CN112820801A - 一种减小se激光损伤的厚氧化层扩散工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，涉及太阳能电池技术领域。该工艺包括步骤：S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；S2，通入800‑1200sccm氧气，在温度770‑790℃，压力90‑110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35‑45nm；S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，通过在硅表面得到附磷层之后，再在硅片附磷层表面形成一层40nm左右的致密性强的氧化层(SiO2)，达到减小激光重掺杂对硅片损伤的效果，从而解决了激光烧蚀区域形成死伤层导致电性能参数下降的问题。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺。
背景技术
目前的太阳能电池技术领域，高效电池技术应用不断进步，例如PERC等高效电池，其电池的转换效率不断的在提升。在不断叠加技术当中，其中之一可以利用激光进行掺杂，制备选择性发射电极(SE)电池。制备SE电池主要具有两个特征：1)金属栅线与硅片接触区域为重掺杂区，其可以形成良好的欧姆接触，改善填充因子；2)受光区域为轻掺杂区，其可以改善短波的响应，低的表面浓度减少了少子的复合，从而提升了开路电压和短路电流。
激光掺杂法是近期研究较多的SE新技术，它主要是用磷硅玻璃(PSG)作为磷源，采用激光烧蚀的方式形成重掺，该技术的特点是工艺流程简单，易于实现，但使用激光重掺的同时激光烧蚀区域容易形成死伤层，最终导致欧姆接触不良，使电性能参数下降。
目前，使用三氯氧磷在硅片表面进行扩散时，需要通入氮、氧，附磷的同时，氧气会与硅片发生反应，在硅片表面形成一层薄薄的氧化层(约10nm厚)，然而，尚未有人发现硅片表面的氧化层厚度与SE电极性能的关系。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是目前的生产工艺制备选择性发射电极(SE)电池使用激光重掺的同时激光烧蚀区域容易形成死伤层，导致欧姆接触不良，进而导致电性能参数下降。
为了解决上述问题，本发明提出以下技术方案：
本发明提供一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，包括以下步骤：
S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；
S2，通入800-1200sccm氧气，在温度770-790℃，压力90-110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；
S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35-45nm；
S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。
其进一步地技术方案为，所述步骤S3的条件为温度720-760℃，压力为1000-1200mbar。
其进一步地技术方案为，所述步骤S3的氧气通入量为2500-3000sccm。
其进一步地技术方案为，所述步骤S2的处理时间为2-4min。
其进一步地技术方案为，所述步骤S3的处理时间为5-8min。
其进一步地技术方案为，所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，所述步骤S1的具体操作包括如下步骤：
S11，通入800-1500sccm的氧气，在750-780℃，压力100-150mbar的条件下在硅片表面形成一层氧化膜；
S12，通入200-400sccm携带POCl3的氮气和400-1000sccm氧气，在750-780℃，压力100-150mbar的条件下进行低温沉积，沉积时间为2min-3min；
S13，通入500-1000sccm携带POCl3的氮气和800-1000sccm氧气，在770-790℃，压力100-150mbar的条件下进行沉积，在硅表面得到所述附磷层。
其进一步地技术方案为，所述S12和S13之间，还包括高温推进步骤，具体为，S12步骤停止通入气源后，将温度升至850-880℃进行高温推进处理，推进时间为10min-20min。
其进一步地技术方案为，所述S13的沉积时间为5min-10min。
本发明还提供一种SE太阳电池用的硅片，由以上所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺制得。
本发明还提供一种SE太阳电池的制备方法，包括以上所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺。
具体地，该SE太阳电池的制备方法包括对硅片依次进行制绒、扩散、激光掺杂(SE工艺)、正面氧化、去PSG、酸刻蚀、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、印刷烧结、电注入与测试分检；其中的扩散步骤即为所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺。
现详述具体SE太阳电池的制备步骤：
1)制绒：单晶硅片经过表面制绒获得良好的绒面结构。
2)扩散：通入三氯氧磷和硅片进行反应，实现扩散制结。
3)SE工艺：选择性发射极在轻掺杂的硅衬底上，通过微米尺寸的激光束有选择性地进行杂质原子的重掺杂热氧。
4)去PSG：经过去PSG将边缘PN结刻蚀去除。
5)酸刻蚀：采用HNO3与HF溶液对硅片进行抛光。
6)退火：对刻蚀后的硅片进行退火，在硅片表面沉积一层次级二氧化硅层。
7)背钝化：在硅片背部通过ALD或PECVD方式沉积一层三氧化二铝钝化膜层。
8)背膜：在硅片的背面生长沉积一层氮化硅膜。
9)正膜：在硅片的正面生长沉积一层氮化硅膜。
10)激光开槽：对镀膜后的硅片背面进行激光开槽。
11)印刷烧结：经过丝网印刷完成背面和正面印刷，然后进行烧结工艺。
12)电注入：通过光衰炉或者电注入炉进行电注入。
13)测试分检：最后对电池片进行电池测试分档。
与现有技术相比，本发明所能达到的技术效果包括：
本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，通过在硅表面得到附磷层之后，再通入一定量的氧气，高温氧化的条件下在硅片附磷层表面形成一层40nm左右的致密性强的氧化层(SiO2)，达到减小激光重掺杂对硅片损伤的效果，从而解决了激光烧蚀区域形成死伤层导致电性能参数下降的问题。
具体实施方式
下面将对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，以下将描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明实施例。如在本发明实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
本实施例提供一种减小SE激光损伤的厚氧化层低压扩散工艺，具体扩散工艺步骤如下：
将制绒后的硅片装入石英舟推进扩散炉管中，将扩散炉内温度升至750-780℃之间：
S11，通入气体流量为800-1500sccm氧气，处理温度设置为780℃，炉管压力控制在100-150mbar，处理时间为200-300s，在硅片表面形成一层氧化膜；这层氧化膜有阻碍扩散的作用，特别是对活性弱的P原子能起有效阻挡作用从而减少扩散死层，同时减缓扩散推进速率有利于提高扩散的均匀性。
S12，通入200-400sccm携带POCl3的氮气，400-1000sccm氧气，处理温度设置为780℃，炉管压力控制在100-150mbar，进行低温沉积，沉积时间为2min-3min；停止通入气源后将温度升至850-880℃进行高温推进处理，其推进时间为10min-20min，得到扩散沉积磷层；
S13，通入500-1000sccm携带POCl3的氮气，800-1000sccm氧气，处理温度设置为770-790℃，炉管压力控制在100-150mbar，沉积时间为5min-10min，在扩散沉积磷层表面形成一层附磷层；附磷层有利于激光重掺，保证重掺区有足够的磷。
S2，通入800-1200sccm氧气，温度设置为770-790℃，炉管压力控制在90-110mbar；处理时间为2min-4min，在附磷层上形成一层致密性好的氧化层；
例如，在一实施例中，步骤S2为通入1000sccm氧气；炉管压力为100mbar。
S3，加大氧气量，通入2500-3000sccm氧气，温度设置为720-760℃，炉管压力控制在1000-1200mbar，处理时间为5min-8min。此步骤通过常压低温氧化处理将氧化层的厚度更快的提升至35-45nm。
例如，在一实施例中，步骤S3的炉管压力为1060mbar，氧气通入量为2800sccm。
S4，最后通入氮气吹扫，结束扩散，将石英舟推出炉管，取出硅片，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。
为验证由本发明实施例提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺对硅片扩散的保护效果，现利用碱溶液与SiO2的反应速率较慢，而碱溶液与硅反应速率较快的原理，用浓度为5％的碱溶液分别验证不同厚度氧化层对硅片的保护效果。如保护效果好，重掺杂区域PN结不会被破坏，PN结的方块电阻不会有变化。具体操作如下：
将上述实施例扩散后的硅片取出，即得到SE太阳电池用的硅片，对此硅片的局部区域使用激光加工实现局部重掺杂(SE工艺)。将重掺杂后的硅片放入5％浓度的碱溶液中，反应3min左右后取出硅片。
使用NAPSON NG-2000PV方阻测试仪测试采用本实施例制得的不同厚度氧化层与碱反应后的方块电阻。具体数据见表1。
表1不同氧化层厚度下的方块电阻变化值
| 样品1 | 样品2 | 样品3 | 样品4 | |
| 氧化层厚度10nm | 13Ω | 11Ω | 11Ω | 11Ω |
| 氧化层厚度20nm | 10Ω | 11Ω | 12Ω | 13Ω |
| 氧化层厚度30nm | 8Ω | 4Ω | 3Ω | 3Ω |
| 氧化层厚度35nm | 3Ω | 3Ω | 1Ω | / |
| 氧化层厚度40nm | 0Ω | 0Ω | 1Ω | 0Ω |
| 氧化层厚度45nm | 0Ω | 0Ω | 0Ω | / |
| 氧化层厚度50nm | 0Ω | 2Ω | 0Ω | 1Ω |
| 氧化层厚度60nm | 1Ω | 0Ω | 0Ω | 0Ω |
由表1测试结果可知，本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层低压扩散工艺，在附磷层后生长一层致密性强的氧化层能有效降低激光对硅片的损伤，且经过多次验证得出在氧化层厚度为40nm时激光对硅片的损伤能降到最低，氧化层继续变厚(如50nm、60nm)保护效果不会发生变化但工艺时间长，会导致生产效率降低；而氧化层过薄(如20nm、30nm)则起不到保护效果。
以采用传统扩散工艺制得的硅片作为对比例1，以本发明的扩散工艺制得的硅片作为实施例1。比较二者的电性能参数，结果见表2。
其中，传统扩散工艺为：
S11，通入气体流量为800-1500sccm氧气，处理温度设置为780℃，炉管压力控制在100-150mbar，处理时间为200-300s。
S12，通入200-400sccm携带POCl3的氮气，400-1000sccm氧气，处理温度设置为780℃，炉管压力控制在100-150mbar，进行低温沉积，沉积时间为2min-3min；停止通入气源后将温度升至850-880℃进行高温推进处理，其推进时间为10min-20min，得到扩散沉积磷层。
S13，通入500-1000sccm携带POCl3的氮气，800-1000sccm氧气，处理温度设置为770-790℃，炉管压力控制在100-150mbar，沉积时间为5min-10min，在扩散沉积磷层表面形成一层附磷层；同时，表面形成有一层薄薄的氧化层，此氧化层厚度为10nm。
表2为对比例1(氧化层厚度为10nm)与实施例1(氧化层厚度为40nm)的电性能参数对比数据
| Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | Ncell | |
| 对比例1 | 0.6730 | 9.9990 | 0.00156 | 307.0 | 81.40 | 21.80％ |
| 实施例1 | 0.6755 | 10.0195 | 0.00160 | 318.1 | 81.35 | 21.88％ |
表2结果可知，根据本发明工艺加工得到SE太阳电池用的硅片，其电性能较传统工艺提升了0.08％。需要说明的是，此为单个硅片性能提升数据，而在实际应用中，SE太阳能电池为多个硅片联用(例如72个)，由此可极大地提高整个太阳能电池组的发电功率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上所述，为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；
S2，通入800-1200sccm氧气，在温度770-790℃，压力90-110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；
S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35-45nm；
S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。
2.如权利要求1所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述步骤S3的条件为温度720-760℃，压力为1000-1200mbar。
3.如权利要求1所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述步骤S3的氧气通入量为2500-3000sccm。
4.如权利要求1所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述步骤S2的处理时间为2-4min。
5.如权利要求2所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述步骤S3的处理时间为5-8min。
6.如权利要求1-5任一项所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述步骤S1的具体操作包括如下步骤：
S11，通入800-1500sccm的氧气，在750-780℃，压力100-150mbar的条件下在硅片表面形成一层氧化膜；
S12，通入200-400sccm携带POCl3的氮气和400-1000sccm氧气，在750-780℃，压力100-150mbar的条件下进行低温沉积，沉积时间为2min-3min；
S13，通入500-1000sccm携带POCl3的氮气和800-1000sccm氧气，在770-790℃，压力100-150mbar的条件下进行沉积，在硅表面得到所述附磷层。
7.如权利要求6所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述S12和S13之间，还包括高温推进步骤，具体为，S12步骤停止通入气源后，将温度升至850-880℃进行高温推进处理，推进时间为10min-20min。
8.如权利要求6所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，其特征在于，所述S13的沉积时间为5min-10min。
9.一种SE太阳电池用的硅片，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺制得。
10.一种SE太阳电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345981A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于制备选择性发射极的链式设备 |
| CN113437182A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片 |
| CN114759117A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-15 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种改善晶硅电池制绒均匀性的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150162486A1 (en) * | 2013-09-16 | 2015-06-11 | Solexel, Inc. | Laser processing for solar cell base and emitter regions |
| CN109888062A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池激光se+碱抛光扩散工艺 |
| CN110148650A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-20 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 在硅片表面进行激光掺杂se的制备方法 |
| CN110518088A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-11-29 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种se太阳能电池的制备方法 |
-
2021
- 2021-01-05 CN CN202110015472.4A patent/CN112820801A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150162486A1 (en) * | 2013-09-16 | 2015-06-11 | Solexel, Inc. | Laser processing for solar cell base and emitter regions |
| CN109888062A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池激光se+碱抛光扩散工艺 |
| CN110148650A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-20 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 在硅片表面进行激光掺杂se的制备方法 |
| CN110518088A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-11-29 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种se太阳能电池的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| （日）西泽润一: "《超大规模集成电路工艺技术》", 30 May 1983, 国防工业出版社 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345981A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于制备选择性发射极的链式设备 |
| CN113345981B (zh) * | 2021-06-01 | 2022-12-06 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于制备选择性发射极的链式设备 |
| CN113437182A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片 |
| CN114759117A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-15 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种改善晶硅电池制绒均匀性的方法 |
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