JPH01304737A - Ｐｎｐバイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
Ｐｎｐバイポーラトランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH01304737A JPH01304737A JP13525888A JP13525888A JPH01304737A JP H01304737 A JPH01304737 A JP H01304737A JP 13525888 A JP13525888 A JP 13525888A JP 13525888 A JP13525888 A JP 13525888A JP H01304737 A JPH01304737 A JP H01304737A
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン注入によってベース領域とエミッタ領
域とを形成するＰＮＰバイポーラトランジスタの製造方
法に関するものである。
域とを形成するＰＮＰバイポーラトランジスタの製造方
法に関するものである。
本発明は、上記の様なＰＮＰバイポーラトランジスタの
製造方法において、エミッタＲＩＭとベース領域との接
合部の外側にゲッタリング領域を形成することによって
、バーストノイズのないＰＮＰバイポーラトランジスタ
を製造することができる様にしたものである。
製造方法において、エミッタＲＩＭとベース領域との接
合部の外側にゲッタリング領域を形成することによって
、バーストノイズのないＰＮＰバイポーラトランジスタ
を製造することができる様にしたものである。
第１図及び第２図は、ＰＮＰバイポーラトランジスタを
示している。このトランジスタは、エミッタ領域１１、
ベース領域１２、コレクタ領域１３とベース電極取り出
し部１４、コレクタ電極取り出し部１５とを有している
。
示している。このトランジスタは、エミッタ領域１１、
ベース領域１２、コレクタ領域１３とベース電極取り出
し部１４、コレクタ電極取り出し部１５とを有している
。
ベース領域１２は、コレクタリング１６と称される領域
に囲まれている。このコレクタリング１６は、コレクタ
領域１３に接続されると共に、その一部がコレクタ電極
取り出し部１５となっている。
に囲まれている。このコレクタリング１６は、コレクタ
領域１３に接続されると共に、その一部がコレクタ電極
取り出し部１５となっている。
この様なトランジスタでは、一般に、Ｐ−等のＮ型不純
物をイオン注入することによってベース領域１２を形成
し、その後にＢ゛等のＰ型不純物をイオン注入すること
によってベース領域１２内にエミッタ領域１１を形成し
ている。
物をイオン注入することによってベース領域１２を形成
し、その後にＢ゛等のＰ型不純物をイオン注入すること
によってベース領域１２内にエミッタ領域１１を形成し
ている。
ところが、ベース領域１２を形成するためのＰ−の注入
時に、イオン注入装置自体等に対するノックオン現象に
よって、Ｆｅｓ ＡＬｌ、、Ｃｕ等の金属汚染物がベー
ス領域１２へ侵入する。
時に、イオン注入装置自体等に対するノックオン現象に
よって、Ｆｅｓ ＡＬｌ、、Ｃｕ等の金属汚染物がベー
ス領域１２へ侵入する。
一方、ｆ丁等のトランジスタの性能を高めるために、エ
ミッタ領域１１を形成するためのＢ゛のドーズ量は３×
１０ ”ａｍ−ｚ程度と高い値にする必要があり、エミ
ッタ領域１１における転位１７の発生を避けることがで
きない。
ミッタ領域１１を形成するためのＢ゛のドーズ量は３×
１０ ”ａｍ−ｚ程度と高い値にする必要があり、エミ
ッタ領域１１における転位１７の発生を避けることがで
きない。
このため、注入イオンの活性化のための熱処理によって
転位網が成長していく過程で、この転位網がゲッタ源と
なり、ベース領域１２の形成中に侵入した金属汚染物を
エミッタ領域１１の近傍に引き寄せる。
転位網が成長していく過程で、この転位網がゲッタ源と
なり、ベース領域１２の形成中に侵入した金属汚染物を
エミッタ領域１１の近傍に引き寄せる。
この結果、エミッタ領域１１とベース領域１２との接合
部に捕獲中心を形成し、バーストノイズの原因となる。
部に捕獲中心を形成し、バーストノイズの原因となる。
本発明によるＰＮＰバイポーラトランジスタの製造方法
は、Ｎ型不純物のイオン注入によってベース領域１２を
形成する工程と１．Ｐ型不純物のイオン注入によって前
記ベース領域１２内にエミッタ領域１１を形成する工程
と、前記エミッタ領域１１と前記ベース領域１２との接
合部の外側にゲッタリング領域１８を形成する工程とを
夫々具備している。
は、Ｎ型不純物のイオン注入によってベース領域１２を
形成する工程と１．Ｐ型不純物のイオン注入によって前
記ベース領域１２内にエミッタ領域１１を形成する工程
と、前記エミッタ領域１１と前記ベース領域１２との接
合部の外側にゲッタリング領域１８を形成する工程とを
夫々具備している。
本発明によるＰＮＰバイポーラトランジスタの製造方法
では、エミッタ領域１１とベース領域１２との接合部の
外側にゲッタ、リング領域１８を形成しているので、ベ
ース領域１２の形成時にこのベース領域１２中へ金属汚
染物が侵入し、且つエミッタ領域１１の形成時にこのエ
ミッタ領域１１に転位１７が発生しても、エミッタ領域
１１とベース領域１２との接合部へは金属汚染物が引き
寄せられず、この接合部に捕獲中心が形成されることが
ない。
では、エミッタ領域１１とベース領域１２との接合部の
外側にゲッタ、リング領域１８を形成しているので、ベ
ース領域１２の形成時にこのベース領域１２中へ金属汚
染物が侵入し、且つエミッタ領域１１の形成時にこのエ
ミッタ領域１１に転位１７が発生しても、エミッタ領域
１１とベース領域１２との接合部へは金属汚染物が引き
寄せられず、この接合部に捕獲中心が形成されることが
ない。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
本実施例では、第１図に示す様に、コレクタリング１６
内にも転位１８を発生させ、エミッタ領域１１中の転位
１７から転位網が成長するのと同時にコレクタリング１
６中の転位１８からも転位網を成長させる。
内にも転位１８を発生させ、エミッタ領域１１中の転位
１７から転位網が成長するのと同時にコレクタリング１
６中の転位１８からも転位網を成長させる。
転位１８はＰ−やＢ゛等のイオン注入で形成するが、エ
ミッタ領域１１を形成するためのＢ゛よりもドーズ量を
多くしたり注入エネルギを高くしたりして、転位１７よ
りも転位１８の方を大きく且つ深くする。
ミッタ領域１１を形成するためのＢ゛よりもドーズ量を
多くしたり注入エネルギを高くしたりして、転位１７よ
りも転位１８の方を大きく且つ深くする。
また、転位１８から成長させる転位網は、コレクタリン
グ１６内にのみ局在させ、コレクタリング１６とベース
領域１２との接合部を横切らない様にする。
グ１６内にのみ局在させ、コレクタリング１６とベース
領域１２との接合部を横切らない様にする。
なお、転位１８を発生させるためのイオン注入は、ＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタ１９を形成するためのイオン
注入と同時に行うことができる。
Ｎバイポーラトランジスタ１９を形成するためのイオン
注入と同時に行うことができる。
以上の様な本実施例で製造したＰＮＰバイポーラトラン
ジスタでは、転位１８から成長した転位網が転位１７か
ら成長した転位網よりも強いゲッタ源として機能するの
で、エミッタ領域１１とベース領域１２との接合部に金
属汚染物による捕獲中心が形成されることはない。
ジスタでは、転位１８から成長した転位網が転位１７か
ら成長した転位網よりも強いゲッタ源として機能するの
で、エミッタ領域１１とベース領域１２との接合部に金
属汚染物による捕獲中心が形成されることはない。
なお、コレクタリング１６とベース領域１２との接合部
に捕獲中心が形成されても、これがバーストノイズの原
因になることはない。
に捕獲中心が形成されても、これがバーストノイズの原
因になることはない。
また、転位１８から成長させた転位網がコレクタリング
１６とベース領域１２との接合部を横切らないので、こ
の接合部が局部的に破壊されたり、リーク電流が流れた
りすることはない。
１６とベース領域１２との接合部を横切らないので、こ
の接合部が局部的に破壊されたり、リーク電流が流れた
りすることはない。
バーストノイズの発生要因である金属汚染物を除去する
ために、半導体基板自体にゲッタリング効果を持たせる
エクストリンシックゲッタリングやイントリンシックゲ
ッタリング等の技術があるが、これらのゲッタリング効
果は熱処理の繰り返しで消失する。
ために、半導体基板自体にゲッタリング効果を持たせる
エクストリンシックゲッタリングやイントリンシックゲ
ッタリング等の技術があるが、これらのゲッタリング効
果は熱処理の繰り返しで消失する。
これに対して本実施例では、転位１７からの転位網の成
長と同時に転位１８からも転位網を成長させているので
、ゲッタリング効果が有効に作用する。
長と同時に転位１８からも転位網を成長させているので
、ゲッタリング効果が有効に作用する。
また、製造工程の途中にリンゲッタリング等の工程を追
加することも可能ではあるが、その分だけ製造コストが
増加する。
加することも可能ではあるが、その分だけ製造コストが
増加する。
これに対して本実施例では、ＮＰＮバイポーラトランジ
スタ１９の製造工程を利用しているので、製造コストが
増加することはない。
スタ１９の製造工程を利用しているので、製造コストが
増加することはない。
本発明によるＰＮＰ ｌ−ランジスタの製造方法では、
エミッタ領域とベース領域との接合部に捕獲中心が形成
されることがないので、バーストノイズのないＰＮＰバ
イポーラトランジスタを製造することができる。
エミッタ領域とベース領域との接合部に捕獲中心が形成
されることがないので、バーストノイズのないＰＮＰバ
イポーラトランジスタを製造することができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す夫夫側断面
図及び平面図である。 なお図面に用いた符号において、 １１・−−−−−−・・・−・・−・・・エミッタ領域
１２−−一−−・−・−・−・−−一一−−ベース令頁
域１８−・・−一−−−−・−・・−・・−転位である
。
図及び平面図である。 なお図面に用いた符号において、 １１・−−−−−−・・・−・・−・・・エミッタ領域
１２−−一−−・−・−・−・−−一一−−ベース令頁
域１８−・・−一−−−−・−・・−・・−転位である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｎ型不純物のイオン注入によってベース領域を形成す
る工程と、 Ｐ型不純物のイオン注入によって前記ベース領域内にエ
ミッタ領域を形成する工程と、 前記エミッタ領域と前記ベース領域との接合部の外側に
ゲッタリング領域を形成する工程とを夫夫具備するＰＮ
Ｐバイポーラトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13525888A JPH01304737A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | Ｐｎｐバイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13525888A JPH01304737A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | Ｐｎｐバイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01304737A true JPH01304737A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15147501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13525888A Pending JPH01304737A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | Ｐｎｐバイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01304737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012506629A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体デバイス製造方法、半導体デバイス、及び半導体デバイス製造設備 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13525888A patent/JPH01304737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012506629A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体デバイス製造方法、半導体デバイス、及び半導体デバイス製造設備 |
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