最终数量的基板对折射率和k值以及膜的物理性质(诸如密度)有影响。
为了满足这些挑战，一般需要满足以下太阳能电池处理要求：1)需要增加用于基板制造设备的拥有成本(cost of ownership；CoO)(例如，高系统产量、高机器正常运行时间、便宜的机器、便宜的消耗成本)，2)需要增加每个工艺周期处理的区域(例如，减少每个Wp的处理)和3)需要良好控制形成的层和膜堆叠形成工艺的质量且所述质量足够产生高效率太阳能电池。因此，存在成本有效地形成和制造用于太阳能电池应用的硅片的需要。
进一步来说，由于对太阳能电池装置的需求持续增长，因此存在以增加基板产量且提高基板上执行的沉积工艺的质量的方式降低成本的趋势。然而，关于生产和支持太阳能电池生产线中的所有处理部件的成本继续显著逐步升高。为了减少这一成本同时也减少表面污染，存在对于新颖的太阳能电池处理系统和处理顺序的设计需要，所述处理系统和处理顺序具有高产量、提高的装置产率、减少的基板处理步骤数量和紧密的系统占位。
发明内容
本发明的实施方式一般涉及包含形成在基板的第一表面上的发射区，所述发射区具有与基板的导电类型相对的导电类型。太阳能电池也包含一或更多个钝化层堆叠。钝化层堆叠包含形成在基板的第二表面或发射区上的第一介电层、形成在第一介电层上方的第二介电层和安置于第一介电层和第二介电层之间的中间层。
本发明的某些实施方式一般涉及制造太阳能电池装置的方法。所述方法以在处理腔室中在基板的第一表面上形成一或更多个钝化层堆叠的方式执行。钝化层堆叠以在基板的第一表面上形成氧化铝的第一介电层的方式制造。接着，中间层形成在第一介电层上方。最后，氮化硅的第二介电层形成在中间层的上方。
本发明的其他实施方式一般涉及太阳能电池处理系统。提供基板自动化系统，所述基板自动化系统具有一或更多个传送带，所述一或更多个传送带配置为在第一方向串行传输基板经过处理区域。处理区域一般维持在低于大气压力的压力处。提供第一处理腔室，所述第一处理腔室具有第一沉积源和第二沉积源，所述第一沉积源配置为传送包含含铝前驱物和含氧前驱物的处理气体至基板每一者的表面，所述第二沉积源配置为当基板相对于二个或更多个第一沉积源传输经过处理区域时传送含硅前驱物和含氧前驱物至基板每一者的表面。提供第二处理腔室，所述第二处理腔室具有第一沉积源，所述第一沉积源配置为当基板相对于第一沉积源传输经过处理区域时传送含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物的处理气体至基板每一者的表面。
附图说明
因此，以可详细理解本发明的上述特征的方式，上文简要概述的本发明的更具体描述可参阅实施方式获得，所述的一些实施方式图示于随附图式中。然而，应注意，随附图式仅图示本发明的典型实施方式，且因此随附图式不应被视为会对本发明的范围构成限制，因为本发明可允许其他等效实施方式。
图1A至图1C为示意性横截面视图，所述横截面视图图示根据本发明的各种实施方式的图2图示的处理顺序的不同阶段期间的太阳能电池装置；
图2描绘工艺流程图，所述工艺流程图图示根据图1A至图1C中图示的实施方式的形成太阳能电池装置的处理顺序；
图3为根据本文描述的方法且根据本发明的某些实施方式使用本文描述的处理系统形成的太阳能电池装置的示意性横截面视图；
图4为根据本发明的某些实施方式的基板处理系统的一个实施方式的示意性等角视图；和
图5为根据本发明的某些实施方式的沉积腔室的示意性横截面侧视图。
具体实施方式
本发明的实施方式一般涉及制造太阳能电池且更具体来说涉及缓冲层的形成，所述缓冲层用于提高硅(Si)太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性。一般来说，包含缓冲层(或中间层)的钝化层堆叠形成在基于硅的基板的表面上。在一个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的背表面上。在另一实施方式中，钝化层堆叠形成在基板的背表面和/或基板的前发射区(光接收表面)上。在一个实施方式中，钝化层堆叠包括氧化铝层、缓冲层和氮化硅层。氧化铝层为大约厚且具有633nm波长处的1.6至1.8的折射率(n)，且氮化硅层以一方式沉积使得氮化硅形成有大约的厚度和在633nm波长处的1.8至2.1的折射率(n)。中间层形成在氧化铝层和氮化硅层之间，且可具有大约至 的厚度，产生大约至大约的钝化层堆叠总厚度。
在一个实施方式中，中间层可包含二氧化硅或氧氮化硅。使用包含二氧化硅或者氧氮化硅的中间层作为阻挡层并减少形成钝化层堆叠所需要的下面的氧化铝层的厚度，所述钝化层堆叠具有期望的钝化、物理、电学和光学性质，所述性质将帮助提高太阳能电池装置的性能。由于用于形成氧化铝层的通常昂贵的前驱物的数量减少和形成中间层的相对便宜的成本，减少形成钝化层堆叠需要的氧化铝的数量将减少太阳能电池装置的生产成本。处理系统的增加的总产量也可以遵循本文描述的工艺的方式实现，因为氧化铝的沉积速率为相对慢的且中间层的增加减少了需要沉积在基板上的氧化铝的数量。
中间层也提供类似于氧化铝层的光学性质，诸如折射率(n≈1.7)，所述光学性质可提高太阳能电池的总效率。此外，由于介于二氧化硅/氧氮化硅和氧化铝之间的类似性，诸如热量和剪应力，可提高钝化堆叠的热量和机械稳定性。由于氧化铝和氮化硅层之间的湿气、金属和/或离子迁移的交叉污染也由中间层减少，所述中间层用作阻止上述交叉污染的阻挡。除了作为阻挡，由于中间层具有低应力和低密度固定电荷的事实，所以中间层也可通过应力和/或电荷调制增强下面的氧化铝层的钝化的性能。作为氧化铝层和中间层之间的光学性质(也就是，折射率)的提高的匹配和氧化铝的厚度减少的结果，可提高激光烧蚀和BSF形成。然而，当中间层为薄的时，诸如小于20nm，折射率匹配可能不是重要的考虑因素。中间层和氧化铝之间的相近折射率将提高激光烧蚀工艺，因为传送的激光能量有效且高效地移除烧蚀的材料的能力受到正被移除的材料的光学性质的影响。一般来说，二个不同材料之间相近的光学性质将产生更大的精确度，激光烧蚀工艺可以所述精确度执行，这可产生激光烧蚀特征，所述激光烧蚀特征具有提高的特征形状和受到最低损害的下面基板材料。
图1A至图1C为示意性横截面视图，所述横截面视图图示根据本发明的各种实施方式的图2图示的太阳能电池处理顺序的不同阶段期间的太阳能电池装置。图3为太阳能电池装置的示意性横截面视图，所述太阳能电池装置包含一个钝化层堆叠内部的中间层，所述中间层可根据关于图1和图2图示和描述的方法步骤形成。根据本发明的某些实施方式，本文描述的方法步骤也可在以下描述的处理系统中执行。
参阅图3，在一个实施方式中，形成的太阳能电池基板110具有在形成的太阳能电池装置300的前表面(例如，顶表面105)上的钝化层堆叠140、前侧电性接触307、后表面(例如，后表面106)上的后表面钝化层堆叠120和导电层345，所述导电层345形成后侧电性接触346，所述后侧电性接触346通过钝化层堆叠120中形成的过孔区域347电性接触基板310的表面。在一个实施方式中，基板110包含硅基板，所述硅基板具有安置于硅基板中以形成部分太阳能电池装置300的p型掺杂剂，这将在下文进一步讨论。在这一配置中，基板310可具有p型掺杂基极区101和形成于p型掺杂基极区101上的n掺杂发射区102，所述区域通常由掺杂和扩散/退火工艺形成，尽管可使用包括离子注入的其他工艺。基板110还包括p-n结区103，所述p-n结区103安置在太阳能电池的基极区101和发射区102之间，且基板110为一区域，在该区域中当太阳能电池装置300由来自太阳350的光的入射光子“I”照射时产生电子空穴对。导电层345和前侧电性接触307可包含金属，诸如铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、钴(Co)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍钒(NiV)或其他类似的材料，和以上各者的组合物。
在一个实例中，形成的太阳能电池装置300包含钝化层堆叠140(诸如抗反射涂层(anti-reflective coating；ARC))和后表面钝化层堆叠120，所述钝化层堆叠每一者包含至少二个或更多个沉积材料层，所述沉积材料层全部于处理系统400(图4)中形成在基板110上。基板110可包含单晶硅、多结晶硅或多晶硅，但是也可用于包含以下材料的基板：锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)、铜铟镓硒化合物(CIGS)、铜铟硒化合物(CuInSe2)、磷化镓铟(GaInP2)、有机材料以及异质结电池，诸如GaInP/GaAs/Ge或ZnSe/GaAs/Ge基板，所述基板用于将太阳光转换至电功率。钝化/ARC层堆叠140可包含与基板表面105接触的第一介电层115、安置于第一介电层115上方的中间层119，和安置于中间层119上的第二介电层117，如关于图1A至图1C和图2所描述的。在太阳能电池装置300的一个实施方式中，钝化/ARC层堆叠140和后表面钝化层堆叠120的选择将在形成的装置中分别最小化前表面反射R1和最大化后表面反射R2，从而提高太阳能电池装置300的效率。
在一些实施方式中，使用中间层119减少形成钝化层堆叠120和140所需要的下面的第一介电层115的要求厚度，因为中间层119提供诸如上述性质的性质，所述性质相近于第一介电层115的钝化层性质或补充第一介电层115的钝化层性质。当使用昂贵的材料(诸如氧化铝)形成第一介电层115时，使用中间层119和最优化的第一介电层115可为有益的。制造含氧化硅和氧氮化硅的层(所述层可用作中间层119)相较于含氧化铝层相对更便宜。应注意到，含氧化铝层一般有用于帮助形成高效率硅(Si)太阳能电池，因为氧化铝提供背表面钝化，所述背表面钝化提供Si太阳能电池的增加的总效率。因此，可减少生产通常昂贵的含氧化铝层(用于形成介电层115)的要求厚度，因为中间层119用作介电层115和117之间的阻挡层。由于中间层119具有低应力和低密度固定电荷的事实，因此中间层119也可通过应力和/或电荷调制增强下面的介电层115的钝化效果或钝化性能。
并且，以选择中间层119材料的方式，所述中间层119材料具有期望的电学、物理和/或钝化性质，可减少形成太阳能电池装置需要的氧化铝的数量。用于形成介电层115的氧化铝层的数量或厚度的减少也最小化关于钝化层堆叠的激光烧蚀的困难且由于增加激光烧蚀工艺的准确度和精确度，通过激光烧蚀特征提高形成可靠的电性接触和BSF的能力。并且，二氧化硅和氧氮化硅的光学性质，诸如折射率，接近包含氧化铝的介电层115的光学性质(n≈1.7)。人们将注意到，激光烧蚀工艺很大程度取决于激光波长和正被烧蚀的材料的光学性质。具有相近的光学性质的材料可更精确地烧蚀，这提供更清洁且更可重复的烧蚀特征形状。此外，由于中间层119材料的性质和以在钝化层堆叠120和/或140内部调整中间层119材料的厚度和/或介电层115和/或117的厚度的方式，形成的太阳能电池装置的红色(例如，长波长(也就是，＞～1000nm))和/或蓝色(例如，短波长(也就是，＜～600nm))光学吸收可经最优化以提高太阳能电池的转换效率。
进一步来说，中间层119可用作缓冲以减少第一介电层115(所述第一介电层115具有高密度负电荷(近似-1E13cm-2))和第二介电层117(所述第二介电层117具有高密度正电荷(近似+2E13cm-2))之间电荷不稳定性。中间层119也用作缓冲以减少第一介电层115(所述第一介电层115经常显示低拉伸应力(+0.01GPa))和第二介电层117(所述第二介电层117经常显示高压缩应力(-1GPa))之间的机械应力不稳定性。与用于形成第二介电层117的典型材料(例如，氮化硅)相比，中间层119以显示低正电荷和低拉伸/压缩应力的方式提供与第一介电层115的最佳匹配，所述最佳匹配产生提高的热量、电荷和应力稳定性。最后，中间层119用作第一介电层115和第二介电层117之间的湿气和有机或金属污染传输的阻挡。因此，增加钝化层堆叠120和140的性能和稳定性，这产生提高的太阳能电池效率。
举例来说，当使用包含安置于第一介电层和第二介电层之间的中间层(所述中间层包含二氧化硅)的钝化层堆叠时，可实现效率(％)、开路电压(Voc(mV))和短路电流(Jsc(mA/cm2))的增加。作为基线，发明者决定工业丝网印刷铝背表面场(screen-printed aluminum back-surface field；SP Al-BSF)提供太阳能电池18.49％的效率、Voc＝640和Jsc＝36.4。由氧化铝的第一介电层和氮化硅的第二介电层形成的钝化堆叠提供高于基线的效率(+0.3％)、Voc(+6)和Jsc(+0.7)的增加。然而，包含氧化铝的第一介电层、二氧化硅的中间层和氮化硅的第二介电层的钝化层堆叠，诸如钝化层堆叠120，提供高于基线的效率(+0.5％)、Voc(+10)和Jsc(+0.9)的增加。因此，发明者决定了本发明提供钝化层堆叠的提高的性能和稳定性和提高的太阳能电池电特征，诸如提高的转换效率。
太阳能电池装置，诸如图3图示的太阳能电池装置，可由执行图2的工艺步骤的方式制造。图2描绘流程图，所述流程图图示根据图1A至图1C中图示的实施方式的形成诸如太阳能电池装置300的太阳能电池装置的处理顺序。注意到，图2中描绘的处理顺序仅用作工艺流程的一个实例，所述工艺流程可用于制造太阳能电池装置。如有需要，可增加、消除和/或重新排序一些步骤，从而形成期望的太阳能电池装置。图2的处理顺序可在单个基板处理腔室或在多腔集成设备中提供的多个基板处理腔室中执行。人们将注意到，在一些情况下，工艺的每一者可在不含氧的惰性和/或真空环境中执行，诸如在多腔集成设备的真空处理区域中，使得在工艺之间基板不暴露至氧气。
所述方法从步骤210开始，处理腔室中在具有光接收表面和背表面的基板上形成一或更多个钝化层堆叠120和140，所述背表面一般与基板上的光接收表面平行且相对。一般来说，基板110被引入处理腔室中，诸如等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)腔室，所述腔室可从加利福尼亚州圣克拉拉的Applied Materials公司购买。在共同让渡的临时专利申请案第61/582,698号(所述临时专利申请案以引用方式并入本文)中公开PECVD腔室设计的实例，所述PECVD腔室设计可适用于执行本文描述的一或更多个工艺。基板110一般具有基极区101、发射区102和安置于基极区101和发射区102之间的p-n结区103，如图1A中图示的。基板110可为单晶或多晶硅基板、含硅基板、含掺杂(使用p型或n型掺杂剂)硅基板或其他适当的基板。在一个配置中，基板110为p型结晶硅(c-Si)基板。用于硅太阳能电池制造的p型掺杂剂为化学元素，诸如硼(B)、铝(Al)或镓(Ga)。
在另一配置中，基板110可为电子级硅基板或低使用寿命、多缺点硅基板，例如，高冶金级(upgraded metallurgical grade；UMG)结晶硅基板。高冶金级(UMG)硅为具有低浓度(例如，在百万分之几范围内)重金属和其他有害杂质的相对清洁的多晶硅原材料，但是所述硅可包含高浓度硼或磷，这取决于来源。在某些应用中，基板可为由发射极穿孔卷绕(emitter wrap through；EWT)、金属化卷绕(metallization wrap around；MWA)或金属化穿孔卷绕(metallization wrapthrough；MWT)方法制备的背接触硅基板。尽管本文描绘的实施方式和实施方式的相应论述主要讨论使用p型c-Si基板，然而这一配置非旨在限制本发明的范围，因为也可使用n型c-Si基板而不背离本文描述的本发明的实施方式的基本范围。基板上方形成的掺杂层或发射体将基于使用的基板类型变化，如以下将讨论的。
基板110具有光接收表面(也就是，前表面105)和与光接收表面相对的底部或背表面106。发射区102可为n型发射区，该n型发射区由使用任何适当的技术(诸如注入工艺(接着是退火工艺)或使用磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass；PSG)的热扩散工艺)向沉积的半导体层掺杂某些类型的元素(例如，磷(P)、砷(As)或锑(Sb))从而增加负电荷载体(也就是，电子)的数量的方式形成。p-n结区103为一区域，在该区域中当太阳能电池装置100由光的入射光子照射时产生电子空穴对。在一个实施方式中，当基板经钝化在背表面上具有钝化层堆叠120时，抗反射涂层(诸如钝化ARC层(未图示))可沉积在太阳能电池装置100的光接收表面105上。在这个实施方式中，钝化ARC层可包括氧化硅、氮化硅或以上各者的组合物。
在步骤220，第一介电层115形成在基极区101的背表面106或基板110的光接收表面105上。在步骤230，中间层119形成在第一介电层115的上方。在步骤240，第二介电层117形成在中间层119的上方。由第一介电层115、中间层119和第二介电层117形成的钝化层堆叠120和140提供良好的介面性质，所述介面性质减少电子和空穴的再结合且驱动和/或扩散电子和电荷载体。第一介电层115、中间层119和第二介电层117可由从以下内容组成的群组中选择的介电材料制造：氧化硅(SixOy)、氮化硅(SixNy)、氢化氮化硅(SixNy:H)、氧氮化硅(SiON)、氧碳氮化硅(SiOCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧化钛(TixOy)、氧化钽(TaxOy)、氧化镧(LaxOy)、氧化铪(HfxOy)、氮化钛(TixNy)、氮化钽(TaxNy)、氮化铪(HfN)、氧氮化铪(HfON)、氮化镧(LaN)、氧氮化镧(LaON)、氯化氮化硅(SixNy:CI)、氯化氧化硅(SixOy:Cl)、非晶硅、非晶碳化硅、氧化铝(AlxOy)、亚硝酸铝或氧氮化铝。
在一个实施方式中，钝化层堆叠120形成在基板110的背表面106上。在这个实施方式中，第一介电层115可包含氧化铝材料，诸如氧化铝(Al2O3)，且第二介电层117可包含氮化硅材料，诸如氮化硅(Si3N4)。中间层119可包含氧化硅材料，诸如二氧化硅(SiO2)材料。在另一实施方式中，钝化层堆叠140形成在基板110的发射体/光接收表面105上。在这个实施方式中，第一介电层115可包含氧化铝材料，诸如氧化铝(Al2O3)材料，且第二介电层117可包含氮化硅材料，诸如氮化硅(Si3N4)材料。中间层119可包含氧化硅或氧氮化硅材料，诸如二氧化硅(SiO2)或氧氮化硅(SiON)材料。在任一情况中，第一介电层115可具有大约至大约的厚度且第二介电层117可具有大约至大约的厚度。中间层119可具有大约至大约的厚度，诸如大约至大约钝化层堆叠120和140的总厚度可为大约至大约
现在将讨论各种沉积工艺的实例，诸如可从Applied Materials公司购买的PECVD钝化工具上发展的工艺，所述工艺可用于在钝化层堆叠120和140中形成具有期望性质的介电层115和117和中间层119。第一介电层115可以引入第一处理气体混合物至第一PECVD处理腔室的工艺空间中并在工艺空间中产生等离子体的方式来形成。在一个实施方式中，第一介电层115包含氧化铝(Al2O3)。含铝气体，诸如三甲基铝(trimethylaluminum；TMA)，可以大约20sccm至大约130sccm的流动速率流入PECVD处理腔室中，且含氧气体，诸如氧(O2)或一氧化二氮(N2O)可以大约300sccm至大约1400sccm的流动速率流入PECVD处理腔室中。含铝气体和含氧气体可以介于大约1:1和大约1:15之间的比率引入腔室中。腔室压力可维持在大约2mTorr和大约20mTorr之间，其中AC功率为大约3000W至大约6000W，频率为40KHz，且基板支持温度介于大约250℃和大约400℃之间。用于第一介电层沉积的AC功率可产生等离子体长达一段大约10秒至大约45秒的时间。第一介电层115可以每分钟 或更大的速度沉积，诸如大约形成的第一介电层115可具有介于大约和之间的厚度，诸如介于大约和大约之间。考虑到第一介电层115可使用任何适当的沉积技术沉积，例如，化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)工艺或物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)工艺。
一旦第一介电层115已经形成在基板110的光接收表面105或后表面106上，那么中间层119可形成在第一介电层115上方。中间层119可在用于沉积第一介电层115的相同PECVD腔室内部原位形成以避免第一介电层115和中间层119的沉积之间的真空破坏。在某些实施方式中，中间层119可在考虑执行原位沉积的处理系统400外部的腔室中非原位形成。中间层119可以引入气体混合物至PECVD处理腔室的工艺空间中并在工艺空间中产生等离子体的方式来形成。
在中间层119为二氧化硅(SiO2)的实施方式中，第一处理气体混合物可包含含硅气体、氧化气体和/或载气(例如，氦气)。含硅气体可从以下内容组成的群组中选择：硅烷、乙硅烷、氯硅烷、二氯甲硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、三甲硅烷、四甲基硅烷、三(二甲基氨基)硅烷(tridimethylaminosilane；TriDMAS)、四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane；TEOS)、三乙氧基氟硅烷(triethoxyfluorosilane；TEFS)、四氯化硅、四溴化硅、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷(tetramethylcyclotetrasiloxane；TMCTS)、二甲基二乙氧基硅烷(dimethyldiethoxysilane；DMDE)、八甲基环四氧硅烷(octomethylcyclotetrasiloxane；OMCTS)、甲基二乙氧基硅烷(methyldiethoxysilane；MDEOS)、双(叔丁基氨基)硅烷(bis(tertiary-butylamino)silane；BTBAS)或以上各者的组合物。氧化气体可从以下内容组成的群组中选择：氧(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)和以上各者的组合物。
在中间层119为氧氮化硅(SiON)的实施方式中，第一处理气体混合物可包含含硅气体、氧化气体、含氮气体和/或载气(例如，氦气)。含硅气体和氧化气体可从关于形成二氧化硅中间层的上述气体的列表中选择。此外，含氮气体可从氮气(N2)或氨气(NH3)中选择。在某些实施方式中，基板110的光接收表面105上的堆叠140的氧氮化硅中间层119可由以下讨论的第二PECVD腔室沉积。
在二氧化硅的沉积期间，含硅气体可以大约0.15标准立方厘米每分钟每公升(standard cubic centimeter per minute per liter；sccm/L)至大约7sccm/L的流动速率流入PECVD处理腔室中，诸如可从Applied Materials公司购买的AKT4300PECVD工具，且氧化气体可以大约4sccm/L至大约100sccm/L的流动速率流入处理腔室中。含硅气体可为硅烷且氧化气体可为臭氧。氧化气体与含硅气体的比率可从大约200:1至大约10:1，诸如大约100:1至大约30:1，例如，50:1。腔室压力可介于大约0.2Torr和大约10Txrr之间，诸如介于大约0.5Torr和大约2Torr之间。电极间距(也就是，喷淋头和基板支撑件之间的距离)可维持在大约400mil和大约2000mil之间。对于处理600mm×720mm的基板，等离子体可由从大约50W至大约5000W(诸如大约2000W)的RF功率以13.56MHz的频率提供。用于第一介电层沉积的RF功率可产生等离子体长达一段大约10秒至大约360秒的时间。中间层119可以每分钟80埃至大约每分钟(诸如大约)和介于大约250℃和大约450℃之间的基板支持温度沉积。形成的中间层119可具有介于大约和之间的厚度，诸如介于大约和大约之间。
在步骤240，第二介电层117沉积在中间层119上。第二介电层117可在用于沉积第一介电层115和中间层119的相同处理系统400(图4)内部原位形成以避免沉积步骤之间的真空破坏。然而，在某些实施方式中，第二介电层117可在诸如第二PECVD腔室的第二处理腔室中形成，所述第二处理腔室位于第一PECVD腔室的下游，且在一个实例中，所述第二处理腔室可安置于处理系统400中远离第一PECVD腔室处。示例性处理系统400在下文进行讨论。第二介电层117(或包含氧氮化硅的中间层119)可由引入第二处理气体混合物至第二PECVD处理腔室的工艺空间中且在工艺空间中产生等离子体的方式形成。
在其中第二介电层117包含氮化硅(诸如氮化硅(Si3N4))的情况中，第二处理气体混合物可包含含硅气体、含氮气体和/或载气。举例来说，第二处理气体混合物可为硅烷(SiH4)和氮(N2)、硅烷和氨(NH3)，或硅烷、氨和氮的组合物。含硅气体也可为上文关于第一介电层115描述的气体中的一者。如有需要，氢气可与第二处理气体混合物一起流动。在某些实施方式中，氧氮化硅中间层119可在第二PECVD腔室中沉积，在这种情况下，除了含硅气体和含氮气体以外，可提供从以下内容组成的群组中选择的氧化气体：氧(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)和以上各者的组合物。
在氮化硅的沉积期间，含硅气体可以大约1sccm/L至大约5sccm/L的流动速率流入PECVD处理腔室中，诸如可从Applied Materials公司购买的AKT5500PECVD工具，且氮含气体可以大约5sccm/L至大约100sccm/L的流动速率流入PECVD处理腔室中。含氮气体与含硅气体的比率可从大约5:1至大约15:1，诸如大约10:1。腔室压力可介于大约0.5Torr和大约5Torr之间。电极间距可维持在大约400mil和大约2000mil之间。对于处理730mm×920mm基板，或包含多个基板(例如，～20个基板(也就是，156mm×156mm基板))的类似大小的基板载体，等离子体可由大约500W至大约6000W的RF功率以13.56MHz的频率提供。用于第一介电层沉积的RF功率可产生等离子体长达一段大约20秒至大约600秒的时间。为了进一步增加第二介电层117的密度，可应用基板偏压功率在第二介电层117的表面上实行离子轰击。在这种情况下，基板偏压功率可介于大约0.02W/cm2和大约1.0W/cm2之间。第二介电层117可以每分钟或以上(诸如大约)和介于大约350℃和大约650℃之间的基板支持温度沉积。形成的第二介电层117可具有介于大约和之间的厚度，诸如介于大约和大约之间。在各种实施方式中，钝化层堆叠120和140可具有介于大约和之间的总厚度。
图4为根据本发明的某些实施方式的基板处理系统的一个实施方式的示意性等角视图。本发明一般提供高产量基板处理系统400或多腔集成设备，用于膜堆叠(所述膜堆叠用于形成太阳能电池装置的区域)的原位处理。在一个配置中，形成在基板的每一者上的一或更多个膜堆叠包含一或更多个钝化或介电层，所述层在高产量基板处理系统400内部包含的一或更多个处理腔室中沉积和进一步处理。处理腔室可为(例如)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition；LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，倒转腔室)和/或其他类似处理腔室。
高产量基板处理系统400可包括一或更多个沉积腔室，在所述一或更多个沉积腔室中基板暴露至一或更多种气相材料和RF等离子体。在一个实施方式中，处理系统400包括至少一个等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理腔室，所述处理腔室已适用于当多个基板在线性方向经过系统400时同时处理所述多个基板。在一个实施方式中，太阳能电池基板同时在真空或惰性环境中传输经过线性系统400以阻止基板污染并提高基板产量。在某些实施方式中，基板布置在线性阵列中用于处理，所述处理与处理垂直基板堆叠(例如，卡匣中堆叠的成批基板)或平面基板阵列(所述基板通常在基板载体上成批传输)相对。布置在线性阵列中的基板的这种处理允许基板的每一者直接且一致地暴露至产生的等离子体、辐射热和/或处理气体。线性阵列可包含基板的子集合或群组，当所述基板的子集合或群组串行传输经过处理系统时类似地处理所述基板子集合或群组。在这一配置中，基板的子集合或群组一般为安置在线性阵列中的基板，所述基板在垂直于基板传输方向的方向中类似地对齐，且因此将在处理顺序期间于任何给定时间处类似地处理所述基板。因此，处理安置在线性阵列中的基板群组不依靠扩散类型工艺或从一个基板至下一个基板的能量串行传输，诸如传统配置的垂直堆叠或连续(back-to-back)批量基板处理中不期望看到的。
本文公开的本发明的实施方式可用于在高产量基板处理系统400中快速形成下一代太阳能电池装置。在一些配置中，下一代太阳能电池装置将包含多个沉积层，诸如先进的钝化层(也就是，钝化层堆叠120和140)，所述钝化层在处理系统400中形成在太阳能电池基板的两侧上。如上所述，在基板的两侧上形成层(诸如高质量钝化层)可减少载体再结合、重定向电子和空穴回到太阳能电池中以产生期望的光电流，且用作后侧反射体以更好地收集入射的太阳能。然而，如所属技术领域中的技术人员将理解的，处理系统在基板两侧上形成和处理多个层同时维持高基板产量(例如，每小时＞3000个基板)且提供可重复的和期望的膜质量的能力对于太阳能电池制造行业是难以获得的。本文描述的处理系统配置因此一般配置为在太阳能电池基板的二个表面上可靠地形成高质量先进的钝化层。
在一个实施方式中，基板处理系统400可包括基板接收腔室405、预先处理腔室430、维持在低于大气压力的压力处的至少一个处理腔室(诸如第一处理腔室440、第二处理腔室460、第三处理腔室480)、至少一个运输腔室(诸如运输腔室450和470)、缓冲腔室490和基板卸载腔室495。总起来说，处理腔室430至490可包括以下类型腔室中的一个：PECVD腔室、LPCVD腔室、热线化学气相沉积(hot wire chemical vapor deposition；HWCVD)腔室、离子注入/掺杂腔室、等离子体氮化腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅射腔室、等离子体或蒸汽化学蚀刻腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，反转腔室)和/或其他类似的处理腔室。在于2012年1月3日提出申请的共同让渡的美国专利申请案第61/582,698号中公开可由本文实施方式使用的用于钝化结晶硅太阳能电池的先进平台的进一步描述，在此在不与请求的发明相矛盾的范围内所述美国专利申请案以引用方式整体并入。
在某些实施方式中，工艺可由以下步骤进行：在第一处理腔室440和第二处理腔室460中处理基板，在基板重定向腔室中反转基板，且在类似于第一处理腔室的第三处理腔室和类似于第二处理腔室的第四处理腔室中进一步处理基板。在这个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的光接收表面和基板的背表面上。考虑到可执行其他处理顺序以实现期望的钝化层堆叠沉积且上述实施方式不应解释为限制本发明。
图5为根据本发明的某些实施方式的沉积腔室的示意性横截面侧视图。处理腔室500可位于一或更多处理腔室内部或替代一或更多个处理腔室，诸如安置于处理系统400中的腔室440、460和480。在一个实施方式中，处理腔室500包含一或更多个沉积源(诸如沉积源560A至560D)、气源528和529、功率源530、腔室壁502(所述腔室壁502至少部分地包围一部分处理区域506)和至少一部分基板自动化系统515(诸如传送带传输系统)。沉积源560A至560D旨在当基板501经过沉积源下方时在基板501的表面上形成层。壁502一般包含一材料，当所述材料加热至期望温度且由真空泵542抽送至真空压力处时，所述材料可在结构上支撑处理区域506外部的环境543施加的负载。壁502一般包含诸如铝材料或不锈钢的材料。
在一个配置中，部分基板自动化系统515包含传送带521，所述传送带521适用于使用一或更多个致动器(未图示)(例如，步进电动机或伺服电动机)支撑、引导移动基板501经过处理腔室500。在一个配置中，传送带521包含二个或更多个滚轴512和皮带513，所述皮带513配置为处理期间在正+X-方向支撑和移动一排排基板501。
在处理腔室500的一个实施方式中，沉积源560A至560D的每一者耦合至至少一个气源(诸如气源528和529)，所述气源配置为传送一或更多个处理气体至与处理区域506一起形成的处理区域525，且所述处理区域在沉积源560A至560D每一者的下方和安置在所述沉积源下方的基板501的表面上方。
沉积源560A至560D一般将包含至少一个气体传送元件，诸如第一气体传送元件581和第二气体传送元件582，所述气体传送元件每一者配置为引导处理气体至处理区域525。第一气体传送元件581包含流体充气增压部561，所述流体充气增压部561配置为从气源528接收处理气体和经过多个形成于处理区域525中的洞563传送接收的气体至处理区域525。类似地，第二气体传送元件582包含流体充气增压部562，所述流体充气增压部562配置为从气源529接收处理气体和经过多个形成于流体充气增压部562中的洞564传送接收的气体至处理区域525。气源528和529一般配置为提供一或更多个前驱物气体和/或载气，所述前驱物气体和/或载气用于使用PECVD工艺在基板501的表面上沉积层。
在一个处理顺序中，诸如在第一处理腔室440中执行的处理，气源528和529中的至少一者配置为传送含铝气体(诸如三甲基铝(TMA))至沉积源560A至560D且传送含氧气体至沉积源560A至560D。含氧气体可从以下内容组成的群组中选择：氧(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)和以上各者的组合物。在一个实施方式中，含铝气体为TMA且含氧气体为O2。含铝气体和含氧气体可形成基板501的表面上的第一介电层115。
在另一处理顺序中，诸如第一处理腔室440中执行的处理，气源528和529中的至少一者配置为传送含硅气体和含氧气体至沉积源560A至560D。含氧气体可从以下内容组成的群组中选择：氧(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)和以上各者的组合物。含硅气体可从以下内容组成的群组中选择：硅烷、乙硅烷、氯硅烷、二氯甲硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、三甲硅烷、四甲基硅烷、三(二甲基氨基)硅烷(TriDMAS)、四乙氧基硅烷(TEOS)、三乙氧基氟硅烷(TEFS)、四氯化硅、四溴化硅、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、二甲基二乙氧基硅烷(DMDE)、八甲基环四氧硅烷(OMCTS)、甲基二乙氧基硅烷(MDEOS)、双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)或以上各者的组合物。在一个实施方式中，含硅气体为硅烷且含氧气体为N2O。含硅气体和含氧气体在第一介电层115上方形成二氧化硅中间层119。
在某些实施方式中，诸如第一处理腔室440的处理腔室可沉积第一介电层115和二氧化硅中间层119。在这个实施方式中，工艺腔室500可在基板501的光接收表面和/或背表面上沉积层。考虑到沉积源560A至560D中的任一者可配置为传输含铝气体、含氧气体和含硅气体以实现期望的钝化层堆叠沉积。也考虑到更多气源可增加至腔室500以容纳更多类型的气体传送。
在一个处理顺序中，诸如在第二处理腔室460中执行的处理，气源528和529中的至少一者配置为传送含硅气体至沉积源560A至560D且传送含氮气体至沉积源560A至560D。含硅气体可从以下内容组成的群组中选择：硅烷、乙硅烷、氯硅烷、二氯甲硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、三甲硅烷、四甲基硅烷、三(二甲基氨基)硅烷(TriDMAS)、四乙氧基硅烷(TEOS)、三乙氧基氟硅烷(TEFS)、四氯化硅、四溴化硅、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、二甲基二乙氧基硅烷(DMDE)、八甲基环四氧硅烷(OMCTS)、甲基二乙氧基硅烷(MDEOS)、双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)或以上各者的组合物。含氮气体可从氮气(N2)或氨气(NH3)组成的群组中选择。在一个实施方式中，含硅气体为硅烷且含氮气体为N2或者NH3。含硅气体和含氮气体在中间层119上形成第二介电层117。
在另一处理顺序中，诸如在第二处理腔室460中执行的处理，气源528和529中的至少一者配置为传送含硅气体、含氧气体和含氮气体至沉积源560A至560D。含硅气体可从以下内容组成的群组中选择：硅烷、乙硅烷、氯硅烷、二氯甲硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、三甲硅烷、四甲基硅烷、三(二甲基氨基)硅烷(TriDMAS)、四乙氧基硅烷(TEOS)、三乙氧基氟硅烷(TEFS)、四氯化硅、四溴化硅、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、二甲基二乙氧基硅烷(DMDE)、八甲基环四氧硅烷(OMCTS)、甲基二乙氧基硅烷(MDEOS)、双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)或以上各者的组合物。含氧气体可从以下内容组成的群组中选择：氧(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)和以上各者的组合物。含氮气体可从氮(N2)或氨(NH3)组成的群组中选择。在一个实施方式中，含硅气体为硅烷，含氧气体为N2O且含氮气体为N2或者NH3。含硅气体、含氧气体和含氮气体在第一介电层115上方形成氧氮化硅中间层119。
在某些实施方式中，诸如第二处理腔室460的处理腔室可沉积第二介电层117和氧氮化硅中间层119。在这个实施方式中，工艺腔室500可在基板501的光接收表面上沉积中间层119。工艺腔室500也可在光接收表面或背表面上的中间层119上方沉积第二介电层117。考虑到沉积源560A至560D中的任一者可配置为传送含硅气体、含氮气体和含氮气体以实现期望的钝化层堆叠沉积。也考虑到更多气源可增加至腔室500以容纳更多类型的气体传输。
尽管上文针对本发明的实施方式，然而可设计本发明的其他及进一步实施方式，而不脱离本发明的基本范围，且本发明的范围由随附权利要求书决定。

Claims (20)

1.一种太阳能电池装置，所述太阳能电池装置包含：
形成在基板的第一表面上的发射区，所述发射区具有与所述基板的导电类型相对的导电类型；和
一或更多个钝化层堆叠，所述一或更多个钝化层堆叠包含：
形成在所述基板的第二表面或所述发射区上的第一介电层；
形成在所述第一介电层上方的第二介电层；和
安置在所述第一介电层和所述第二介电层之间的中间层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层和所述中间层由从以下内容组成的群组中选择的材料制造：氧化硅(SixOy)、氮化硅(SixNy)、氢化氮化硅(SixNy:H)、氧氮化硅(SiON)、氧碳氮化硅(SiOCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧化钛(TixOy)、氧化钽(TaxOy)、氧化镧(LaxOy)、氧化铪(HfxOy)、氮化钛(TixNy)、氮化钽(TaxNy)、氮化铪(HfN)、氧氮化铪(HfON)、氮化镧(LaN)、氧氮化镧(LaON)、氯化氮化硅(SixNy:CI)、氯化氧化硅(SixOy:Cl)、非晶硅、非晶碳化硅、氧化铝(AlxOy)、亚硝酸铝或氧氮化铝。
3.如权利要求2所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第一介电层包含氧化铝(Al2O3)。
4.如权利要求3所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述中间层包含二氧化硅(SiO2)或者氧氮化硅(SiON)。
5.如权利要求3所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第二介电层包含氮化硅(SiNx)且其中所述中间层包含二氧化硅(SiO2)或者氧氮化硅(SiON)。
6.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠安置在所述基板的第二表面上且所述中间层包含二氧化硅，其中所述基板的所述第二表面与所述第一表面相对。
7.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠安置在所述基板的所述第一表面上方。
8.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠具有大约至大约的总厚度，且其中所述第一介电层具有大约至大约的厚度，所述第二介电层具有大约至大约 的厚度，且所述中间层具有大约至大约的厚度。
9.一种制造太阳能电池装置的方法，所述方法包含以下步骤：
在一或更多个处理腔室中在基板的第一表面上形成一或更多个钝化层堆叠，所述步骤包含以下步骤：
在所述基板的所述第一表面上形成包含氧化铝的第一介电层；
在所述第一介电层上方形成中间层；和
在所述中间层上方形成包含氮化硅的第二介电层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述中间层由从以下内容组成的群组中选择的材料制造：氧化硅(SixOy)、氮化硅(SixNy)、氢化氮化硅(SixNy:H)、氧氮化硅(SiON)、氧碳氮化硅(SiOCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧化钛(TixOy)、氧化钽(TaxOy)、氧化镧(LaxOy)、氧化铪(HfxOy)、氮化钛(TixNy)、氮化钽(TaxNy)、氮化铪(HfN)、氧氮化铪(HfON)、氮化镧(LaN)、氧氮化镧(LaON)、氯化氮化硅(SixNy:Cl)、氯化氧化硅(SixOy:Cl)、非晶硅、非晶碳化硅、氧化铝(AlxOy)、亚硝酸铝或氧氮化铝。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述中间层包含二氧化硅(SiO2)或者氧氮化硅(SiON)。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一表面为所述基板的背表面且其中所述中间层包含二氧化硅。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠安置在所述基板的所述光接收表面上且其中所述中间层包含二氧化硅或者氧氮化硅。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠具有大约至大约的总厚度，且其中所述第一介电层具有大约至大约的厚度，所述第二介电层具有大约至大约的厚度，且所述中间层具有大约至大约的厚度。
15.一种太阳能电池处理系统，所述太阳能电池处理系统包含：
基板自动化系统，所述基板自动化系统具有一或更多个传送带，所述一或更多个传送带配置为在第一方向串行传输基板经过处理区域，其中所述处理区域维持在低于大气压力的压力处；
第一处理腔室，所述第一处理腔室具有第一沉积源和第二沉积源，所述第一沉积源配置为传输包含含铝前驱物和含氧前驱物的处理气体至所述基板的每一者的表面，所述第二沉积源配置为当所述基板相对于所述二个或更多个第一沉积源传输经过所述处理区域时传输含硅前驱物和含氧前驱物至所述基板的每一者的表面；和
第二处理腔室，所述第二处理腔室具有第一沉积源，所述第一沉积源配置为当所述基板相对于所述第一沉积源传输经过所述处理区域时传输包含含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物的处理气体至所述基板的每一者的所述表面。
16.如权利要求15所述的太阳能电池处理系统，其特征在于，所述第一沉积源进一步配置为传送含硅前驱物。
17.如权利要求16所述的太阳能电池处理系统，其特征在于，所述第二沉积源进一步配置为传送含硅前驱物和含氧前驱物。
18.如权利要求15所述的太阳能电池处理系统，其特征在于，所述第一沉积源配置为传送含硅前驱物和含氮前驱物。
19.如权利要求18所述的太阳能电池处理系统，其特征在于，所述第二沉积源配置为传送含硅前驱物、含氧前驱物和含氮前驱物。
20.如权利要求15所述的太阳能电池处理系统，其特征在于，所述第一处理腔室和所述第二处理腔室定位为直线对齐。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505427A (zh) * 2014-10-24 2015-04-08 横店集团东磁股份有限公司 改善晶体硅太阳能电池片lid和pid的方法及装置
CN104900722A (zh) * 2014-12-09 2015-09-09 杭州大和热磁电子有限公司 一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN106158988A (zh) * 2015-04-07 2016-11-23 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN106972066A (zh) * 2017-04-28 2017-07-21 江苏顺风光电科技有限公司 一种perc电池背面钝化膜层以及基于ald工艺的perc电池制备方法
CN107256898A (zh) * 2017-05-18 2017-10-17 广东爱康太阳能科技有限公司 管式perc双面太阳能电池及其制备方法和专用设备
CN107287579A (zh) * 2017-06-07 2017-10-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 管式perc太阳能电池的镀膜设备及镀膜方法
CN107546296A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 科峤工业股份有限公司 太阳能电池片的氢钝化处理方法及其处理装置
WO2018036192A1 (zh) * 2016-08-25 2018-03-01 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿层薄膜的成型方法、成型设备及其使用方法和应用
WO2018209728A1 (zh) * 2017-05-18 2018-11-22 广东爱康太阳能科技有限公司 管式perc单面太阳能电池及其制备方法和专用设备
WO2018223314A1 (zh) * 2017-06-07 2018-12-13 浙江爱旭太阳能科技有限公司 管式perc太阳能电池的镀膜设备及镀膜方法
CN109148643A (zh) * 2018-08-06 2019-01-04 横店集团东磁股份有限公司 一种解决ald方式的perc电池在电注入或光注入后效率降低的方法
CN109509796A (zh) * 2018-12-26 2019-03-22 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种用于p型单晶perc电池的背面钝化膜及背面镀膜工艺
CN110121786A (zh) * 2016-09-16 2019-08-13 商先创国际股份有限公司 半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板
CN110246905A (zh) * 2019-05-31 2019-09-17 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN110391318A (zh) * 2019-08-08 2019-10-29 中建材浚鑫科技有限公司 一种p型单晶perc电池及其制作方法
CN110581183A (zh) * 2019-08-29 2019-12-17 江苏顺风新能源科技有限公司 一种纯黑组件单晶perc电池及其制备工艺
CN110676347A (zh) * 2019-09-27 2020-01-10 江苏顺风新能源科技有限公司 提高黑组件良率的perc电池生产控制方法
CN112736144A (zh) * 2019-10-15 2021-04-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池以及制造用于太阳能电池的膜层结构的方法
CN113299768A (zh) * 2021-05-27 2021-08-24 天津爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制作方法
CN114464685A (zh) * 2021-12-27 2022-05-10 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 一种太阳能单晶perc电池的制备方法
CN114759097A (zh) * 2020-12-29 2022-07-15 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
WO2022151857A1 (zh) * 2021-01-12 2022-07-21 宝山钢铁股份有限公司 一种适用于内联式薄膜光伏组件的涂镀钢板及其制造方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2616401A4 (en) 2010-09-16 2017-06-28 Specmat Inc. Method, process and fabrication technology for high-efficency low-cost crytalline silicon solar cells
JP5884911B2 (ja) * 2012-08-09 2016-03-15 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
US9153729B2 (en) * 2012-11-26 2015-10-06 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition for photovoltaic devices
US9443728B2 (en) * 2013-08-16 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Accelerated relaxation of strain-relaxed epitaxial buffers by use of integrated or stand-alone thermal processing
CN103746009A (zh) * 2014-01-23 2014-04-23 通用光伏能源(烟台)有限公司 一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺
US20150287843A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Tsmc Solar Ltd. Solar cell with dielectric layer
US10619097B2 (en) 2014-06-30 2020-04-14 Specmat, Inc. Low-[HF] room temperature wet chemical growth (RTWCG) chemical formulation
WO2016019396A2 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Solexel, Inc. Solar cell surface passivation using photo-anneal
KR101541252B1 (ko) * 2014-10-13 2015-08-04 한양대학교 에리카산학협력단 태양 전지 및 그 제조 방법
KR102514466B1 (ko) * 2014-12-15 2023-03-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보된 배선 애플리케이션들을 위한 초박 유전체 확산 배리어 및 에칭 정지 층
KR101707737B1 (ko) * 2015-06-04 2017-02-16 고려대학교 산학협력단 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법
KR101671002B1 (ko) 2015-07-24 2016-11-01 청주대학교 산학협력단 태양전지 반사방지막 및 그 제조방법
NL2020560B1 (en) * 2018-03-09 2019-09-13 Univ Eindhoven Tech Photovoltaic cell and a method for manufacturing the same
DE102018114800A1 (de) * 2018-06-20 2019-12-24 Hanwha Q Cells Gmbh Monofazial-Solarzelle, Solarmodul und Herstellungsverfahren für eine Monofazial-Solarzelle
CN109216473B (zh) * 2018-07-20 2019-10-11 常州大学 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法
CN109935647B (zh) * 2019-03-29 2021-09-14 天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制备方法
JP7427031B2 (ja) 2019-05-22 2024-02-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高温腐食環境用の基板支持体カバー
CN110129770A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 无锡松煜科技有限公司 光伏电池背钝化沉积装置
DE202019103911U1 (de) * 2019-07-16 2020-10-19 Meyer Burger (Germany) Gmbh Solarzelle mit dielektrischem Schichtsystem und Beschichtungsanlage zur Herstellung der Solarzelle
DE102020119206A1 (de) * 2020-07-21 2022-01-27 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
US20230137353A1 (en) 2020-12-29 2023-05-04 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module
CN113013267A (zh) * 2021-04-25 2021-06-22 广东爱旭科技有限公司 太阳能电池、电池钝化层的制作方法和太阳能组件
CN113322451B (zh) * 2021-05-28 2022-07-12 横店集团东磁股份有限公司 一种perc电池的氧化铝钝化膜及其沉积方法和应用
TW202310440A (zh) * 2021-08-26 2023-03-01 聯合再生能源股份有限公司 太陽能電池
CN114203832B (zh) * 2021-11-29 2024-01-30 上海交通大学 具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090077805A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-26 Applied Materials, Inc. Photovoltaic production line
US20090165855A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Industrial Technology Research Institute Passivation layer structure of solar cell and fabricating method thereof
WO2010013972A2 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JP2010064231A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Yaskawa Electric Corp 基板搬送ロボット

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8398355B2 (en) * 2006-05-26 2013-03-19 Brooks Automation, Inc. Linearly distributed semiconductor workpiece processing tool
US8198528B2 (en) * 2007-12-14 2012-06-12 Sunpower Corporation Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells
US8334017B2 (en) * 2009-09-18 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for forming energy storage and photovoltaic devices in a linear system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090077805A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-26 Applied Materials, Inc. Photovoltaic production line
US20090165855A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Industrial Technology Research Institute Passivation layer structure of solar cell and fabricating method thereof
WO2010013972A2 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JP2010064231A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Yaskawa Electric Corp 基板搬送ロボット

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505427A (zh) * 2014-10-24 2015-04-08 横店集团东磁股份有限公司 改善晶体硅太阳能电池片lid和pid的方法及装置
CN104505427B (zh) * 2014-10-24 2016-07-13 横店集团东磁股份有限公司 改善晶体硅太阳能电池片lid和pid的方法及装置
CN104900722A (zh) * 2014-12-09 2015-09-09 杭州大和热磁电子有限公司 一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN106158988A (zh) * 2015-04-07 2016-11-23 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN106158988B (zh) * 2015-04-07 2017-12-12 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN107546296A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 科峤工业股份有限公司 太阳能电池片的氢钝化处理方法及其处理装置
CN107546296B (zh) * 2016-06-24 2020-12-01 科峤工业股份有限公司 太阳能电池片的氢钝化处理方法及其处理装置
WO2018036192A1 (zh) * 2016-08-25 2018-03-01 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿层薄膜的成型方法、成型设备及其使用方法和应用
CN110121786A (zh) * 2016-09-16 2019-08-13 商先创国际股份有限公司 半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板
CN110121786B (zh) * 2016-09-16 2020-07-24 商先创国际股份有限公司 半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板
CN106972066A (zh) * 2017-04-28 2017-07-21 江苏顺风光电科技有限公司 一种perc电池背面钝化膜层以及基于ald工艺的perc电池制备方法
CN106972066B (zh) * 2017-04-28 2019-01-18 江苏顺风新能源科技有限公司 一种perc电池背面钝化膜层以及基于ald工艺的perc电池制备方法
CN107256898A (zh) * 2017-05-18 2017-10-17 广东爱康太阳能科技有限公司 管式perc双面太阳能电池及其制备方法和专用设备
WO2018209728A1 (zh) * 2017-05-18 2018-11-22 广东爱康太阳能科技有限公司 管式perc单面太阳能电池及其制备方法和专用设备
EP3627561A4 (en) * 2017-05-18 2020-10-28 Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. TUBULAR SINGLE SIDED PERC PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND ASSOCIATED DEVICE
EP3636799A4 (en) * 2017-06-07 2021-01-27 Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. COATING DEVICE AND COATING PROCESS FOR TUBE TYPE PERC SOLAR CELLS
CN107287579A (zh) * 2017-06-07 2017-10-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 管式perc太阳能电池的镀膜设备及镀膜方法
KR102299855B1 (ko) 2017-06-07 2021-09-08 저지앙 아이코 솔라 에너지 테크놀로지 컴퍼니., 리미티드. 관형 perc 태양 전지의 코팅 장치 및 코팅 방법
WO2018223314A1 (zh) * 2017-06-07 2018-12-13 浙江爱旭太阳能科技有限公司 管式perc太阳能电池的镀膜设备及镀膜方法
KR20200006062A (ko) * 2017-06-07 2020-01-17 저지앙 아이코 솔라 에너지 테크놀로지 컴퍼니., 리미티드. 관형 perc 태양 전지의 코팅 장치 및 코팅 방법
CN109148643A (zh) * 2018-08-06 2019-01-04 横店集团东磁股份有限公司 一种解决ald方式的perc电池在电注入或光注入后效率降低的方法
CN109148643B (zh) * 2018-08-06 2021-02-09 横店集团东磁股份有限公司 一种解决ald方式的perc电池在电注入或光注入后效率降低的方法
CN109509796A (zh) * 2018-12-26 2019-03-22 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种用于p型单晶perc电池的背面钝化膜及背面镀膜工艺
CN110246905A (zh) * 2019-05-31 2019-09-17 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN110246905B (zh) * 2019-05-31 2024-05-07 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN110391318A (zh) * 2019-08-08 2019-10-29 中建材浚鑫科技有限公司 一种p型单晶perc电池及其制作方法
CN110581183A (zh) * 2019-08-29 2019-12-17 江苏顺风新能源科技有限公司 一种纯黑组件单晶perc电池及其制备工艺
CN110676347A (zh) * 2019-09-27 2020-01-10 江苏顺风新能源科技有限公司 提高黑组件良率的perc电池生产控制方法
CN112736144A (zh) * 2019-10-15 2021-04-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池以及制造用于太阳能电池的膜层结构的方法
CN114759097A (zh) * 2020-12-29 2022-07-15 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN114759097B (zh) * 2020-12-29 2022-10-18 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
US11600731B2 (en) 2020-12-29 2023-03-07 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module
WO2022151857A1 (zh) * 2021-01-12 2022-07-21 宝山钢铁股份有限公司 一种适用于内联式薄膜光伏组件的涂镀钢板及其制造方法
CN113299768A (zh) * 2021-05-27 2021-08-24 天津爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制作方法
CN114464685A (zh) * 2021-12-27 2022-05-10 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 一种太阳能单晶perc电池的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013130179A2 (en) 2013-09-06
WO2013130179A3 (en) 2013-10-31
US20130186464A1 (en) 2013-07-25
KR20140117420A (ko) 2014-10-07

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