JPS61141143A - 半導体基板の水洗装置 - Google Patents

半導体基板の水洗装置

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Publication number
JPS61141143A
JPS61141143A JP26342484A JP26342484A JPS61141143A JP S61141143 A JPS61141143 A JP S61141143A JP 26342484 A JP26342484 A JP 26342484A JP 26342484 A JP26342484 A JP 26342484A JP S61141143 A JPS61141143 A JP S61141143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
water
fine particles
water level
washing
Prior art date
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Pending
Application number
JP26342484A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyoshi Kawase
川瀬　康義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP26342484A priority Critical patent/JPS61141143A/ja
Publication of JPS61141143A publication Critical patent/JPS61141143A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板の水洗装置、特にバブリング式の水
洗装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体基板を酸又はアルカリ等の薬液で処理し友
後の純水水洗において、薬液と純水との置換性能を高め
るために空気等の気体を純水中でバブルさせながら半導
体基板の純水水洗を行うバブリング式の水洗装置がある
。このバブリング式の水洗装置では、バブル発生用パイ
プが水洗槽内の底部に設置され、発生し九バブルは水洗
槽内を上昇し、水洗液を揺動させるので半導体基板表面
に付着している薬液と純水がすみやかに入れ換わり、水
洗性能を高める構造になっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来のバブリング式水洗装置は、半導体基板を
酸又はアルカリ等の薬液を満たした薬液槽に浸漬しｔ後
に使用する。従って水洗装置の水洗槽に半導体基板を浸
漬すると前記薬液槽中に存在する微粒子が水洗槽に持ち
ごま几る。このように微粒子が多く存在する水洗槽中で
前記バブリングを行うと、微粒子がバブルによって半導
体基板表面に輸送される。この輸送され几バブルは半導
体基板上で消滅し、あるいは半導体基板上を移動し、あ
るいは半導体基板から離ｎるがその過程で気相と液相間
の界面張力によシ微粒子が半導体基板上に残置しやすく
なるーこのため従来のバプリノブ式水洗装置では乾燥後
も半導体基板表面上に微粒子数が多くなるという欠点を
有していた。
本発明は、かかる従来装置の欠点を取り除き、付着微粒
子数の少ない半導体基板表面の得られる水洗装置を提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体基板の水洗装置は：水洗槽内に半導体基
板用ホルダーの載置部およびバブル発生装置を備え、前
記バブル発生装置と前記載置部との間にバブルの通過を
防止する装置を設は九ことを特徴としている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
図は本発明に依る一実施例の水洗装置の断面図である。
外槽ｌの中に内槽２が設置されている。内槽２の側面に
は、パルプ３を具備したドレイ／パイプ４が設けられ、
底面には給水パイプ５が接続されている。内槽２の底部
に多数の小孔を有するバブル発生用バイブロが設置され
、内槽２の中央部に多数の小孔を有する水平な床板７が
設けられている。さらにバブル発生用バイブロと床板７
の中間に内槽２の上端から内槽２の底面に垂直でバブル
発生用パイプ６の設置深さまで延びるバブル隔離板８が
設けられている。
次にこの水洗装置の動作について説明する。まず、給水
パイプ５を通して純水が内槽に導入され水面９にてオー
バーフローしている。この状態において半導体基板１０
を収納したホルダー１１が内槽の床板７の上に載置され
ると同時にバルブ３が開いて水洗液の上層部の所定量が
ドレイ／パイプ４を通して外部に排液ざｎる。水面９が
水面１２まで達するとバルブ３が閉じ、給水パイプ５を
通して供給されている純水によって水面が再び水面９ま
で到達しオーバーフロー状態となる。、上記サイクルを
１〜１０回繰返す。この繰返しサイクルによシ、微粒子
が多い薬液槽で感想後の半導体基板が水洗槽に投入され
几直後に、微粒子を多くふくむ水洗液の上層部のみを短
時間で取り除くことができる。このため半導体基板への
微粒子の付着を従来のバブリング式水洗装置を使用し几
場合に比べて１桁以上少なくすることができる。また上
記繰返しサイクルの間、バブル発生用バイブロから濾過
さ几て微粒子を減じた空気が導入されバブリングが行な
われるが、水洗液はバブル隔離板８の空隙を通り抜けて
内槽２の内部を自由に流通できるが、バブルは空隙を通
過できないので、バブルと半導体基板１０との接触は生
じない。
バブル隔離板８として本実施例では図にその断面が示さ
れているように細長い板を横にならべ、傾斜をもたせて
連結した鎧戸状のものを用いた。
この場合、水洗槽中を上昇して細長い横板に当ったバブ
ルは、横板が斜め上向きに傾斜しているのでバブルはそ
の傾斜にそって上昇するので隔離板を通過して水洗槽の
内部に入シ込むことはない。
この他にバブルの直径よりも細かい網目の網も隔離板と
して使用しつる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明は、水洗槽内にバブル
は通過できないが、水洗液は自由に通過できるパズル隔
離板を設けた槽内構造においてバブリングを行なうこと
によって、半導体基板に付着して水洗液中に持込まれ水
洗液中に浮遊してい′る微粒子が、バブルを媒介として
半導体基板表面に再付着することなく、薬液と純水との
置換性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の水洗装置の断面図である。 ｌ・・・・・・外槽、２・・・・・・内槽、３・・・・
・・パルプ、４・・・・・・ドレイツバイブ、５・・・
・・・給水パイプ、６・・・・・・バブル発生用パイプ
、７・・・・・・床板、８・・・・・・バブル隔離板、
９・・・・・・上部液面、１０・・・・・・半導体基板
、１１・・・・・・ホルダー、１２・・・・・・下部液
面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　水洗槽内に半導体基板用ホルダーの載置部およびバブ
    ル発生装置を備える半導体基板の水洗装置において、前
    記バブル発生装置と前記載置部との間にバブルの通過を
    防止する装置を設けたことを特徴とする半導体基板の水
    洗装置。
JP26342484A 1984-12-13 1984-12-13 半導体基板の水洗装置 Pending JPS61141143A (ja)

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JP26342484A JPS61141143A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 半導体基板の水洗装置

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JP26342484A JPS61141143A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 半導体基板の水洗装置

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JPS61141143A true JPS61141143A (ja) 1986-06-28

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ID=17389297

Family Applications (1)

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JP26342484A Pending JPS61141143A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 半導体基板の水洗装置

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JP (1) JPS61141143A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5881748A (en) * 1994-03-28 1999-03-16 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water
JP2010125436A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置およびこの洗浄装置を用いた被洗浄物の洗浄方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5881748A (en) * 1994-03-28 1999-03-16 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water
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