CN202616239U - 一种低损伤高钝化的太阳能电池 - Google Patents

一种低损伤高钝化的太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN202616239U
CN202616239U CN2012200675272U CN201220067527U CN202616239U CN 202616239 U CN202616239 U CN 202616239U CN 2012200675272 U CN2012200675272 U CN 2012200675272U CN 201220067527 U CN201220067527 U CN 201220067527U CN 202616239 U CN202616239 U CN 202616239U
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
silicon nitride
silicon
thin layer
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2012200675272U
Other languages
English (en)
Inventor
张勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd filed Critical Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority to CN2012200675272U priority Critical patent/CN202616239U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202616239U publication Critical patent/CN202616239U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。

Description

一种低损伤高钝化的太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池。
背景技术
目前普通晶体硅电池正面主要采用氮化硅做减反反射层以及氮化硅中所含氢做钝化，由于氢在高温下容易以气体态溢出，所以并不能很好起到钝化效果，从而使氮化硅钝化效果较差。在用PECVD沉积氮化硅过程中由于固定硅烷以及氨气流量造成生成的氮化硅折射率单一，不利于降低电池片的反射率。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种低损伤高钝化的太阳能电池，提高减反射效果，提高电池效率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低损伤高钝化的太阳能电池，其特征在于：具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层。
进一步地，所述的第二氮化硅薄膜层、第一氮化硅薄膜层制作时所需的硅烷及氨气流量比例不同。
本实用新型的有益效果是：不同折射率的氮化硅有利于降低在较宽波长范围内的反射率，增加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大规模生产。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图；
其中：1.太阳能电池硅片，2.SiO2薄膜层，3.第一氮化硅薄膜层，4.第二氮化硅薄膜层。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示，一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片1，太阳能电池硅片1正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层2，SiO2薄膜层2正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层3，第一氮化硅薄膜层3正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层4。第二氮化硅薄膜层4、第一氮化硅薄膜层3制作时所需的硅烷及氨气流量比例不同。
本实用新型的低损伤高钝化的太阳能电池的制作方法为：在扩散以及后清洗后的太阳能电池硅片1正面采用热氧化或者CVD等方法生成一层厚度为5～20nm的SiO2膜层2，在SiO2薄膜层2上面采用PECVD沉积一层厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7第一氮化硅薄膜层3，然后通过改变硅烷以及氨气流量比例生成一层厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层4。通过改变硅烷以及氨气流量比例，促使薄膜反射曲线有两个以及多个反射低点，从而促使太阳能电池硅片1在较宽波长内有较低的反射率。
本实用新型中SiO2薄膜层2的作用：
(1)提高太阳能电池硅片1中晶体硅表面晶格完整性，减少晶体硅表面缺陷态密度，提高钝化效果；
(2)减少用PECVD沉积氮化硅中高能量离子对晶体硅表面损伤，有利于保护晶体硅表面的破坏。
第一氮化硅薄膜层3与第二氮化硅薄膜层4形成的双层氮化硅结构的作用：
(1)不同折射率氮化硅薄膜层有利于降低在较宽波长范围内的反射率，增加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。
(2)不同折射率的氮化硅薄膜层可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大规模生产。
本实用新型中SiO2薄膜层2钝化性能最强，并制备较为简单，能快速生成，能保证晶体硅晶格结构完整性，提高钝化效果。晶体硅上面有SiO2薄膜层2的保护能避免PECVD制备氮化硅时对晶体硅的损伤，减少晶体硅表面缺陷密度，从而有利于提高电池效率。
本实用新型中不同折射率的氮化硅有利于降低在较宽波长范围内的反射率，增加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大规模生产。本发明提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (1)

1.一种低损伤高钝化的太阳能电池，其特征在于：具有太阳能电池硅片（1），所述的太阳能电池硅片（1）正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层（2），所述的SiO2薄膜层（2）正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层（3），所述的第一氮化硅薄膜层（3）正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层（4）。 
CN2012200675272U 2012-02-28 2012-02-28 一种低损伤高钝化的太阳能电池 Expired - Lifetime CN202616239U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012200675272U CN202616239U (zh) 2012-02-28 2012-02-28 一种低损伤高钝化的太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012200675272U CN202616239U (zh) 2012-02-28 2012-02-28 一种低损伤高钝化的太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202616239U true CN202616239U (zh) 2012-12-19

Family

ID=47349911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012200675272U Expired - Lifetime CN202616239U (zh) 2012-02-28 2012-02-28 一种低损伤高钝化的太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202616239U (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022254A (zh) * 2012-12-21 2013-04-03 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法
CN103094366A (zh) * 2013-01-25 2013-05-08 中山大学 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法
CN103700714A (zh) * 2013-12-24 2014-04-02 江苏顺风光电科技有限公司 高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜
CN105322030A (zh) * 2014-08-04 2016-02-10 南京市荣达树脂有限公司 一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺
CN113913791A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022254A (zh) * 2012-12-21 2013-04-03 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法
CN103094366A (zh) * 2013-01-25 2013-05-08 中山大学 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法
CN103700714A (zh) * 2013-12-24 2014-04-02 江苏顺风光电科技有限公司 高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜
CN105322030A (zh) * 2014-08-04 2016-02-10 南京市荣达树脂有限公司 一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺
CN113913791A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池
CN113913791B (zh) * 2021-09-29 2024-03-01 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109216473B (zh) 一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法
EP4027395A1 (en) Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor
CN101436616B (zh) 硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法
CN112349816A (zh) 一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法
CN202616239U (zh) 一种低损伤高钝化的太阳能电池
CN105226112B (zh) 一种高效晶硅太阳能电池的制备方法
CN102064237A (zh) 一种用于晶体硅太阳电池的双层钝化方法
CN202601629U (zh) 晶体硅太阳能电池
CN102290473A (zh) 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
JP2016532317A (ja) ナノ構造化されたシリコン系太陽電池およびナノ構造化されたシリコン系太陽電池を製造する方法
CN102339871B (zh) 适用于rie绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法
CN208923157U (zh) 太阳能电池减反射膜、电池片及电池组件
CN102403369A (zh) 一种用于太阳能电池的钝化介质膜
CN103000704A (zh) 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法
CN102222733A (zh) 双层氮化硅减反射膜制备方法
CN110473921A (zh) 一种perc电池背钝化结构及制备方法
CN103022254A (zh) 一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法
CN106409926A (zh) 一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法
CN102299185B (zh) 一种太阳能电池结构及其制备方法
CN103296094A (zh) 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法
CN107068774A (zh) 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片
JP2013542317A (ja) 太陽電池を製造するための基板をコーティングする方法
CN201655812U (zh) 一种太阳能电池表面三层减反钝化膜
CN104091839B (zh) 一种用于太阳能电池片的减反射膜的制造方法
CN101958365A (zh) 实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 213031 Tianhe Road 2, Xinbei Electronic Industrial Park, Changzhou, Jiangsu

Patentee after: TRINA SOLAR Co.,Ltd.

Address before: 213031 Tianhe Road 2, Xinbei Electronic Industrial Park, Changzhou, Jiangsu

Patentee before: trina solar Ltd.

Address after: 213031 Tianhe Road 2, Xinbei Electronic Industrial Park, Changzhou, Jiangsu

Patentee after: trina solar Ltd.

Address before: 213031 Tianhe Road 2, Xinbei Electronic Industrial Park, Changzhou, Jiangsu

Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20121219

CX01 Expiry of patent term