CN114649422A - 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 - Google Patents

一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114649422A
CN114649422A CN202011501391.7A CN202011501391A CN114649422A CN 114649422 A CN114649422 A CN 114649422A CN 202011501391 A CN202011501391 A CN 202011501391A CN 114649422 A CN114649422 A CN 114649422A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
type
amorphous silicon
layer
type amorphous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011501391.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114649422B (zh
Inventor
常纪鹏
王永谦
张建军
林纲正
陈刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN202011501391.7A priority Critical patent/CN114649422B/zh
Priority claimed from CN202011501391.7A external-priority patent/CN114649422B/zh
Publication of CN114649422A publication Critical patent/CN114649422A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114649422B publication Critical patent/CN114649422B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种硅基异质结太阳电池结构，属于太阳电池结构领域，包括N型单晶硅片、位于N型单晶硅片上表面的N型非晶硅层、位于N型单晶硅片下表面的P型非晶硅层，所述N型非晶硅层上方设有上电极，所述P型非晶硅层下方设有下电极，所述上电极和N型非晶硅层之间设有一层或者多层氮化物薄膜层，所述氮化物薄膜层沉积在所述N型非晶硅层的上表面，所述P型非晶硅层和所述下电极之间设有TCO透明导电薄膜层。本发明还公开了制备上述硅基异质结太阳电池结构的制备方法。本发明的优点在于能够提高太阳电池结构的短路电流。

Description

一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法，属于太阳电池结构领域。
【背景技术】
目前异质结太阳电池受限于制备成本较高，工艺技术窗口窄等因素还未能实现大规模商业化应用。常规的异质结电池结构存在部分结构缺陷，影响了异质结的效率提升，如在常见的HIT电池结构中，通常的结构，是在单晶硅片的上表面设置的设置非晶硅层，在非晶硅层上设置透明TCO薄膜层，但是由于透明TCO薄膜层本身带一定的透光性，这导致下方的本征非晶硅层及掺杂非晶硅层存在较大的寄生吸收和串联电阻极大地影响了异质结电池的短路电流及填充因子。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法，能够提高太阳电池结构的短路电流。
解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种硅基异质结太阳电池结构，包括N型单晶硅片、位于N型单晶硅片上表面的N型非晶硅层、位于N型单晶硅片下表面的P型非晶硅层，所述N型非晶硅层上方设有上电极，所述P型非晶硅层下方设有下电极，所述上电极和N 型非晶硅层之间设有一层或者多层氮化物薄膜层，所述氮化物薄膜层沉积在所述N型非晶硅层的上表面，所述P型非晶硅层和所述下电极之间设有TCO透明导电薄膜层。
采用本发明的有益效果：
首先，因为传统的TCO透明导电薄膜层本身存在透光性和寄生吸收等缺点，这样就降低了短路电流，而本发明中，在N型非晶硅层上并没有设置TCO透明导电薄膜层，而是利用沉积的氮化物薄膜层来代替传统的TCO透明导电薄膜层，由于氮化物薄膜层本身的透光性好，主要起减反射作用，可以起到减低对光的反射，让电池尽可能吸收光的目的，且有较低的寄生吸收，钝化性也较好，三种效果配合，共同实现了提高短路电流的效果。
另外，在异质结太阳电池中，采用TCO透明导电薄膜层本身的成本是相对较高的，而采用氮化物薄膜层来代替传统的TCO透明导电薄膜层，显然可以减少TCO透明导电薄膜的原料使用量，降低异质结太阳电池的制作成本，有利于异质结太阳电池的大规模商业化应用和推广。
最后，利用本发明的结构，可以减少或去除在常见异质结太阳电池中的本征非晶硅层，减小了前表面的本征非晶硅层的寄生吸收，使得电池的串联电阻降低提高了填充因子并提高了短路电流。
作为优选，所述氮化物薄膜层为SiNx、SiONx、SiCNx中一种或两者以上的叠层结构。
作为优选，所述氮化物薄膜层的厚度为75nm～85nm。
作为优选，所述氮化物薄膜层的折射率为1.9～2.2。
作为优选，所述氮化物薄膜层上设有槽口，所述上电极通过槽口与所述N 型非晶硅层接触。
作为优选，所述N型单晶硅片上表面为绒面，所述N型单晶硅片的下表面为平面。
另外，本发明还公开了制作上述任意一种方案中的硅基异质结太阳电池结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、选取N型单晶硅片，对N型单晶硅片的上表面处理成绒面，对下表面处理成平面；
S2、对N型单晶硅片进行退火处理，饱和上表面和下表面的悬挂键，起到钝化作用；
S3、在N型单晶硅片的下表面采用化学气相沉积方法制备一层P型非晶硅层，在N型单晶硅片的上表面利用化学气相沉积方法制备一层N型非晶硅层，；
S4、采用PECVD方式在N型非晶硅层的上表面上沉积一层或多层氮化物薄膜层；
S5、在所述氮化物薄膜层上，通过印刷及低温烧结形成上电极。
利用本制备方法，可以降低太阳电池结构的制备成本，同时也能提高太阳电池结构的短路电流。
作为优选，经S4步骤后，采用激光器在所述氮化物薄膜层上进行划线使所述氮化物薄膜层局部区域开槽，以使所述上电极和N型非晶硅层接触。
作为优选，所述激光器的激光划线数量为100-150，宽度为30-100um，深度为75nm～85nm。
作为优选，在S1步骤中，采用先对N型单晶硅片进行双面抛光，对经过了双面抛光的N型单晶硅片进行下表面掩膜，使用氮化硅或氧化硅作为掩膜材料，再进行上表面制绒，使上表面形成金字塔状；或者，在S1步骤中，采用先对N 型单晶硅片进行双面制绒，然后对N型单晶硅片的下表面进行抛光处理。
本发明的这些特点和优点将会在下面的具体实施方式、附图中详细的揭露。
【附图说明】
下面结合附图对本发明做进一步的说明：
图1为本发明异质结太阳电池结构的结构示意图；
图2为本发明异质结太阳电池结构的制备流程示意图。
【具体实施方式】
下面结合本发明实施例的附图对本发明实施例的技术方案进行解释和说明，但下述实施例仅为本发明的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例，都属于本发明的保护范围。
在下文描述中，出现诸如术语“内”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或者位置关系的，仅是为了方便描述实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
实施例一：
如图1所示，本实施例公开的为一种硅基异质结太阳电池结构，本实施例包括N型单晶硅片4、位于N型单晶硅片4上表面的N型非晶硅层3、位于N 型单晶硅片4下表面的P型非晶硅层5，所述N型非晶硅层3上方设有上电极1，所述P型非晶硅层5下方设有下电极7，所述上电极1和N型非晶硅层3之间设有一层或者多层氮化物薄膜层2，所述氮化物薄膜层2沉积在所述N型非晶硅层3的上表面。
首先，因为传统的TCO透明导电薄膜层本身存在透光性和寄生吸收等缺点，这样就降低了短路电流，而本发明中，在N型非晶硅层3上并未设置TCO透明导电薄膜层，而是利用沉积的氮化物薄膜层2来代替传统的TCO透明导电薄膜层，由于氮化物薄膜层2本身的透光性好，主要起减反射作用，可以起到减低对光的反射，让电池尽可能吸收光的目的，且有较低的寄生吸收，钝化性也较好，三种效果配合，共同实现了提高短路电流的效果。
另外，在异质结太阳电池中，采用TCO透明导电薄膜层本身的成本是相对较高的，而采用氮化物薄膜层2来代替传统的TCO透明导电薄膜层，显然可以减少TCO透明导电薄膜的原料使用量，降低异质结太阳电池的制作成本，有利于异质结太阳电池的大规模商业化应用和推广。
最后，利用本实施例的结构，可以减少或去除在常见异质结太阳电池中的本征非晶硅层，减小了前表面的本征非晶硅层的寄生吸收，使得异质结太阳电池的串联电阻降低提高了填充因子并提高了短路电流。
对于氮化物薄膜层2的具体材料选择，所述氮化物薄膜层2可以为SiNx、 SiONx、SiCNx三者中的一种，或者可以是SiNx、SiONx、SiCNx三者中至少两种以上的叠层结构。这三种材料的氮化物薄膜层2减反射效果好，可以明显减低对光的翻折，让电池尽可能吸收光。
另外，作为进一步的优选，本实施例中所述氮化物薄膜层2的厚度为75nm～ 85nm。氮化物薄膜层2的厚度过小或者过大均会对制造工艺提出更高的要求，而且氮化物薄膜层2厚度过大或者过小也会影响其透光性、减反射作用，而将氮化物薄膜层2的厚度选择在75nm～85nm之间，在保证制备成本的前提下，也保证其透光性、减反射作用。一般可选择为75nm、80nm、85nm等。另外，本实施例中所述氮化物薄膜层2的折射率为1.9～2.2，比如1.9、2.0、2.1、2.2。
由于所述氮化物薄膜层2虽然透光性好和较低的寄生吸收性，但是其本身导电性较差，为了解决该技术问题，本实施例的氮化物薄膜层2上设有槽口，所述上电极1通过槽口与所述N型非晶硅层3接触，如此上电极1就与N型非晶硅层3直接接触实现电流传输，不需要利用传统的TCO薄膜进行电流收集。
此外，本实施例中所述P型非晶硅层5和所述下电极7之间设有TCO透明导电薄膜层6。所述TCO透明导电薄膜层6的厚度优选为50nm～100nm，该TCO 透明导电薄膜层6由ITO、IWO、IMO、AZO中任意一种材料制成。
为了减少单晶硅片硅基底的缺陷密度，本实施例中所述N型单晶硅片4上表面为绒面，所述N型单晶硅片4的下表面为平面。如此设计，会有利于表面的钝化。
其他参数上，N型单晶硅片4的厚度约为100um～180um。N型非晶硅层3 的厚度为5nm～20nm。P型非晶硅层5的厚度为10nm～30nm。这些参数通常而言是本领域较为常见的参数设置。
上述为本实施例中硅基异质结太阳电池结构的结构方案，制备该硅基异质结太阳电池结构的步骤如下：
S1、选取N型单晶硅片4，对N型单晶硅片4的上表面处理成绒面，对下表面处理成平面；
S2、对N型单晶硅片4进行退火处理，饱和上表面和下表面的悬挂键，起到钝化作用；
S3、在N型单晶硅片4的下表面采用化学气相沉积方法制备一层P型非晶硅层5，在N型单晶硅片4的上表面利用化学气相沉积方法制备一层N型非晶硅层3；
S4、采用PECVD方式在N型非晶硅层3的上表面上沉积一层或多层氮化物薄膜层2；
S5、在所述氮化物薄膜层2上，通过印刷及低温烧结形成上电极1，同理下电极7是通过印刷及低温烧结形成。
具体而言，在S1步骤中，有两种处理方法：
第一种：采用先对N型单晶硅片4进行双面抛光，对经过了双面抛光的N 型单晶硅片4进行下表面掩膜，使用氮化硅或氧化硅作为掩膜材料，再进行上表面制绒，使上表面形成金字塔状。然后去除下表面的氮化硅或氧化硅的掩膜材料，形成正表面为绒面、背表面为平面的结构。
第二种：采用先对N型单晶硅片4进行双面制绒，然后对N型单晶硅片4 的下表面进行抛光处理。
在S2步骤中，退火是在氢气氛围下进行，本实施例中可以没有本征非晶硅层，没有本征非晶硅层可以减小本征非晶硅层造成的寄生吸收，提高短路电流。并减小串联电阻。但是如果仅仅只是简单的去掉本征非晶硅层而不做任何的补偿，那么电池的钝化效果会变差，效率可能会不理想。故本发明中通过氢化工艺，钝化表面悬挂键，通过S1步骤中将下表面抛光减少下表面的悬挂键来弥补由于缺少本征非晶硅层的缺失所带来的钝化效果的下降的问题。
S4中，优选的，氮化物薄膜层2的沉积温度≤250℃。
此外，如上文所述，氮化物薄膜层2上优选有槽口，对于该槽口，可以经 S4步骤后，采用低损伤的皮秒激光器在所述氮化物薄膜层2上进行划线使所述氮化物薄膜层2局部区域开槽以形成槽口，以方便所述上电极1和N型非晶硅层3接触。
对于开槽，所述激光器的激光划线数量为100-150，宽度为30um-100um，深度为75nm～85nm。划线数量具体可根据电极数量来定，而宽度也可以根据电极的规格来实际选择。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，熟悉该本领域的技术人员应该明白本发明包括但不限于附图和上面具体实施方式中描述的内容。任何不偏离本发明的功能和结构原理的修改都将包括在权利要求书的范围中。

Claims (10)

1.一种硅基异质结太阳电池结构，包括N型单晶硅片、位于N型单晶硅片上表面的N型非晶硅层、位于N型单晶硅片下表面的P型非晶硅层，所述N型非晶硅层上方设有上电极，所述P型非晶硅层下方设有下电极，其特征在于，所述上电极和N型非晶硅层之间设有一层或者多层氮化物薄膜层，所述氮化物薄膜层沉积在所述N型非晶硅层的上表面，所述P型非晶硅层和所述下电极之间设有TCO透明导电薄膜层。
2.如权利要求1所述的一种硅基异质结太阳电池结构，其特征在于，所述氮化物薄膜层为SiNx、SiONx、SiCNx中一种或两者以上的叠层结构。
3.如权利要求1所述的一种硅基异质结太阳电池结构，其特征在于，所述氮化物薄膜层的厚度为75nm～85nm。
4.如权利要求1所述的一种硅基异质结太阳电池结构，其特征在于，所述氮化物薄膜层的折射率为1.9～2.2。
5.如权利要求1所述的一种硅基异质结太阳电池结构，其特征在于，所述氮化物薄膜层上设有槽口，所述上电极通过槽口与所述N型非晶硅层接触。
6.如权利要求1所述的一种硅基异质结太阳电池结构，其特征在于，所述N型单晶硅片上表面为绒面，所述N型单晶硅片的下表面为平面。
7.一种如权利要求1至6之一所述的硅基异质结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选取N型单晶硅片，对N型单晶硅片的上表面处理成绒面，对下表面处理成平面；
S2、对N型单晶硅片进行退火处理，饱和上表面和下表面的悬挂键，起到钝化作用；
S3、在N型单晶硅片的下表面采用化学气相沉积方法制备一层P型非晶硅层，在N型单晶硅片的上表面利用化学气相沉积方法制备一层N型非晶硅层；
S4、采用PECVD方式在N型非晶硅层的上表面上沉积一层或多层氮化物薄膜层；
S5、在所述氮化物薄膜层上，通过印刷及低温烧结形成上电极。
8.如权利要求7所述的一种硅基异质结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，经S4步骤后，采用激光器在所述氮化物薄膜层上进行划线使所述氮化物薄膜层局部区域开槽，以使所述上电极和N型非晶硅层接触。
9.如权利要求8所述的一种硅基异质结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，所述激光器的激光划线数量为100-150，宽度为30-100um，深度为75nm～85nm。
10.如权利要求7所述的一种硅基异质结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，采用先对N型单晶硅片进行双面抛光，对经过了双面抛光的N型单晶硅片进行下表面掩膜，使用氮化硅或氧化硅作为掩膜材料，再进行上表面制绒，使上表面形成金字塔状；或者，在S1步骤中，采用先对N型单晶硅片进行双面制绒，然后对N型单晶硅片的下表面进行抛光处理。
CN202011501391.7A 2020-12-17 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 Active CN114649422B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011501391.7A CN114649422B (zh) 2020-12-17 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011501391.7A CN114649422B (zh) 2020-12-17 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114649422A true CN114649422A (zh) 2022-06-21
CN114649422B CN114649422B (zh) 2024-05-10

Family

ID=

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091131A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Kaneka Corp 結晶シリコン系太陽電池の製造方法
WO2013069324A1 (ja) * 2011-11-10 2013-05-16 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
JP2013161822A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
JP2014175441A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Kaneka Corp 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
US20140308773A1 (en) * 2013-04-11 2014-10-16 Chint Solar (Zhejiang) Co., Ltd. Method of fabricating heterojunction battery
CN104157717A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种全背电极n型晶硅异质结太阳电池的制备方法
CN104167471A (zh) * 2014-08-26 2014-11-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种全背电极p型晶硅异质结太阳电池的制备方法
WO2015166780A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法
WO2017078164A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
CN207233747U (zh) * 2017-05-31 2018-04-13 国家电投集团科学技术研究院有限公司 硅异质结太阳电池
TW201822371A (zh) * 2016-12-07 2018-06-16 財團法人金屬工業研究發展中心 異質接面太陽能電池及其製造方法
JP2018110228A (ja) * 2016-12-30 2018-07-12 國立台湾師範大学 ヘテロ接合型太陽電池の製造方法
JP2019033201A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池
CN109473492A (zh) * 2018-12-20 2019-03-15 江苏日托光伏科技股份有限公司 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池及其制备方法
EP3503210A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-26 Beijing Juntai Innovation Technology Co., Ltd Heterojunction solar cell and fabrication method thereof
CN110212060A (zh) * 2019-05-21 2019-09-06 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站
CN110993700A (zh) * 2019-10-16 2020-04-10 晋能清洁能源科技股份公司 一种异质结太阳电池及其制备工艺
CN111416013A (zh) * 2020-05-02 2020-07-14 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
CN111416012A (zh) * 2020-05-02 2020-07-14 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法
CN111509058A (zh) * 2020-05-02 2020-08-07 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池
CN211629120U (zh) * 2020-04-09 2020-10-02 中建材浚鑫科技有限公司 一种硅基异质结太阳电池结构

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091131A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Kaneka Corp 結晶シリコン系太陽電池の製造方法
WO2013069324A1 (ja) * 2011-11-10 2013-05-16 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
JP2013161822A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
JP2014175441A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Kaneka Corp 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
US20140308773A1 (en) * 2013-04-11 2014-10-16 Chint Solar (Zhejiang) Co., Ltd. Method of fabricating heterojunction battery
WO2015166780A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法
CN104157717A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种全背电极n型晶硅异质结太阳电池的制备方法
CN104167471A (zh) * 2014-08-26 2014-11-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种全背电极p型晶硅异质结太阳电池的制备方法
WO2017078164A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
TW201822371A (zh) * 2016-12-07 2018-06-16 財團法人金屬工業研究發展中心 異質接面太陽能電池及其製造方法
JP2018110228A (ja) * 2016-12-30 2018-07-12 國立台湾師範大学 ヘテロ接合型太陽電池の製造方法
CN207233747U (zh) * 2017-05-31 2018-04-13 国家电投集团科学技术研究院有限公司 硅异质结太阳电池
JP2019033201A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池
EP3503210A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-26 Beijing Juntai Innovation Technology Co., Ltd Heterojunction solar cell and fabrication method thereof
CN109473492A (zh) * 2018-12-20 2019-03-15 江苏日托光伏科技股份有限公司 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池及其制备方法
CN110212060A (zh) * 2019-05-21 2019-09-06 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站
CN110993700A (zh) * 2019-10-16 2020-04-10 晋能清洁能源科技股份公司 一种异质结太阳电池及其制备工艺
CN211629120U (zh) * 2020-04-09 2020-10-02 中建材浚鑫科技有限公司 一种硅基异质结太阳电池结构
CN111416013A (zh) * 2020-05-02 2020-07-14 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
CN111416012A (zh) * 2020-05-02 2020-07-14 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法
CN111509058A (zh) * 2020-05-02 2020-08-07 熵熠(上海)能源科技有限公司 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104733557B (zh) Hit太阳能电池及提高hit电池的短路电流密度的方法
CN210926046U (zh) 太阳能电池
CN102623517A (zh) 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN104600157A (zh) 一种异质结太阳能电池的制造方法及异质结太阳能电池
CN112820793A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN214043679U (zh) 太阳能电池
CN217280794U (zh) 一种光伏电池
CN102222703A (zh) 带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法
CN111129179A (zh) 一种异质结电池及其制备方法
CN113224182A (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN112838132A (zh) 一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法
CN114613866A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN110600577A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN215220744U (zh) 一种高光电转换效率的hjt电池
CN111403538A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN114649422B (zh) 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
CN114649422A (zh) 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
CN212874518U (zh) 太阳能电池
CN113066874A (zh) 异质结太阳能电池及其制备方法
CN112768549A (zh) 一种高光电转换效率的hjt电池及其制备方法
CN102709340A (zh) 一种基于n型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池
CN114361281A (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
CN202134565U (zh) 一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池
CN115312624B (zh) 一种背接触太阳能电池的制备方法
CN111755563A (zh) 一种p型单晶硅硼背场双面电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant