CN207233747U - 硅异质结太阳电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了硅异质结太阳电池，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。

Description

硅异质结太阳电池
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域，具体而言，本实用新型涉及硅异质结太阳电池，更具体地，本实用新型涉及轻掺杂氢化非晶硅钝化的硅异质结太阳电池。
背景技术
光伏技术经过半个多世纪以来的发展，基于提高效率的考虑并结合各种新技术的应用，涌现出一些具有新型结构的高效硅太阳电池。在目前量产的高效晶硅太阳电池中，硅异质结电池是潜力较大的一款，吸引了越来越多研究机构的兴趣。
在异质结太阳电池中，由于界面处存在较高的缺陷态密度，为了抑制表面复合，采用本征非晶硅层对衬底晶硅界面进行良好钝化是获得高效异质结电池的基本条件。例如美国专利No.5705828，就是在a-Si:H/c-Si p-n结中插入本征非晶硅层来钝化界面的。但是要实现优异的钝化效果，对本征非晶硅层的质量要求非常高，因而沉积本征非晶硅薄膜的工艺窗口非常窄，实际制备过程中难于把握。而在中国专利CN102447000A中，则提出了将p 型和n型半导体中的掺杂离子浓度从靠近本征半导体到远离本征半导体层的方向依次增大，该方法减少了p型和n型半导体中的掺杂原子对本征半导体的污染，保证了较高的空间电场强度和较好的钝化作用。但是在实际操作中，要实现薄膜中的缓变掺杂，将涉及复杂的工艺参数的调控，并且厚度方向的均匀性和工艺的可重复性都会面临一定的挑战。
此外，也有采用氧化硅薄膜等材料进行表面钝化的方式。例如专利文献US20140283902A1，以绝缘的SiOX层代替本征非晶硅薄膜层，可起到减少界面缺陷，降低载流子复合的作用。然而，无论是本征非晶硅薄膜还是氧化硅薄膜，由于材料本身的导电性很差，电阻较高，在大规模生产中如果膜层的厚度控制不好，将影响最终电池的填充因子。
因此，现有的硅异质结太阳电池仍有待改进。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出硅异质结太阳电池。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种硅异质结太阳电池。根据本实用新型的实施例，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的上表面；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层设置在所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面；第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层设置在所述重掺杂p 型氢化非晶硅发射极层的上表面；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的下表面；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层设置在所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面；第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层设置在所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面；多个金属栅线电极层，所述多个金属栅线电极层间隔设置在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面。
由此，根据本实用新型实施例的硅异质结太阳电池通过采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
任选的，所述n型晶硅衬底为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底，所述n型晶硅衬底的掺杂浓度为1015～1019/cm3，所述n型晶硅衬底的厚度为50～200μm。
任选的，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层、所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂气体分别独立地包括选自磷化氢(PH3)或砷化氢(AsH3)中的至少之一。
任选的，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为108～1017/cm3，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为1～15nm。
任选的，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为1015～1017/cm3，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为3～15nm。
任选的，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度为1016～1019/cm3，所述重掺杂n 型氢化非晶硅背场层的厚度为5～25nm。
任选的，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂气体包括选自硼烷(BH3)、乙硼烷(B2H6)、三甲基硼烷(B(CH3)3)、三氟化硼(BF3)中的至少之一。
任选的，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂浓度为1016～1021/cm3，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度为5～25nm。
任选的，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层分别独立地包括选自掺铝氧化锌(AZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺镓铝氧化锌(GAZO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺钨氧化铟(IWO)和掺钛氧化铟(ITIO)中的至少之一。
任选的，所述掺铝氧化锌中Al的掺杂浓度为1.0～3.5wt％，所述掺硼氧化锌中B的掺杂浓度为0.5～3wt％，所述掺镓氧化锌中Ga的掺杂浓度为1～6wt％，所述掺镓铝氧化锌中 Ga的掺杂浓度为1～6wt％，所述掺镓铝氧化锌中Al的掺杂浓度为1.0～3.5wt％，所述掺氟氧化锡中F的掺杂浓度为2～5wt％，所述掺锡氧化铟中Sn的掺杂浓度为2～20wt％，所述掺钨氧化铟中W的掺杂浓度为0.4～4wt％，所述掺钛氧化铟中Ti的掺杂浓度为0.05～1wt％。
任选的，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层的厚度为50～300 nm。
任选的，所述金属栅线电极层包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、 Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，或者，所述金属栅线电极层包括Ag或Ag 的合金。
任选的，所述金属栅线电极层的厚度为2～100μm。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本实用新型一个实施例的硅异质结太阳电池结构示意图；
图2是根据本实用新型再一个实施例的硅异质结太阳电池结构示意图；
图3是根据本实用新型实施例的硅异质结太阳电池结构示意图；
图4是制备本实用新型一个实施例的硅异质结太阳电池的方法流程示意图；
图5是制备本实用新型再一个实施例的硅异质结太阳电池的方法示意图；
图6是根据本实用新型又一个实施例的硅异质结太阳电池结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种硅异质结太阳电池。根据本实用新型的实施例，参考图1～4，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底100；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102；第一透明导电氧化物层105a；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103；重掺杂n型氢化非晶硅背场层104；第二透明导电氧化物层105b；以及多个金属栅线电极层106。
下面参考图1～3对根据本实用新型实施例的硅异质结太阳电池进行详细描述：
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底100中晶硅的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，n型晶硅衬底为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底。
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底100的掺杂浓度可以为1015～1019/cm3，由此，通过选择合适的掺杂浓度，综合考虑掺杂浓度对衬底的少子寿命、内建电场以及电阻率的影响，可获得良好的电池性能。
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底100的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，n型晶硅衬底100的厚度可以为50～200μm，由此，通过在该范围内选择合适的衬底厚度，可以兼顾电池对光的充分吸收及利用薄硅片降低电池成本。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101设置在n型晶硅衬底100 的上表面，第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103设置在n型晶硅衬底100的下表面。氢化非晶硅层可以通过引入氢原子来修复衬底表面的悬挂键，减少晶格中的缺陷，由此可以使第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103与n型晶硅衬底100 间的界面相比传统晶硅的p-n结构具有更低的缺陷率，从而可以减少载流子在电池表面复合，提高太阳电池的效率。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的掺杂气体可以包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一。由此，通过Ⅴ价原子磷或砷与原子硅键和，可形成n型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的掺杂浓度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的掺杂浓度可以为108～1017/cm3，优选1015～1017/cm3，由此，该轻掺杂的氢化非晶硅层既能发挥本征非晶硅对晶硅衬底的良好钝化作用，又降低了钝化层的电阻率，有利于电池性能的提升。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的厚度可以为1～15nm，优选3～15nm，由于第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101 和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103可以综合钝化效果并减小势垒，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103可允许的厚度可以适当增加，从而可以降低工艺难度和生产成本。
根据本实用新型的一个具体实施例，在第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101与n型晶硅衬底100之间以及第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103与n型晶硅衬底100之间还可以进一步分别设置有本征非晶硅层，且设置本征非晶硅层并不影响轻掺杂氢化非晶硅层的轻掺杂效果。其中，上述本征非晶硅层的厚度可以为1～5nm。
根据本实用新型的一个具体实施例，参考图6，在设置形成第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101与第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的工艺中，可以通过令通入的掺杂气体流量随工艺时间的进行逐渐升高，使得制备得到的第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101与第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的掺杂浓度从靠近n型晶硅衬底100的一侧向外浓度逐渐升高，呈现梯度渐变。一方面，靠近n型晶硅衬底一侧的轻掺杂n型氢化非晶硅层的区域中掺杂浓度可以较低，接近于本征层，可获得最佳的钝化效果；另一方面，远离n型晶硅衬底一侧的轻掺杂n型氢化非晶硅层的区域中掺杂浓度可以较高，从而有利于串联电阻的降低。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102设置在第一轻掺杂n 型氢化非晶硅层101的上表面。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102的掺杂气体可以包括选自硼烷、乙硼烷、三甲基硼烷和三氟化硼中的至少之一，由此，通过Ⅲ价原子硼与原子硅键和，可形成p型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102的掺杂浓度可以为1016～1021/cm3，由此，通过选择合适的掺杂浓度，该重掺的p型发射极层与晶硅衬底可以形成较强的内建电场，同时发射极层具有较大的电导率。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，掺杂p型氢化非晶硅发射极层102的厚度可以为5～25nm。重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102 可以用于与n型晶硅衬底100形成p-n结内建电场。作为发射极，由于高载流子浓度的p 层对于短波光有较强的吸收，且p型的B掺杂形成的内部缺陷较多，使吸收的光子所形成的空穴对容易在缺陷处复合，造成短波光的损失，所以重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102 中的非晶硅既需要有足够高的掺杂浓度，又需要有尽量小的厚度。另一方面，如果重掺杂 p型氢化非晶硅发射极层102的厚度过小，则可能使重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102 很大一部分区域的载流子由于位于p-n结附近而被贫化，影响电流的输出，而通过将第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101设置在重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102与n型晶硅衬底 100之间，可以有效降低载流子的受贫化作用的影响，从而进一步提高电池的性能。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层104设置在第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的下表面。重掺杂n型氢化非晶硅背场层104与n型晶硅衬底100之间形成的电场可以帮助载流子有效地传递到导电层，而设置在重掺杂n型氢化非晶硅背场层104与n型晶硅衬底100之间的第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103可以起到与第一轻掺杂n 型氢化非晶硅层101相同的减少载流子复合的作用，从而提高电池的性能。此外，第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103还兼顾了对该层载流子运输的要求，可以尽量降低该层对载流子形成的势垒作用。因此，通过设置第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103可以综合钝化效果并减小势垒，提高第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101 和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103的电导率，从而可以降低电池制备过程中对于轻掺杂非晶硅层厚度控制的严苛要求，适当增加第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂 n型氢化非晶硅层103可允许的厚度范围，以降低工艺难度和生产成本。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层104的掺杂气体可以包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一，由此，通过Ⅴ价原子磷或砷与原子硅键和，可形成n型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层104的掺杂浓度可以为1016～1019/cm3，由此，通过选择合适的重掺n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度，可以形成n型晶体硅/重掺杂n型氢化非晶硅的背面异质结，有效增加电池的长波响应，从而增加电池的短路电流。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层104的厚度可以为5～25nm，由此，有利于获得增强的电场强度，提高开路电压。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层105a设置在重掺杂p型氢化非晶硅发射极层102的上表面，第二透明导电氧化物层105b设置在重掺杂n型氢化非晶硅背场层 104的下表面。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层105a和第二透明导电氧化物层105b 的种类可以相同也可以不同。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层105a和第二透明导电氧化物层105b 分别独立地包括选自掺铝氧化锌(AZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺镓铝氧化锌(GAZO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺钨氧化铟(IWO)和掺钛氧化铟(ITIO)中的至少之一。
根据本实用新型的实施例，上述掺铝氧化锌、掺硼氧化锌、掺镓氧化锌、掺镓铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锡氧化铟、掺钨氧化铟和掺钛氧化铟中的掺杂元素浓度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，掺铝氧化锌中Al的掺杂浓度可以为1.0～3.5wt％，掺硼氧化锌中B的掺杂浓度可以为0.5～3wt％，掺镓氧化锌中Ga的掺杂浓度可以为1～6wt％，掺镓铝氧化锌中Ga的掺杂浓度可以1～6wt％，掺镓铝氧化锌中Al的掺杂浓度可以为1.0～3.5wt％，掺氟氧化锡中F的掺杂浓度可以为 2～5wt％，掺锡氧化铟中Sn的掺杂浓度可以为2～20wt％，掺钨氧化铟中W的掺杂浓度可以为0.4～4wt％，掺钛氧化铟中Ti的掺杂浓度可以为0.05～1wt％。由此，通过选择合适的掺杂浓度，可以使TCO薄膜具有较高光透过率的同时，使其与金属栅线电极的接触电阻减小。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层105a和第二透明导电氧化物层105b 的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一透明导电氧化物层105a和第二透明导电氧化物层105b的厚度可以为50～300nm。由此，通过选择合适的TCO厚度，可以在尽量减小TCO光吸收的同时提高串联电阻。
根据本实用新型的一个具体实施例，第一透明导电氧化物层105a和第二透明导电氧化物层105b可以均为通过磁控溅射制备得到的掺钨氧化铟(IWO)。
根据本实用新型的实施例，多个金属栅线电极层106间隔设置在第一透明导电氧化物层105a的上表面和第二透明导电氧化物层105b的下表面。
根据本实用新型的实施例，金属栅线电极层106可以包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、 Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，或者Ag或Ag合金。
根据本实用新型的实施例，金属栅线电极层106的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，金属栅线电极层106的厚度可以为2～100μm，由此，通过选择合适的金属栅线电极层的厚度，可以在保证电极与电池表面以及电极内部良好结合性的前提下，获得较低的串联电阻。
由此，根据本实用新型实施例的硅异质结太阳能电池通过分别在n型晶硅衬底的上表面和下表面设置第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层替代本征非晶硅作为钝化层可以保证良好的界面钝化作用的前提下，使氢化非晶硅层的可允许厚度范围增加，从而使制备工艺窗口变宽，降低电池制造难度及工艺成本，且可以显著改善串联电阻，提高电池性能。
为了方便理解，下面参考图4～5对制备本实用新型上述实施例的硅异质结太阳电池的方法进行详细描述。根据本实用新型的实施例，该方法包括：
S100：提供n型晶硅衬底
该步骤中，提供n型晶硅衬底，对n型晶硅衬底进行清洗，并在n型晶硅衬底的上表面和下表面制作绒面结构。
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底中晶硅的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，n型晶硅衬底为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底。
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底的掺杂浓度可以为1015～1019/cm3，由此，通过选择合适的掺杂浓度，综合考虑掺杂浓度对衬底的少子寿命、内建电场以及电阻率的影响，可获得良好的电池性能。
根据本实用新型的实施例，n型晶硅衬底的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，n型晶硅衬底的厚度可以为50～200μm，由此，通过在该范围内选择合适的衬底厚度，可以兼顾电池对光的充分吸收及利用薄硅片降低电池成本。
S200：沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂p型氢化非晶硅发射极层
该步骤中，在n型晶硅衬底的上表面依次沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂 p型氢化非晶硅发射极层。具体地，在沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂p型氢化非晶硅发射极层之前，可以将n型晶硅衬底置于氢气气氛中进行氢化预处理，或者将n 型晶硅衬底置于氢氟酸中进行短时间处理，以便去掉n型晶硅衬底表面的氧化物。
S300：沉积第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂n型氢化非晶硅背场层
该步骤中，在n型晶硅衬底的下表面依次沉积第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂 n型氢化非晶硅背场层。
根据本实用新型的实施例，上述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在n型晶硅衬底的上表面，第二轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在n型晶硅衬底的下表面。氢化非晶硅层可以通过引入氢原子来修复衬底表面的悬挂键，减少晶格中的缺陷，由此可以使第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103与n型晶硅衬底100间的界面相比传统晶硅的p-n结构具有更低的缺陷率，从而可以减少载流子在电池表面复合，提高太阳电池的效率。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂气体可以包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一。由此，通过Ⅴ价原子磷或砷与原子硅键和，可形成n型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度可以为108～1017/cm3，优选1015～1017/cm3，由此，该轻掺杂的氢化非晶硅层既能发挥本征非晶硅对晶硅衬底的良好钝化作用，又降低了钝化层的电阻率，有利于电池性能的提升。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度可以为1～15nm，优选3～15nm，由于第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层可以综合钝化效果并减小势垒，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层可允许的厚度可以适当增加，从而可以降低工艺难度和生产成本。
根据本实用新型的一个具体实施例，在第一轻掺杂n型氢化非晶硅层与n型晶硅衬底之间以及第二轻掺杂n型氢化非晶硅层与n型晶硅衬底之间还可以进一步分别设置有本征非晶硅层，且设置本征非晶硅层并不影响轻掺杂氢化非晶硅层的轻掺杂效果。其中，上述本征非晶硅层的厚度可以为1～5nm。
根据本实用新型的一个具体实施例，参考图6，在设置形成第一轻掺杂n型氢化非晶硅层与第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的工艺中，可以通过令通入的掺杂气体流量随工艺时间的进行逐渐升高，使得制备得到的第一轻掺杂n型氢化非晶硅层与第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度从靠近n型晶硅衬底的一侧向外浓度逐渐升高，呈现梯度渐变。一方面，靠近n型晶硅衬底一侧的轻掺杂n型氢化非晶硅层的区域中掺杂浓度可以较低，接近于本征层，可获得最佳的钝化效果；另一方面，远离n型晶硅衬底一侧的轻掺杂n型氢化非晶硅层的区域中掺杂浓度可以较高，从而有利于串联电阻的降低。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层设置在第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂气体可以包括选自硼烷、乙硼烷、三甲基硼烷和三氟化硼中的至少之一，由此，通过Ⅲ价原子硼与原子硅键和，可形成p型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂浓度可以为1016～1021/cm3，由此，通过选择合适的掺杂浓度，该重掺的p型发射极层与晶硅衬底可以形成较强的内建电场，同时发射极层具有较大的电导率。
根据本实用新型的实施例，重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度可以为5～25nm。重掺杂p型氢化非晶硅发射极层可以用于与n型晶硅衬底形成p-n结内建电场。作为发射极，由于高载流子浓度的p层对于短波光有较强的吸收，且p型的B掺杂形成的内部缺陷较多，使吸收的光子所形成的空穴对容易在缺陷处复合，造成短波光的损失，所以重掺杂p型氢化非晶硅发射极层中的非晶硅既需要有足够高的掺杂浓度，又需要有尽量小的厚度。另一方面，如果重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度过小，则可能使重掺杂p型氢化非晶硅发射极层很大一部分区域的载流子由于位于p-n结附近而被贫化，影响电流的输出，而通过将第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在重掺杂p型氢化非晶硅发射极层与n型晶硅衬底之间，可以有效降低载流子的受贫化作用的影响，从而进一步提高电池的性能。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层设置在第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面。重掺杂n型氢化非晶硅背场层与n型晶硅衬底之间形成的电场可以帮助载流子有效地传递到导电层，而设置在重掺杂n型氢化非晶硅背场层与n型晶硅衬底之间的第二轻掺杂n型氢化非晶硅层可以起到与第一轻掺杂n型氢化非晶硅层相同的减少载流子复合的作用，从而提高电池的性能。此外，第二轻掺杂n型氢化非晶硅层还兼顾了对该层载流子运输的要求，可以尽量降低该层对载流子形成的势垒作用。因此，通过设置第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层可以综合钝化效果并减小势垒，提高第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的电导率，从而可以降低电池制备过程中对于轻掺杂非晶硅层厚度控制的严苛要求，适当增加第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层可允许的厚度范围，以降低工艺难度和生产成本。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂气体可以包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一，由此，通过Ⅴ价原子磷或砷与原子硅键和，可形成n型的非晶硅薄膜。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度可以为 1016～1019/cm3，由此，通过选择合适的重掺n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度，可以形成n 型晶体硅/重掺杂n型氢化非晶硅的背面异质结，有效增加电池的长波响应，从而增加电池的短路电流。
根据本实用新型的实施例，重掺杂n型氢化非晶硅背场层的厚度可以为5～25nm，由此，有利于获得增强的电场强度，提高开路电压。
根据本实用新型的实施例，第一轻掺杂n型氢化非晶硅层、重掺杂p型氢化非晶硅发射极层、第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂n型氢化非晶硅背场层分别独立地通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)、微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)和电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)中的至少之一形成。
根据本实用新型的实施例，上述等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体功率密度可以为1～200mW/cm2，由此，可以显著提高第一轻掺杂n型氢化非晶硅层、重掺杂p型氢化非晶硅发射极层、第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和重掺杂n型氢化非晶硅背场层的沉积效果。
S400：沉积透明导电氧化物层
该步骤中，在重掺杂p型氢化非晶硅发射极层上表面沉积第一透明导电氧化物层，在重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面沉积第二透明导电氧化物层。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的种类可以相同也可以不同。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层分别独立地包括选自掺铝氧化锌(AZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺镓铝氧化锌(GAZO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺钨氧化铟(IWO)和掺钛氧化铟 (ITIO)中的至少之一。
根据本实用新型的实施例，上述掺铝氧化锌、掺硼氧化锌、掺镓氧化锌、掺镓铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锡氧化铟、掺钨氧化铟和掺钛氧化铟中的掺杂元素浓度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，掺铝氧化锌中Al的掺杂浓度可以为1.0～3.5wt％，掺硼氧化锌中B的掺杂浓度可以为0.5～3wt％，掺镓氧化锌中Ga的掺杂浓度可以为1～6wt％，掺镓铝氧化锌中Ga的掺杂浓度可以1～6wt％，掺镓铝氧化锌中Al的掺杂浓度可以为1.0～3.5wt％，掺氟氧化锡中F的掺杂浓度可以为 2～5wt％，掺锡氧化铟中Sn的掺杂浓度可以为2～20wt％，掺钨氧化铟中W的掺杂浓度可以为0.4～4wt％，掺钛氧化铟中Ti的掺杂浓度可以为0.05～1wt％。由此，通过选择合适的掺杂浓度，可以使TCO薄膜具有较高光透过率的同时，使其与金属栅线电极的接触电阻减小。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的厚度可以为50～300nm。由此，通过选择合适的TCO厚度，可以在尽量减小TCO光吸收的同时提高串联电阻。
根据本实用新型的实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层可以通过溅射、蒸发和反应等离子体沉积中的至少之一形成。
根据本实用新型的一个具体实施例，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层 105b可以均为通过磁控溅射制备得到的掺钨氧化铟(IWO)。
S500：制备金属栅线电极层
该步骤中，在第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面分别制备金属栅线电极层106。
根据本实用新型的实施例，金属栅线电极层可以包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、 Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，或者Ag或Ag的合金。
根据本实用新型的实施例，金属栅线电极层的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本实用新型的具体实施例，金属栅线电极层的厚度可以为2～100μm，由此，通过选择合适的金属栅线电极层的厚度，可以在保证电极与电池表面以及电极内部良好结合性的前提下，获得较低的串联电阻。
根据本实用新型的实施例，金属栅线电极层可以通过物理气相沉积(PVD)、丝网印刷、电镀中的至少之一形成。
由此，采用根据本实用新型实施例的制备硅异质结太阳能电池的方法制备得到的硅异质结太阳能电池通过分别在n型晶硅衬底的上表面和下表面设置第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层替代本征非晶硅作为钝化层可以保证良好的界面钝化作用的前提下，使氢化非晶硅层的可允许厚度范围增加，从而使制备工艺窗口变宽，降低电池制造难度，且可以显著改善串联电阻，提高电池性能。
下面参考具体实施例，对本实用新型进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本实用新型。
实施例1
参考图1，按照下列步骤制备硅异质结太阳电池：
步骤1A：提供n型晶硅衬底100，对n型晶硅衬底100进行清洗，并在上表面和下制作绒面结构；
步骤1B：将n型晶硅衬底置于氢气气氛中进行氢化预处理；
步骤1C：在n型晶硅衬底100的上表面依次沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅(a-Si:H) 层101和重掺杂p型a-Si:H发射极层102；在n型晶硅衬底100的下表面依次沉积第二轻掺杂n型a-Si:H层103和重掺杂n型a-Si:H背场层104；
其中，
第一轻掺杂n型氢化非晶硅层101及第二轻掺杂n型氢化非晶硅层103使用磷元素(P) 作为掺杂元素，掺杂浓度在1015～1017/cm3范围，厚度为3～15nm；
重掺杂p型a-Si:H发射极层102使用硼元素(B)作为掺杂元素，掺杂浓度在 1016～1021/cm3范围，厚度为5～25nm；
重掺杂n型a-Si:H背场层104使用磷元素(P)作为掺杂元素，掺杂浓度在1016～1019/cm3范围，厚度为5～25nm；
第一轻掺杂n型a-Si:H层、第二轻掺杂n型a-Si:H层、重掺杂p型a-Si:H发射极层和重掺杂n型a-Si:H背场层采用PECVD制备，其沉积的等离子体功率密度为1～200mW/cm2；
步骤1D：在重掺杂p型a-Si:H发射极层102的上表面和重掺杂n型a-Si:H背场层104的下表面分别沉积第一透明导电氧化物层105a及第二透明导电氧化物层105b，
其中，
第一透明导电氧化物层105a为掺钨氧化铟(IWO)，第二透明导电氧化物层105b为掺锡氧化铟(ITO)；
第一透明导电氧化物层105a及第二透明导电氧化物层105b的厚度为50～300nm；
步骤1E：如图5所示，在第一透明导电氧化物层105a的上表面及第二透明导电氧化物层105b的下表面分别沉积掩膜保护层107，并在掩膜保护层107上进行开口，预留电极槽108；掩膜保护层107可用的材料有多种，但必须是电绝缘的；
步骤1F：使用电镀技术在预留电极槽108表面沉积金属栅线电极层106；
其中，
金属栅线电极层106厚度为2～100μm；
金属栅线电极层106包括金属Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ta、Ni、Cr、Al、Sn、Zn、 Ag、P中的至少之一所形成的合金，或者是Ag或Ag的合金。
步骤1G：移除掩膜保护层107；
步骤1H：在保护气氛中进行退火处理，得到合金化的金属栅线电极层，并得到硅异质结太阳电池产品。
实施例2
参考图2，按照下列步骤制备硅异质结太阳电池：
步骤2A：提供n型晶硅衬底200，对n型晶硅衬底200进行清洗，并在上表面和下制作绒面结构；
步骤2B：在n型晶硅衬底200的上表面和下表面沉积的第一本征非晶硅层201a和第二本征非晶硅层201b；
其中，第一本征非晶硅层201a和第二本征非晶硅层201b的厚度为1～5nm
步骤2C：在第一本征非晶硅层201a的上表面依次沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅(a-Si:H)层202和重掺杂p型a-Si:H发射极层203；在第二本征非晶硅层201b的下表面依次沉积第二轻掺杂n型a-Si:H层204和重掺杂n型a-Si:H背场层205；
其中，
第一轻掺杂n型氢化非晶硅层202及第二轻掺杂n型氢化非晶硅层204使用磷元素(P) 作为掺杂元素，掺杂浓度在1015～1017/cm3范围，厚度为10～15nm；
第一本征非晶硅层201a和第一轻掺杂n型氢化非晶硅层202共同组合成了复合的轻掺杂层，第二本征非晶硅层201b和第二轻掺杂n型氢化非晶硅层204共同组合成了复合的轻掺杂层，其整体掺杂浓度分别为1015～1017/cm3范围。
重掺杂p型a-Si:H发射极层203使用硼元素(B)作为掺杂元素，掺杂浓度在 1016～1021/cm3范围，厚度为5～25nm；
重掺杂n型a-Si:H背场层205使用磷元素(P)作为掺杂元素，掺杂浓度在1016～1019/cm3范围，厚度为5～25nm；
第一轻掺杂n型a-Si:H层、第二轻掺杂n型a-Si:H层、重掺杂p型a-Si:H发射极层和重掺杂n型a-Si:H背场层采用PECVD制备，其沉积的等离子体功率密度为1～200mW/cm2；
步骤2D：在重掺杂p型a-Si:H发射极层203的上表面和重掺杂n型a-Si:H背场层205的下表面分别沉积第一透明导电氧化物层206a及第二透明导电氧化物层206b，
其中，
第一透明导电氧化物层206a为掺钨氧化铟(IWO)，第二透明导电氧化物层206b为掺锡氧化铟(ITO)；
第一透明导电氧化物层206a及第二透明导电氧化物层206b的厚度为50～300nm；
步骤2E：在第一透明导电氧化物层206a的上表面及第二透明导电氧化物层206b的下表面分别沉积掩膜保护层，并在掩膜保护层上进行开口，预留电极槽；掩膜保护层可用的材料有多种，但必须是电绝缘的；
步骤2F：使用电镀技术在预留电极槽表面沉积金属栅线电极层207；
其中，
金属栅线电极层207厚度为2～100μm；
金属栅线电极层207包括金属Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ta、Ni、Cr、Al、Sn、Zn、 Ag、P中的至少之一所形成的合金，或者是Ag或Ag的合金。
步骤2G：移除掩膜保护层；
步骤2H：在保护气氛中进行退火处理，得到合金化的金属栅线电极层，并得到硅异质结太阳电池产品。
实施例3
参考图3，按照下列步骤制备硅异质结太阳电池：
步骤3A：提供n型晶硅衬底300，对n型晶硅衬底300进行清洗，并在上表面和下制作绒面结构；
步骤3B：将n型晶硅衬底置于氢氟酸中短时间处理，去掉表面氧化物，并烘干；
步骤3C：在n型晶硅衬底300的上表面依次沉积第一轻掺杂n型氢化非晶硅(a-Si:H) 层301和重掺杂p型a-Si:H发射极层302；在n型晶硅衬底300的下表面依次沉积第二轻掺杂n型a-Si:H层303和重掺杂n型a-Si:H背场层304；
其中，
第一轻掺杂n型氢化非晶硅层301及第二轻掺杂n型氢化非晶硅层303使用磷元素(P) 作为掺杂元素，掺杂浓度在1015～1017/cm3范围，厚度为1～15nm；
重掺杂p型a-Si:H发射极层302使用硼元素(B)作为掺杂元素，掺杂浓度在 1016～1021/cm3范围，厚度为5～25nm；
重掺杂n型a-Si:H背场层304使用磷元素(P)作为掺杂元素，掺杂浓度在1016～1019/cm3范围，厚度为5～25nm；
第一轻掺杂n型a-Si:H层、第二轻掺杂n型a-Si:H层、重掺杂p型a-Si:H发射极层和重掺杂n型a-Si:H背场层采用PECVD制备，其沉积的等离子体功率密度为1～200mW/cm2；
步骤3D：在重掺杂p型a-Si:H发射极层302的上表面和重掺杂n型a-Si:H背场层304的下表面分别沉积第一透明导电氧化物层305a及第二透明导电氧化物层305b，
其中，
第一透明导电氧化物层305a和第二透明导电氧化物层305b为磁控溅射制备的掺钨氧化铟(IWO)；
第一透明导电氧化物层305a及第二透明导电氧化物层305b的厚度为50～300nm；
步骤3E：在第一透明导电氧化物层305a的上表面及第二透明导电氧化物层305b的下表面分别沉积掩膜保护层，并在掩膜保护层上进行开口，预留电极槽；掩膜保护层可用的材料有多种，但必须是电绝缘的；
步骤3F：使用丝网印刷方法在预留电极槽表面形成低温Ag浆，并对Ag浆进行固化得到厚度为2～100μm的金属栅线电极层306；
步骤3G：移除掩膜保护层；
步骤3H：得到硅异质结太阳电池产品。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (11)

1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：
n型晶硅衬底；
第一轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的上表面；
重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层设置在所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面；
第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层设置在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的上表面；
第二轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的下表面；
重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层设置在所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面；
第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层设置在所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面；
多个金属栅线电极层，所述多个金属栅线电极层间隔设置在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面。
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述n型晶硅衬底为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底，所述n型晶硅衬底的掺杂浓度为1015～1019/cm3，所述n型晶硅衬底的厚度为50～200μm。
3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层、所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂气体分别独立地包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一。
4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为108～1017/cm3，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为1～15nm。
5.根据权利要求4所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为1015～1017/cm3，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为3～15nm。
6.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度为1016～1019/cm3，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的厚度为5～25nm。
7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂气体包括选自硼烷、乙硼烷、三甲基硼烷和三氟化硼中的至少之一。
8.根据权利要求6所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂浓度为1016～1021/cm3，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度为5～25nm。
9.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层的厚度为50～300nm。
10.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，
或者，所述金属栅线电极层包括Ag或Ag的合金。
11.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层的厚度为2～100μm。
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