TW201822371A

TW201822371A - 異質接面太陽能電池及其製造方法

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Publication number: TW201822371A
Application number: TW105140507A
Authority: TW
Inventors: 黃玉君; 吳春森; 翁敏航; 葉昌鑫; 田偉辰
Original assignee: 財團法人金屬工業研究發展中心
Priority date: 2016-12-07
Filing date: 2016-12-07
Publication date: 2018-06-16

Abstract

一種異質接面太陽能電池，包含：配置於半導體基板相對兩側的第一本質非晶矽層與第二本質非晶矽層、配置於第一本質非晶矽層上的P型非晶矽層、配置於第二本質非晶矽層上的N型非晶矽層、配置於P型非晶矽層上的第一透明導電層、配置於N型非晶矽層上的第二透明導電層、配置於第一透明導電層上的多個電極線及覆蓋大部分第二透明導電層的電極層。太陽光由第一透明導電層進入異質接面太陽能電池後，可透過電極層將短波長的光線反射回內部，讓異質接面太陽能電池二次吸收短波長的光線，使得短路電流上升，用以達成提高光電轉換效率之技術功效。

Description

異質接面太陽能電池及其製造方法

本發明涉及一種太陽能電池及其製造方法，特別是異質接面太陽能電池及其製造方法。

近年來，由於國際能源價格高漲，加上氣候暖化問題日益受到關注，綠色能源在許多先進國家已掀起產業革命。而在全球因應氣候變遷與環保意識抬頭等現況下，世界各國除了注重於提升能源使用效率及積極宣導節約能源政策外，更致力於開發再生能源技術，主要是因為再生能源具有潔淨零污染與自產之特性，能供永續使用，其中，以太陽能最受重視且廣受利用，進而帶動太陽能發電技術的日趨成熟。

目前太陽電池產品之主流係為具高光電轉換效率的鈍化發射極觸點太陽能電池（Passivated Emitter Rear Cell，PERC），其最大特點是利用鈍化技術將正面的射極與背面鈍化，以減少表面缺陷，提升光電轉換效率。其中，利用單晶矽所製作之鈍化發射極觸點太陽能電池的光電轉換效率可達20.7%，利用多晶矽所製作之鈍化發射極觸點太陽能電池的光電轉換效率最高可達18.5%。然而，鈍化發射極觸點太陽能電池因P型矽基板具有光誘發衰退（Light Induced Degradation， LID）以及電勢誘發衰退（Potential Induced Degradation，PID）等缺點，難以突破其目前的光電轉換效率。

因此，便有廠商提出另一種具高光電轉換效率的異質接面太陽能電池，其使用N型矽基板不會有LID以及PID的現象，預期成為下個世代主流的太陽能電池代表。

請參閱「第1圖」，「第1圖」係為習知異質接面太陽能電池的結構示意圖。異質接面太陽能電池500包含半導體基板502、第一本質非晶矽層504、P型非晶矽層506、第二本質非晶矽層508、N型非晶矽層510、第一透明導電層512、第二透明導電層514、多個第一導電線516與多個第二導電線518。半導體基板502係為N型半導體，第一本質非晶矽層504與第二本質非晶矽層508係分別形成於半導體基板502之兩側。P型非晶矽層506係形成於第一本質非晶矽層504上，而N型非晶矽層510係形成於第二本質非晶矽層508上。因此，異質接面太陽能電池500可利用不同材料能隙形成異質接面，有效吸收不同波長的光線，同時具有較好的溫度係數。此外，異質接面太陽能電池500亦可利用半導體基板502表面的鈍化效應，增加載子收集率，達到較高的開路電壓。然而，目前異質接面太陽能電池的光電轉換效率仍有很大的提升空間，因此如何有效提升異質接面太陽能電池的光電轉換效率是一個待解決的問題。

本發明揭露一種異質接面太陽能電池及其製造方法。

首先，本發明揭露一種異質接面太陽能電池，此太陽能電池包含：半導體基板、第一本質非晶矽層、P型非晶矽層、第二本質非晶矽層、N型非晶矽層、第一透明導電層、第二透明導電層、多個電極線及電極層。其中，半導體基板具有彼此相對的第一表面與第二表面，第一本質非晶矽層配置於第一表面上，P型非晶矽層配置於第一本質非晶矽層上，第二本質非晶矽層配置於第二表面上，N型非晶矽層配置於第二本質非晶矽層上，第一透明導電層配置於P型非晶矽層上，第二透明導電層配置於N型非晶矽層上，多個電極線配置於第一透明導電層上，電極層配置於第二透明導電層上且覆蓋大部分第二透明導電層。

本發明所揭露之系統與方法如上，與先前技術的差異在於本發明是利用覆蓋大部分第二透明導電層的電極層將短波長的光線反射回異質接面太陽能電池的內部，讓異質接面太陽能電池二次吸收短波長的光線，使得短路電流上升。

透過上述的技術手段，本發明可以達成提高光電轉換效率之技術功效。

以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明之實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。

請先參閱「第2圖」，「第2圖」係為本發明一實施例之異質接面太陽能電池的結構示意圖。異質接面太陽能電池100包含：半導體基板102、第一本質非晶矽層104、P型非晶矽層106、第二本質非晶矽層108、N型非晶矽層110、第一透明導電層112、第二透明導電層114、多個電極線116與電極層118。其中，半導體基板102具有彼此相對的第一表面1021與第二表面1022，第一本質非晶矽層104配置於該第一表面1021上，P型非晶矽層106配置於第一本質非晶矽層104上，第二本質非晶矽層108配置於第二表面1022上，N型非晶矽層110配置於第二本質非晶矽層108上，第一透明導電層112配置於P型非晶矽層106上，第二透明導電層114配置於N型非晶矽層110上，多個電極線116配置於第一透明導電層112上，電極層118配置於第二透明導電層114上且覆蓋大部分第二透明導電層114。在本實施例中，電極層118可完全覆蓋第二透明導電層114，電極線116的數量可為但不限於兩個，可依據實際需求進行調整。

其中，半導體基板102可為N型半導體基板。第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的材質係可選自由非晶矽、非晶氮化矽、非晶氧化矽與非晶氧化鋁所組成的群組。P型非晶矽層106與N型非晶矽層110的材質係可選自由非晶矽、非晶氮化矽、非晶氧化矽與非晶氧化鋁所組成的群組。第一透明導電層112與第二透明導電層114的材質係可選自於由氧化銦（In₂ O₃ ）、氧化錫（SnO₂ ）、氧化鋅（ZnO）、氧化鎘（CdO）、氧化鉻銅（CuCrO₂ ）、氧化鍶銅（SrCu₂ O₂ ）、氧化銅鋁（CuAlO₂ ）、鎂銦氧化物（MgO-In₂ O₃ ）、鎘錫氧化物（CdO-SnO₂ ）、錫銻氧化物（SnO₂ -Sb₂ O₃ ）、錫鎵氧化物（SnO₂ -Ga₂ O₃ ）、鎵鋅氧化物（Ga₂ O₃ -ZnO）、銦錫氧化物（In₂ O₃ -SnO₂ ，ITO）、銦鋅氧化物（Indium zinc oxide，IZO）、銦鎵鋅氧化物（In₂ O₃ -Ga₂ O₃ -ZnO，IGZO）、摻雜鋁之氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZOV）、摻雜硼之氧化鋅（Boron-doped ZnO，BZO）以及摻雜氟之氧化錫（Fluorine-doped SnO₂ ，FTO）所組成的群組。電極線116與電極層118的材質係可為銀膠、鋁膠或銅。

接著，請參閱「第3圖」，「第3圖」係為依據「第2圖」之異質接面太陽能電池之製造方法流程圖，其步驟包括：提供半導體基板，半導體基板具有彼此相對的第一表面與第二表面（步驟210）；形成第一本質非晶矽層於第一表面上（步驟220）；形成P型非晶矽層於第一本質非晶矽層上（步驟230）；形成第二本質非晶矽層於第二表面上（步驟240）﹔形成N型非晶矽層於第二本質非晶矽層上（步驟250）﹔形成第一透明導電層於P型非晶矽層上（步驟260）﹔形成第二透明導電層於N型非晶矽層上（步驟270）﹔形成多個電極線於第一透明導電層上（步驟280）﹔以及形成電極層於第二透明導電層上且電極層完全覆蓋第二透明導電層（步驟290）。透過上述步驟，即可使太陽光由第一透明導電層112入射異質接面太陽能電池100後，覆蓋第二透明導電層114的電極層118可將短波長的光線反射回異質接面太陽能電池100的內部，讓異質接面太陽能電池100二次吸收短波長的光線，使得短路電流上升，用以達成提高光電轉換效率之技術功效。

其中，形成第一本質非晶矽層104、P型非晶矽層106、第二本質非晶矽層108與N型非晶矽層110的方法係可選自於由射頻電漿輔助化學氣相沉積法（Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，RF-PECVD）、超高頻電漿輔助化學氣相沉積法（Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，VHF -PECVD）以及微波電漿輔助化學氣相沉積法（Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，MW-PECVD）所組成的群組。形成第一透明導電層112或第二透明導電層114的方法係可選自於由濺鍍（sputtering）以及物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，PVD）所組成的群組。形成電極層118或形成上述電極線116的方式為網印、蒸鍍、電鍍或濺鍍。

此外，請參閱「第4圖」，「第4圖」係為本發明另一實施例之異質接面太陽能電池的結構示意圖。本實施例與上述實施例的差別在於，在本實施例中第一表面1021與第二表面1022皆可具有多個四角錐結構，以使外部光線入射至一四角錐結構後，其所反射之部分光線可入射至另一四角錐結構。藉此可使太陽光進入異質接面太陽能電池100內部後，於第一表面1021與第二表面1022進行多次的反射與入射，以增進異質接面太陽能電池100之光線吸收利用率。需注意的是，由於「第4圖」係為異質接面太陽能電池100的側視圖，因此每一四角錐結構看起來像山脊狀結構。

位於P型非晶矽層106與半導體基板102之間的第一本質非晶矽層104與位於N型非晶矽層110與半導體基板102之間的第二本質非晶矽層108具有鈍化及保護的作用，以減少表面載子複合率與因晶格不匹配所產生的缺陷，進而改善光電轉換效率。第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層106的厚度皆可小於或等於10奈米（nanometer，nm），且能隙可大於或等於1.5電子伏特（eV）且小於或等於1.8eV。

請參閱「第5A圖」與「第5B圖」，係分別為依據「第4圖」之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之第一本質非晶矽層與第二本質非晶矽層的短路電流密度與光電轉換效率關係圖。其中，方塊點的連線、圓點的連線、正三角點的連線以及反三角點的連線係分為第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層106的能隙為1.8eV、1.7eV、1.6eV以及1.5eV時，不同厚度之第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層105的短路電流密度與光電轉換效率的對應關係。在本實施例中，僅第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的能隙與厚度為調變因素且第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108具有的相同能隙與厚度，其他參數不變（半導體基板102的厚度為200微米（micrometer，μm）且能隙為1.1 eV， P型非晶矽層106的厚度為10 nm且能隙為1.7eV， N型非晶矽層110的厚度為10nm且能隙為1.7eV，第一透明導電層112與第二透明導電層114的厚度為80nm且材質為ITO）。

由「第5A圖」與「第5B圖」可知，當第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的能隙較大且厚度過大時，會導致短路電流密度快速下降，降低光電轉換效率。此外，由「第5A圖」可知，在第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的能隙為1.7eV以及1.8eV時，厚度越薄的情形下短路電流密度是較好的，但能隙為1.5eV及1.6V的情形下，當第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的厚度越大時，短路電流密度卻是上升的，由此可見在能隙較小的情形下，不同的厚度對於短路電流密度的影響不大，但在能隙較大的情形下，需注意厚度不能太大，否則會導致短路電流密度快速下降。

再者，由於第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108主要作為鈍化及保護作用，用以解決晶格不匹配的問題，所以第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108之厚度不宜太厚，且由「第5B圖」可知，在能隙為1.8eV的情況下，第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的厚度增加容易使光電轉換效率快速下降。因此，當第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的厚度皆小於或等於10 nm且能隙為1.5eV時，異質接面太陽能電池100具有較佳的光電轉換效率。

P型非晶矽層106的厚度可介於10nm至15nm，且能隙可大於或等於1.5 eV且小於或等於1.8eV。請參閱「第6A圖」與「第6B圖」，係分別為依據「第4圖」之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之P型非晶矽層的短路電流密度與光電轉換效率關係圖。其中，方塊點的連線、圓點的連線、正三角點的連線以及反三角點的連線係分為P型非晶矽層106的能隙為1.8eV、1.7eV、1.6eV以及1.5eV時，不同厚度之P型非晶矽層106的短路電流密度與光電轉換效率的對應關係。在本實施例中，僅P型非晶矽層106的能隙與厚度為調變因素，其他參數不變（半導體基板102的厚度為200μm且能隙為1.1eV，第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的厚度皆為10nm且能隙為1.7eV， N型非晶矽層110的厚度為10nm且能隙為1.7eV，第一透明導電層112與第二透明導電層114的厚度為80nm且材質為ITO）。

由「第6A圖」與「第6B圖」可知，當P型非晶矽層106的能隙越大時，短波長的光線吸收效率越好，使P型非晶矽層106能產生更多的電子電洞對。此外，由於P型非晶矽層106做為異質接面太陽能電池100的射極，如果射極能產生大量的電子電洞對，可幫助提升光電轉換效率，因此P型非晶矽層106需要足夠的光路徑，使光線的能量可以在異質接面太陽能電池100的內部產生更多電子電洞對，但由於異質接面太陽能電池100的內部有許多載子複合及因晶格不匹配所產生的缺陷，所以P型非晶矽層106的厚度不宜過厚。因此，當P型非晶矽層106的厚度介於10nm至15nm且能隙為1.8 eV時，異質接面太陽能電池100的具有較佳的光電轉換效率。

N型非晶矽層110係為背向表面場（Back Surface Filed，BSF），可利用能障的落差來減少背面電子電洞之復合。N型非晶矽層110的厚度可為大於或等於5nm且小於或等於10nm，可用以提升異質接面太陽能電池之效率。第二透明導電層114的厚度可大於或等於80 nm且小於或等於100nm，係為鹼金屬擴散阻障層，可用以提升異質接面的品質。第一透明導電層112的厚度可大於或等於80 nm且小於或等於100nm，提升短路電流密度。

接著，請參閱「第7圖」，「第7圖」係為依據「第4圖」之異質接面太陽能電池之製造方法流程圖，「第7圖」與「第3圖」的步驟差別在於，在本實施例中，在形成第一本質非晶矽層104與第二本質非晶矽層108的步驟（步驟220與步驟230）之前更可包含：蝕刻半導體基板，使第一表面與第二表面具有多個四角錐結構（步驟202）；以及清洗半導體基板，以去除第一表面與第二表面的雜質以及污染物（步驟204）。上述蝕刻半導體基板102的方法包含利用化學蝕刻方法蝕刻半導體基板102，清洗半導體基板102的方法包含利用RCA標準清洗溶液清洗半導體基板102的第一表面1021與第二表面1022。

綜上所述，在本實施例中，半導體基板102的厚度可為200μm且能隙可為1.1 eV，第一本質非晶矽層104的厚度可為10nm且能隙可為1.5 eV，P型非晶矽層106的厚度可為10nm且能隙可為1.8 eV，第二本質非晶矽層108的厚度可為10nm且能隙可約為1.5 eV，N型非晶矽層110的厚度可為10nm且能隙可為1.7 eV。第一透明導電層112與第二透明導電層114的厚度可為80nm且材質係可為ITO，電極線116與電極層118的材質係可為銅。其中，形成第一本質非晶矽層104於第一表面1021上、形成P型非晶矽層106於第一本質非晶矽層104上、形成第二本質非晶矽層108於第二表面1022上以及形成N型非晶矽層110於第二本質非晶矽層108上的方法係利用VHF –PECVD的方式進行。透過使用VHF-PECVD鍍膜製程，可降低轟擊，減少缺陷，提升開路電壓，進而達到提升光電轉換效率之功效。形成第一透明導電層112或第二透明導電層114的方法係利用PVD的方式進行。形成電極層118或形成電極線116的方式為電鍍。

以下係針對習知異質接面太陽能電池與本發明異質接面太陽能電池進行量測比較，在此實驗中，習知異質接面太陽能電池與本發明異質接面太陽能電池的差異點在於：本發明異質接面太陽能電池的電極層可將大部分入射於異質接面太陽能電池的光線反射回異質接面太陽能電池的內部，而習知異質接面太陽能電池會讓大部分入射於異質接面太陽能電池的光線穿透異質接面太陽能電池。請參閱「第8圖」與「第9圖」，「第8圖」係為「第1圖」之習知異質接面太陽能電池與「第2圖」之本發明異質接面太陽能電池的短路電流與開路電壓相對關係圖，「第9圖」係為「第1圖」之習知異質接面太陽能電池與「第2圖」之本發明異質接面太陽能電池的外部量子效率（External Quantum Efficiency，EQE）與波長相對關係圖。其中，方塊點的連線與圓點的連線係分為習知異質接面太陽能電池與本發明異質接面太陽能電池的短路電流與開路電壓對應關係以及EQE與波長對應關係。

由「第8圖」可知，習知異質接面太陽能電池的開路電壓可達0.76伏特（Voltage，V），短路電流密度可達34.03 mA/cm² ，填充因子（Full Factor，FF）可達0.88，光電轉換效率可達22.81 %。其中，FF為最大功率矩形面積與短路電流、開路電壓乘積的比值，亦即： FF ＝(Im×Vm)÷(Isc×Voc)，Im×Vm為最大功率矩形面積，Isc為短路電流，Voc為開路電壓，因此太陽能電池的光電轉換效率可以簡單表示成：η = [(Isc×Voc×FF)÷(Pin)]×100%，η為光電轉換效率，Pin為入射光功率。本發明異質接面太陽能電池的開路電壓可達0.76V，短路電流密度可達35.48 mA/cm² ，FF可達0.88，光電轉換效率可達23.85 %。由「第9圖」可知，本發明異質接面太陽能電池中短波長光線於外部量子效率明顯提升，原因應該是本發明異質接面太陽能電池中覆蓋第二透明導電層的電極層可將入射於異質接面太陽能電池的短波長光線反射回異質接面太陽能電池的內部，使得短波長光線於異質接面太陽能電池內部造成二次吸收，短路電流上升所致。

綜上所述，可知本發明與先前技術之間的差異在於透過覆蓋大部分第二透明導電層的電極層將短波長的光線反射回異質接面太陽能電池的內部，讓異質接面太陽能電池二次吸收短波長的光線，使得短路電流上升，藉由此一技術手段可以達成提高光電轉換效率之技術功效。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧異質接面太陽能電池

102‧‧‧半導體基板

104‧‧‧第一本質非晶矽層

106‧‧‧P型非晶矽層

108‧‧‧第二本質非晶矽層

110‧‧‧N型非晶矽層

112‧‧‧第一透明導電層

114‧‧‧第二透明導電層

116‧‧‧電極線

118‧‧‧電極層

1021‧‧‧第一表面

1022‧‧‧第二表面

步驟202‧‧‧蝕刻半導體基板，使第一表面與第二表面具有多個四角錐結構

步驟204‧‧‧清洗半導體基板，以去除第一表面與第二表面的雜質以及污染物

步驟210‧‧‧提供半導體基板，半導體基板具有彼此相對的第一表面與第二表面

步驟220‧‧‧形成第一本質非晶矽層於第一表面上

步驟230‧‧‧形成P型非晶矽層於第一本質非晶矽層上

步驟240‧‧‧形成第二本質非晶矽層於第二表面上

步驟250‧‧‧形成N型非晶矽層於第二本質非晶矽層上

步驟260‧‧‧形成第一透明導電層於P型非晶矽層上

步驟270‧‧‧形成第二透明導電層於N型非晶矽層上

步驟280‧‧‧形成多個電極線於第一透明導電層上

步驟290‧‧‧形成電極層於第二透明導電層上

第1圖係為習知異質接面太陽能電池的結構示意圖。第2圖係為本發明一實施例之異質接面太陽能電池的結構示意圖。第3圖係為依據第2圖之異質接面太陽能電池之製造方法流程圖。第4圖係為本發明另一實施例之異質接面太陽能電池的結構示意圖。第5A圖係為依據第4圖之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之第一本質非晶矽層與第二本質非晶矽層的短路電流密度關係圖。第5B圖係為依據第4圖之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之第一本質非晶矽層與第二本質非晶矽層的光電轉換效率關係圖。第6A圖係為依據第4圖之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之P型非晶矽層的短路電流密度關係圖。第6B圖係為依據第4圖之異質接面太陽能電池之具有不同能隙與厚度之P型非晶矽層的光電轉換效率關係圖。第7圖係為依據第4圖之異質接面太陽能電池之製造方法流程圖。第8圖係為第1圖之習知異質接面太陽能電池與第4圖之本發明異質接面太陽能電池的短路電流與開路電壓相對關係圖。第9圖係為第1圖之習知異質接面太陽能電池與第4圖之本發明異質接面太陽能電池的外部量子效率與波長相對關係圖。

Claims

一種異質接面太陽能電池，其包含：一半導體基板，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面﹔ 一第一本質非晶矽層，配置於該第一表面上﹔ 一P型非晶矽層，配置於該第一本質非晶矽層上﹔ 一第二本質非晶矽層，配置於該第二表面上﹔ 一N型非晶矽層，配置於該第二本質非晶矽層上﹔ 一第一透明導電層，配置於該P型非晶矽層上﹔ 一第二透明導電層，配置於該N型非晶矽層上﹔ 多個電極線，配置於該第一透明導電層上﹔以及一電極層，配置於該第二透明導電層上且覆蓋大部分該第二透明導電層。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該第一表面與該第二表面皆具有多個四角錐結構。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該第一透明導電層與該第二透明導電層的材質係選自於由氧化銦（In₂ O₃ ）、氧化錫（SnO₂ ）、氧化鋅（ZnO）、氧化鎘（CdO）、氧化鉻銅（CuCrO₂ ）、氧化鍶銅（SrCu₂ O₂ ）、氧化銅鋁（CuAlO₂ ）、鎂銦氧化物（MgO-In₂ O₃ ）、鎘錫氧化物（CdO-SnO₂ ）、錫銻氧化物（SnO₂ -Sb₂ O₃ ）、錫鎵氧化物（SnO₂ -Ga₂ O₃ ）、鎵鋅氧化物（Ga₂ O₃ -ZnO）、銦錫氧化物（In₂ O₃ -SnO₂ ，ITO）、銦鋅氧化物（Indium zinc oxide，IZO）、銦鎵鋅氧化物（In₂ O₃ -Ga₂ O₃ -ZnO，IGZO）、摻雜鋁之氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZOV）、摻雜硼之氧化鋅（Boron-doped ZnO，BZO）以及摻雜氟之氧化錫（Fluorine-doped SnO₂ ，FTO）所組成的群組。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該P型非晶矽層的厚度介於10奈米（nanometer，nm）至15nm。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該P型非晶矽層的能隙大於或等於1.5電子伏特（eV）且小於或等於1.8eV。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該N型非晶矽層的厚度大於或等於5nm且小於或等於10nm。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該第一透明導電層與該第二透明導電層的厚度皆大於或等於80 nm且小於或等於100nm。
根據申請專利範圍第1項之異質接面太陽能電池，其中該第一本質非晶矽層與該第二本質非晶矽層的厚度皆小於或等於10nm，且能隙大於或等於1.5eV且小於或等於1.8eV。