CN111416013A - 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池 - Google Patents

一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池 Download PDF

Info

Publication number
CN111416013A
CN111416013A CN202010369102.6A CN202010369102A CN111416013A CN 111416013 A CN111416013 A CN 111416013A CN 202010369102 A CN202010369102 A CN 202010369102A CN 111416013 A CN111416013 A CN 111416013A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amorphous silicon
hydrogenated amorphous
film layer
solar cell
heterojunction solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010369102.6A
Other languages
English (en)
Inventor
杨杰
李正平
刘超
任栋樑
徐小娜
周国平
陈昌明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Entropy Shanghai Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Entropy Shanghai Energy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Entropy Shanghai Energy Technology Co ltd filed Critical Entropy Shanghai Energy Technology Co ltd
Priority to CN202010369102.6A priority Critical patent/CN111416013A/zh
Publication of CN111416013A publication Critical patent/CN111416013A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池,其特征在于,包括n型单晶硅片,n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极;所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层,对晶硅表面具有优良的钝化效果,从而减少界面载流子复合,提高异质结电池转换效率。

Description

一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
技术领域
本发明涉及一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池,属于硅太阳电池技术领域。
背景技术
n型晶硅太阳电池技术近年来受到越来越多地关注,主要有钝化发射极背表面全扩散电池(n-PERT)、隧道氧化物钝化接触电池(TOPCon)和异质结电池(HJT)。这其中日本三洋公司开发的带本征薄层的异质结太阳电池,是在n型单晶硅衬底和掺杂的非晶硅薄膜发射极之间插入一层本征氢化非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)来钝化异质结的界面,从而提高了电池的效率,并且已经实现了产业化。异质结电池具有结构对称可制成双面电池、工艺简单、转换效率高等特点,因此异质结太阳电池是很有潜力取代现有晶硅太阳电池结构,成为太阳电池器件主流产品的技术之一。
异质结电池对其性能影响非常重要的是其钝化层的性能。虽然本征非晶硅薄膜层能较好地钝化界面,但是研究也发现本征非晶硅薄膜层存在光吸收、制备工艺条件严苛等缺点,因此技术人员一直在寻找更合适的材料作为钝化层应用于异质结电池。
氧化硅(SiO2)具有非常优异的表面钝化性能,可有效降低界面态密度,但是氧化硅的禁带宽带比非晶硅更宽,因此氧化硅用作钝化层时必须很薄(约1~2nm),才能使得电子和空穴通过隧穿的方式输运而不受影响。而如此薄的氧化硅制备困难、并且不能很好地钝化界面,还需与其他钝化材料叠加使用。氮化硅是晶硅电池常用的减反射层和钝化层。结合氧化硅、氮化硅和本征非晶硅的优势,通过调控成份,可获得氢化非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy:H),改变非化学计量比x和y,可以调控氢化非晶氮氧化硅薄膜的光学带隙等性能,能够实现拥有优异钝化性能、薄膜厚度较厚(有利于工艺制备)、电子和空穴输运无需通过隧穿的氢化非晶氮氧化硅薄膜。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池,减少钝化层产生的光吸收、实现对晶硅表面优良的钝化效果,减少界面载流子复合,从而提高异质结电池转换效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:现有异质结太阳电池中本征非晶硅薄膜层的光吸收问题和钝化效果优化问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池,其特征在于,包括n型单晶硅片,n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极;所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。
优选地,所述n型单晶硅片采用晶相为(100)的n型Cz单晶硅,其厚度为100~180μm,电阻率为0.5~3.0Ω·cm。
优选地,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜层以硅烷作为硅源,一氧化二氮为氮源和氧源,通过等离子增强化学气相沉积方法制备。
更优选地,所述氢化非晶氮氧化硅薄膜层的制备方法为:n型单晶硅片预处理后,放入等离子增强化学气相沉积设备(PECVD),然后抽真空至真空度达到5×10-4Pa,以H2和SiH4为反应气体,一氧化二氮为氮源和氧源,在n型单晶硅片的温度150~300℃、沉积气压10~300Pa条件下,在n型单晶硅片的正表面、背表面分别生长一层氢化非晶氮氧化硅薄膜。
进一步地,所述一氧化二氮的体积占一氧化二氮与SiH4体积之和的百分比在0~50%之间变化。
优选地,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜是非化学计量的,其化学式表示为a-SiOxNy:H,非化学计量比x的变化范围是0~0.5,非化学计量比y的变化范围是0~0.5。
更优选地,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜,通过改变非化学计量比x和y,其光学带隙可在1.6~3.0eV的范围内调节。
优选地,所述氢化非晶氮氧化硅薄膜的厚度为2~10nm。
优选地,所述的p型氢化非晶硅薄膜层为硼掺杂的非晶硅薄膜层;所述的n型氢化非晶硅薄膜层为磷掺杂的非晶硅薄膜层。
优选地,所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜;所述的金属栅线电极为Ag电极。
与现有技术相比,本发明具有以下技术效果:
1、和一般的氢化非晶硅薄膜为本征钝化层的异质结电池相比,氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结电池本征钝化层能够减少蓝光区域的光吸收,使入射到硅片的光增加,从而光生载流子增多,增加电池的短路电流,提高光电转换效率;
2、和氧化硅作钝化层相比,氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结电池本征钝化层能够通过调节其非化学计量比,进而调控其光学带隙,因此能够在较厚的氢化非晶氮氧化硅薄膜厚度范围(2~10nm)实现电子和空穴的直接输运,无需通过隧穿的方式,从而可以增加本征钝化层的厚度,拓宽工艺窗口,使工艺更易于实现。
附图说明
图1为本发明提供的以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
如图1所示,为本发明提供的一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池的结构示意图,其包括n型单晶硅片1,n型单晶硅片1的正表面依次形成第一氢化非晶氮氧化硅薄膜层2、p型氢化非晶硅薄膜层4、第一透明导电氧化物薄膜层6和正面金属栅线电极8;在n型单晶硅片1的背表面依次形成第二氢化非晶氮氧化硅薄膜层3、n型氢化非晶硅薄膜层5、第二透明导电氧化物薄膜层7和背面金属栅线电极9。
实施例
一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池的制备方法:
步骤1:准备工业级晶向为(100)、电阻率在0.5~3Ω·cm,厚度为100~180μm的n型Cz单晶硅片作为n型晶硅衬底,用氢氧化钠溶液去除所述n型晶硅衬底表面因线切割形成的损伤层;
步骤2:用碱溶液对步骤1得到的n型晶硅衬底制绒,然后进行标准RCA清洗,得到预处理后的硅片;
步骤3:将步骤2所得的硅片放入PECVD的真空腔室,在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后,在硅片衬底温度150~300℃条件下,以H2和SiH4为反应气体,N2O作为氮源和氧源,N2O的体积百分比XN=(N2O)/(N2O+SiH4)在0~50%之间变化,沉积气压为10~300Pa,利用PECVD在硅片正面和背面各生长一层氢化非晶氮氧化硅薄膜层,厚度为2~10nm;
步骤4:将步骤3所得的硅片放入PECVD的真空腔室,在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后,在硅片衬底温度100~300℃条件下,以H2、SiH4、B2H6为反应气体,沉积气压为10~300Pa,在正面的非晶氮氧化硅薄膜上,用PECVD方法再生长一层硼掺杂的p型非晶硅薄膜,厚度为2~20nm;以H2、SiH4、PH3为反应气体,其它工艺条件相同的情况下,在背面的非晶氮氧化硅薄膜上沉积一层磷掺杂的n型非晶硅薄膜,厚度为2~20nm;
步骤5:将步骤4所得的硅片放入磁控溅射设备的真空腔室,用磁控溅射的方法在正面p型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺钨氧化铟薄膜,该层膜的厚度为80nm,透过率为90%,方块电阻为50~100Ω;用磁控溅射的方法在背面n型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺锡氧化铟薄膜,该层膜的厚度为80nm,透过率为90%,方块电阻为50~100Ω;
步骤6:将步骤5所得的硅片,用丝网印刷的方法在正、背面的透明导电氧化物薄膜层上再分别印刷一层低温导电银浆,然后在150~300℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触;Ag栅线的厚度为5~10μm,栅线宽度为20~60μm,间距为1~3mm。
经过上述步骤得到的以氢化非晶氮氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池,光电转换效率达24%以上,高出现有太阳电池的光电转换效率1.5-2.0%。

Claims (10)

1.一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池,其特征在于,包括n型单晶硅片(1),n型单晶硅片(1)的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(4)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极;所述n型单晶硅片(1)的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(5)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。
2.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述n型单晶硅片(1)采用晶向为(100)的n型Cz单晶硅,其厚度为100~180μm,电阻率为0.5~3.0Ω·cm。
3.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜层以硅烷作为硅源,一氧化二氮为氮源和氧源,通过等离子增强化学气相沉积方法制备。
4.如权利要求3所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述氢化非晶氮氧化硅薄膜层的制备方法为:n型单晶硅片(1)预处理后,放入等离子增强化学气相沉积设备,然后抽真空至真空度达到5×10-4Pa,以H2和SiH4为反应气体,一氧化二氮为氮源和氧源,在n型单晶硅片(1)的温度150~300℃、沉积气压10~300Pa条件下,在n型单晶硅片(1)的正表面、背表面分别生长一层氢化非晶氮氧化硅薄膜。
5.如权利要求4所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述一氧化二氮的体积占一氧化二氮与SiH4体积之和的百分比在0~50%之间变化。
6.如权利要求1或4所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜是非化学计量的,其化学式表示为a-SiOxNy:H,非化学计量比x的变化范围是0~0.5,非化学计量比y的变化范围是0~0.5。
7.如权利要求6所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜,通过改变非化学计量比x和y,其光学带隙可在1.6~3.0eV的范围内调节。
8.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述氢化非晶氮氧化硅薄膜的厚度为2~10nm。
9.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述的p型氢化非晶硅薄膜层(4)为硼掺杂的非晶硅薄膜层;所述的n型氢化非晶硅薄膜层(5)为磷掺杂的非晶硅薄膜层。
10.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜;所述的金属栅线电极为Ag电极。
CN202010369102.6A 2020-05-02 2020-05-02 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池 Pending CN111416013A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010369102.6A CN111416013A (zh) 2020-05-02 2020-05-02 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010369102.6A CN111416013A (zh) 2020-05-02 2020-05-02 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111416013A true CN111416013A (zh) 2020-07-14

Family

ID=71493889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010369102.6A Pending CN111416013A (zh) 2020-05-02 2020-05-02 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111416013A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188429A (zh) * 2021-10-18 2022-03-15 晋能光伏技术有限责任公司 一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法
CN114530507A (zh) * 2020-11-02 2022-05-24 财团法人金属工业研究发展中心 具有钝化层的太阳能电池
CN114649422A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
CN117577697A (zh) * 2024-01-16 2024-02-20 金阳(泉州)新能源科技有限公司 具有特定正面钝化结构的背接触电池及其制备方法和应用
WO2024131179A1 (zh) * 2022-12-19 2024-06-27 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4365264A (en) * 1978-07-31 1982-12-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device with high density low temperature deposited Siw Nx Hy Oz passivating layer
JPS63224267A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 Ricoh Co Ltd アモルフアスシリコン光センサ−
CN202549860U (zh) * 2012-02-23 2012-11-21 上海中智光纤通讯有限公司 一种异质结太阳电池
CN104617167A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 国际商业机器公司 形成光伏器件的方法以及光伏器件
CN105745768A (zh) * 2013-11-19 2016-07-06 能源技术研究所 晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4365264A (en) * 1978-07-31 1982-12-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device with high density low temperature deposited Siw Nx Hy Oz passivating layer
JPS63224267A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 Ricoh Co Ltd アモルフアスシリコン光センサ−
CN202549860U (zh) * 2012-02-23 2012-11-21 上海中智光纤通讯有限公司 一种异质结太阳电池
CN104617167A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 国际商业机器公司 形成光伏器件的方法以及光伏器件
CN105745768A (zh) * 2013-11-19 2016-07-06 能源技术研究所 晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114530507A (zh) * 2020-11-02 2022-05-24 财团法人金属工业研究发展中心 具有钝化层的太阳能电池
CN114649422A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
CN114649422B (zh) * 2020-12-17 2024-05-10 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法
CN114188429A (zh) * 2021-10-18 2022-03-15 晋能光伏技术有限责任公司 一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法
CN114188429B (zh) * 2021-10-18 2023-11-24 晋能光伏技术有限责任公司 一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法
WO2024131179A1 (zh) * 2022-12-19 2024-06-27 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统
CN117577697A (zh) * 2024-01-16 2024-02-20 金阳(泉州)新能源科技有限公司 具有特定正面钝化结构的背接触电池及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2021404856B2 (en) High-efficiency silicon heterojunction solar cell and manufacturing method thereof
US7910916B2 (en) Multi-junction type solar cell device
CN111509058A (zh) 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池
CN111416013A (zh) 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
WO2022012180A1 (zh) 一种基于lpcvd的高效掺杂非晶硅技术的交叉指式背接触异质结太阳电池
JP2846651B2 (ja) 光起電力装置
CN112736151B (zh) 基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池
CN110634961A (zh) 一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法
WO2022170872A1 (zh) 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法
US20240079511A1 (en) Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof
JP3702240B2 (ja) 半導体素子及びその製造方法
JP2004260014A (ja) 多層型薄膜光電変換装置
CN111416014A (zh) 一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法
CN215220730U (zh) 一种高效硅异质结太阳能电池
CN111416012A (zh) 一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法
CN114361281A (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
US4407710A (en) Hybrid method of making an amorphous silicon P-I-N semiconductor device
EP3349257B1 (en) Method of manufacturing solar cell
CN215220744U (zh) 一种高光电转换效率的hjt电池
CN111403538A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN212783486U (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
US20240014340A1 (en) Double-sided solar cell and preparation method therefor
CN114284374B (zh) 钛酸锌在晶硅太阳电池中的应用
US20240237368A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
CN107068779B (zh) 一种太阳电池结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200714

RJ01 Rejection of invention patent application after publication