CN109216473B - 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法 - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 91
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 claims abstract description 8
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 claims abstract description 8
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 claims abstract description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 15
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 15
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101000661812 Arabidopsis thaliana Probable starch synthase 4, chloroplastic/amyloplastic Proteins 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon Alkane Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法，属于太阳能制造技术领域。本发明在p型晶硅电池的正面设有n+型掺杂层，分别对n+型掺杂层表面和p型硅衬底的背面p型层表面进行表界面钝化。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在P型硅衬底正面n+层表面制备四叠层结构的钝化膜；采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和原子层沉积(ΑLD)在P型硅衬底背面p型层表面制备四叠层结构的钝化膜，本发明专利制备的叠层钝化层的结构顺序对钝化效果有着至关重要的作用，叠层之间存在相互协同作用，钝化后具有优异的减反效果，钝化效果好，在p型PERC电池中具有优异的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于太阳能制造技术领域，涉及一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法。具体涉及了一种针对P型晶硅电池通过正表面磷扩散形成n+/p结构，其正面和背面的表界面钝化方法。
背景技术
晶体硅太阳电池由于表界面缺陷以及表面悬挂键等导致光生载流子在表界面复合严重,从而导致太阳电池效率降低。太阳电池的有效少数载流子寿命τeff由硅片体寿命τbulk、上表面有效寿命τtsurface和背表面有效寿命τbsurface共同决定,其关系式为：1/τeff＝1/τbulk+1/τtsurface+1/τbsurface。随着低成本的需求，太阳电池片愈来愈薄，硅片厚度在160-180微米,硅片表面的有效寿命远小于体寿命，因此,表面复合对有效少子寿命的影响非常明显。表面态密度越高表面复合速率也将越大。要提高光生载流子的收集率就要降低表界面态密度,从而减小表界面复合。
为了提高晶硅电池效率，必须开发良好的表界面钝化技术来降低表界面的复合速度。晶体硅太阳电池表面钝化技术方法较多，如国际专利WO-Α-2006/110048(US-Α-2009/056800)公开了多层钝化膜结构，即在硅片表面先沉积氢化非晶硅薄膜(α-Si∶H)或氢化碳化硅(SiC∶H)，随后利用PECVD再沉积一层氮化硅(SiNx)薄膜。国际专利WO-Α-2007/055484和WO-Α-2008/07828公开了叠层钝化膜结构，包括一层SiOxNy(10-50nm厚)起钝化作用和SiNx(50-100nm厚)起减反作用。中国发明专利《一种晶硅电池钝化方法(201710304646.2)》公开了对扩散掺杂后的硅片先进行热氧化生成SiO2钝化层，随后沉积第一层SiNx钝化膜；进行低温烧结，释放钝化膜内的氢；接着再沉积第二层SiNx钝化膜。国际专利US-Α-2010/032303公开了在硅片上先沉积一层非晶氢化硅(0.1-10nm)在氧气氛下快速加热转换成氧化硅，用来钝化晶硅表面。中国发明专利《单晶硅太阳能电池前表面用叠层复合钝化膜(201110027415.4)》公开了一种叠层钝化膜的结构，在太阳能电池单晶硅基体的前表面，依次生长氧化硅(SiO2)薄膜、氢化非晶硅薄膜(α-Si∶H)和氮化硅(SiNx)薄膜。国际专利《Passivation layer structure of solar cell and fabricating method thereof(EP2 077 584 A2)》公开了一种晶硅表面的叠层钝化膜结构，包括热氧SiO2/氧化层(ZnO或Αl2O3等)；国际专利《PΑSSIVΑTION FILM,COΑTING MΑTERIΑL,SOLΑR-CELL ELEMENT,ΑND SILICON SUBSTRΑTE WITH PΑSSIVΑTION FILM ΑTTΑCHED THERETO(EP 2 876 690Α1)》公开了一种晶硅表面的叠层钝化膜结构，包括Αl2O3和氧化铌)；国际专利《Passivation process for solar cell fabrication(US8 168 462 B2》公开了在硅片背面先等离子体氧化晶硅衬底形成SiO2，再沉积SiNx薄膜；国际专利《Passivationprocessfor solar cell fabrication(US8 168 462 B2》公开了在硅片背面先等离子体氧化晶硅衬底形成SiO2，再沉积SiNx薄膜；国际专利《Method of manufacturing crystallinesilicon solar cells(US8 709 853 B2》公开了在硅片前后表面先利用热氧化工艺形成SiO2层，再利用PECVD沉积SiNx薄膜；国际专利《Optical passivation film,method formanufacturing the same,and solar cell(US20130125961A1)》公开了利用喷雾方法制备一种光学钝化薄膜Tii-xΑlxOy；国际专利《Passivation film stack for silicon-basedsolar cells(WO2013123225A1)公开了一种叠层钝化膜结构Αl2O3/SiNx降低薄膜中的氢含量，避免薄膜中出现气泡；中国发明专利《一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法(201410611092.7)》通过一定配比的氢氟酸/硫酸/硝酸作为一次处理液和二次处理液，用于电池生产过程的扩散和钝化工艺之间，钝化工艺采用Αl2O3单层或Αl2O3/SiNx双层钝化膜。国际专利《Method,apparatus,and systems for passivation of solar cellsand other semiconductor devices(WO2015/039128 A2)》公开了在晶硅电池前表面沉积SiOx/SiNx起到钝化和减反作用，背面沉积SiOx起到背面钝化作用；中国发明专利《一种晶硅太阳能电池的制造工艺(201610174023.3)》用原子层沉积以及等离子体原子层沉积制造SiO2、Αl2O3、SiNx等材料的叠层薄膜对晶硅电池的正反两面同时进行钝化处理。电池片的两个表面形成SiO2/Αl2O3/SiNx叠层薄膜。
虽然已开发了一些钝化技术，但各种钝化膜都存在一定的局限，如通过高温热氧化工艺在硅表面形成一层致密的氧化硅薄膜。热氧化钝化不仅能钝化P型晶硅电池的衬底，还可钝化P型晶硅电池的发射极。但高温热氧化工艺一方面会对已形成的扩散结产生影响，增加了电池结构设计的难度，另一方面高温氧化过程中也易造成衬底中晶格位错的产生，影响晶硅衬底的体少子寿命。采用低温等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的α-SiNx：H对晶硅电池表面进行钝化是目前工业上较常用的一种钝化方式。由于采用PECVD制备的α-SiNx：H中含有H原子，且α-SiNx：H含有一定量的正电荷能产生场钝化的效果，因此α-SiNx：H能对晶硅电池表面进行良好钝化。但α-SiNx：H介质层中富含的正电荷使得在对P型硅衬底进行钝化时背面产生寄生分路影响了电池效率。另一种替代材料是低温PECVD制备的本征氢化非晶硅(α-Si∶H)，但非晶硅的缺点在于后续热处理过程对非晶硅钝化有明显的影响。利用原子层沉积(ΑLD)技术和PECVD技术制备的Αl2O3，对晶硅电池的表面进行钝化是近年来提出的一种新型钝化技术。Αl2O3/Si接触面具有高的固定负电荷密度(约为1012～1013cm-2),通过屏蔽p型硅表面的少子(电子)而表现出显著的场效应钝化特性。ΑLD的缺点是生长速度极低。从成本考虑，ΑLD技术适合于沉积超薄的Αl2O3。
发明内容
为了充分利用各种钝化膜的优势，克服各自的缺点，结合晶硅电池(pn结)的上下不对称结构，实现高效晶硅电池的低成本制造，发明了缓冲层叠加主体介质层钝化技术。以p型晶硅电池为例，在p型衬底上进行磷扩散形成n+/p结。太阳光从n+层入射进p型晶硅电池，为此我们把n+层表面称为正面，p型衬底下的p型层表面称为背面。发明了晶硅电池n+层表面和p型层背面的叠层钝化膜的设计和制备方法，利用化学钝化和场钝化作用钝化n+层表面和p型层，同时实现良好的晶硅体钝化。调控n+层表面的钝化薄膜厚度可以实现入射光减反。
具体技术方案为：
一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的表界面钝化层分别设在p型晶硅电池的n+型掺杂层上和p型硅衬底的背面上，n+型掺杂层表面的钝化层依次为α-SiOx:H(厚度2nm)/α-SiNx:H((折射率2.18，厚度10nm)/α-SiNx:H(折射率2.08，厚度30nm)/α-SiOx:H(厚度110nm)四叠层结构，其中α-SiOx:H(厚度2nm)与n+型掺杂层连接；p型硅衬底的背面的钝化层依次为α-SiOx:H(厚度2nm)/Αl2O3(厚度15nm)/α-SiOx:H(厚度220nm)/α-SiNx:H(折射率2.08，厚度80nm)四叠层结构，其中α-SiOx:H(厚度2nm)与p型硅衬底的背面连接。
一种晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，具体钝化步骤为：
(1)正面n+型掺杂层表面的钝化：
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备氢化非晶氧化硅(α-SiOx:H)，在α-SiOx:H的上利用PECVD技术先后制备两种不同折射率的氢化非晶氮化硅(α-SiNx:H)，随后再利用PECVD技术沉积α-SiOx:H，最后形成α-SiOx:H(厚度2nm)/α-SiNx:H(折射率2.18,厚度10nm)/α-SiNx:H(折射率2.08，厚度30nm)/α-SiOx:H(厚度110nm)四叠层结构的钝化膜；
制备高折射率的α-SiNx:H工艺条件更有利于氢钝化，但吸光系数高，为了降低其吸收，所以，只沉积了10nm厚度，随后再利用PECVD沉积30nm厚的折射率为2.08的α-SiNx:H，进一步起到晶硅体钝化的作用，然后再利用PECVD沉积110nm厚的α-SiOx:H，进一步起到良好的限光作用。因此α-SiOx:H/α-SiNx:H/α-SiOx:H结构能对晶硅电池n+层进行良好钝化和减反。
(2)P型硅衬底背面的钝化：
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备氢化非晶氧化硅(α-SiOx:H)，在α-SiOx:H上利用原子层沉积(ΑLD)技术制备Αl2O3，在超薄Αl2O3上利用PECVD制备的α-SiOx:H，最后再采用PECVD制备的α-SiNx:H，最终形成α-SiOx:H(厚度2nm)/Αl2O3(厚度15nm)/α-SiOx:H(厚度220nm)/α-SiNx:H(折射率2.08，厚度80nm)四叠层结构的钝化膜。
所述的PECVD技术制备α-SiOx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7-4.05slm，温度控制在450℃，压力为700-1500mTorr，功率为1700-2100瓦，时间为15-1200s，结束后出舟。
所述的ΑLD技术制备超薄Αl2O3的具体方法为：硅片清洗后，从片盒自动化传输进ΑLD腔体内沉积氧化铝薄膜，温度控制在200℃，通入TMΑ和H2O，其流量分别为10slm和15slm，沉积时间约为15s，沉积完后自动化传输出腔进片盒。
所述的PECVD技术制备α-SiNx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiNx:H层，通入硅烷和氨气，硅烷流量为500-650sccm，氨气流量为3.75-4.5slm，温度控制在450℃，压力为1500-1600mTorr，功率为1700瓦，时间为350-1100s，结束后出舟。
通过上述技术方案可知，在本申请中，钝化叠层的组成顺序是现有技术中未公开的。并且本申请制备的叠层钝化层的结构顺序对钝化效果有着至关重要的作用，叠层之间存在相互协同作用。具体效果如下：
首先对于n+层的钝化，第一层2nm厚的α-SiOx:H采用PECVD技术制备，制备过程中氢等离子体能对硅片表面可进行二次清洗以及刻蚀弱的Si-Si键，沉积的氢化氧化硅饱和硅表面的悬挂键，从而降低界面态密度，提供优良的界面化学钝化效应。同时沉积薄膜过程中的氢原子会扩散进入晶硅体内，对晶硅体内的缺陷起到钝化作用，减少晶硅体内缺陷。然后再利用PECVD制备折射率为2.18，厚度为10nm的α-SiNx:H主要起晶硅的体钝化作用，但高折射率的α-SiNx:H吸光系数高，为了降低其吸收，要限制α-SiNx:H的厚度，所以，只沉积了10nm厚度，随后再利用PECVD沉积30nm厚的折射率为2.08的α-SiOx:H，进一步起到晶硅体钝化的作用。我们将两层氮化硅夹在了两层氧化硅之间。氮化硅和氧化硅的界面处会存在一定量的正电荷，正电荷可以对n+层表面到场钝化作用。这样的结构可以更好地固定α-SiNx：H中含有的正电荷。从而可充分发挥界面处固定的正电荷对n+层场钝化的作用。因此α-SiOx:H/α-SiNx:H/α-SiOx:H结构能对晶硅电池n+层进行良好钝化。氮化硅和氧化硅的厚度选择是为了对入射光起到很好的减反作用。
其次对于p层表面的α-SiOx:H/Αl2O3/α-SiOx:H/α-SiNx:H四叠层顺序，对钝化效果也是有非常重要的影响。例如在CN201220238684.5晶体硅太阳能电池中，其权利要求一种晶体硅太阳能电池，包括硅片(1)，其特征在于，在所述硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅层(2)、三氧化二铝钝化层(3)和α-SiNX:H层减反射膜层(4)，所述硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅层(5)和三氧化二铝钝化层(6)。上述也是对硅片的正面和背面分别进行了多次镀层，迎光面形成结构为二氧化硅层/三氧化二铝钝化层/α-SiNX:H，其叠层的结构顺序是和本申请不同的。
本发明晶硅电池的p型层表面的四叠层钝化膜采用α-SiOx:H/Αl2O3/α-SiOx:H/α-SiNx:H结构。α-SiOx:H采用PECVD技术制备，制备过程中氢等离子体同样对硅片表面进行二次清洗以及刻蚀弱的Si-Si键，沉积的氧化硅饱和硅表面的悬挂键，从而降低界面态密度，提供优良的界面化学钝化效应。采用ΑLD技术制备超薄Αl2O3(厚度小于15nm)，随后利用PECVD制备的α-SiOx:H，从而将Αl2O3夹在两层氧化硅之间，形成高浓度的固定负电荷。负电荷对p层表面能起到场钝化作用。这样的顺序结构可以更好地固定负电荷，从而对p层起到良好的场钝化作用；最后PECVD制备的α-SiNx:H过程中，由于前三层薄膜都很薄，H原子容易扩散到晶硅的网络结构之中饱和悬挂键，进一步起到晶硅主体钝化的作用，同时氮化硅在后续的金属化工艺中对超薄Αl2O3起到保护作用。n+层与p型层的钝化膜涉及最大的区别是场钝化不同，正电荷对n+层起作用，负电荷对p型层起作用。氮化硅和氧化硅界面处产生的电荷是正电荷，氧化铝与氧化硅的界面处产生的电荷是负电荷，所以，n+层与p型层的钝化膜中分别选择了氮化硅和氧化铝。
附图说明
图1是p型晶硅电池n+/P结构及其正面和背面的钝化膜结构；
图2是实例一与对比例一(1)钝化后表面反射率对比图。
具体实施方案
1、PECVD制备氢化非晶硅氧薄膜α-SiOx:H
硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7-4.05slm，温度控制在450℃，压力为700-1500mTorr，功率为1700-2100瓦，时间为15-1200s，结束后出舟。
2、PECVD制备氢化非晶氮化硅薄膜α-SiNx:H
硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiNx:H层，通入硅烷和氨气，硅烷流量为500-650sccm，氨气流量为3.75-4.5slm，温度控制在450℃，压力为1500-1600mTorr，功率为1700瓦，时间为350-1100s，结束后出舟。
3、ALD制备氧化铝
硅片清洗后，从片盒自动化传输进ALD腔体内沉积氧化铝薄膜，温度控制在200℃，通入TMA和H2O，其流量分别为10slm和15slm，沉积时间约为15-20s，沉积完后自动化传输出腔进片盒。
实例一：n+层上α-SiOx:H/α-SiNx:H((折射率2.18)/α-SiNx:H(折射率2.08)/α-SiOx:H四叠层薄膜钝化。
硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7slm，温度控制在450℃，压力为700mTorr，功率为2100瓦，时间为15s；停掉笑气，将射频源关掉。保持温度控制在450℃，硅烷流量为提高到500sccm，通氨气，氨气流量为3.8slm，压力为1500mTorr，打开射频源，将射频功率设定为1700瓦，沉积第一层α-SiNx:H，时间为550s；然后再在PECVD管内生长第二层α-SiOx:H，通氨气，氨气流量为4.05slm，压力为1500mTorr，打开射频源，将射频功率设定为1700瓦，沉积α-SiNx:H，时间为100s；调整氨气流量到4.0slm，沉积第二层α-SiNx:H，时间为300s；关闭射频源，停掉氨气。将硅烷流量降为90sccm。通入笑气，笑气流量为3.7slm，压力为700mTorr。打开射频源，功率为2100瓦，时间为600s，结束后出舟，形成四叠层钝化薄膜α-SiOx:H(厚度2nm)/α-SiNx:H(折射率2.18,厚度10nm)/α-SiNx:H(折射率2.08,厚度30nm)/α-SiOx:H(厚度110nm)。
对比例一(1)：n+层上形成α-SiNx:H/α-SiOx:H两叠层薄膜。
对比例一(1)和实例一相比，采用相同的钝化方法，n+层上形成α-SiNx:H/α-SiOx:H两叠层薄膜
图2实例一与对比例一(1)钝化后表面反射率对比图。从图中可以看出实例一的表面叠层膜也起到了很好的减反效果。
实验效果：
表1：实例一与对比例一(1)钝化后的复合速率比较
| 实例一 | 对比例一(1) | |
| 复合速率(cm/s) | 30 | 300 |
从表1中可以看出实例一中的载流子在表面的复合，相对于对比例来说，显著降低了，说明表面得到了很好的钝化。
实例二：p型层上α-SiOx:H/Al2O3/SiOx/α-SiNx:H四叠层薄膜钝化
硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7slm，温度控制在450℃，压力为700mTorr，功率为2100瓦，时间为15s；结束后出舟；从片盒自动化传输进ALD腔体内沉积氧化铝薄膜，温度控制在200℃，通入TMA和H2O，其流量分别为10slm和15slm，沉积时间约为15s，沉积完后自动化传输出腔进片盒。然后硅片插入石墨舟内，在PECVD管内生长第二层α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7slm，温度控制在450℃，压力为700mTorr，功率为2100瓦，时间为1200s；再在PECVD管内生长α-SiNx：H层，通入硅烷和氨气，硅烷流量为650sccm，氨气流量为4.5slm，温度控制在450℃，压力为1600mTorr，功率为1700瓦，时间为1100s，结束后出舟，形成α-SiOx:H(厚度2nm)/Αl2O3(厚度15nm)/α-SiOx:H(厚度220nm)/α-SiNx:H(折射率2.08,厚度80nm)四叠层薄膜钝化。
实验效果：经过本实例的四叠层膜钝化后，背面复合速率小于10cm/s。表面复合速率越小，说明钝化效果越好。
对比例二(1)：p型层上α-SiOx:H/α-SiNx:H/α-SiOx:H/Al2O3四叠层薄膜钝化。
对比例二(1)和实例二相比，采用相同的钝化方法，形成α-SiOx:H/α-SiNx:H/α-SiOx:H/Al2O3四叠层薄膜钝化
实验效果：经过对比例二(1)的)四叠层膜钝化后，背面复合速率大约100cm/s。
对比例二(2)：p型层上Al2O3/α-SiOx:H/α-SiNx:H三叠层薄膜钝化。
对比例二(2)和实例二相比，采用相同的钝化方法，p型层上形成Al2O3/α-SiOx:H/α-SiNx:H三叠层薄膜钝化
实验效果：经过对比例二(2)的三叠层膜钝化后，背面复合速率50cm/s。
表2：实例二与对比例二(1)、对比例二(2)钝化后的复合速率比较
| 实例二 | 对比例二(1) | 对比例二(2) | |
| 复合速率(cm/s) | 9.8 | 100 | 50 |
从表中可以看出实例二中的载流子在表面的复合，相对于对比例来说，显著降低了，说明表面得到了很好的钝化。
实例三：将实施例一得到的n+型层钝化膜结构和实施例二得到的p型层的钝化膜结构在p型PERC电池中的应用
表3实例三p型PERC中的应用效果
对比例三(1)将实施例一得到的n+型层钝化膜结构和对比例二(1)得到的p型层的钝化膜结构在p型PERC电池中的应用。
对比例三(2)将实施例一得到的n+型层钝化膜结构和对比例二(2)得到的p型层的钝化膜结构在p型PERC电池中的应用。
对比例三(3)将对比例一(1)得到的n+型层钝化膜结构和实例二得到的p型层的钝化膜结构在p型PERC电池中的应用。
对比例三(4)将对比例一(1)得到的n+型层钝化膜结构和对比例二(1)得到的p型层的钝化膜结构在p型PERC电池中的应用。
表4实例三与对比例三(1)、对比例三(2)、对比例三(3)、对比例三(4)的应用效果对比
Claims (5)
1.一种晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的表界面钝化层分别设在p型晶硅电池的正面n+型掺杂层上和p型硅衬底的背面上，n+型掺杂层表面的钝化层依次为厚度2nm α-SiOx:H/折射率2.18，厚度10nm α-SiNx:H/折射率2.08，厚度30nm α-SiNx:H/ 厚度110nm α-SiOx:H四叠层结构，p型硅衬底的背面的钝化层依次为厚度2nm α-SiOx:H /厚度15nm Αl2O3/ 厚度220nm α-SiOx:H / 折射率2.08，厚度80nm α-SiNx:H四叠层结构。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的p型晶硅电池为p型PERC电池。
3.一种如权利要求1所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，具体钝化步骤为：
（1）正面n+型掺杂层表面的钝化：
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氢化非晶氧化硅（α-SiOx:H），在α-SiOx:H的上利用PECVD技术先后制备两种不同折射率的氢化非晶氮化硅（α-SiNx:H），随后再利用PECVD技术沉积α-SiOx:H，最后形成厚度2nm α-SiOx:H /折射率2.18，厚度10nm α-SiNx:H /折射率2.08，厚度30nm α-SiNx:H/厚度110nm α-SiOx:H四叠层结构的钝化膜；
（2）P型硅衬底背面的钝化：
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氢化非晶氧化硅（α-SiOx:H），在α-SiOx:H上利用原子层沉积（ΑLD）技术制备Αl2O3，在Αl2O3上利用 PECVD制备的α-SiOx:H，最后再采用PECVD制备的α-SiNx:H，最终形成厚度2nm α-SiOx:H /厚度15nm Αl2O3/厚度220nm α-SiOx:H/折射率2.08，厚度80nm α-SiNx:H四叠层结构的钝化膜；所述原子层沉积（ΑLD）技术制备Αl2O3方法为：硅片清洗后，从片盒自动化传输进ΑLD腔体内沉积氧化铝薄膜，温度控制在200℃，通入TMΑ和H2O，其流量分别为10slm和15slm，沉积时间约为15s，沉积完后自动化传输出腔进片盒。
4.如权利要求3所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，所述的PECVD技术制备α-SiOx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7-4.05slm，温度控制在450℃，压力为700-1500mTorr，功率为1700-2100瓦，时间为15-1200s，结束后出舟。
5.如权利要求3所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，所述的PECVD技术制备α-SiNx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiNx:H层，通入硅烷和氨气，硅烷流量为500-650sccm，氨气流量为3.75-4.5slm，温度控制在450℃，压力为1500-1600mTorr，功率为1700瓦，时间为350-1100s，结束后出舟。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810805787.7A CN109216473B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法 |
| NL2022817A NL2022817B1 (en) | 2018-07-20 | 2019-03-27 | Surface/interface passivation layer for high-efficiency crystalline silicon cell and passivation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810805787.7A CN109216473B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109216473A CN109216473A (zh) | 2019-01-15 |
| CN109216473B true CN109216473B (zh) | 2019-10-11 |
Family
ID=64990180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810805787.7A Active CN109216473B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109216473B (zh) |
| NL (1) | NL2022817B1 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109935647B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-09-14 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN109950352A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-28 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种采用非晶硅钝化层的太阳电池及其制造方法 |
| CN110061101A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新型高效电池背钝化工艺 |
| CN110112243A (zh) * | 2019-06-02 | 2019-08-09 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 太阳能电池的背面钝化结构及其制备方法 |
| CN110429020A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-08 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式pecvd设备制备非晶硅薄膜的方法 |
| CN110459615A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺 |
| CN112531034B (zh) * | 2019-08-28 | 2022-10-21 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池、太阳能电池板及制备方法 |
| CN111628044A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-09-04 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统 |
| CN111628011A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-04 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新型晶硅双面电池背膜结构及制备方法 |
| CN114759097B (zh) | 2020-12-29 | 2022-10-18 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN112713203A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-27 | 天合光能股份有限公司 | 一种新型太阳能电池叠层钝化结构 |
| CN113078222B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-03-31 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN113257927A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-13 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种perc电池背钝化结构、perc电池及制备方法 |
| CN113571592A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-29 | 杭州电子科技大学 | 一种薄化晶硅电池及制备方法 |
| CN113552462B (zh) * | 2021-07-08 | 2023-03-14 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 获得n型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法 |
| CN117766595A (zh) | 2021-08-20 | 2024-03-26 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN114203832B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-01-30 | 上海交通大学 | 具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构 |
| CN114944433A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-08-26 | 苏州大学 | 一种晶硅太阳电池表面钝化材料 |
| CN116666236B (zh) * | 2023-08-02 | 2023-11-21 | 深圳市鲁光电子科技有限公司 | 一种半导体材料的表面钝化方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8916768B2 (en) | 2005-04-14 | 2014-12-23 | Rec Solar Pte. Ltd. | Surface passivation of silicon based wafers |
| CN101305472B (zh) | 2005-11-08 | 2011-07-13 | Lg电子株式会社 | 高效太阳能电池及其制备方法 |
| NL2000248C2 (nl) | 2006-09-25 | 2008-03-26 | Ecn Energieonderzoek Ct Nederl | Werkwijze voor het vervaardigen van kristallijn-silicium zonnecellen met een verbeterde oppervlaktepassivering. |
| TW200929575A (en) | 2007-12-28 | 2009-07-01 | Ind Tech Res Inst | A passivation layer structure of the solar cell and the method of the fabricating |
| US8168462B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Passivation process for solar cell fabrication |
| DE102009056594A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Q-Cells Se | Antireflexionsbeschichtung sowie Solarzelle und Solarmodul |
| CN102157570A (zh) * | 2011-01-11 | 2011-08-17 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法 |
| EP2533305A3 (en) | 2011-06-06 | 2014-05-21 | Imec | Method for blister-free passivation of a silicon surface |
| TWI448431B (zh) | 2011-11-18 | 2014-08-11 | Ind Tech Res Inst | 光學鈍化薄膜及其製造方法以及太陽能電池 |
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| CN207233747U (zh) * | 2017-05-31 | 2018-04-13 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池 |
| CN107293604A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-10-24 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种p型面低反射率晶硅电池的制备方法 |
| CN108231917B (zh) * | 2017-12-20 | 2019-12-17 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种perc太阳能电池及其制备方法 |
-
2018
- 2018-07-20 CN CN201810805787.7A patent/CN109216473B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-27 NL NL2022817A patent/NL2022817B1/en active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109216473A (zh) | 2019-01-15 |
| NL2022817A (en) | 2019-05-01 |
| NL2022817B1 (en) | 2019-10-03 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |