JPH0758078A - ウエットエッチング処理装置 - Google Patents
ウエットエッチング処理装置Info
- Publication number
- JPH0758078A JPH0758078A JP20501593A JP20501593A JPH0758078A JP H0758078 A JPH0758078 A JP H0758078A JP 20501593 A JP20501593 A JP 20501593A JP 20501593 A JP20501593 A JP 20501593A JP H0758078 A JPH0758078 A JP H0758078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cassette
- wafer
- nitrogen
- etching
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ全面にエッチング液を接しさせて、ウ
エハを均一にエッチングする。 【構成】 エッチング液11としての燐酸をオーバーフ
ロー槽1に入れる。その外槽の燐酸を、吐出口7から循
環用配管5を通じてポンプ3で内槽へ循環させる。燐酸
をヒーター6で熱して、温度コントローラー10で所定
の温度に保持する。設定温度となったところで、ウエハ
13をセットしたカセット14を槽内に入れる。このカ
セット14を分散板2のカセット固定枠21上に置く
と、ウエハ突き上げ板14によってウエハ13が持ち上
がり、エッチング液がカセットの洗浄窓よりカセット1
4内に容易に流れ込む。また、窒素17をバブラー15
を通じて槽の底部より内槽全体に均一にバブリングす
る。この窒素でウエハ13を揺動させることで、その全
面にエッチング液11が確実に接する。
エハを均一にエッチングする。 【構成】 エッチング液11としての燐酸をオーバーフ
ロー槽1に入れる。その外槽の燐酸を、吐出口7から循
環用配管5を通じてポンプ3で内槽へ循環させる。燐酸
をヒーター6で熱して、温度コントローラー10で所定
の温度に保持する。設定温度となったところで、ウエハ
13をセットしたカセット14を槽内に入れる。このカ
セット14を分散板2のカセット固定枠21上に置く
と、ウエハ突き上げ板14によってウエハ13が持ち上
がり、エッチング液がカセットの洗浄窓よりカセット1
4内に容易に流れ込む。また、窒素17をバブラー15
を通じて槽の底部より内槽全体に均一にバブリングす
る。この窒素でウエハ13を揺動させることで、その全
面にエッチング液11が確実に接する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造に
使用されるウエットエッチング処理装置に関するもので
ある。
使用されるウエットエッチング処理装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、素子分離工程で使用するシリコン
窒化膜をエッチング除去するために熱燐酸が用いられて
いる。熱燐酸を用いたシリコン窒化膜のエッチングでは
高温ウエットエッチング処理装置が使われている。この
装置のエッチング槽に、ウエハをセットしたカセットを
投入して、そのエッチングをする。
窒化膜をエッチング除去するために熱燐酸が用いられて
いる。熱燐酸を用いたシリコン窒化膜のエッチングでは
高温ウエットエッチング処理装置が使われている。この
装置のエッチング槽に、ウエハをセットしたカセットを
投入して、そのエッチングをする。
【0003】以下、従来のウエットエッチング処理につ
いて説明する。図4は従来のウエットエッチング処理装
置の概略図である。図4において、1はオーバーフロー
槽、2は分散板、3はポンプ、4はフィルター、5は循
環用配管、6はヒーター、7は吐出口、8は純水、9は
純水用配管、10は温度コントローラー、11はエッチ
ング液、12はカセット、13はウエハである。
いて説明する。図4は従来のウエットエッチング処理装
置の概略図である。図4において、1はオーバーフロー
槽、2は分散板、3はポンプ、4はフィルター、5は循
環用配管、6はヒーター、7は吐出口、8は純水、9は
純水用配管、10は温度コントローラー、11はエッチ
ング液、12はカセット、13はウエハである。
【0004】この高温ウエットエッチング処理装置にお
いて、2つのカセット12が入るオーバーフロー槽1の
外槽のエッチング液11を、循環用配管5を通してポン
プ3で取り出し、フィルター4で異物を除去した後、吐
出口7から内槽へと循環させる。この吐出口7は内槽の
中央の位置にある。エッチング液11はヒーター6で加
熱して、温度コントローラー10で所定の温度に調節す
る。
いて、2つのカセット12が入るオーバーフロー槽1の
外槽のエッチング液11を、循環用配管5を通してポン
プ3で取り出し、フィルター4で異物を除去した後、吐
出口7から内槽へと循環させる。この吐出口7は内槽の
中央の位置にある。エッチング液11はヒーター6で加
熱して、温度コントローラー10で所定の温度に調節す
る。
【0005】この装置を所望の温度に設定した後、ウエ
ハ13をセットしたカセット12を内槽の分散板2上に
配置して、エッチングをする。
ハ13をセットしたカセット12を内槽の分散板2上に
配置して、エッチングをする。
【0006】燐酸は加熱するとその水分が蒸発するの
で、純水8を純水用配管9を通してオーバーフロー槽1
に補給する。
で、純水8を純水用配管9を通してオーバーフロー槽1
に補給する。
【0007】図5はウエットエッチング処理装置のウエ
ハのカセット拡大図である。図中の斜線部は、ウエハ1
3と、カセット12のウエハ保持用の溝との接触部分で
ある。また、図中の矢印はウエットエッチングを行った
時のエッチング液11の侵入経路を示す。
ハのカセット拡大図である。図中の斜線部は、ウエハ1
3と、カセット12のウエハ保持用の溝との接触部分で
ある。また、図中の矢印はウエットエッチングを行った
時のエッチング液11の侵入経路を示す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとき従来のウ
エットエッチング処理装置では、カセット12を槽内の
分散板2上に置くだけであるので、ウエハ13の、カセ
ット12のウエハ保持用溝部分との接触部分が、エッチ
ング液に接しにくくなり、エッチングが不均一になって
しまう。特に2つのカセット12が入るエッチング槽で
は、吐出口7から離れた位置にあるウエハ13は、エッ
チング液11の流れが弱くなるので、エッチングされに
くい。
エットエッチング処理装置では、カセット12を槽内の
分散板2上に置くだけであるので、ウエハ13の、カセ
ット12のウエハ保持用溝部分との接触部分が、エッチ
ング液に接しにくくなり、エッチングが不均一になって
しまう。特に2つのカセット12が入るエッチング槽で
は、吐出口7から離れた位置にあるウエハ13は、エッ
チング液11の流れが弱くなるので、エッチングされに
くい。
【0009】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、カセットにセットしたウエハ全面をエッチング液に
浸すためのウエットエッチング処理装置を提供すること
を目的とするものである。
で、カセットにセットしたウエハ全面をエッチング液に
浸すためのウエットエッチング処理装置を提供すること
を目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のウエットエッチング処理装置は、オーバーフ
ロー槽と、槽内のエッチング液を循環させるポンプと、
槽内のエッチング液を一定温度に加熱するヒーターと、
前記温度を制御する温度コントローラーと、槽内の底部
内に設けられた分散板にカセットを固定する枠と、前記
槽内のエッチング液を窒素でバブリングするバブラーを
備えている。
に本発明のウエットエッチング処理装置は、オーバーフ
ロー槽と、槽内のエッチング液を循環させるポンプと、
槽内のエッチング液を一定温度に加熱するヒーターと、
前記温度を制御する温度コントローラーと、槽内の底部
内に設けられた分散板にカセットを固定する枠と、前記
槽内のエッチング液を窒素でバブリングするバブラーを
備えている。
【0011】また、前記槽内のエッチング液のバブリン
グが、自動弁を有するタイマー付き窒素供給装置によっ
て制御されている。
グが、自動弁を有するタイマー付き窒素供給装置によっ
て制御されている。
【0012】また、前記槽内のエッチング液を窒素バブ
リングするバブラーが、2対に並べられ、その2対の間
隔が前記カセット内のウエハの直径とほぼ同じ幅であ
る。
リングするバブラーが、2対に並べられ、その2対の間
隔が前記カセット内のウエハの直径とほぼ同じ幅であ
る。
【0013】さらに、前記バブラーが、石英の直管で構
成されており、前記窒素を出す孔が直径1〜2mmであ
る。
成されており、前記窒素を出す孔が直径1〜2mmであ
る。
【0014】
【作用】上記構成によれば、カセットのウエハ保持用溝
部分に沿って持ち上げるための固定部を備えているた
め、カセットのウエハ保持用溝部分に沿ってウエハを持
ち上げることができる。このため、エッチング液がカセ
ット洗浄窓よりカセット内部へ流れ込みやすくなる。さ
らに、バブラーによりウエハの下から窒素をバブリング
することにより、ウエハが揺動する。このため、ウエハ
全面がエッチング液に接するようになり、均一にエッチ
ングできる。
部分に沿って持ち上げるための固定部を備えているた
め、カセットのウエハ保持用溝部分に沿ってウエハを持
ち上げることができる。このため、エッチング液がカセ
ット洗浄窓よりカセット内部へ流れ込みやすくなる。さ
らに、バブラーによりウエハの下から窒素をバブリング
することにより、ウエハが揺動する。このため、ウエハ
全面がエッチング液に接するようになり、均一にエッチ
ングできる。
【0015】また、槽内のエッチング液のバブリング
を、自動弁を有するタイマー付き窒素供給装置を用い
て、一定の時間間隔に行うことによって、エッチング液
の温度の低下を生じさせないようにする。
を、自動弁を有するタイマー付き窒素供給装置を用い
て、一定の時間間隔に行うことによって、エッチング液
の温度の低下を生じさせないようにする。
【0016】また、槽内のエッチング液を窒素バブリン
グするバブラーを2対使用し、その2対の間隔を処理す
べきウエハの直径と同じか、またはそれより数cm短く
しておくことによって、カセットのウエハ保持用溝部分
との接触部分をバブリングすることができる。
グするバブラーを2対使用し、その2対の間隔を処理す
べきウエハの直径と同じか、またはそれより数cm短く
しておくことによって、カセットのウエハ保持用溝部分
との接触部分をバブリングすることができる。
【0017】また、バブラーを石英の直管とし、それか
ら窒素を吐出する孔の位置を直管の真下とすることによ
って、バブラー内のエッチング液を完全に抜くことがで
きる。
ら窒素を吐出する孔の位置を直管の真下とすることによ
って、バブラー内のエッチング液を完全に抜くことがで
きる。
【0018】
【実施例】本発明の一実施例の高温ウエットエッチング
処理装置について、図面を参照して説明する。図1はそ
の概略図である。図1において、1は2カセットを入れ
るオーバーフロー槽、2はオーバーフロー槽1の底部に
付設した分散板、3はポンプ、4はフィルター、5は循
環用配管、6はヒーター、7はオーバーフロー槽1の内
槽底部の吐出口、8は純水、9は純水用配管、10は温
度コントローラー、11はエッチング液、12はカセッ
ト、13はウエハ、14は分散板2に設置したウエハ突
き上げ板、15はバブラー、16は窒素用配管、17は
窒素、18は窒素供給装置、19は電磁弁、20はタイ
マーである。
処理装置について、図面を参照して説明する。図1はそ
の概略図である。図1において、1は2カセットを入れ
るオーバーフロー槽、2はオーバーフロー槽1の底部に
付設した分散板、3はポンプ、4はフィルター、5は循
環用配管、6はヒーター、7はオーバーフロー槽1の内
槽底部の吐出口、8は純水、9は純水用配管、10は温
度コントローラー、11はエッチング液、12はカセッ
ト、13はウエハ、14は分散板2に設置したウエハ突
き上げ板、15はバブラー、16は窒素用配管、17は
窒素、18は窒素供給装置、19は電磁弁、20はタイ
マーである。
【0019】図2(a)は本実施例における分散板2の
平面図であり、図2(b)はそのa−a線に沿った断面
図である。図2において、21はカセット固定枠であ
る。
平面図であり、図2(b)はそのa−a線に沿った断面
図である。図2において、21はカセット固定枠であ
る。
【0020】まず、エッチング液11として燐酸を用い
オーバーフロー槽1に入れる。オーバーフロー槽1の外
槽の燐酸を、循環用配管5を通じてポンプ3で取り出
し、燐酸中の異物をフィルター4で取り除き、吐出口7
から内槽へ循環させる。燐酸はヒーター6により加熱さ
れ、温度コントローラー10で所定の温度に保持する。
燐酸を加熱すると、その水分が蒸発するので、純水8を
純水用配管9を通じて補給する。燐酸が設定温度となっ
たところで、槽内にウエハ13をセットしたカセット1
2を投入する。このカセット12を分散板2のカセット
固定枠21に固定すると、ウエハ突き上げ板14によっ
てウエハ13が持ち上がる。ウエハ13が持ち上がるこ
とによって、ポンプ3で循環するエッチング液11が、
カセット12の洗浄窓(後述)からカセット12内に容
易に流れ込む。また、バブラー15を通じて、窒素17
を槽の底部より内槽全体に均一にバブリングする。この
窒素17でウエハ13を揺動させる。
オーバーフロー槽1に入れる。オーバーフロー槽1の外
槽の燐酸を、循環用配管5を通じてポンプ3で取り出
し、燐酸中の異物をフィルター4で取り除き、吐出口7
から内槽へ循環させる。燐酸はヒーター6により加熱さ
れ、温度コントローラー10で所定の温度に保持する。
燐酸を加熱すると、その水分が蒸発するので、純水8を
純水用配管9を通じて補給する。燐酸が設定温度となっ
たところで、槽内にウエハ13をセットしたカセット1
2を投入する。このカセット12を分散板2のカセット
固定枠21に固定すると、ウエハ突き上げ板14によっ
てウエハ13が持ち上がる。ウエハ13が持ち上がるこ
とによって、ポンプ3で循環するエッチング液11が、
カセット12の洗浄窓(後述)からカセット12内に容
易に流れ込む。また、バブラー15を通じて、窒素17
を槽の底部より内槽全体に均一にバブリングする。この
窒素17でウエハ13を揺動させる。
【0021】窒素供給装置18は、電磁弁19とタイマ
ー20を備え、バブラー15との間に接続されている。
窒素供給装置18は、タイマー20により一定の時間間
隔で電磁弁19を開閉して、窒素17を供給する。この
ように窒素を一定間隔で供給することにより、エッチン
グ液11の温度の低下を防ぐことができる。また、窒素
の使用量を削減することもできる。
ー20を備え、バブラー15との間に接続されている。
窒素供給装置18は、タイマー20により一定の時間間
隔で電磁弁19を開閉して、窒素17を供給する。この
ように窒素を一定間隔で供給することにより、エッチン
グ液11の温度の低下を防ぐことができる。また、窒素
の使用量を削減することもできる。
【0022】図3(a)はバブラー15をエッチング槽
に設置した状態を示す平面図、同図(b)はその断面
図、図3(c)は要部断面図である。図3において、2
2はカセットの洗浄窓である。バブラー15は、石英直
管が2対に並んだ構造とし、その間隔を処理すべきウエ
ハ13の直径と同じか、あるいは数cm短くしておく。
それを洗浄窓22のあるカセット12の下に設置してお
く。バブラー15から出た窒素は洗浄窓22を通って、
カセット12のウエハ保持用溝部分とウエハ13との接
触部分を通る。これによって、ウエハ13が揺動し、ウ
エハ13全面がエッチング液11に接するので均一にエ
ッチングすることができる。
に設置した状態を示す平面図、同図(b)はその断面
図、図3(c)は要部断面図である。図3において、2
2はカセットの洗浄窓である。バブラー15は、石英直
管が2対に並んだ構造とし、その間隔を処理すべきウエ
ハ13の直径と同じか、あるいは数cm短くしておく。
それを洗浄窓22のあるカセット12の下に設置してお
く。バブラー15から出た窒素は洗浄窓22を通って、
カセット12のウエハ保持用溝部分とウエハ13との接
触部分を通る。これによって、ウエハ13が揺動し、ウ
エハ13全面がエッチング液11に接するので均一にエ
ッチングすることができる。
【0023】また、バブラー15の石英直管で窒素を出
す孔23は、図3(c)に示すように直管の真下に位置
させる。この孔23の直径は1〜2mmである。この構
造によって、バブラー15内のエッチング液11を完全
に抜くことができる。
す孔23は、図3(c)に示すように直管の真下に位置
させる。この孔23の直径は1〜2mmである。この構
造によって、バブラー15内のエッチング液11を完全
に抜くことができる。
【0024】膜厚160nmのシリコン窒化膜をもつウ
エハ13を、2つのカセット12に14枚均等に入れ、
温度150℃の燐酸を用いてエッチングを90分間行っ
たところ、エッチング残りが全くなく、ウエハ全面を均
一にエッチングすることができた。同じ条件で、従来の
装置を使用して実験したところ、図5の斜線部分にエッ
チング残りが14枚中6枚見られた。
エハ13を、2つのカセット12に14枚均等に入れ、
温度150℃の燐酸を用いてエッチングを90分間行っ
たところ、エッチング残りが全くなく、ウエハ全面を均
一にエッチングすることができた。同じ条件で、従来の
装置を使用して実験したところ、図5の斜線部分にエッ
チング残りが14枚中6枚見られた。
【0025】以上述べたように本実施例によれば、窒素
を一定間隔で供給することができ、エッチング液11の
温度の低下を防ぐことができる。また、窒素の使用量を
削減することができる。また、ウエハの、カセット12
の、ウエハ保持用の溝部分との接触部分をバブリングす
ることができ、カセット12のウエハ保持用溝部分とウ
エハ13との間にもエッチング液11が入り込むので、
エッチング残りをなくすことができる。さらにまた、バ
ブラー15内のエッチング液11を完全に抜くことがで
き、液交換の際に不純物を排出することができる。
を一定間隔で供給することができ、エッチング液11の
温度の低下を防ぐことができる。また、窒素の使用量を
削減することができる。また、ウエハの、カセット12
の、ウエハ保持用の溝部分との接触部分をバブリングす
ることができ、カセット12のウエハ保持用溝部分とウ
エハ13との間にもエッチング液11が入り込むので、
エッチング残りをなくすことができる。さらにまた、バ
ブラー15内のエッチング液11を完全に抜くことがで
き、液交換の際に不純物を排出することができる。
【0026】
【発明の効果】本発明のウエット処理装置によれば、カ
セットのウエハ保持用溝部分に沿ってウエハを持ち上げ
るためカセットの洗浄窓よりエッチング液がカセット内
に流れ込みやすくなる。また、窒素バブリングにより、
ウエハを揺動させることにより、ウエハ全面がエッチン
グ液に接するようになる。このため、エッチング残りが
なく、ウエハ全面を均一にエッチングすることができ
る。
セットのウエハ保持用溝部分に沿ってウエハを持ち上げ
るためカセットの洗浄窓よりエッチング液がカセット内
に流れ込みやすくなる。また、窒素バブリングにより、
ウエハを揺動させることにより、ウエハ全面がエッチン
グ液に接するようになる。このため、エッチング残りが
なく、ウエハ全面を均一にエッチングすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における高温ウエット処理装置
の概略図
の概略図
【図2】(a)は図1に示した実施例における分散板の
平面図 (b)はそのa−a線に沿った断面図
平面図 (b)はそのa−a線に沿った断面図
【図3】(a)は図1に示した実施例においてバブラー
を設置した状態を示す平面図 (b)はその断面図 (c)は要部断面図
を設置した状態を示す平面図 (b)はその断面図 (c)は要部断面図
【図4】従来の高温ウエットエッチング処理装置の概略
図
図
【図5】従来の高温ウエットエッチング処理装置のウエ
ハカセット拡大図
ハカセット拡大図
1 オーバーフロー槽 2 分散板 3 ポンプ 4 フィルター 5 循環用配管 6 ヒーター 7 吐出口 8 純水 9 純水用配管 10 温度コントローラー 11 エッチング液 12 カセット 13 ウエハ 14 ウエハ突き上げ板 15 バブラー 16 窒素用配管 17 窒素 18 窒素供給装置 19 電磁弁 20 タイマー 21 カセット固定枠 22 洗浄窓 23 孔
Claims (4)
- 【請求項1】 オーバーフロー槽と、前記槽内のエッチ
ング液を循環するポンプと、前記槽内のエッチング液を
一定温度に加熱するヒーターと、前記温度を制御する温
度コントローラーと、前記槽内の底部内に設けられた分
散板にカセットを固定する枠と、前記槽内のエッチング
液を窒素でバブリングするバブラーとを備えたことを特
徴とするウエットエッチング処理装置。 - 【請求項2】 前記槽内のエッチング液のバブリング
が、自動弁を有するタイマー付き窒素供給装置によって
制御されていることを特徴とする請求項1記載のウエッ
トエッチング処理装置。 - 【請求項3】 前記槽内のエッチング液を窒素バブリン
グするバブラーが、2対に並べられ、その2対の幅が前
記カセット内のウエハの直径とほぼ同じ幅であることを
特徴とする請求項1記載のウエットエッチング処理装
置。 - 【請求項4】 前記バブラーが、石英の直管で構成され
ており、前記窒素を出す孔が直径1〜2mmであること
を特徴とする請求項1記載のウエットエッチング処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20501593A JPH0758078A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ウエットエッチング処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20501593A JPH0758078A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ウエットエッチング処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758078A true JPH0758078A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16500038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20501593A Pending JPH0758078A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ウエットエッチング処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758078A (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09181041A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1074727A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
JPH112806A (ja) * | 1997-03-21 | 1999-01-06 | Lg Electron Inc | 蝕刻装置 |
JP2000147474A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-26 | System Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 |
JP2002278473A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP2003040649A (ja) * | 2001-04-12 | 2003-02-13 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラス基板の化学加工方法及び化学加工装置 |
JP2005008423A (ja) * | 2003-04-24 | 2005-01-13 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラスの化学加工方法及びその装置。 |
CN101154581A (zh) * | 2006-09-26 | 2008-04-02 | 冲电气工业株式会社 | 半导体器件的制造方法、湿式蚀刻处理装置及湿式蚀刻方法 |
US7392814B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
JP2013146714A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Idec Corp | 微細気泡生成装置 |
JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Lcdガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
KR101339888B1 (ko) * | 2011-08-24 | 2013-12-10 | 비아이신소재 주식회사 | 대구경 사파이어 분석용 에칭장치 |
JP2015035502A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 三洋電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法 |
JP2018014470A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP2018133551A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR20180111571A (ko) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
JP2018174258A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP2018174255A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
US20190080937A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
KR20190029448A (ko) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2021040162A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
KR20210032300A (ko) | 2019-09-12 | 2021-03-24 | 키오시아 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP20501593A patent/JPH0758078A/ja active Pending
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09181041A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1074727A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
US8043466B1 (en) | 1997-03-21 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd | Etching apparatus |
JPH112806A (ja) * | 1997-03-21 | 1999-01-06 | Lg Electron Inc | 蝕刻装置 |
JP2000147474A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-26 | System Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 |
JP2002278473A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP2003040649A (ja) * | 2001-04-12 | 2003-02-13 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラス基板の化学加工方法及び化学加工装置 |
JP2005008423A (ja) * | 2003-04-24 | 2005-01-13 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラスの化学加工方法及びその装置。 |
US7392814B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
JP2008084903A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、ウエットエッチング処理装置及び、ウエットエッチング方法 |
CN101154581A (zh) * | 2006-09-26 | 2008-04-02 | 冲电气工业株式会社 | 半导体器件的制造方法、湿式蚀刻处理装置及湿式蚀刻方法 |
KR101339888B1 (ko) * | 2011-08-24 | 2013-12-10 | 비아이신소재 주식회사 | 대구경 사파이어 분석용 에칭장치 |
JP2013146714A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Idec Corp | 微細気泡生成装置 |
JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Lcdガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
JP2015035502A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 三洋電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法 |
JP2018014470A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
CN107644824A (zh) * | 2016-07-22 | 2018-01-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质 |
KR20180010993A (ko) * | 2016-07-22 | 2018-01-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2018133551A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018174255A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP2018174258A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
KR20180111571A (ko) | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
JP2018174257A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
US20190080937A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
KR20190029448A (ko) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2019050349A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
US11594430B2 (en) | 2017-09-11 | 2023-02-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
KR20210032300A (ko) | 2019-09-12 | 2021-03-24 | 키오시아 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
US11469127B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-10-11 | Kioxia Corporation | Substrate processing device |
JP2021040162A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0758078A (ja) | ウエットエッチング処理装置 | |
US4980017A (en) | Method for recirculating high-temperature etching solution | |
JP2001023952A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
KR100728244B1 (ko) | 실리레이션처리장치 및 방법 | |
KR20120033250A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US6637445B2 (en) | Substrate processing unit | |
JP7130510B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20180096855A1 (en) | Substrate liquid treatment apparatus, substrate liquid treatment method and storage medium | |
KR20190044519A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
US20040221880A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
TW201921478A (zh) | 基板處理方法 | |
JP7160642B2 (ja) | 基板処理方法、3次元メモリデバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP2017117938A (ja) | 基板液処理装置および基板液処理方法 | |
JP2001271188A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4351981B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びその装置 | |
JPH04357835A (ja) | ウエット処理装置 | |
JPH11186217A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6516908B2 (ja) | リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
US20130273744A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JPH07161674A (ja) | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 | |
JPH11307507A (ja) | ウエハ乾燥装置 | |
JP4412540B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR0122871Y1 (ko) | 반도체 제조용 세척조의 온도 및 유량 자동제어장치 | |
JP2648556B2 (ja) | シリコンウエーハの表面処理方法 | |
WO2023223908A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |