CN111509058A - 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池 - Google Patents
一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，属于硅太阳电池技术领域。
背景技术
近年来光伏产业界越来越多地关注n型晶硅太阳电池技术，这是因为n型硅具有体寿命长、对金属杂质的容忍度高、没有p型硅材料中由于硼氧复合体所造成的光致衰减效应等优势。在n型硅太阳电池技术中，日本三洋公司开发的带本征薄层的异质结太阳电池，是在n型单晶硅衬底和掺杂的非晶硅发射极之间插入一层本征氢化非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)来钝化异质结的界面，从而提高了电池的效率。虽然本征非晶硅薄膜层能较好地钝化界面，但是研究也发现本征非晶硅薄膜层存在光吸收、制备工艺条件严苛等缺点，因此研究开发人员一直在寻找更合适的材料作为钝化层应用于异质结电池。
氧化硅(SiO2)具有非常优异的表面钝化性能，可有效降低界面态密度，但是氧化硅的禁带宽带比非晶硅更宽，因此氧化硅用作钝化层时必须很薄(约1～2nm)，才能使得电子和空穴通过隧穿的方式输运而不受影响。而如此薄的氧化硅并不能很好地钝化界面，还需与其他钝化材料叠加使用。结合氧化硅和本征非晶硅的优势，通过调控成份，可制备氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H)，改变非化学计量比值x，能够获得拥有优异钝化性能、薄膜厚度适宜(有利于工艺制备)、电子和空穴输运无需通过隧穿的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，减少钝化层产生的光吸收、实现对晶硅表面优良的钝化效果，减少界面载流子复合，从而提高异质结电池转换效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：现有异质结太阳电池中本征非晶硅薄膜层的光吸收问题和钝化效果优化的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。
优选地，所述n型单晶硅片采用晶相为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。
优选地，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层是通过等离子增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积制备在n单晶硅片的正表面/背表面，其厚度为2～10nm。
优选地，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜的化学式表示为a-SiOx:H，非化学计量比x的变化范围是0～0.5。
更优选地，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜通过改变非化学计量比x，其光学带隙可在1.6～3.0eV的范围内调节。
优选地，所述的p型氢化非晶硅薄膜层为硼掺杂的非晶硅薄膜层；所述的n型氢化非晶硅薄膜层为磷掺杂的非晶硅薄膜层。
优选地，所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜。
优选地，所述的金属栅线电极为Ag电极。
优选地，所述非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层的制备方法为：n型单晶硅片预处理后放入等离子增强化学气相沉积设备(PECVD)或热丝化学气相沉积设备(HWCVD)中抽真空，真空度达到5×10-4Pa后，以H2和SiH4为反应气体、CO2为氧源，在n型单晶硅片衬底温度150～300℃、沉积气压为0.2～300Pa条件下，在n型单晶硅片的正表面、背表面各生长一层非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层。
更优选地，所述CO2的体积占其与SiH4的体积之和的百分比在0～50％之间变化。
与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：
1、和一般的氢化非晶硅为本征钝化层的异质结电池相比，非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结电池本征钝化层能够减少蓝光区域的光吸收，使入射到硅片的光增加，从而光生载流子增多，增加电池的短路电流，提高光电转换效率；
2、和氧化硅作钝化层相比，非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结电池本征钝化层能够通过调节其非化学计量比，进而调控其光学带隙，因此能够在较厚的氢化非晶氧化硅薄膜厚度范围(2～10nm)实行电子和空穴的直接输运，无需通过隧穿的方式，从而可以增加本征钝化层的厚度，拓宽工艺窗口，使工艺更易于实现。
附图说明
图1为本发明提供的以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
如图1所示，为本发明提供的一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池的结构示意图，其包括n型单晶硅片1，n型单晶硅片1的正表面依次形成第一非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层2、p型氢化非晶硅薄膜层3、第一透明导电氧化物薄膜层4和正面金属栅线电极5；在n型单晶硅片1的背表面依次形成第二非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层6、n型氢化非晶硅薄膜层7、第二透明导电氧化物薄膜层8和背面金属栅线电极9。
实施例1
一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池的制备方法：
步骤1：准备工业级晶向为(100)、电阻率在0.5～3Ω·cm，厚度为100～180μm的n型Cz单晶硅片作为n型晶硅衬底，用氢氧化钠溶液去除所述n型晶硅衬底表面因线切割形成的损伤层；
步骤2：用碱溶液对步骤1得到的n型晶硅衬底制绒，然后进行标准RCA清洗，得到预处理后的硅片；
步骤3：将步骤2所得的硅片放入PECVD的真空腔室，在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度150～300℃条件下，以H2和SiH4为反应气体，CO2作为氧源，CO2的体积百分比Xo＝(CO2)/(CO2+SiH4)在0～50％之间变化，沉积气压为10～300Pa，利用PECVD在硅片正面和背面各生长一层本征非晶氧化硅薄膜层，厚度为2～10nm；
步骤4：将步骤3所得的硅片放入PECVD的真空腔室，在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度100～300℃条件下，以H2、SiH4、B2H6为反应气体，沉积气压为10～300Pa，在正面的非晶氧化硅薄膜上，用PECVD方法再生长一层硼掺杂的p型非晶硅薄膜，厚度为2～20nm；以H2、SiH4、PH3为反应气体，其它工艺条件相同的情况下，在背面的非晶氧化硅薄膜上沉积一层磷掺杂的n型非晶硅薄膜，厚度为2～20nm；
步骤5：将步骤4所得的硅片放入磁控溅射设备的真空腔室，用磁控溅射的方法在正面p型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺钨氧化铟薄膜，该层膜的厚度为80nm，透过率为90％，方块电阻为50～100Ω；用磁控溅射的方法在背面n型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺锡氧化铟薄膜，该层膜的厚度为80nm，透过率为90％，方块电阻为50～100Ω；
步骤6：将步骤5所得的硅片，用丝网印刷的方法在正、背面的透明导电氧化物薄膜层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150～300℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为5～10μm，栅线宽度为20～60μm，间距为1～3mm。
经过上述步骤得到的以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，光电转换效率达24％以上，高出现有太阳电池的光电转换效率1.5～2.0％。
实施例2
一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池的制备方法：
步骤1：准备工业级晶向为(100)、电阻率在0.5～3Ω·cm，厚度为100～180μm的n型Cz单晶硅片作为n型晶硅衬底，用氢氧化钠溶液去除所述n型晶硅衬底表面因线切割形成的损伤层；
步骤2：用碱溶液对步骤1得到的n型晶硅衬底制绒，然后进行标准RCA清洗，得到预处理后的硅片；
步骤3：将步骤2所得的硅片放入HWCVD的真空腔室，在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，以H2和SiH4为反应气体，CO2作为氧源，CO2的体积百分比Xo＝(CO2)/(CO2+SiH4)在0～50％之间变化，沉积气压为0.2～20Pa，热丝温度控制在1800℃～2200℃，硅片衬底与热丝的距离控制在3～10cm，在硅片衬底温度150～300℃条件下，利用HWCVD在硅片正面和背面各生长一层本征非晶氧化硅薄膜层，厚度为2～10nm；
步骤4：将步骤3所得的硅片放入HWCVD的真空腔室，在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度100～300℃条件下，以H2、SiH4、B2H6为反应气体，沉积气压为0.2～20Pa，在正面的非晶氧化硅薄膜上，用HWCVD方法再生长一层硼掺杂的p型非晶硅薄膜，厚度为2～20nm；以H2、SiH4、PH3为反应气体，其它工艺条件相同的情况下，在背面的非晶氧化硅薄膜上沉积一层磷掺杂的n型非晶硅薄膜，厚度为2～20nm；
步骤5：将步骤4所得的硅片放入磁控溅射设备的真空腔室，用磁控溅射的方法在正面p型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺钨氧化铟薄膜，该层膜的厚度为80nm，透过率为90％，方块电阻为50～100Ω；用磁控溅射的方法在背面n型非晶硅薄膜层上沉积一层透明导电的掺锡氧化铟薄膜，该层膜的厚度为80nm，透过率为90％，方块电阻为50～100Ω；
步骤6：将步骤5所得的硅片，用丝网印刷的方法在正、背面的透明导电氧化物薄膜层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150～300℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为5～10μm，栅线宽度为20～60μm，间距为1～3mm。
经过上述步骤得到的以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，光电转换效率达24％以上，高出现有太阳电池的光电转换效率1.5～2.0％。
Claims (10)
1.一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片(1)的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片(1)的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(7)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。
2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述n型单晶硅片(1)采用晶相为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。
3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层是通过等离子增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积制备在n单晶硅片(1)的正表面/背表面，其厚度为2～10nm。
4.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜的化学式表示为a-SiOx:H，非化学计量比x的变化范围是0～0.5。
5.如权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜通过改变非化学计量比x，其光学带隙可在1.6～3.0eV的范围内调节。
6.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的p型氢化非晶硅薄膜层(3)为硼掺杂的非晶硅薄膜层；所述的n型氢化非晶硅薄膜层(7)为磷掺杂的非晶硅薄膜层。
7.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜。
8.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的金属栅线电极为Ag电极。
9.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层的制备方法为：n型单晶硅片(1)预处理后放入等离子增强化学气相沉积设备或热丝化学气相沉积设备中抽真空，真空度达到5×10-4Pa后，以H2和SiH4为反应气体、CO2为氧源，在n型单晶硅片(1)衬底温度150～300℃、沉积气压为0.2～300Pa条件下，在n型单晶硅片(1)的正表面、背表面各生长一层非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层。
10.如权利要求9所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述CO2的体积占其与SiH4的体积之和的百分比在0～50％之间变化。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555472A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件 |
| CN113937192A (zh) * | 2021-07-30 | 2022-01-14 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法 |
| CN114122154A (zh) * | 2021-10-11 | 2022-03-01 | 中国科学院电工研究所 | 一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法 |
| CN114649422A (zh) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 |
| CN114864729A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-08-05 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 硅基异质结太阳电池及其制备方法 |
| WO2022170872A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法 |
| CN115172505A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-10-11 | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 | 一种hjt太阳能电池及其制造设备与制造方法 |
| CN115233184A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-10-25 | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 | 一种氢化非晶氧化硅膜、其制备方法和用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202549860U (zh) * | 2012-02-23 | 2012-11-21 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种异质结太阳电池 |
-
2020
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202549860U (zh) * | 2012-02-23 | 2012-11-21 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种异质结太阳电池 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114864729A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-08-05 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 硅基异质结太阳电池及其制备方法 |
| CN114864729B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-08-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 硅基异质结太阳电池及其制备方法 |
| CN114649422B (zh) * | 2020-12-17 | 2024-05-10 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 |
| CN114649422A (zh) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法 |
| WO2022170872A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法 |
| US11973151B2 (en) | 2021-02-09 | 2024-04-30 | Tongwei Solar (Chengdu) Co., Ltd. | HJT cell having high photoelectric conversion efficiency and preparation method therefor |
| CN113555472A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件 |
| CN113555472B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-12-29 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件 |
| CN113937192A (zh) * | 2021-07-30 | 2022-01-14 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法 |
| CN114122154B (zh) * | 2021-10-11 | 2023-12-19 | 中国科学院电工研究所 | 一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法 |
| CN114122154A (zh) * | 2021-10-11 | 2022-03-01 | 中国科学院电工研究所 | 一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法 |
| CN115233184A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-10-25 | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 | 一种氢化非晶氧化硅膜、其制备方法和用途 |
| CN115172505A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-10-11 | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 | 一种hjt太阳能电池及其制造设备与制造方法 |
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