JP2011091131A - 結晶シリコン系太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明電極形成前に、基板側面をシランカップリング剤で処理することで、側面の表面自由エネルギーを低下させ、透明電極材料の側面への着膜を防止することができる。これにより短絡を防ぐことができ、歩留まりの向上が可能となる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に従う実施例1の結晶シリコン系太陽電池を示す模式的断面図である。本実施例の結晶シリコン系太陽電池はヘテロ接合太陽電池であり、n型単結晶シリコン基板1の両面にそれぞれテクスチャを備えている。n型単結晶シリコン基板1の入射面にはi型非晶質シリコン層2/p型非晶質シリコン層3が製膜されている。その上に透明電極層6が形成され、その上に集電極7が形成されている。一方、基板1の裏面にはi型非晶質シリコン層4/n型非晶質シリコン層5が製膜されている。さらにその上に透明電極層6が形成され、その上に集電極7が形成されている。また、基板側面には表面処理層8が形成されている。
表面処理層の原料をデシルトリメトキシシラン(商品名KBM−3103、信越化学工業製)に変更した以外は実施例1と同様にして結晶シリコン系太陽電池を10枚作製した。
表面処理層を設けなかった以外は実施例1と同様にして結晶シリコン系太陽電池を10枚作製した。
2.i型非晶質シリコン層
3.p型非晶質シリコン層
4.i型非晶質シリコン層
5.n型非晶質シリコン層
6.透明電極層
7.集電極
8.表面処理層
Claims (4)
- 厚みが250μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記単結晶シリコン基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記単結晶シリコン基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池の製造方法であって、
上記p型および/またはn型シリコン系薄膜層上に透明電極を形成する前に、基板側面に表面自由エネルギーを低下させる処理を行うことを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池の製造方法。 - 前記の基板側面に行う表面自由エネルギーを低下させる処理が、基板側面にシランカップリング剤を用いた塗布・乾燥処理を行うことを特徴とする、請求項1に記載の結晶シリコン系太陽電池の製造方法。
- 前記のシランカップリング剤が、官能基にフルオロアルキル基または炭素数が4以上のアルキル基を含有するアルコキシシランであることを特徴とする、請求項2に記載の結晶シリコン系太陽電池の製造方法。
- 前記の透明電極が、有機金属化合物と水または酸素との反応を利用する化学堆積法(MOCVD法)により形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の結晶シリコン系太陽電池の製造の方法。
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