KR20210032300A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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슈사쿠 마츠모토
고이치로 가와노
히로시 후지타
요시노리 기타무라
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키오시아 가부시키가이샤
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Abstract

액의 유속의 변동을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 실시 형태에 의한 기판 처리 장치는, 액을 저류 가능한 처리조를 구비한다. 반송부는, 복수의 반도체 기판의 표면이 대략 수평 방향으로 향하도록 해당 복수의 반도체 기판을 배열하고, 처리조 내에 복수의 반도체 기판을 반송 가능하다. 복수의 액 공급부는, 처리조의 하방으로부터 처리조의 내측 방향으로 향하게 하여 액을 공급 가능하다. 복수의 정류판이, 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측 또는 타단측 중 적어도 한쪽에 배치되어 있다. 복수의 정류판은, 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 반송부의 양측에 있어서의 반송부와 처리조의 측벽 사이의 간극 중 반도체 기판 상방에 있는 제1 간극 영역에 마련되어 있다.

Description

기판 처리 장치
본 실시 형태는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
뱃치식의 기판 처리 장치는, 반도체 기판을 처리조 내에 수용하고, 그 반도체 기판을 약액으로 처리한다. 이와 같은 기판 처리 장치는, 처리조 내의 약액의 농도 등을 균일하게 유지하기 위해 그 약액을 순환시키고 있다. 약액을 순환시키기 위해, 기판 처리 장치는, 처리조 내의 노즐로부터 약액을 공급하고, 처리조의 상단부로부터 흘러넘친 약액을 회수하고, 불순물의 제거 등의 처리를 행한 후에, 노즐로부터 처리조로 다시 공급하고 있다.
이와 같이 약액을 순환시키고 있을 때, 약액의 유속은, 처리조 내의 위치에 따라 변동된다. 약액의 유속의 변동은, 반도체 기판의 표면에 있어서의 에칭 속도 등의 처리 속도의 변동의 원인이 된다. 또한, 약액의 유속이 느린 영역에서는, 실리카와 같은 부생성물이 반도체 기판의 표면에 석출될 우려도 있다.
일본 특허 공개 제2017-195338호 공보 일본 특허 공개 제2006-32673호 공보 일본 특허 공개 평7-58078호 공보
액의 유속의 변동을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 실시 형태에 의한 기판 처리 장치는, 액을 저류 가능한 처리조를 구비한다. 반송부는, 복수의 반도체 기판의 표면이 대략 수평 방향으로 향하도록 해당 복수의 반도체 기판을 배열하고, 처리조 내에 복수의 반도체 기판을 반송 가능하다. 복수의 액 공급부는, 처리조의 하방으로부터 처리조의 내측 방향으로 향하게 하여 액을 공급 가능하다. 복수의 정류판이, 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측 또는 타단측 중 적어도 한쪽에 배치되어 있다. 복수의 정류판은, 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 반송부의 양측에 있어서의 반송부와 처리조의 측벽 사이의 간극 중 반도체 기판 상방에 있는 제1 간극 영역에 마련되어 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 의한 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도.
도 2는 제1 실시 형태에 의한 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도.
도 3은 처리조 내부에 있어서의 리프터의 측면도.
도 4는 도 3의 파선 원(4)의 확대도.
도 5는 처리조 및 리프터의 정면도.
도 6은 정류판이 없는 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 7은 약액의 유속의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프.
도 8은 제2 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 9는 제3 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 10은 제4 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 11의 (A)는 개구부가 마련되어 있지 않은 리프터를 사용한 경우의 약액의 유속 분포를 도시하는 도면, (B)는 개구부가 마련된 리프터를 사용한 경우의 약액의 유속 분포를 도시하는 도면.
도 12는 제5 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 13은 제6 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 14는 제6 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 측면도.
도 15는 제7 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 16은 제2 실시 형태 및 제7 실시 형태를 조합한 처리조 및 리프터의 정면도.
도 17은 제8 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 측면도.
도 18은 약액 공급관과 반도체 기판의 배치 관계를 도시하는 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 관한 실시 형태를 설명한다. 본 실시 형태는, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 도면은 모식적 또는 개념적인 것이며, 각 부분의 비율 등은, 반드시 현실의 것과 동일하다고는 할 수 없다. 명세서와 도면에 있어서, 기출의 도면에 관하여 전술한 것과 마찬가지의 요소에는 동일한 부호를 부여하고 상세한 설명은 적절히 생략한다.
(제1 실시 형태)
도 1 및 도 2는 제1 실시 형태에 의한 기판 처리 장치(1)의 구성예를 도시하는 사시도이다. 기판 처리 장치(이하, 간단히, 처리 장치라 함)(1)는, 예를 들어 뱃치식의 세정 장치, 습식 에칭 장치 등과 같이 복수의 반도체 기판 W를 약액 C에 침지하여 처리하는 장치이다. 예를 들어, 약액 C는, 열인산 용액이며, 반도체 기판 W 상에 형성된 구조의 실리콘 질화막을 에칭하기 위해 사용될 수 있다.
처리 장치(1)는, 처리조(10)와, 기체 공급관(20)과, 약액 공급관(30a, 30b)과, 리프터(40)와, 구동부(50)와, 순환조(60)와, 기체 공급 봄베(70)와, 컨트롤러(80)와, 정류판(100a 내지 100d)을 구비하고 있다.
처리조(10)는, 약액 C를 저류 가능하고, 복수의 반도체 기판 W를 대략 연직 방향으로 세운 상태에서 수용 가능하다. 반도체 기판 W는, 리프터(40)에 대략 연직 방향으로 기대어 세워 놓듯이 적재되며, 처리조(10) 내에 리프터(40)와 함께 수용된다. 반도체 기판 W는, 처리조(10)에 수용됨으로써, 약액 C에 침지된다.
기체 공급부로서의 기체 공급관(20)은, 처리조(10)의 저부 근방에 마련되어 있고, 처리조(10) 내에 수용된 반도체 기판 W의 하방에 위치한다. 기체 공급관(20)은, 반도체 기판 W의 하방으로부터 약액 C에 기포를 공급한다. 기체 공급관(20)은, 약액 C의 교반을 위해 마련되어 있는 편이 바람직하다. 그러나, 기체 공급관(20)은, 반드시 마련되어 있지는 않아도 된다.
약액 공급부로서의 약액 공급관(30a, 30b)은, 처리조(10)의 저부 근방에 마련되어 있고, 처리조(10) 내에 수용된 반도체 기판 W의 하방에 마련된다. 약액 공급관(30a, 30b)은, 처리조(10)의 하방으로부터 처리조(10)의 내측 방향으로 향하여 약액 C를 토출한다. 약액 공급관(30a, 30b)은, 내측 방향을 향한 약액 C의 공급 방향이 교차하도록 약액 C를 공급 가능하다. 도 18의 (A) 및 도 18의 (B)는 약액 공급관(30a, 30b)과 반도체 기판 W의 배치 관계를 도시하는 도면이다. 약액 공급관(30a, 30b)은, 인접하는 반도체 기판 W간에 약액 C를 공급 가능하도록 반도체 기판 W간의 간격과 대략 등간격으로 배열된 노즐 구멍 H를 갖고 있다. 반도체 기판 W와 후술하는 리프터(40)의 반송판(42) 사이에 약액 C를 공급하는 노즐 구멍 H, 및 반도체 기판 W와 처리조(10)의 내벽 사이에 약액 C를 공급하는 노즐 구멍 H도 대략 등간격으로 배치되어 있다. 노즐 구멍 H의 방향은, 모두 동일한 방향을 향하고 있어도 되지만, 특별히 한정되지 않는다. 단, 인접하는 반도체 기판 W간에 약액 C를 공급하는 노즐 구멍 H는, 동일한 방향을 향하고 있는 것이 바람직하다.
반송부로서의 리프터(40)는, 지지부(41)와, 반송판(42)과, 지주(44)와, 접속판(48)을 구비하고, 처리조(10) 내에 반도체 기판 W를 반송 가능하게 구성되어 있다. 지지부(41)는, 반도체 기판을 대략 연직 방향으로 기대어 세워 놓듯이(반도체 기판 W의 표면이 대략 수평 방향으로 향하도록) 반도체 기판 W를 배열하고, 반도체 기판 W의 측부(하측 단부)를 하방으로부터 지지한다. 반송판(42)은, 지지부(41)에 연결되어 있고, 반도체 기판 W 중 반송판(42)의 근처에 배열된 반도체 기판 W1의 표면 또는 이면과 대향한다. 반송판(42)과 반도체 기판 W1의 거리는, 예를 들어 20㎜ 내지 40㎜이다. 리프터(40)의 반송판(42)은, 지주(44)에 접속되어 있고, 구동부(50)에 의해 대략 연직 방향 D1로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 접속판(48)은, 반송판(42)과는 반대측에 마련되어 있고, 복수의 지지부(41)를 접속하고, 해당 지지부(41)를 반송판(42)과 함께 집어 고정하고 있다. 리프터(40)의 측부는, 반도체 기판 W의 배열 방향 D2에 대하여 대략 수평면 내에서 직교하는 방향 D3에 있어서 반도체 기판 W의 측부를 개방하고 있다. 따라서, 리프터(40)는, 반도체 기판의 반송에 사용되는 통상의 캐리어 박스와는 구성이 다르다.
제1 및 제2 정류판으로서의 정류판(100a, 100b)은, 반도체 기판 W의 배열의 반송판(42)측에 배치되어 있고, 제3 및 제4 정류판으로서의 정류판(100c, 100d)은, 반도체 기판 W의 배열의 접속판(48)측에 배치되어 있다. 정류판(100a 내지 100d)은, 처리조(10)의 내벽에 고정되어 있고, 리프터(40)를 D1 방향으로 상하 이동시켰을 때, 리프터(40) 및 반도체 기판 W에 접촉(간섭)하지 않도록 배치되어 있다. 정류판(100a 내지 100d)은, 예를 들어 판 형상 혹은 사각 기둥 형상을 갖고, 불소 수지, 석영 등의 내부식성이 있는 재료로 구성되어 있다. 정류판(100a 내지 100d)의 한층 더한 구성 및 배치는, 후에 설명한다.
순환조(60)는, 처리조(10)로부터 흘러넘친 약액 C를 저류한다. 반도체 기판 W의 처리 중에 있어서, 처리조(10)는, 약액 C로 채워져 있고, 처리조(10)로부터 흘러넘친 약액 C를 순환조(60)에 회수하고 있다. 순환조(60) 내의 약액 C는, 도시하지 않은 배관, 펌프 및 필터를 통해 약액 공급관(30a, 30b)으로부터 처리조(10)로 되돌려진다. 이에 의해, 약액 C는, 필터에서 여과되면서, 처리조(10)와 순환조(60) 사이에서 순환된다.
기체 공급 봄베(70)는, 기체 공급관(20)으로 기체를 공급하여, 기체 공급관(20)으로부터 기포를 공급한다. 기포는, 약액 C를 교반하여, 약액 C 내의 인산 농도나 실리카 농도를 균일화시키기 위해 공급된다. 컨트롤러(80)는, 구동부(50), 순환조(60), 기체 공급 봄베(70)를 제어한다.
도 3은 처리조 내부의 측면도이다. 도 4는 도 3의 파선 원(4)의 확대도이다. 리프터(40)는, 복수의 반도체 기판 W를 대략 연직 방향 D1로 기대어 세워 놓고, 그것들의 표면이 대략 수평 방향을 향하도록 배열시키고 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 지지부(41)는, 복수의 반도체 기판 W를 하방으로부터 지지하고, 반도체 기판 W간의 간격을 소정값으로 하도록 홈 TR을 갖는다. 반도체 기판 W는, 각각 홈 TR에 수용되어 거의 등간격으로 배열된다. 반송판(42)은, 지지부(41)에 접속되어 있고, 지지부(41)로부터 D1 방향으로 연신되어 있다. 리프터(40)의 하방에는, 약액 공급관(30a, 30b) 및 기체 공급관(20)이 배치되어 있다. 또한, 인접하는 반도체 기판 W의 페어는, 서로 표면(소자 형성면)을 대향시키도록 배열되고, 이와 같이 서로 표면이 대향된 반도체 기판 W의 페어가 반도체 기판 W의 배열 방향 D2를 따라서, 인접하는 페어간에서는 반도체 기판 W가 서로 이면을 대향시키는 상태에서 배열되어 있다. 그러나, 반도체 기판 W의 방향은, 이것에 한정되지 않는다.
또한, 정류판(100a, 100b)은, 반도체 기판 W의 배열의 일단측에 배치되어 있고, 리프터(40)의 측방(도 1의 D3 방향)으로부터 보았을 때, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이에 위치하고 있다. 정류판(100a, 100b)은, 반송판(42) 및 반도체 기판 W에 접촉하지 않도록 각각으로부터 이격되어 있다. 정류판(100a, 100b)과 그것에 인접하는 반도체 기판 W1 사이의 D2 방향에 따른 거리는, 서로 인접하는 반도체 기판 W간의 간격과 거의 동일한(예를 들어, 5㎜ 내지 10㎜) 것이 바람직하다. 그러나, 정류판(100a, 100b)과 반도체 기판 W1 사이의 거리는, 서로 인접하는 반도체 기판 W간의 간격보다 조금 넓어도 된다. 예를 들어, 정류판(100a, 100b)이 반송판(42) 및 반도체 기판 W에 접촉하지 않도록, 정류판(100a, 100b)과 그것에 인접하는 반도체 기판 W1 사이의 D2 방향에 따른 거리는, 반도체 기판 W간의 간격으로부터 그 2배까지의 값인 것이 바람직하다.
정류판(100c, 100d)은, 반도체 기판 W의 배열의 타단측에 배치되어 있고, 리프터(40)의 측방(도 1의 D3 방향)으로부터 보았을 때, 접속판(48)과 반도체 기판 W 사이에 위치하고 있다. 정류판(100c, 100d)은, 접속판(48) 및 반도체 기판 W에 접촉하지 않도록 각각으로부터 이격되어 있다. 정류판(100c, 100d)과 그것에 인접하는 반도체 기판 Wn(n은 2 이상의 정수) 사이의 D2 방향에 따른 거리는, 서로 인접하는 반도체 기판 W간의 간격과 거의 동일한(예를 들어, 5㎜ 내지 10㎜) 것이 바람직하다. 그러나, 정류판(100c, 100d)과 반도체 기판 Wn 사이의 거리는, 서로 인접하는 반도체 기판 W간의 간격보다 조금 넓어도 된다. 예를 들어, 정류판(100c, 100d)이 반송판(42) 및 반도체 기판 W에 접촉하지 않도록, 정류판(100c, 100d)과 그것에 인접하는 반도체 기판 Wn 사이의 D2 방향에 따른 거리는, 반도체 기판 W간의 간격으로부터 그 2배까지의 값인 것이 바람직하다.
도 5는 처리조 및 리프터의 정면도이다. 반도체 기판 W의 배열 방향(도 1의 D2 방향)으로부터 보았을 때, 정류판(100a 내지 100d)은, D3 방향에 있어서의 리프터(40)의 양측에 마련되어 있다.
정류판(100a, 100c)은, 처리조(10)의 측벽(10a)에 고정되어 있고, 리프터(40)와 측벽(10a) 사이의 간극 Ga에 마련되어 있다. 정류판(100a, 100c)은, 간극 Ga에 배치되며, 또한, 도 3과 같이 반도체 기판 W와 반송판(42) 또는 접속판(48) 사이에 배치되어 있으므로, 리프터(40)가 상하로 이동하였을 때 리프터(40) 본체 및 반도체 기판 W에 접촉(간섭)하지 않는다.
정류판(100b, 100d)은, 처리조(10)의 측벽(10b)에 고정되어 있고, 리프터(40)와 측벽(10b) 사이의 간극 Gb에 마련되어 있다. 정류판(100b, 100d)은, 간극 Gb에 배치되며, 또한, 도 3과 같이 반도체 기판 W와 반송판(42) 또는 접속판(48) 사이에 배치되어 있으므로, 리프터(40)가 상하로 이동하였을 때 리프터(40) 본체 및 반도체 기판 W에 접촉(간섭)하지 않는다.
약액 C는, 리프터(40) 또는 반도체 기판 W의 중심의 경사 하방에 있는 약액 공급관(30a, 30b)의 노즐 구멍으로부터 반도체 기판 W의 대략 중심을 향하여 경사 상방으로 토출된다. 이때, 약액 C는, 인접하는 반도체 기판 W간, 혹은, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이에 있어서 방향 Da, Db로 흐른다. 약액 공급관(30a)으로부터 토출된 약액 C와 약액 공급관(30b)으로부터 토출된 약액 C는, 양쪽 공급관으로부터의 토출 방향의 교차 위치 X에서 충돌하여, 합류되고, 상방으로 상승하려고 한다.
여기서, 약액 C의 흐름에 대하여 설명한다. 도 6은 정류판(100a 내지 100d)이 없는 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 단면도이다. 정류판(100a 내지 100d)이 마련되어 있지 않은 경우, 반송판(42) 근방의 약액 C는, 파선 화살표 Ac와 같이, 교차 위치 X로부터 상방으로 흘러, 반도체 기판 W의 상단 근방(반도체 기판 W의 상방에 있는 약액 C의 액면 부근)까지 흐른다. 또한, 반송판(42) 근방에 있어서, 반도체 기판 W의 상단 근방까지 상승한 약액 C는, D3 방향의 양측의 영역 Ra, Rb로 흐른다. 제1 간극 영역으로서의 영역 Ra, Rb는, 간극 Ga, Gb 중 반도체 기판 W의 대략 중심보다 상방에 있는 영역이다. D2 방향으로부터 보아, 영역 Ra, Rb에는, 반송판(42)은 마련되어 있지 않고, 또한, 반송판(42)의 편측에는 반도체 기판 W가 없다. 따라서, 영역 Ra, Rb에 있어서, 약액 C는, 처리조(10)로부터 흘러넘쳐 순환되거나, 혹은, 도 6의 지면 수직 방향(도 2의 D2 방향 중 반송판(42)으로 향하는 방향)으로 흐르기 쉽게 되어 있다.
접속판(48) 근방에 있어서도, 반송판(42) 근방과 마찬가지라고 할 수 있다. 예를 들어, 접속판(48) 근방의 약액 C는, 파선 화살표 Ac와 같이, 교차 위치 X로부터 상방으로 흘러, 영역 Ra, Rb로 흐른다. D2 방향으로부터 보아, 영역 Ra, Rb에는, 접속판(48)은 마련되어 있지 않고, 또한, 접속판(48)의 편측에는 반도체 기판 W가 없다. 따라서, 영역 Ra, Rb에 있어서, 약액 C는, 처리조(10)로부터 흘러넘쳐 순환되거나, 혹은, 도 6의 지면 수직 방향(도 2의 D2 방향 중 접속판(48)으로 향하는 쪽)으로 흐르기 쉽게 되어 있다.
따라서, 반송판(42) 및 접속판(48)의 근방에서는, 영역 Ra, Rb에 있어서의 약액 C는, 도 6의 지면 수직 방향(D2 방향)으로 회피하기 쉬워, 측벽(10a, 10b)을 따라서 대략 연직 하방향(D1 방향 중 하방향)으로 흐르는 유속이 작아진다.
한편, 인접하는 반도체 기판 W간을 통과하는 약액 C는, 반도체 기판 W의 상단을 초과하면, 영역 Ra, Rb로 흐르지만, D2 방향의 양측에 반도체 기판 W가 인접하고 있기 때문에, 영역 Ra, Rb에 있어서의 약액 C는, D2 방향으로 회피하기 어려워, 측벽(10a, 10b)을 따라서 대략 연직 하방향(D1 방향 중 하방향)으로 흐르기 쉽다. 게다가, 영역 Ra, Rb에 있어서, 하방향으로 향하면, 반도체 기판 W와 측벽(10a, 10b) 사이의 간극이 작아져 가기 때문에, 약액 C의 유속이 빨라진다.
이와 같이, 처리조(10) 내의 위치에 따라, 약액 C의 유속이 다르다. 이것은, 약액 C의 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동을 크게 하는 원인이 된다. 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동은, 에칭 속도의 변동, 혹은, 퇴적물의 부착의 원인이 된다.
이에 반해, 본 실시 형태에 의한 기판 처리 장치는, 도 5에 도시한 바와 같이, 영역 Ra, Rb에 정류판(100a 내지 100d)이 마련되어 있다. 정류판(100a, 100b)은, 반송판(42)의 근방에 있어서, D2 방향으로부터 보았을 때, 영역 Ra, Rb를 차단하도록 배치되어 있다. 이에 의해, 정류판(100a, 100b)은, 영역 Ra, Rb에 있어서, 도 2의 D2 방향의 반송판(42) 측으로 향하는 약액 C를 블록하여, 반도체 기판 W측에 머물게 한다. 그 결과, 반송판(42) 근방에 있어서, 약액 C는, 영역 Ra, Rb로부터 측벽(10a, 10b)을 따라서 대략 연직 하방향으로 흐른다.
정류판(100c, 100d)은, 접속판(48)의 근방에 있어서, D2 방향으로부터 보았을 때, 영역 Ra, Rb를 차단하도록 배치되어 있다. 이에 의해, 정류판(100c, 100d)은, 영역 Ra, Rb에 있어서, 도 2의 D2 방향의 접속판(48) 측으로 향하는 약액 C를 블록하여, 반도체 기판 W측에 머물게 한다. 그 결과, 접속판(48) 근방에 있어서, 약액 C는, 영역 Ra, Rb로부터 측벽(10a, 10b)을 따라서 대략 연직 하방향으로 흐른다.
이와 같이, 정류판(100a 내지 100d)은, 반송판(42) 및 접속판(48)의 근방에 있어서의 약액 C의 흐름을, 반도체 기판 W의 배열의 중간 부분에 있어서의 약액 C의 흐름에 접근시킬 수 있다.
정류판(100a 내지 100d)의 상단의 위치는, 처리조(10)의 상단 또는 약액 C의 상단과 동일하거나 혹은 그것보다도 높은 위치에 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 정류판(100a 내지 100d)은, D2 방향으로부터 보았을 때, 영역 Ra, Rb의 전체에 마련되어, 반송판(42) 및 접속판(48)의 근방에 있어서의 약액 C의 흐름을, 중간 부분에 있어서의 약액 C의 흐름에 접근시킬 수 있다. 한편, 정류판(100a 내지 100d)의 하단의 위치는, 처리조(10)의 저부까지 마련되어 있어도 되고, 리프터(40)의 반송판(42) 또는 접속판(48)의 하단까지 마련되어 있어도 된다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서 설명하는 바와 같이, 정류판(100a 내지 100d)의 하단의 위치는, 반도체 기판 W의 중심의 높이까지 상승시켜도 된다. 또한, 약액 C의 흐름을 반도체 기판 W의 배열에 있어서 대략 균등하게 하기 위해, 정류판(100a 내지 100d)의 형상, 크기, 상단 및 하단의 위치는 일치시키는 것이 바람직하다.
도 7은 약액 C의 유속의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. W1은, 반도체 기판 W의 배열 중 반송판(42)에 가장 가까운 반도체 기판 W를 나타낸다. Wn은, 반도체 기판 W의 배열 중 접속판(48)에 가장 가까운 반도체 기판 W를 나타낸다. Wk(1<k<n)는, 반도체 기판 W의 배열 중 중간에 배치된 반도체 기판 W를 나타낸다. 도 7의 그래프는, D2 방향으로부터 본 반도체 기판 W1, Wk, Wn의 각각에 대하여 약액 C의 유속 분포를 나타내고 있다. Vc는, 영역 Ra, Rb로부터 처리조(10)의 측벽(10a, 10b)을 따라서 하방으로 향하는 약액 C가 어떤 유속으로 흐르고 있는 영역을 나타내고 있다.
정류판(100a 내지 100d)이 없는 경우, 반도체 기판 Wk에 있어서, 약액 C가 유속 Vc로 흐르고 있는 영역은 있지만, 반도체 기판 W1, Wn에 있어서, 약액 C가 유속 Vc로 흐르고 있는 영역은 매우 적다. 즉, 정류판(100a 내지 100d)이 없으면, 영역 Ra, Rb로부터 하방으로 향하는 약액 C의 유속은, 반도체 기판 W의 배열의 단부(반송판(42) 및 접속판(48)의 근방)와 그 중간부에서 크게 상이함을 알 수 있다.
한편, 정류판(100a 내지 100d)이 마련되어 있는 경우, 반도체 기판 W1, Wk, Wn에 있어서, 약액 C가 유속 Vc로 흐르고 있는 영역은 동일 정도로 분포되어 있다. 즉, 정류판(100a 내지 100d)이 마련되어 있는 경우, 영역 Ra, Rb로부터 측벽(10a, 10b)을 따라서 하방으로 향하는 약액 C의 유속은, 반도체 기판 W의 배열의 위치에 그다지 의존하지 않음을 알 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 정류판(100a 내지 100d)을 반송판(42) 및 접속판(48)의 근방의 영역 Ra, Rb에 마련함으로써, 반송판(42) 및 접속판(48)의 근방에 있어서의 약액 C의 유속을, 반도체 기판 W의 배열의 중간 부분에 있어서의 약액 C의 유속에 접근시킬 수 있다. 그 결과, 약액 C의 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동을 억제하여, 에칭 속도의 변동, 혹은, 퇴적물의 부착을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 정류판(100a 내지 100d)은, 모두 반드시 마련되어 있을 필요는 없고, 적어도 그 일부가 마련되어 있어도 된다. 예를 들어, 정류판(100a, 100b)이 마련되고, 정류판(100c, 100d)이 없는 경우라도, 기판 처리 장치는, 본 실시 형태의 효과를 어느 정도 얻을 수 있다. 반대로, 정류판(100c, 100d)이 마련되고, 정류판(100a, 100b)이 없는 경우라도, 기판 처리 장치는, 본 실시 형태의 효과를 어느 정도 얻을 수 있다.
(제2 실시 형태)
도 8은 제2 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 제2 실시 형태에서는, 정류판(100a 내지 100d)의 하단의 위치가 제1 실시 형태의 그것들보다도 높은 위치에 있다. 정류판(100a 내지 100d)은, D2 방향으로부터 보았을 때, 도 6의 영역 Ra, Rb에 마련되어 있으면 된다. 따라서, 정류판(100a 내지 100d)은, 반도체 기판 W의 중심으로부터 상방에 존재하고 있으면 된다. 즉, 정류판(100a 내지 100d)의 하단은, 반도체 기판 W의 중심 근방의 높이 위치에 있으면 된다.
정류판(100a 내지 100d)의 하단은, 반도체 기판 W의 중심보다도 높은 위치에 있어도, 어느 정도, 본 실시 형태의 효과는 얻어진다. 그러나, 본 실시 형태의 효과를 충분히 발휘하기 위해, 정류판(100a 내지 100d)은, D2 방향으로부터 보았을 때, 도 6의 영역 Ra, Rb의 전체에 마련되는 것이 바람직하다.
(제3 실시 형태)
도 9는 제3 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 제3 실시 형태에서는, 정류판(100a 내지 100d)의 형상이, D2 방향으로부터 보았을 때, 도 6의 영역 Ra, Rb와 대략 동일하게 형성되어 있다. 즉, 정류판(100a 내지 100d)의 하단의 일부는, 반도체 기판 W의 외연을 따라서 대략 원호 형상으로 성형되어 있다. 이와 같은 형상이라도, 정류판(100a 내지 100d)은, D2 방향으로부터 보았을 때, 도 6의 영역 Ra, Rb를 막을 수 있다. 따라서, 제3 실시 형태도, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
(제4 실시 형태)
도 10은 제4 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 제4 실시 형태에서는, D2 방향으로부터 보았을 때, 교차 위치 X를 포함하는 반송판(42)의 중심부에 개구부(43)가 마련되어 있다. 개구부(43)를 가짐으로써, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이에 흐르는 약액 C의 일부가 개구부(43)를 통과하여 반송판(42)의 외측으로 흘러, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이를 상방향으로 흐르는 약액 C의 유속은 억제된다. 따라서, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이를 위로 통과하는 약액 C의 유속은 억제된다. 그 결과, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이를 위로 통과하는 약액 C의 유속은 반도체 기판 W간을 통과하는 약액 C의 유속과 그다지 변함이 없다. 이에 의해, 약액 C의 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동을 억제하여, 에칭 속도의 변동, 혹은, 퇴적물의 부착을 억제할 수 있다.
도 11의 (A)는 개구부(43)가 마련되어 있지 않은 리프터(40)를 사용한 경우의 약액 C의 유속 분포를 도시하는 도면이다. 도 11의 (A) 및 도 11의 (B)에 있어서, 백색에 가까운 부분은, 약액 C의 유속이 느림을 나타내고, 흑색에 가까운 부분은, 약액 C의 유속이 빠름을 나타내고 있다. 또한, 도 11의 (A) 및 도 11의 (B)는, D3 방향의 반도체 기판 W의 중심부에 있어서의 약액 C의 모습을 나타낸다.
도 11의 (A)의 원 CA로 나타내어져 있는 바와 같이, 개구부(43)가 마련되어 있지 않은 경우, 반도체 기판 W1의 상단부 근방에 있어서, 약액 C의 유속이 다른 부분보다도 매우 빠르게 되어 있다. 이것은, 반도체 기판 W1과 반송판(42) 사이에 유입되는 약액 C의 퇴피처가 적기 때문에, 그 약액 C가 반도체 기판 W1의 상단부에 도달하면, 반도체 기판 W1의 상단부의 상방을 반송판(42)과는 역방향으로 세차게 흐르기 때문이다. 이에 의해, 약액 C는, 화살표 A1과 같이 흐른다. 이것은, 약액 C의 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동을 크게 하는 원인이 된다.
도 11의 (B)는 개구부(43)가 마련된 리프터(40)를 사용한 경우의 약액 C의 유속 분포를 도시하는 도면이다.
도 11의 (B)의 원 CB로 나타내어져 있는 바와 같이, 개구부(43)가 마련되어 있는 경우, 반도체 기판 W1의 상단부 근방에 있어서, 약액 C의 유속은, 그다지 빠르게 되어 있지 않다. 이것은, 반도체 기판 W1과 반송판(42) 사이에 유입되는 약액 C의 일부가 개구부(43)를 통해 리프터(40)의 외측으로 유출되고 있기 때문이다. 따라서, 반도체 기판 W1의 상단부의 상방을 흐르는 약액 C의 유속은, 비교적 느려져, 다른 부분에 있어서의 유속과 동일하게 되어 있다. 이에 의해, 약액 C의 인산 농도 또는 실리카 농도의 변동을 억제하여, 반도체 기판의 처리 속도(예를 들어, 에칭 레이트)의 변동을 억제할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에 의한 리프터(40)는 반송판(42)에 개구부(43)를 갖고 있어도 된다.
제4 실시 형태는, 제2 또는 제3 실시 형태에 의한 정류판(100a 내지 100d)과 조합해도 된다.
(제5 실시 형태)
도 12는 제5 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 제5 실시 형태에서는, 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이에, 제5 정류판으로서의 정류판(110)이 마련되어 있다. 정류판(110)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서 반송판(42)과는 반대측에 마련되어 있다. 정류판(110)은, 리프터(40)의 지지부(41)에 접속되어 있어도 되고, 혹은, 처리조(10)의 벽면에 고정되어 있어도 된다. 정류판(110)은, 반도체 기판 W와 마찬가지로 리프터(40)의 지지부(41) 상에 적재되어 있어도 된다. 정류판(110)의 하단은, 반도체 기판 W와 마찬가지의 대략 원호 형상을 갖고, 반도체 기판 W의 하부를 따른 형상을 갖는다. 정류판(110)의 양쪽 측변은 대략 연직 방향으로 직선형으로 연신되어 있다. 정류판(110)의 D3 방향의 폭은 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이의 간격과 동일하거나 그것보다도 조금 좁게 되어 있다. 이에 의해, 정류판(110)은, 정류판(100c, 100d)과 간섭하지 않고, 리프터(40)와 함께 이동할 수 있다. 또한, 정류판(110)의 상변은, 대략 수평 방향으로 직선형으로 연신되어 있다. 정류판(110)의 상변의 높이는, 처리조(10)의 상단의 높이 또는 약액 C의 액면의 높이와 동일하거나 그것보다도 낮아도 된다.
정류판(110)은, D3 방향으로부터 보았을 때, 정류판(100a 내지 100d)보다도 반도체 기판 W에 가까운 위치에 배치해도 되고, 정류판(100a 내지 100d)과 거의 동일한 위치에 배치되어도 된다.
정류판(110)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서, 반송판(42)과 대향하는 위치에 배치된다. 이에 의해, 반송판(42) 근방의 반도체 기판 W1과 정류판(110) 근방의 반도체 기판 Wn 사이에서, 약액 C의 흐름의 상태를 접근시킬 수 있다. 또한, 제5 실시 형태는, 정류판(100a 내지 100d)을 가지므로, 제1 실시 형태의 효과도 얻을 수 있다. 정류판(110)은, 정류판(100a 내지 100d)과 마찬가지로 간극 Ga, Gb를 차단하므로, 간극 Ga, Gb를 관통하는 D2 방향의 약액 C의 흐름을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 정류판(110)의 하단의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 대략 직선형 등이어도 된다. 또한, 제5 실시 형태는, 제2 또는 제3 실시 형태에 의한 정류판(100a 내지 100d)과 조합해도 된다. 또한, 제5 실시 형태는, 제4 실시 형태에 의한 개구부(43)를 반송판(42)에 마련해도 된다. 이에 의해, 제5 실시 형태는, 제2 내지 제4 실시 형태 중 어느 효과를 더 얻을 수 있다.
(제6 실시 형태)
도 13은 제6 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 도 14는 제6 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 측면도이다. 제6 실시 형태에서는, 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이에, 제5 정류판으로서의 정류판(115)이 마련되어 있다. 도 14에 도시한 바와 같이, 정류판(115)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서 반송판(42)과는 반대측에 마련되어 있다. 정류판(115)은, 처리조(10)의 벽면에 고정되어 있다. 정류판(115)은, D3 방향으로부터 보았을 때, 접속판(48)과 처리조(10)의 벽면 사이에 위치한다. 정류판(115)의 하변은, 반도체 기판 W의 처리 시에 있어서, 반도체 기판 W보다도 하방에 위치하고 있다. 또한, 정류판(115)은, 반도체 기판 W의 처리 시에 있어서, 처리조(10) 내의 약액 C의 액면보다도 높은 위치까지 연신되어 있고, 그 상변은, 반송판(42)의 상변과 마찬가지로 약액 C의 액면보다 상방에 위치하고 있다.
정류판(115)의 상변은, 정류판(100c)의 근방으로부터 정류판(100d)의 근방까지 D3 방향의 거의 전체에 걸쳐 약액 C의 액면보다 상방에 위치하고 있다. 즉, 정류판(115)의 상변은, 간극 Ga, Gb 사이의 거의 전체에 있어서, 약액 C의 액면보다 상방에 위치하고 있다.
정류판(115)의 D3 방향의 폭은, 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이의 간격과 동일하거나 그것보다도 조금 좁게 되어 있다. 정류판(115)의 D3 방향의 폭은, 반송판(42)의 그것과 거의 동일해도 된다. 도 13에 도시한 바와 같이, 도 14의 D2 방향으로부터 보았을 때 정류판(115)은, 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이에 배치되어 있다.
정류판(115)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서, 반송판(42)과 대향하는 위치에 배치된다. 도 14에 도시한 바와 같이, 정류판(115)과 정류판(100c, 100d) 사이의 간격 또는 정류판(115)과 반도체 기판 Wn 사이의 간격은, 반송판(42)과 정류판(100a, 100b) 사이의 간격 또는 반송판(42)과 반도체 기판 W1 사이의 간격과 거의 동일하다. 이에 의해, 반송판(42) 근방의 반도체 기판 W1과 정류판(115) 근방의 반도체 기판 Wn 사이에서, 약액 C의 흐름의 상태를 거의 동일하게 할 수 있다.
또한, 정류판(115)은, 간극 Ga, Gb 사이의 전체에 있어서, 약액 C의 액면보다 상방에 위치하고 있으므로, 정류판(115, 100c, 100d)은, 약액 C가 처리조(10)로부터 도 14의 좌방향으로 흘러넘치는 것을 억제한다. 한편, 반송판(42, 100a, 100b)은, 약액 C가 처리조(10)로부터 도 14의 우방향으로 흘러넘치는 것을 억제한다. 이에 의해, 반도체 기판 W1 내지 Wn의 상단 근방(반도체 기판 W의 상방에 있는 약액 C의 액면 부근)에 있어서, 도 14의 D2 방향의 약액 C의 흐름을 억제할 수 있다. 또한, 제6 실시 형태는, 정류판(100a 내지 100d)을 가지므로, 제1 실시 형태의 효과도 얻을 수 있다.
또한, 제6 실시 형태는, 제2 또는 제3 실시 형태에 의한 정류판(100a 내지 100d), 혹은, 제5 실시 형태의 정류판(110)과 조합해도 된다. 또한, 제6 실시 형태는, 제4 실시 형태에 의한 개구부(43)를 반송판(42)에 마련해도 된다. 이에 의해, 제6 실시 형태는, 제2 내지 제5 실시 형태 중 어느 효과를 더 얻을 수 있다.
(제7 실시 형태)
도 15는 제7 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 제7 실시 형태는, 정류판(115)의 하변이 제6 실시 형태의 그것보다도 높은 위치에 있는 점에서 제6 실시 형태와 다르다. 정류판(115)은, 도시하지 않지만, 처리조(10)의 벽면에 고정되어 있으면 된다. 제7 실시 형태의 그 밖의 구성은, 제6 실시 형태의 대응하는 구성과 마찬가지여도 된다.
제7 실시 형태에 의한 정류판(115)이라도, 정류판(115)은, 간극 Ga, Gb 사이의 거의 전체에 있어서, 약액 C의 액면보다 상방에 위치하고 있으므로, 정류판(115, 100c, 100d)은, 약액 C가 처리조(10)로부터 반도체 기판 W의 배열 방향의 일방측 방향으로 흘러넘치는 것을 억제하여, 반도체 기판 W의 상단 근방에 있어서, 반도체 기판 W의 배열 방향의 약액 C의 흐름을 억제할 수 있다. 제7 실시 형태는, 그 밖에, 제6 실시 형태의 효과도 얻을 수 있다. 또한, 제7 실시 형태는, 정류판(100a 내지 100d)을 가지므로, 제1 실시 형태의 효과도 얻을 수 있다.
또한, 제7 실시 형태도, 제2 또는 제3 실시 형태에 의한 정류판(100a 내지 100d), 혹은, 제5 실시 형태의 정류판(110)과 조합해도 된다. 또한, 제7 실시 형태는, 제4 실시 형태에 의한 개구부(43)를 반송판(42)에 마련해도 된다. 이에 의해, 제7 실시 형태는, 제2 내지 제5 실시 형태 중 어느 효과를 더 얻을 수 있다.
예를 들어, 제7 실시 형태에 의한 정류판(115)을 제2 실시 형태에 적용한 경우, 도 16에 도시한 구성으로 된다. 도 16은 제2 실시 형태 및 제7 실시 형태를 조합한 처리조 및 리프터의 정면도이다. 정류판(115)의 하변은, 정류판(100c, 100d)의 하단과 거의 동일한 높이여도 된다. 이와 같은 구성이라도, 제7 실시 형태의 효과는 상실되지 않는다.
(제8 실시 형태)
도 17은 제8 실시 형태에 의한 처리조 및 리프터의 측면도이다. 제8 실시 형태에서는, 도 17의 D2 방향으로부터 보아 정류판(100a)과 정류판(100b) 사이에, 제6 정류판으로서의 정류판(120)이 더 설치되어 있다. 제8 실시 형태의 그 밖의 구성은, 제5 실시 형태와 마찬가지여도 된다. 따라서, 도 17의 D2 방향으로부터 보아 정류판(100c)과 정류판(100d) 사이에, 정류판(110)이 마련되어 있다.
정류판(120)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서 반송판(42)측에 마련되어 있다. 정류판(120)은, 리프터(40)의 지지부(41)에 접속되어 있어도 되고, 혹은, 반도체 기판 W와 마찬가지로 리프터(40)의 지지부(41) 상에 적재되어 있어도 된다. D2 방향으로부터 보았을 때, 정류판(120)의 형상은, 예를 들어 도 12에 도시한 정류판(110)의 형상과 동일해도 된다. 따라서, 정류판(120)의 하단은, 반도체 기판 W와 마찬가지의 대략 원호 형상을 갖고, 반도체 기판 W의 하부를 따른 형상을 갖는다. 정류판(120)의 양쪽 측변은 대략 연직 방향으로 직선형으로 연신되어 있다. 정류판(120)의 D3 방향의 폭은 정류판(100a)과 정류판(100b) 사이의 간격과 동일하거나 그것보다도 조금 좁게 되어 있다. 또한, 정류판(120)의 상변은, 대략 수평 방향으로 직선형으로 연신되어 있다. 정류판(120)의 상변의 높이는, 처리조(10)의 상단의 높이 또는 약액 C의 액면의 높이와 동일하거나 그것보다도 낮아도 된다.
정류판(120)은, 반도체 기판 W의 배열에 있어서, 반송판(42)과 반도체 기판 W 사이에 배치된다. 정류판(120)과 그것에 근접하는 반도체 기판 W1 사이의 거리는, 정류판(110)과 그것에 근접하는 반도체 기판 Wn 사이의 거리와 거의 동일하다. 이에 의해, 정류판(120) 근방의 반도체 기판 W1과 정류판(110) 근방의 반도체 기판 Wn 사이에서, 약액 C의 흐름의 상태를 거의 동일하게 할 수 있다. 또한, 제8 실시 형태는, 정류판(100a 내지 100d)을 가지므로, 제1 실시 형태의 효과도 얻을 수 있다. 정류판(110)은, 정류판(100a 내지 100d)과 마찬가지로 간극 Ga, Gb를 차단하므로, 간극 Ga, Gb를 관통하는 D2 방향의 약액 C의 흐름을 더욱 억제할 수 있다.
여기서, 정류판(120)의 하단의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 대략 직선형 등이어도 된다. 또한, 제8 실시 형태는, 제6 또는 제7 실시 형태와 조합해도 된다. 즉, 제6 또는 제7 실시 형태에 있어서, 정류판(120)이, 반도체 기판 W의 배열에 있어서 반송판(42)측에 마련되어도 된다. 이 경우, D2 방향으로부터 보았을 때, 정류판(120)의 형상 및 설치 방법은, 제6 또는 제7 실시 형태 각각의 정류판(110)의 형상 및 설치 방법과 거의 동일하게 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, D2 방향에 있어서의 약액 C의 흐름의 대칭성이 향상되기 때문이다.
본 발명의 몇몇 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되면 마찬가지로, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함되는 것이다.
1: 처리 장치
10: 처리조
20: 기체 공급관
30a, 30b: 약액 공급관
40: 리프터
50: 구동부
60: 순환조
70: 기체 공급 봄베
80: 컨트롤러
100a 내지 100d, 110, 120: 정류판

Claims (20)

  1. 액을 저류 가능한 처리조와,
    복수의 반도체 기판의 표면이 대략 수평 방향으로 향하도록 해당 복수의 반도체 기판을 배열하고, 상기 처리조 내에 상기 복수의 반도체 기판을 반송 가능한 반송부와,
    상기 처리조의 하방으로부터 상기 처리조의 내측 방향으로 향하게 하여 상기 액을 공급 가능한 복수의 액 공급부와,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측 또는 타단측 중 적어도 한쪽에 배치된 복수의 정류판이며, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 상기 반송부의 양측에 있어서의 상기 반송부와 상기 처리조의 측벽 사이의 간극 중 상기 반도체 기판 상방에 있는 제1 간극 영역에 마련된 복수의 정류판을 구비한, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 정류판의 상단은, 상기 처리조의 상단과 동일하거나 그것보다도 높은 위치에 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 정류판은, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 상기 제1 간극 영역을 차단하도록 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 정류판은, 상기 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측에 배치되고,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측에서 상기 복수의 정류판과 인접하는 반도체 기판과 상기 복수의 정류판 사이의 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향에 따른 거리는, 상기 복수의 반도체 기판 간의 간격으로부터 해당 간격의 2배까지의 사이의 값인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 정류판은,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측에 배치되며, 또한, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때 상기 반송부의 양측에 각각 배치되어 있는 제1 정류판 및 제2 정류판과,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 타단측에 배치되며, 또한, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때 상기 반송부의 양측에 각각 배치되어 있는 제3 정류판 및 제4 정류판을 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 일단측에서 상기 제1 정류판 및 제2 정류판과 인접하는 반도체 기판과 상기 제1 정류판 및 제2 정류판 사이의 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향에 따른 거리는, 상기 복수의 반도체 기판 간의 간격으로부터 해당 간격의 2배까지의 사이의 값인, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열의 타단측에서 상기 제3 정류판 및 제4 정류판과 인접하는 반도체 기판과 상기 제3 정류판 및 제4 정류판 사이의 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향에 따른 거리는, 상기 복수의 반도체 기판 간의 간격으로부터 해당 간격의 2배까지의 사이의 값인, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 정류판은, 대략 동일 형상을 갖고, 대략 동일 높이로 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 복수의 반도체 기판을 상하 방향으로 이동시킴으로써 상기 처리조 내에 반입 또는 반출하고,
    상기 복수의 정류판은, 상기 반송부 및 상기 반도체 기판에 접촉하지 않는 위치에 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 간극 영역은, 상기 복수의 반도체 기판의 대략 중심으로부터 상방에 있고,
    상기 복수의 정류판의 하단은, 상기 복수의 반도체 기판의 중심 근방의 높이 위치에 있는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 정류판의 하단의 일부는, 상기 복수의 반도체 기판의 외연과 대응한 대략 원호 형상을 갖는, 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 복수의 반도체 기판을 하방으로부터 지지하는 지지부와, 상기 지지부에 연결되어 있으며 상기 복수의 반도체 기판과 대향하는 반송판을 포함하고,
    상기 반송판은, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 상기 복수의 액 공급부로부터 공급되는 상기 액의 공급 방향의 교차 위치를 포함하도록 개구부를 갖는, 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 복수의 반도체 기판을 하방으로부터 지지하는 지지부와, 상기 지지부에 연결되어 있으며 상기 복수의 반도체 기판과 대향하는 반송판을 포함하고,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열에 대하여 상기 반송판과는 반대측에 마련되어 있는 제5 정류판을 더 구비한, 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제5 정류판은, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 상기 복수의 정류판 사이에 배치되는, 기판 처리 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 제5 정류판의 상변은, 상기 복수의 반도체 기판의 처리 시에, 상기 처리조 내의 액면보다도 상방에 위치하는, 기판 처리 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 기판의 배열에 대하여 상기 반송판측에 마련되어 있는 제6 정류판을 더 구비한, 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제6 정류판은, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향으로부터 보았을 때, 상기 복수의 정류판 사이에 배치되는, 기판 처리 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 복수의 반도체 기판의 배열 방향에 대하여 대략 수평 면 내에서 직교하는 방향에 있어서 해당 복수의 반도체 기판의 측부를 개방하고 있는, 기판 처리 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 기판은, 인접하는 반도체 기판의 페어가 서로 반도체 기판의 소자 형성면을 대향시키도록 배열되어 있는, 기판 처리 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 기판의 하방으로부터 기포를 공급하는 복수의 기체 공급부를 더 구비한, 기판 처리 장치.
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