CN215220744U - 一种高光电转换效率的hjt电池 - Google Patents

一种高光电转换效率的hjt电池 Download PDF

Info

Publication number
CN215220744U
CN215220744U CN202120367433.6U CN202120367433U CN215220744U CN 215220744 U CN215220744 U CN 215220744U CN 202120367433 U CN202120367433 U CN 202120367433U CN 215220744 U CN215220744 U CN 215220744U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
amorphous silicon
doped
type
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202120367433.6U
Other languages
English (en)
Inventor
王锦乐
肖俊峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Tongwei Solar Chengdu Co Ltd
Tongwei Solar Anhui Co Ltd
Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Tongwei Solar Jintang Co Ltd
Original Assignee
Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Tongwei Solar Chengdu Co Ltd
Tongwei Solar Anhui Co Ltd
Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Tongwei Solar Jintang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongwei Solar Meishan Co Ltd, Tongwei Solar Chengdu Co Ltd, Tongwei Solar Anhui Co Ltd, Tongwei Solar Hefei Co Ltd, Tongwei Solar Jintang Co Ltd filed Critical Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Priority to CN202120367433.6U priority Critical patent/CN215220744U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN215220744U publication Critical patent/CN215220744U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种高光电转换效率的HJT电池，属于太阳能电池技术领域。本实用新型的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置第二本征非晶硅层、第二SiO2层、第二C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层和第二电极；所述N型晶体硅片的背面依次设置第一本征非晶硅层、第一SiO2层、第一C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层和第一电极，非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本实用新型制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

Description

一种高光电转换效率的HJT电池
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种高光电转换效率的HJT电池。
背景技术
目前市场主流电池产品为P型的单晶PERC电池，P型PERC电池的效率已经到了上限。但随着市场的需求，行业的技术不断发展，N型晶硅太阳电池技术近年来受到越来越多的关注，主要有钝化发射极背表面全扩散电池(n-PERT)、隧道氧化物钝化接触电池(TOPCon)和异质结电池(HJT)，N型晶硅太阳能电池使晶硅太阳能电池的转换效率得到进一步的突破提升。
HJT电池以价格低廉的非晶硅作为发射层，其发射层是掺杂非晶硅材料，在对单晶硅进行沉积制备时，只需要200℃左右即可满足制备温度要求，而低温工艺也保证了单晶硅衬底的界面损伤更低，且本征层的存在使界面钝化性能更好。异质结太阳能电池由于异质结构的大禁带宽度而保持高效率的核心优势，但目前仍存在一些技术难点问题需要克服，如非晶硅层的钝化特性，载流子在结构层的传输特性，这些都会影响HJT异质结电池的光电转化效率。因此，如何研究提高光的高转化率的异质结电池的制备方法，是目前本领域技术人员面临的亟需解决的问题。
现有HJT电池的结构是在N型单晶硅双面做一层非晶硅本征层和掺杂层。非晶硅本征层主要是钝化晶体硅表面缺陷，减少表面缺陷态，从而降低载流子复合。非晶硅掺杂层主要是与晶硅形成PIN结和场效应钝化层。但是现有技术采用B2H6气体掺杂完成非晶硅掺杂层p 型层，通过B2H6气体掺杂形成的非晶硅掺杂层p型层热稳定性差，B原子容易扩散进入非晶硅本征层，影响本征层的钝化效果，导致太阳能电池的开路电压低，进而导致太阳能电池的转换效率低；另外通过B2H6气体掺杂形成的非晶硅掺杂层p型层的禁带宽度低，会吸收更多的太阳光，长波段的光学损失增加，导致太阳能电池的短路电流低，导致太阳能电池的整体转换效率偏低。
经检索，中国专利号ZL 201811472120.6，专利名称为：晶硅异质结太阳能电池的发射极结构及其制备方法；该申请案包括N型晶体硅片，在N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层，非晶硅本征层的外侧均设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag 电极，所述N型晶体硅片的其中一面的非晶硅本征层和TCO导电膜之间设有非晶硅掺杂层N 层，另一面的非晶硅本征层和TCO导电膜之间设有TMB掺杂层、B2H6掺杂层。该申请案采用TMB气体进行掺杂，防止了掺杂原子B向非晶硅本征层扩散，提升开路电压；TMB气体禁带宽度大，光能够更有效地通过掺杂层，提升短路电流；接近TCO一侧采用B2H6气体进行掺杂，掺杂层的导电性能更好；提升HJT太阳能电池的光电转换效率。该申请案虽然采用轻掺杂B层靠近非晶硅本征层，但是仍然会有一部分B原子向非晶硅本征层扩散，会影响非晶硅本征层的膜层质量，对开路电压仍然有一定程度上的降低影响。
发明内容
1.发明要解决的技术问题
为克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种高光电转换效率的HJT电池；本实用新型以氢化非晶氧化硅薄膜为本征钝化层、双扩散B掺杂p型层，制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。
2.技术方案
为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案为：
本实用新型的一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置第二本征非晶硅层、第二SiO2层、第二C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层和第二电极；
所述N型晶体硅片的背面依次设置第一本征非晶硅层、第一SiO2层、第一C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层和第一电极。
更进一步地，所述的本征非晶硅层为氢化本征非晶硅薄膜层。
更进一步地，所述的本征非晶硅层或氢化本征非晶硅薄膜层的厚度为3-10nm。
更进一步地，所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为1-5nm。
更进一步地，所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层，轻掺B非晶硅层靠近第一C掺杂SiO2层，重掺B非晶硅层靠近第一TCO导电层。
更进一步地，所述的轻掺B非晶硅层由TMB气体掺杂形成，厚度为1-20nm，禁带宽度为1.7-1.8eV。
更进一步地，所述的重掺B非晶硅层由B2H6气体掺杂形成，厚度为1-20nm，禁带宽度为1.4-1.6eV。
更进一步地，所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层和重掺P非晶硅层，轻掺P非晶硅层靠近第二C掺杂SiO2层，重掺P非晶硅层靠近第二TCO导电层；所述轻掺P非晶硅层的厚度为1-20nm，重掺P非晶硅层的厚度为1-20nm。重掺P非晶硅层可以是等离子体化学气相沉积制备，也可以是液态磷源涂覆在轻掺 P非晶硅层上，采用激光加热固化的方式形成。
本实用新型的一种高光电转换效率的HJT电池的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、对N型晶体硅片进行制绒、清洗处理；
步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片两面形成本征非晶硅层或氢化本征非晶硅薄膜层；
步骤三、采用等离子体增强化学气相沉积制备SiO2层和C掺杂SiO2层；
步骤四、使用等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层；非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(即轻掺P原子的N型非晶硅层)和重掺P非晶硅层(即重掺P原子的N型非晶硅层)，非晶硅掺杂P型层包括采用TMB气体掺杂形成的轻掺B 原子的P型非晶硅层和采用B2H6气体掺杂形成的重掺B原子的P型非晶硅层。
步骤五、使用反应离子沉积或溅射的方法沉积TCO导电层；
步骤六、通过丝网印刷形成正背面Ag电极，固化正背面Ag电极，使之与TCO导电膜之间形成良好的欧姆接触。
更进一步地，步骤四中，掺杂层的沉积过程是：在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度100-300℃条件下，以H2、SiH4、以及掺杂的TMB、B2H6、PH3为反应气体，沉积气压为10-300Pa，生长非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层。
更进一步地，步骤五中，掺杂层的沉积过程是：在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度100-300℃条件下，以H2、SiH4、以及掺杂的TMB、B2H6、PH3为反应气体，沉积气压为10-300Pa，在背面的氢化非晶碳氧化硅薄膜上，生长非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层。
更进一步地，步骤五中，沉积TCO导电层的过程为：用磁控溅射的方法在正背面沉积一层透明导电的ITO薄膜，该层膜的厚度为70-110nm，透过率为98％以上，方块电阻为50-100 Ω/□。
更进一步地，步骤六中，用丝网印刷的方法在正、背面的TCO导电层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150-300℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为5-50μm，栅线宽度为20-60μm，间距为1-5mm。
3.有益效果
采用本实用新型提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下显著效果：
(1)本实用新型的一种高光电转换效率的HJT电池，其硅基体表层的非晶硅层经由SiO2层对非晶硅层表面断键进行钝化，C掺杂SiO2层对p型和n型轻掺杂的非晶硅层中的掺杂原子起容纳、阻挡作用，避免其扩散到非晶硅层中；
(2)本实用新型的一种高光电转换效率的HJT电池，p型和n型重掺掺杂的非晶硅层与 TCO层能够形成良好的电接触；背光面非晶硅掺杂层p型层采用双层叠层结构，靠近C掺杂的SiO2层的p型掺杂层采用TMB气体进行掺杂，防止了掺杂原子B(硼)向非晶硅本征层扩散，从而保证本征非晶硅或氢化本征非晶硅对基体硅的钝化效果，提升开路电压Voc；接近本征非晶硅层的p型掺杂层采用TMB气体进行掺杂，比B2H6气体掺杂形成的非晶硅掺杂层禁带宽度大，掺杂原子热稳定性好，入射光能够更有效地通过该掺杂层，从而增加晶体硅对光的吸收，提升短路电流Isc；靠近TCO层一侧的p型掺杂层采用B2H6气体进行重掺杂，掺杂层的导电性能更好，太阳能电池的串联电阻Rs更低，从而使填充因子FF更高；最终提升HJT太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的一种高光电转换效率的HJT电池的结构示意图。
1、N型晶体硅片；201、第一本征非晶硅层；301、第二本征非晶硅层；202、第一SiO2层；302、第二SiO2层；203、第一C掺杂SiO2层；303、第二C掺杂SiO2层；401、轻掺B 非晶硅层；402、重掺B非晶硅层；501、轻掺P非晶硅层；502、重掺P非晶硅层；6、第一 TCO导电层；7、第二TCO导电层；8、第一电极；9、第二电极。
具体实施方式
为进一步了解本实用新型的内容，结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。
实施例1
结合图1，本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片1，所述N型晶体硅片1的正面依次设置第二本征非晶硅层301、第二SiO2层302、第二C掺杂SiO2层303、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层7和第二电极9；所述N型晶体硅片1的背面依次设置第一本征非晶硅层201、第一SiO2层202、第一C掺杂SiO2层203、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层6和第一电极8。其中：
所述的本征非晶硅层的厚度为3nm。
所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为1nm。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10nm，所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10nm；TCO 导电层厚度为70nm。
本实施例中硅基体表层的非晶硅层经由SiO2层对非晶硅层表面断键进行钝化，C掺杂 SiO2层对p型和n型轻掺杂的非晶硅层中的掺杂原子起容纳、阻挡作用，避免其扩散到非晶硅层中。
实施例2
本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，基本同实施例1，其不同之处在于：所述的本征非晶硅层的厚度为10nm。
所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为5nm。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为30nm，所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为30nm；TCO 导电层厚度为110nm。
实施例3
本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，基本同实施例1，其不同之处在于：所述的本征非晶硅层的厚度为5nm。
所述的SiO2层厚度为3nm，C掺杂SiO2层的厚度为4nm。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为20nm，所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为25nm；TCO 导电层厚度为100nm。
实施例4
结合图1，本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片1，所述N型晶体硅片1的正面依次设置氢化本征非晶硅薄膜层、第二SiO2层302、第二C掺杂SiO2层303、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层7和第二电极9；所述N型晶体硅片1的背面依次设置氢化本征非晶硅薄膜层、第一SiO2层202、第一C掺杂SiO2层203、非晶硅掺杂P 型层、第一TCO导电层6和第一电极8。其中：
所述的氢化本征非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)的厚度为3nm。
所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为1nm。C掺杂SiO2层以同族掺杂SiO2层的方式容纳少量的轻掺B或轻掺P原子，避免氢化本征非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)被不必要掺杂，影响钝化质量。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为20nm，该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层401 和重掺B非晶硅层402，轻掺B非晶硅层401靠近第一C掺杂SiO2层203，重掺B非晶硅层402靠近第一TCO导电层6。通过改变掺杂源和掺杂浓度可调制掺杂层禁带宽度，在受光面形成高热稳定性的大禁带宽度掺杂层，利于更多入射光透过受光面的掺杂层，有更多的光波被有效吸收产生光生载流子。具体到本实施例中，轻掺B非晶硅层401由TMB气体掺杂形成，厚度为1nm，禁带宽度为1.8eV。重掺B非晶硅层402由B2H6气体掺杂形成，厚度为19nm，禁带宽度为1.6eV。
所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为20nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层501 和重掺P非晶硅层502，轻掺P非晶硅层501靠近第二C掺杂SiO2层303，重掺P非晶硅层502靠近第二TCO导电层7；所述轻掺P非晶硅层501的厚度为1nm，重掺P非晶硅层502 的厚度为19nm。
TCO导电层厚度为70nm。
本实施例p型和n型重掺掺杂的非晶硅层与TCO层能够形成良好的电接触；背光面非晶硅掺杂层p型层采用双层叠层结构，靠近C掺杂的SiO2层的p型掺杂层采用TMB气体进行掺杂，防止了掺杂原子B(硼)向非晶硅本征层扩散，从而保证本征非晶硅或氢化本征非晶硅对基体硅的钝化效果，提升开路电压Voc；接近本征非晶硅层的p型掺杂层采用TMB气体进行掺杂，比B2H6气体掺杂形成的非晶硅掺杂层禁带宽度大，掺杂原子热稳定性好，入射光能够更有效地通过该掺杂层，从而增加晶体硅对光的吸收，提升短路电流Isc；靠近TCO层一侧的p型掺杂层采用B2H6气体进行重掺杂，掺杂层的导电性能更好，太阳能电池的串联电阻Rs更低，从而使填充因子FF更高；最终提升HJT太阳能电池的光电转换效率。
本实施例的高光电转换效率的HJT电池制备过程为：
步骤一、对N型晶体硅片1进行制绒、清洗处理；
步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片1两面形成氢化本征非晶硅薄膜层；
步骤三、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法，制备SiO2层和C掺杂SiO2层；
步骤四、使用等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层；非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(即轻掺P原子的N型非晶硅层)和重掺P非晶硅层(即重掺P原子的N型非晶硅层)，非晶硅掺杂P型层包括采用TMB气体掺杂形成的轻掺B 原子的P型非晶硅层和采用B2H6气体掺杂形成的重掺B原子的P型非晶硅层。
掺杂层的沉积过程是：在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度100℃条件下，以H2、SiH4、以及掺杂的TMB、B2H6、PH3为反应气体，沉积气压为10Pa，在背面的氢化非晶碳氧化硅薄膜上，生长非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层。
步骤五、用磁控溅射的方法在正背面沉积一层透明导电的ITO薄膜，该层膜的透过率为 98％以上，方块电阻为50Ω/□。
步骤六、用丝网印刷的方法在正、背面的TCO导电层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为5μm，栅线宽度为20μm，间距为1mm。
本实施例以氢化非晶氧化硅薄膜为本征钝化层、双扩散B掺杂p型层，制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。
实施例5
本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，基本同实施例4，其不同之处在于：
所述的氢化本征非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)的厚度为10nm。
所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为5nm。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10nm，轻掺B非晶硅层401的厚度为8nm，禁带宽度为1.7eV。重掺B非晶硅层402的厚度为2nm，禁带宽度为1.4eV。
所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10nm，轻掺P非晶硅层501的厚度为8nm，重掺P非晶硅层502的厚度为2nm。
本实施例的高光电转换效率的HJT电池制备过程为：
步骤一、对N型晶体硅片1进行制绒、清洗处理；
步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片1两面形成氢化本征非晶硅薄膜层；
步骤三、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法，制备SiO2层和C掺杂SiO2层；
步骤四、使用等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层；杂层的沉积过程是：在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度150℃条件下，以H2、SiH4、以及掺杂的TMB、B2H6、PH3为反应气体，沉积气压为50Pa，在背面的氢化非晶碳氧化硅薄膜上，生长非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层。
步骤五、用磁控溅射的方法在正背面沉积一层透明导电的ITO薄膜，该层膜的厚度为 80nm，透过率为98％以上，方块电阻为50Ω/□。
步骤六、用丝网印刷的方法在正、背面的TCO导电层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为15μm，栅线宽度为30μm，间距为3mm。
实施例6
本实施例的一种高光电转换效率的HJT电池，基本同实施例4，其不同之处在于：
所述的氢化本征非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)的厚度为6nm。
所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为3nm。
所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为30nm，轻掺B非晶硅层401的厚度为18nm，禁带宽度为1.75eV。重掺B非晶硅层402的厚度为12nm，禁带宽度为1.5eV。
所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为30nm，轻掺P非晶硅层501的厚度为18nm，重掺P非晶硅层502的厚度为12nm。
本实施例的高光电转换效率的HJT电池制备过程为：
步骤一、对N型晶体硅片1进行制绒、清洗处理；
步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片1两面形成氢化本征非晶硅薄膜层；
步骤三、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法，制备SiO2层和C掺杂SiO2层；
步骤四、使用等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层；杂层的沉积过程是：在真空室的本底真空达到5×10-4Pa后，在硅片衬底温度300℃条件下，以H2、SiH4、以及掺杂的TMB、B2H6、PH3为反应气体，沉积气压为300Pa，在背面的氢化非晶碳氧化硅薄膜上，生长非晶硅掺杂N型层、非晶硅掺杂P型层。
步骤五、用反应离子沉积的方法在正背面沉积一层透明导电的ITO薄膜，该层膜的厚度为110nm，透过率为98％以上，方块电阻为100Ω/□。
步骤六、用丝网印刷的方法在正、背面的TCO导电层上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在190℃的低温下进行烧结以形成良好的欧姆接触；Ag栅线的厚度为50μm，栅线宽度为60μm，间距为5mm。
以上示意性的对本实用新型及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片(1)，其特征在于：所述N型晶体硅片(1)的正面依次设置第二本征非晶硅层(301)、第二SiO2层(302)、第二C掺杂SiO2层(303)、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层(7)和第二电极(9)；
所述N型晶体硅片(1)的背面依次设置第一本征非晶硅层(201)、第一SiO2层(202)、第一C掺杂SiO2层(203)、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层(6)和第一电极(8)。
2.根据权利要求1所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的本征非晶硅层为氢化本征非晶硅薄膜层。
3.根据权利要求2所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的本征非晶硅层或氢化本征非晶硅薄膜层的厚度为3-10nm。
4.根据权利要求3所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为1-5nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层(401)和重掺B非晶硅层(402)，轻掺B非晶硅层(401)靠近第一C掺杂SiO2层(203)，重掺B非晶硅层(402)靠近第一TCO导电层(6)。
6.根据权利要求5所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的轻掺B非晶硅层(401)由TMB气体掺杂形成，厚度为1-20nm，禁带宽度为1.7-1.8eV。
7.根据权利要求6所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的重掺B非晶硅层(402)由B2H6气体掺杂形成，厚度为1-20nm，禁带宽度为1.4-1.6eV。
8.根据权利要求1-4任一项所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(501)和重掺P非晶硅层(502)，轻掺P非晶硅层(501)靠近第二C掺杂SiO2层(303)，重掺P非晶硅层(502)靠近第二TCO导电层(7)；所述轻掺P非晶硅层(501)的厚度为1-20nm，重掺P非晶硅层(502)的厚度为1-20nm。
9.根据权利要求7所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(501)和重掺P非晶硅层(502)，轻掺P非晶硅层(501)靠近第二C掺杂SiO2层(303)，重掺P非晶硅层(502)靠近第二TCO导电层(7)；所述轻掺P非晶硅层(501)的厚度为1-20nm，重掺P非晶硅层(502)的厚度为1-20nm。
CN202120367433.6U 2021-02-09 2021-02-09 一种高光电转换效率的hjt电池 Active CN215220744U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120367433.6U CN215220744U (zh) 2021-02-09 2021-02-09 一种高光电转换效率的hjt电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120367433.6U CN215220744U (zh) 2021-02-09 2021-02-09 一种高光电转换效率的hjt电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN215220744U true CN215220744U (zh) 2021-12-17

Family

ID=79440433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202120367433.6U Active CN215220744U (zh) 2021-02-09 2021-02-09 一种高光电转换效率的hjt电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN215220744U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022170872A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 通威太阳能（成都）有限公司 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022170872A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 通威太阳能（成都）有限公司 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法
US11973151B2 (en) 2021-02-09 2024-04-30 Tongwei Solar (Chengdu) Co., Ltd. HJT cell having high photoelectric conversion efficiency and preparation method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2021404856B2 (en) High-efficiency silicon heterojunction solar cell and manufacturing method thereof
US10084107B2 (en) Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
CN109509807B (zh) 晶硅异质结太阳能电池的发射极结构及其制备方法
CN104733557B (zh) Hit太阳能电池及提高hit电池的短路电流密度的方法
CN110634961A (zh) 一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法
CN111509058A (zh) 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池
WO2022170872A1 (zh) 高光电转换效率的hjt电池及其制备方法
CN113410328A (zh) 一种晶硅异质结太阳能电池
CN109638101A (zh) 双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构及其制备方法
CN203760487U (zh) 背发射极对称异质结太阳电池
CN215220730U (zh) 一种高效硅异质结太阳能电池
CN111416013A (zh) 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
CN110993718A (zh) 一种高转化效率的异质结电池及其制备方法
CN103646983A (zh) 背发射极对称异质结太阳电池及其制备方法
CN108615775B (zh) 一种叉指背接触异质结单晶硅电池
CN215220744U (zh) 一种高光电转换效率的hjt电池
CN112701181A (zh) 一种低电阻率异质结太阳能电池的制备方法
CN208507687U (zh) 一种叉指背接触异质结单晶硅电池
CN112701194B (zh) 一种异质结太阳能电池的制备方法
CN110600577A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN114361281A (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
CN210156405U (zh) 具有氢退火tco导电膜的异质结电池结构
CN112349801A (zh) 叠层电池的中间串联层及生产方法、叠层电池
CN114171631A (zh) 异质结太阳能电池及光伏组件
CN214588873U (zh) 一种异质结太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant