KR100728244B1 - 실리레이션처리장치 및 방법 - Google Patents

실리레이션처리장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100728244B1
KR100728244B1 KR1020000067984A KR20000067984A KR100728244B1 KR 100728244 B1 KR100728244 B1 KR 100728244B1 KR 1020000067984 A KR1020000067984 A KR 1020000067984A KR 20000067984 A KR20000067984 A KR 20000067984A KR 100728244 B1 KR100728244 B1 KR 100728244B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
silicide
supply
heating mechanism
Prior art date
Application number
KR1020000067984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010051729A (ko
Inventor
토시마타카유키
오모리츠타에
야마시타마사미
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20010051729A publication Critical patent/KR20010051729A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100728244B1 publication Critical patent/KR100728244B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Abstract

본 발명은 실리레이션(silylation)처리장치및 방법에 관한 것으로서 챔버와 상기 챔버내에 설치되어 기판을 가열하는 가열기구와 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와 상기 챔버내에서 상기 기판을 지지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판지지 치구를 구비하고 있다. 가열기구로부터의 간격을 최대한 떨어뜨려 챔버내의 열의 영향을 받기 어려운 상태에서 기판을 수취하고 상기에 비교하여 가열기구와의 간격을 결정하여 챔버내의 온도가 면내 균일성을 유지할 때까지 대기하여 면내 균일성을 얻은 후에 한층 가열기구에 가깝게하여 실리레이션 반응을 생기게하는 기술이 제시된다.

Description

실리레이션처리장치 및 방법{ SILYLATION TREATMENT UNIT AND METHOD }
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리장치의 전체 구성을 나타내는 상면도이다.
도 2 는 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리장치의 전체구성을 나타내는 종단면도이다.
도 3 은 제 1 실시형태에 있어서 공급링의 사시도이다.
도 4 는 제 1 실시형태에 있어서 의 전체구성을 제어계와 함께 나타낸 도이다.
도 5 는 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리장치를 갖는 레지스트처리시스템의 전체구성을 나타내는 도이다.
도 6 은 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리장치를 갖는 레지스트처리시스템의 측면도이다.
도 7 은 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리장치를 갖는 레지스트처리시스템의 기능을 설명하기 위한 정면도이다.
도 8A ~ C 는 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리공정을 행하는 도이다.
도 9 는 제 1 실시형태에 있어서 실리레이션 처리의 플로쟈트를 나타내는 도이다.
도 10 은 실리레이션 처리의 변형예의 플로쟈트를 나타내는 도이다.
도 11 은 공급링의 다른 변형예의 사시도이다.
도 12 는 공급링의 또 다른 변형예의 평면도이다.
도 13 은 도 12의 공급링을 사용할 때의 기류의 흐름을 나타내는 측면단면의 설명도이다.
도 14 는 본 발명의 실리레이션 처리장치의 다른 변형예의 측면단면의 설명도이다.
도 15 는본 발명의 실리레이션 처리장치의다른 변형예의 측면단면의 설명도이다.
도 16 은 공급링의 별개의 변형예의 사시도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 실리레이션 처리장치 2 : 베이스블럭
2a : 베이스블럭 측부 5 : 핫 플레이트
7 : 처리실 7A, 7B : 개구(開口)
9 : 공(孔) 10 : 리프트 핀
11, 15 : 암 12, 16 : 수직 실린더
13 : 셔터 14 : 공급 링
19, 20 : 닥트 23 : 돌기
본 발명은 반도체 웨이퍼와 LCD기판과 같은 기판표면을 실리레이션 처리하기위한 실리레이션(silylation) 처리장치 및 실리레이션 처리방법에 관한다.
반도체집적회로와 같은 마이크로일렉트로닉 장치의 제조에 있어서 실리콘웨이퍼상에 가공되는 패턴의 미세화에 수반하여 가공에 사용되는 리소그래피기술 및 레지스트재료에 요구되는 성능은 점점 냉엄해지고 있다.
디바이스의 제작에 사용되는 리소그래피기술에 관하여 패턴노광에 이용되는 광원의 파장도 단파장화되어 있고 i선과 KrF엑시머레이져 빛을 이용하도록 되어 왔다.
i선에서는 노볼락계의 레지스트를 베이스수지로 한 감광제를 이용하여 리소그래피를 행해왔다. 그러나 한층 단파장화에 의해 ArF엑시머레이져 빛을 이용함에 따라 노볼락계의 레지스트에서는 광흡수가 크기때문에 미세화를 실현하는 것이 불가능하다. 상기에서 페놀계의 고리형태의 화합물을 이용한 레지스트가 제안되고 있다. 상기와 같은 페놀계의 레지스트에 의하면 내플라즈마성이 향상하는 이점을 갖고 있어서 페놀계의 레지스트를 이용하면 광흡수율이 상당히 높고 단파장일수록 상기 경향은 강해진다. 특히 ArF엑시머레이져빛을 이용하는 경우 충분한 깊이까지 빛이 도달하지 않는다.
상기에서 ArF엑시머레이져빛과 같은 단파장의 광원을 이용한 경우에 있어서도 충분한 감광작용을 갖고 내플라즈마성을 향상시키는 수단으로서 실리레이션법이 각광을 받고 있다. 상기 실리레이션법은 감광제를 소정의 패턴형으로 감광시킨 후 감광한 감광제를 표면을 실리레이션시켜 상기 실리레이션한 감광제를 마스크에 드라이현상을 행하는 것에 의해 충분한 선택성을 갖는 레지스트패턴을 형성하는 것이 가능하다.
여기에서 종래의 실리레이션 처리방법에 의하면 이하에 설명하는 해결해야 할 과제가 있다.
상기 실리레이션법을 실현하는 실리레이션반응은 온도의존성이 매우 높고 웨이퍼의 면내에 있어서 온도가 불균일이면 실리레이션 반응도 웨이퍼면내에 있어서 불균일히 진행하는 문제가 있다. 따라서 실리레이션법을 이용하기 위해서는 실리레이션층의 균일성을 구하는 것이 필요하다. 상기 문제를 해결하기위해 종래는 처리 챔버구조와 실리레이션분위기의 공급방법 핫플레이트의 정밀도등의 하드웨어구성을 여러가지 고안하는 것으로 대응해 왔다. 상기와 같은 고안에 의해 실리레이션층의 균일성을 구할 수 있어도 상기 프로세스조건은 하드면에 의존하기 위한 미소한 하드웨어구성의 결함이 균일한 실리레이션층의 형성을 방해한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 것으로서 상기 목적으로 하는 점은 하드적구성에 의하지 않고 균일한 실리레이션층을 얻을 수 있는 것이 가능한 실리레이션 처리장치 및 실리레이션 처리방법을 제공하는 것이다.
상기 발명은 제 1의 관점에 있는 실리레이션 처리장치는 챔버와 상기 챔버내에 설치되고 기판을 가열하는 가열기구와 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와 상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구를 구비하여 이루어진다.
상기와 같은 구성에 의하면 가열기구로부터의 간격을 많이 떨어뜨려 챔버내의 열의 영향을 받기어려운 상태로 기판을 수취하고 상기에 비교하여 가열기구와의 간격을 좁혀서 챔버내의 온도가 면내균일성을 지지할 때까지 대기하고 면내균일성을 구한 후에 다시 가열기구에 가깝게하여 실리레이션 반응을 일으키는 것이 가능하다. 상기와 같이 가열기구에 의한 가열이 균일해 질때까지 기판의 간격을 가열기구에 대하여 소정의 간격을 두고 지지하는 것에 의해 불균일한 실리레이션제의 분위기중에 있는 실리레이션이 일어나지 않는다.
상기의 발명은 제 2의 관점에 있어서 실리레이션처리방법은 기판을 챔버내에 반입하고 당해 챔버내에 설치된 가열기구와 소정의 간격을 유지하여 설치하는 공정과 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 도입하여 상기 챔버내를 실리레이션제 분위기에서 충만시키는 공정과 상기 가열기구에 의한 상기 챔버내를 승온시키는 공정과 상기 기판을 상기 가열기구에 대하여 가까이하고 상기 기판의 실리레이션반응이 일어나지 않는 온도에서 상기 실리레이션 분위기를 상기 챔버내에 균일하게 확산시키는 공정과 상기 기판을 한층 상기 가열기구에 가까이하여 당해 기판의 온도를 높여 당해 기판표면에서 실리레이션 반응을 일으키는 공정을 포함한다.
또한, 상기 방법에 의하면 가열기구와 기판의 간격은 적어도 3단계 이상으로 변화하도록 설정되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 실리레이션반응을 일으키는 공 정에서는 기판은 가열기구에 거의 접하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 실리레이션처리후는 실리레이션제의 증기로 치환하여 불활성가스를 챔버에 도입하는 것으로 실리레이션처리를 간편하게 완료시키는 것이 가능하다. 또한, 상기의 챔버내의 가스의 치환전에 가열기구와 기판과의 간격을 떨어지게하고 나서 행하는 것으로 여분 또한, 불균일한 실리레이션 반응도 방지하는 것도 가능하다.
또한, 가열 기구와 기판을 소정의 간격을 유지하여 설치한 상태에서 실리레이션제의 분위기로 충만시킬 때 챔버내를 감압하는 것에 의해 챔버내에 존재하느 가스량이 감소하기 때문에 챔버내의 가스류가 안정하고 실리레이션제의 농도의 균일성이 한층 향상한다.
또한, 챔버로의 상기 실리레이션제의 도입을 정지하고 챔버로부터의 배기를 행하지 않고 실리레이션반응을 일으키는 것에 의해 챔버내에서의 가스의 흐름이 없어지고 실리레이션 분위기가 균일한 상태를 지지한 상태로 실리레이션반응을 일으키는 것이 가능하기 때문에 웨이퍼상의 실리레이션 반응의 면내 균일성이 한층높아진다.
이하 첨부의 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다.
( 제 1 실시형태 )
본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼용의 레지스트처리 시스템에 본 발명의 실 리레이션 처리장치를 이용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1 및 도 2는 상기 실리레이션 처리장치의 구성을 나타내는 것이고 도 1은 평면도 2, 도 2는 종단면도이다.
도 1에 나타난 바와 같이 상기의 실리레이션 처리장치(1)은 베이스블럭 (2)를 갖고 있다. 베이스블럭(2)는 요(凹)형 형태를 이룬다. 상기의 측부를 규정하는 베이스블럭측부(2a)상기 저부를 규정하는 베이스블럭 저부(2b)로 이루어진다. 또한, 상기 베이스 블럭측부(2a)의 소정의 높이의 위치에는 수평차폐판(3)이 베이스블럭저부(2b)에 대하여 수평으로 취부되어 있다. 수평차폐판(3)에는 원형의 개구(4)가 형성되고 상기 개구(4)내에 가열기구로서 핫 플레이트(5)가 수용되어 있다. 핫 플레이트(5)는 지지판(6)의 의해 수평차폐판(3)에 지지되어 있다.
실리레이션처리를 행하는 챔버로서의 처리실(7)은 베이스블럭측부(2a)와 수평차폐판(3)과 커버(8)로서 규정되어 있다. 처리실(7)의 정면측 및 배면측에는 각각 개구(7A, 7B)가 형성되어 개구(7A, 7B)를 사이에 두고 웨이퍼(W)가 처리실(7)에 반입반출되도록 되어 있다.
핫 플레이트(5)에는 3개의 공(9)가 연결형성되고 각 공(9)에 웨이퍼(W) 지지치구로서 리프트핀(10)이 각각 삽입되어 연결되어 있다. 3개의 리프트핀(10)은 암(11)에 연결지지되고 암(11)은 예를 들면 수직실리더(12)의 로드(12a)에 연결지지되어 있다. 수직실리더(12)로부터 로드(12a)를 돌출시키면 리프트핀(10)이 돌출하여 핫 플레이트(5)에서 웨이퍼(W)를 들어올리도록 되어 있다.
웨이퍼(W)를 3점 지지하는 리프트 핀(10)의 높이는 예를들면 저·중·고의 3 단계(이하 각각의 높이를 저레벨 중레벨 고레벨로 함)로 조절가능하게 되어 있다. 저레벨의 경우 리프트핀(10)은 핫 플레이트(5) 표면으로부터 돌출하지 않는다. 따라서 리프트핀(10)에 의해 지지된 웨이퍼(W)와 핫 플레이트(5)표면과의 간격은 이론상 0nm이지만 실제의 장치구성에 있어서 프록시미티는 예를들면 0.1nm정도이다. 중레벨은 리프트핀(10)이 핫 플레이트(5) 표면으로부터 예를들면 7nm 돌출한다. 또한, 고레벨은 리프트핀(10)이 핫 플레이트(5) 표면으로부터 예를들면 18nm 돌출한다. 상기 고레벨에 있어서 도시않은 반송기구에 의해 다른 처리기구로부터 웨이퍼(W)의 수수가 행해진다.
도 2에 나타난 바와 같이 핫 플레이트(5)의 외주위에는 링형의 셔터(13)이 취부되어 있다. 셔터(13)은 암(15)를 사이에 두고 수직 실린더(16)의 로드(16a)에 의해 승강가능하게 지지되어 있다. 상기 셔터(13)은 비처리시에 있어서는 저위치로 되어있지만 처리시에 상승하고 핫 플레이트(5)와 커버(8)의 사이에 위치한다. 셔터(13)의 내주위에는 링형태의 공급링(14)가 핫 플레이트(5)를 둘러싸도록 배치되어 있다.
공급링(14)의 상세한 사시구성을 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타난 바와 같이 공급링(14)는 원고리형태의 링부재(14b)를 갖는다. 상기 링부재(14b)의 원고리내주에 따라서 예를들면 중심각 2°의 피치간격으로 다수의 공급공(14a)가 형성되어 있다. 상기 링부재(14b)는 원고리 저면에 있어서 링부재(14b)의 원고리 중심에 대하여 대칭위치로 4개의 공급통로(14c)가 개구하고 있다. 상기의 공급통로(14c)는 베이스블럭 저부(2b)에 설치된 개구를 사이에 두고 베이스블럭(2)외의 실리레이 션제 공급원(도시 안됨)에 연결되어 있다.
커버(8)의 중앙에는 배기관(17)에 연결되는 배기구(18)이 개구하고 있다. 상기의 배기구(18)을 사이에 두고 가열처리시등에 발생하는 가스를 배기하도록 되어 있다. 배기관(17)은 장치정면측 닥트(19)(또는 20) 또는 그 외 도시않은 닥트에 연결되어 있다.
수평차폐판(3)의 아래쪽에 기계실(21)이 설치되어 있다. 기계실(21)은 닥트(19)의 측벽 측벽(22) 및 베이스블럭 저부(2b)에 의해 주위를 규정하고 있다. 기계실(21)에는 예를들면 핫 플레이트 지지판(6) 셔터암(15) 리프트핀암(11) 승강실리더(16) 승강실린더(12)가 설치되어 있다.
도 1에 나타난 바와 같이 핫 플레이트(5)의 상면에는 예를들면 4개의 돌기(23)이 설치되고 상기 4개의 돌기에 의해 웨이퍼(W)가 위치결정되도록 되어 있다. 또한, 핫 플레이트(5)의 상면에는 복수의 소(小) 돌기( 도시 안됨)가 설치되고 웨이퍼(W)를 핫 플레이트(5)상에 재치하면 상기 소(小) 돌기의 정상부가 웨이퍼(W)에 접촉하도록 되어 있다. 상기에 의해 웨이퍼(W)와 핫 플레이트(5)의 사이에는 미소한 간격 (약 0.1mm)가 형성되어 웨이퍼(W)의 하면이 더러워지거나 손상되는 것이 없도록 되어 있다.
다음으로 상기의 실리레이션 처리장치의 제어계 및 실리레이션제 증기공급기구에 대해서 도 4를 이용하여 설명한다.
도 4에 나타난 바와 같이 각 공급통로(14c)는 실리레이션 증기도입관(31)에 연결되어 있고 상기의 실리레이션제 증기도입관(31)은 버블러(BUBBLER) 탱크(32)에 서 생성된 실리레이션제 증기를 처리실(7)내에 도입한다. 실리레이션제 증기도입관(31)에는 질량콘트롤러(33)이 설치되고 콘트롤러(34)로부터의 제어령에 근거하여 처리시(7)에 도입되는 실리레이션제 증기의 유량을 제어한다.
버블러탱크(32)의 저면에는 예를들면 다공질의 세락믹등으로 이루어지는 버블링부재(35)가 설치되어 상기의 버블링부재(35)에는 N2 등의 불활성가스를 도입하는 가스 도입관(36)이 삽입 연결되어 있다. 버블러 탱크(32)의 상면으로부터는 캐리어가스 도입관(37)로부터 캐리어가스로서 예를들면 N2가 도입되어 탱크(32)내에 비착된 실리레이션제(38)을 버블링부재(35)에 가스도입관(36)으로부터 불활성 가스를 도입하여 버블링하면서 실리레이션제 증기를 생성하고 가스 도입관(31)로부터 N2를 캐리어가스로서 처리실(7)에 실리레이션제 증기를 도입한다.
핫 플레이트(5)는 저항발열 히터 (도시 안됨) 및 온도센서(41)을 내장하고 있고 검지한 핫 플레이트(5)의 온도를 콘트롤러(34)에 출력한다. 콘트롤러(34)는 검지한 핫 플레이트(5)의 온도를 기초로 저항가열 히터를 이용하여 핫 플레이트(5)의 온도제어를 행한다. 또한, 예를들면 핫 플레이트를 중공부를 갖는 피복물(jacket)로 하고 중공부에 열매(熱媒)를 순환공급하여 웨이퍼(W)를 가열하도록 해도 좋다.
배기관(17)에는 예를들면 질량콘트롤러(42)가 설치되어 있고 콘트롤러(34)에 의해 배기유량이 제어된다.
처리실(7)내에는 예를들면 압력센서(43)이 취부되어 있고 상기 압력센서(43)에서 검지된 처리실(7)내의 압력은 콘트롤러(34)에 츨력된다. 콘트롤러(34)는 검 지한 처리실(7)내의 압력을 기초로 질량콘트롤러(33, 42)를 제어한다. 상기에 의해 처리실(7)에 도입되는 실리레이션제 증기 및 처리실(7)로부터 배기되는 배기가스의 유량이 제어된다.
또한, 버블러 탱크(32)는 상기 기술한 구성에 한정되는 것이 아니라 예를들면 버블링을 행하기 위한 버블링부재(35)를 이용하지 않고 도입관(36)에 다수의 공(孔)을 형성하고 공으로부터 가스를 도입하는 것에 의해 버블링시켜도 좋다. 또한, 상기의 경우에는 가스도입하지 않는 사이에 있어서 실리레이션제(38)의 역류를 방지하기 위하여 도입관(36)에 역지정(逆止井)을 설치하는 것이 바람직하다.
상기의 실리레이션 처리장치는 도 5 ~ 도 7에 나타나는 도포현상 처리시스템에 적용된다.
도 5에 나타난 바와 같이 상기의 도포현상 처리시스템은 웨이퍼(W)가 수용된 카세트(CR)로부터 웨이퍼(W)를 순차 취출하는 로드 / 언로드부(62)와 로드 / 언로드부(62)에 따라서 취출된 웨이퍼(W)에 대한 레지스트액 도포 및 현상의 프로세스처리를 행하는 프로세스처리부(63)과 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)를 도시않은 노광장치에 수수하는 인터페이스부(64)를 구비하고 있다. 로드 / 언로드부(62)는 반도체웨이퍼(W)를 예를들면 25매 단위로 수납한 카세트(CR)이 출입되는 재치대(65)를 구비하고 있다.
상기 로드 / 언로드부(62)에서는 도 5에 나타난바와 같이 재치대(65)상의 위치결정돌기부(65a)의 위치에 복수개 예를들면 4개까지의 카세트(CR)이 상기의 웨이퍼 출입구를 프로세스 처리부(63)측에 향하여 X방향으로 일렬히 재치되고 상기 카세트배열방향(X방향) 및 카세트(CR)내에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방향 ; 수직방향)에 이동가능한 제 1의 서브암기구 (66)이 각 카세트(CR)에 선택적으로 억세스하도록 되어 있다.
또한, 상기 제 1의 서브암기구(66)은 θ방향으로 회전자재로 구성되어 있고 상기 웨이퍼(W)를 상기 프로세스처리부(63)에 설치된 메인암 기구(67)에 수수하는 것이 가능하도록 되어 있다. 또한, 후 기술하도록 프로세스처리부(63)측의 제 3의 처리유니트군(G3)의 다단유니트부에 속하는 얼라인먼트유니트(ALIM) 및 엑스텐션유니트(EXT)에도 억세스가능하도록 되어 있다.
로드 / 언로드부(62)와 프로세스처리부(63)간에서의 웨이퍼(W)의 수수는 제 3의 처리유니트군(G3)을 사이에 두고 행해진다. 상기의 제 3의 처리유니트군(G3)은 도 7에 나타난바와 같이 복수의 프로세스처리 유니트를 종형으로 쌓아 올려 구성한 것이다. 즉 상기 처리유니트군(G3)는 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 쿨링유니트(COL) 웨이퍼(W)에 대한 레지스트액의 정착성을 높이는 소수화처리를 행하는 애드비젼유니트(AD) 웨이퍼(W)에 대한 실리레이션처리를 행하는 실리레이션 처리장치(SIL) 실리레이션처리가 행해진 웨이퍼(W)에 대해서 드라이 현상을 행하는 드라이 현상 유니트(DDEV) 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 하는 얼라인먼트유니트(ALIM) 웨이퍼(W)를 대기시켜 두기위한 엑스텐션유니트(EXT) 노광처리전의 가열처리를 행하는 2개의 프리베이킹유니트(PREBAKE) 노광처리 후의 가열처리를 행하는 2개의 포스트베이킹유니트(POBAKE) 및 포스트엑스포져베이킹유니트(PEBAKE)를 순서로 아래로부터 위로 쌓아올려 구성되어 있다.
상기 웨이퍼(W)의 메인암기구(67)로의 수수는 상기 엑스텐션유니트(EXT) 및 얼라인먼트유니트(ALIM)를 사이에 두고 행해진다.
또한, 도 5에 나타난 바와 같이 상기의 메인 암기구(67)의 주위에는 상기 제 3의 처리유니트군(G3)을 포함하는 제 1 ~ 제 5의 처리유니트군(G1 ~ G5)가 상기의 메인암기구(67)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 상기 기술한 제 3의 처리 유니트군(G3)과 같이 그외의 처리 유니트(G1, G2, G4, G5)도 각종의 처리유니트를 상하방향으로 쌓아올림으로 구성되어 있다. 상기의 발명의 실리레이션 처리장치(SIL)는 상기 제 3, 제 4의 처리유니트군 (G3, G4)에 설치되어 있다.
한편 상기 메인암기구(67)은 도 7에 나타난 바와 같이 상하방향으로 연접된 관형태의 가이드(69)의 내측에 메인암(68)을 상하방향(Z방향)에 승강자재로 장비하고 있다. 관형태의 가이드(69)는 모터(도시안됨)의 회전축에 접속되어 있고 상기의 모터의 회전구동력에 따라서 상기 회전축을 중심으로 하여 메인암(68)과 일체로 회전하고 상기에 의해 메인암(68)은 θ방향으로 회전자재로 된다. 또한, 관형태의 가이드(69)는 상기 모터에 따라 회전되는 별개의 회전축(도시안됨) 에 접속하도록 구성하여도 좋다. 상기한 바와 같이 메인암(68)을 상하방향에 구동하는 것으로 웨이퍼(W)를 상기 각 처리유니트군 (G1 ~ G5)의 각 처리유니트에 대하여 임의로 억세스시키는 것이 가능하도록 되어 있다.
상기 로드 / 언로드부(62)에서 제 3의 처리유니트군(G3)의 엑스텐션유니트(EXT)를 사이에두고 웨이퍼(W)를 수취한 메인암(67)은 우선 상기의 웨이퍼(W)를 제 3의 처리유니트군(G3)의 애드비젼유니트(AD)에 반입하고 소수화처 리를 행한다. 계속하여 애드비젼유니트(AD)로부터 웨이퍼(W)를 반출하고 쿨링유니트(COL)에서 냉각 처리한다.
냉각처리 된 웨이퍼(W)는 상기 메인암기구(67)에 따라 상기 제 1의 처리유니트군(G1)(또는 제 2의 처리유니트군(G2))의 레지스트액 도포처리장치(COT)에 대향위치 결정되어 반입된다.
레지스트액이 도포된 웨이퍼(W) 메인암기구(67)에 따라 언로드되어 제 4의 처리유니트군(G4)를 사이에 두고 인터페이스부(64)에 수수된다.
상기 제 4의 처리유니트군(G4)은 도 7에 나타난 바와 같이 쿨링유니트(COL), 엑스텐션 ·쿨링유니트(EXT ·COL), 엑스텐션 유니트(EXT), 쿨링유니트(COL), 실리레이션처리장치(SIL), 드라이현상 유니트(DDEV) 2개의 프리베이킹유니트(PREBAKE) 및 3개의 포스트베이킹유니트(POBAKE)를 아래로부터 위로 순차로 쌓아올려 구성한 것이다.
상기 레지스트액 도포유니트(COT)로부터 취출된 웨이퍼(W)는 우선 프리베이킹유니트(PREBAKE)에 삽입되고 레지스트액으로부터 용제(신나)를 날려서 건조시킨다. 또한, 상기의 건조는 예를들면 감압법에 의한 것이어도 좋다. 즉 웨이퍼(W)를 프리베이킹유니트(PREBAKE) 또는 상기와는 별개에 설치된 챔버내에 삽입하고 웨이퍼(W) 주변을 감압하는 것으로 용제를 제거(레지스트액을 건조)하는 방법도 좋다.
다음으로 상기의 웨이퍼(W)는 쿨링유니트(COL)에서 냉각된 후 엑스텐션유니트(EXT)를 사이에 두고 상기 인터페이스부(64)에 설치된 제 2의 서브암기구(70)에 수수된다.
웨이퍼(W)를 수취한 제 2의 서브암기구(70)은 수취한 웨이퍼(W)를 순차적으로 버퍼카세트(BUCR)내에 수납한다. 상기 인터페이스부(64)는 상기 웨이퍼(W)를 도시않는 노광장치에 수수하고 노광처리후의 웨이퍼(W)를 수취한다.
노광처리된 후의 웨이퍼(W)는 주변 노광장치(WEE)에서 웨이퍼주변부의 불요레지스트막이 제거된 후 상기와는 역으로 제 4의 처리유니트군(G4)를 사이에두고 메인암기구(67)에 수수되어 상기의 메인암기구(67)은 상기의 노광 후의 웨이퍼(W)를 실리레이션 처리장치(SIL)에 반송한다. 실리레이션 처리장치(SIL)에서 실리레이션 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 드라이현상 유니트(DDEV)에 반송되어 드라이현상이 행해진다. 상기 후 엑스텐션유니트(EXT)를 사이에 두고 로드 / 언로드부(62)에 배출된다.
또한, 상기 제 5의 처리유니트군(G5)는 선택적으로 설치되는 것으로 상기의 예에서는 상기 제 4의 처리유니트군(G4)와 같은 형태로 구성되어 있다. 또한, 상기의 제 5의 처리유니트군(G5)는 레일(71)에 의해 이동가능하게 지지되고 상기 메인암기구(67) 및 상기 제 1 ~ 제 4의 처리유니트군(G1 ~ G4)에 대한 멘테난스처리를 용이하게 행하도록 되어 있다.
상기 발명의 실리레이션 처리장치를 도 5 ~ 도 7에 나타난 도포현상유니트에 적용한 경우 각 처리유니트가 상하 적층식으로 구성되어 있기 때문에 장치의 설치면적도 현저히 감소시킬 수 있다.
또한, 상기의 실시형태에 나타난 실리레이션 처리장치는 상기와 같은 도표현 상 유니트외의 장치에도 적용가능한 것은 물론이다. 또한, 그외 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경가능하다.
다음으로 상기의 도포현상 처리시스템에 의한 실리레이션 처리공정을 도 8A ~ 8C의 공정 단면도 및 도 9의 플로챠트에 따라서 설명한다.
도포현상처리 시스템의 메인스위치를 ON하면 각 전원으로부터 실리레이션처리장치(1)로 급전이 각각 개시된다.
그리고 셔터(13)을 열어 메인암기구(67)의 메인암을 지지하는 암홀더(도시 안됨)에 웨이퍼(W)를 재치하고 처리실(7)안에 삽입한다. 상기의 웨이퍼(W)의 반입시 리프트핀(10)을 핫 플레이트(5)에 대해서 약 18mm정도 상승시켜(SI) 웨이퍼(W)를 암 홀더로부터 리프트핀(10)에 이재하고 암홀더를 처리실(7)에서 이동시킨다(도 8A. S2). 상기의 웨이퍼(W)의 반입시의 처리실(7)내의 온도는 상온이기 때문에 웨이퍼(W) 표면에 있어서 실리레이션 반응은 상기의 단계에서는 물론 일어나지 않는다.
웨이퍼(W)가 핫 플레이트(5)에서 약 18mm정도 떨어진 위치에 반입 된 후 셔터(13)을 상승시켜서 처리실(7)내를 밀폐한 상태에서 배기구(17)로부터 대기를 배기하고 처리실(7)내를 감압한다(S3). 그리고 소정의 압력 예를들면 80파스칼까지 내려간 점에서 공급공(14a)로부터 실리레이션제 증기를 도입한다(S4). 이 때의 실리레이션제 증기 온도는 반응이 갑자기 진행하는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼(W)와 같은 온도 예를들면 약 40 ~ 50℃로 하는 것이 좋다.
그리고 실리레이션제 증기가 처리실 (7)내에 충만할 때 핫 플레이트(5)를 가 열한다(S5). 그리고 리프트 핀(10)을 하강시켜서 웨이퍼(W)와 핫 플레이트(5)와의 간격을 약 7mm정도로 한다(S6). 또한, 상기의 리프트핀(10)을 하강시키고 나서 핫 플레이트(5)에서 가열하는 것도 물론 용이하다. 상기에서 웨이퍼(W)는 핫 플레이트(5)와 떨어져 있기 때문에 웨이퍼(W)는 핫 플레이트(5)표면보다 저온으로 유지된다. 구체적으로는 웨이퍼(W) 표면에 있어서 실리레이션 반응이 생기지 않는 정도의 온도로 유지하기 때문에 웨이퍼(W)의 온도를 약 40 ~ 50℃에 유지한다(도 8B). 또한, 상기의 온도조건하 실리레이션제 증기가 처리실(7)내에 균일하게 확산 할때까지 대기한다(S7). 실리레이션제 증기가 균일하게 확산하면 웨이퍼(W)의 면내에 있어서는 온도는 균일하게 된다.
그리고 실리레이션제 증기의 도입을 막고 배기관(17)로부터의 가스배기를 멈추어 처리실(7)내로 가스의 유출을 대부분 막고 처리실(7)내를 일정의 압력으로 지지하여 밀폐한 상태에서 또한, 처리실(7)내의 온도를 웨이퍼(W)의 면내에 있어서 균일하게 한 상태에서 핫 플레이트(5)의 가열을 계속한다(S8).
그리고 핫 플레이트(5) 자체의 온도가 예를들면 80 ~ 90℃정도로 될 때 리프트핀(10)을 하강시켜 웨이퍼(W)와 핫 플레이트(5)와의 간격을 0.1mm정도한다 (도 8C, S9). 이 때 웨이퍼 80 ~ 90℃정도로 가열되기 때문에 웨이퍼(W)도 80 ~ 90℃가지 상승하고 상기 표면에 있어서 실리레이션이 진행한다(S10). 상기 실리레이션시 대부분이 처리실(7)내로 가스의 도입 및 처리실(7)에서의 가스의 배기가 멈추고 밀폐되어 처리실(7)내의 온도의 면내 균일성이 유지하고 있기 때문에 실리레이션도 웨이퍼(W)의 면내에서 균일하게 진행한다.
실리레이션이 완료할 때 실리레이션 반응을 종료시키는 도시않은 가스 도입구에서 처리실(7)내에 N2 가스를 도입함과 동시에 배기구(17)로부터 실리레이션제 증기를 포함하는 가스를 배기시켜 처리실(7)내의 가스를 실리레이션제 증기로부터 N2가스로 치환한다(S11). 실리레이션반응은 수초 걸리기 때문에 상기의 처리실(7)내의 가스를 치환하는 것에 의해 즉시 실리레이션 반응이 수료한다. 또한, 가스의 치환을 행하는 사이에 있어서 웨이퍼(W) 표면의 온도가 50℃정도까지 내려갈 때 까지는 실리레이션 반응은 조금이라도 진행하고 있기 때문에 웨이퍼(W) 표면의 온도를 균일하게 유지해야할 필요가 있다. 따라서 가스의 치환을 행하기 전에 리프트핀(10)을 상승시켜서 웨이퍼(W)와 핫 플레이트(5)와의 간격을 7mm보다도 크게 잡는 것이 바람직하다. 또한, 도입되는 N2가스를 실리레이션 반응이 생기는 임계온도인 약 50℃보다도 저온의 가스로 하는 것이 바람직하다. 또한, 리프트핀(10)을 상승시키지 않고 핫 플레이트(5)와의 간격이 0mm으로 가스의 치환을 행하는 것도 물론 용이하다.
또한, 본 발명에 있어서 실리레이션 처리장치는 본 실시형태에 있어서 구성이외에도 적용가능하다.
제 1로 실리레이션제 증기도입계는 도 2에 나타난 구성에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면 핫 플레이트(5)에 1개 혹은 복수의 공(孔)을 설치하여 상기의 공을 연결하여 핫 플레이트(5)의 표면측에 실리레이션제 증기를 도입하는 것에 있어서도 좋고 또한, 배기구(17) 근방에 도입구를 설치하여 상기의 도입구에서 처리실(7)에 향하여 도입하는 것으로도 좋고 상기의 도입계의 구성은 어느 것이라도 좋다.
제 2로 핫 플레이트(5)에 대해서 웨이퍼(W)를 소정의 간격으로 지지하는 리프트핀(10)은 고레벨, 중레벨, 저레벨의 3단계로 보지않고 복수단에서 이동하는 것에 있어서도 좋다. 또한, 고레벨에서 중레벨까지 혹은 중레벨에서 저레벨까지 연속적으로 이동하는 것에 있어서도 좋다.
4단계 이상의 위치에 핫 플레이트(5)가 지지되어 이용되는 형태의 일례를 도 10에 나타낸다. 도 10은 웨이퍼(W)를 5단계로 변화시키는 경우를 나타낸다. 웨이퍼(W)의 반입을 행하는 고레벨(핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)의 간격은 예를 들면 18mm)와 처리실(7)내를 밀폐하여 실리레이션처리를 촉진시키는 저레벨(핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)의 간격은 0mm)에서의 처리는 3단계의 경우와 같게 하고(S1 ~ S7, S8 ~ S11) 처리실(7)내의 온도불규칙의 균일화일 때에 복수단에서 단계적으로 핫 플레이트(5)를 하강 이동시킨다.
상기의 경우 우선 소정의 온도 (예를 들면 50℃)에 웨이퍼(W)의 온도가 상승할 때까지 고레벨보다도 낮은 위치에 웨이퍼(W)를 일단 지지하고 (핫 플레이트(5)와 웨이퍼(w)의 간격은 예를 들면 7mm, S6) 처리실(7)내의 온도가 상승할 때( 예를들면 60℃)에 웨이퍼(W)를 하강이동시켜 (핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)의 간격은 예를 들면 5mm, S21 및 S22) 더한층 온도상승 후 (예를 들면 70℃)에 또한, 웨이퍼(W)를 하강이동시킨다( 핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W) 간격은 예를 들면 3mm, S23 및 S24).
핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)의 간격이 7mm에서 0mm가 될 때까지는 도 9에 나타난 경우와 같이 실리레이션제 증기를 도입하여 행한다. 이와 같이 복수단 웨이퍼(W)를 상하 이동시켜 최종적으로 핫 플레이트(5)에 접하는 저레벨까지 웨이퍼(W)가 내려갈 수 있다. 상기에 의하면 중레벨에 있어서 지지를 1단계로 하는 경우에 비교하여 온도 불규칙의 변화에 의해 추종한 웨이퍼(W)의 이동이 가능해진다. 따라서 온도 불규칙의 영향을 보다 저감한 실리레이션 처리를 행하는 것이 가능하다.
또한, 도 10의 예에서는 5단계에 웨이퍼(W)를 상하방향으로 이동시키는 경우를 나타냈으나 4단계에 있어서도 또한, 6단계 이상에 있어서도 물론 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 또한, 웨이퍼(W)를 단계적으로 변화시킬 때의 핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)와의 간격 혹은 처리실(7)내의 온도는 일례에 있어서 상기 기술한 것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 공급링(14)의 구성에 대해서도 다음과 같이 변경하여 사용하는 것이 가능하다. 도 11에 나타난 공급 링(14)에 있어서는 링부재(14b)의 내주면에 형성되는 공급공(14p, 14q, 14r)이 상측에 위치하는 공급공일수록 그 지름이 커지도록 설정되어 있다. 즉 가장 하측에 위치하는 공급공(14p)가 제일 지름이 작고 그 위에 위치하는 공급공(14q)의 지름은 공급공(14p)의 지름보다 크고 가장 상측에 위치하는 공급공(14r)의 지름은 가장 크게 설정되어 있다. 상기와 같이 링부재(14b)의 내주면의 상하방향으로 형성된 공급공의 지름을 상측에 위치할수록 커지도록 설정하는 것으로 실리레이션 처리하는 웨이퍼(W)의 표면에 대해서 보다 다량의 증기를 공급하는 것이 가능하고 보다 효과적으로 처리하는 것이 가능하다.
또한, 도 12에 나타난 공급링(14)에 있어서는 링부재(14b)의 내주면의 거의 절반에는 복수의 공급공(14a)가 형성되고 잔여 절반의 내주면에는 상기 공급공(14a)와 대향하도록 복수의 배기공(14e)가 형성되어 있다. 상기와 같이 공급공(14a)에서 공급된 증기는 상기 상태로 수평류가 되어 반대측의 배기공(14e)에서 배기된다. 따라서 난류가 발생하지 않기 때문에 처리의 균일성이 향상하고 또한, 배기효율도 양호하다.
도 14에 나타난 바와 같이 핫 플레이트(5)에는 리프트핀(10)이 상하로 이동하기 위한 공(9)가 형성되어 있지만 상기의 공(9)로부터의 불활성 가스 예를 들면 N2 가스를 웨이퍼(W)의 비처리면 예를 들면 웨이퍼(W)의 뒷면에 흡출시키도록 하여도 좋다. 상기로 인하여 도 14에 나타난 예에서는 공(9)에 N2가스를 보내기 위한 가스공급부(81)과 관로(82)를 구비하고 있다.
상기와 같이 웨이퍼(W)의 뒷면에 N2를 흡출개시시는 실리레이션 처리가 수료하고 챔버(7)내의 실리레이션제를 포함하는 증기를 불활성가스에서 퍼지할 것인가 혹은 챔버내(7)로부터 실리레이션제를 포함하는 증기를 불성가스로 퍼지하여 도 15에 나타난 바와 같이 리프트핀(10)에 따라서 웨이퍼(W)를 들어올리기 시작할 때가 좋다.
상기와 같이 웨이퍼(W)의 비처리면 예를 들면 웨이퍼(W)의 뒷면에 흡출시키는 것에 의해 웨이퍼(W)의 비처리면에 침적이 부착하는 것을 억제하는 것이 가능하다.
도 16에 나타난 공급링(14)는 링부재(14b)의 내주면의 상하방향으로 형성된 공급공(141, 14m, 14n)중 예를 들면 상측의 공급공(141, 14m)에 대해서는 웨이퍼(W)의 처리면에 처리가스 예를 들면 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하고 하측의 공급공(14n)에 대해서는 웨이퍼(W)의 비처리면에 불활성가스 예를 들면 N2를 흡출시키도록 구성한 것이다. 상기에 따라서 웨이퍼(W)의 처리면에 대해서는 처리가스 예를 들면 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 것이 가능하고 웨이퍼(W)의 비처리면에 대해서는 불활성가스 예를 들면 N2를 흡출시키는 것이 가능하다. 상기에 따라서 웨이퍼(W)의 비처리면에 침적이 부착하는 것을 억제하는 것이 가능하다.
또한, 상측의 공급공(141, 14m)에 대해서는 선택적으로 처리가스 예를 들면 실리레이션제를 포함하는 증기와 불활성가스를 절환하여 흡출하는 것이 가능한 기구를 갖고 있어도 좋다.
본 발명은 기술한 실시의 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기의 실시형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 제시한 것이고 상기 실시형태에 따라서 본 발명의 범위가 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신에 의해 각종의 개량, 개변 등이 가능하다.
이상 설명한 바와 같은 공정에 의하면 이하의 효과를 얻을 수 있다.
제 1로 실리레이션제 증기를 도입하고나서 처리실(7)내로 실리레이션 증기가 균일하게 확산할 때까지 핫 플레이트(5)와 소정의 간격을 두고 대기시키는 것에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 실리레이션 반응이 생기지 않는 50℃이하의 온도로 대기시키는 것이 가능하고 상기의 대기시간에 처리실(7)내의 증기농도를 균일하게 하는 것이 가능하다. 실리레이션반응은 온도의존성이 있고 온도가 높은만큼 실리레이션 속도가 빠르지만 상기와 같은 웨이퍼(W)의 면내에서 균일한 온도를 지지하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 면내균일성이 높은 실리레이션처리를 행하는 것이 가능하다.
제 2로 핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)와의 간격을 3단계로 설정하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 실리레이션 반응이 진행하는 정도의 고온이 될 때가지 사이의 과도적 온도변화에 좌우되지 않고 안정한 실리레이션 처리를 행하는 것이 가능하다. 즉 웨이퍼(W)의 온도가 23℃로부터 80℃까지 올라가는 사이의 웨이퍼(W)의 온도불규칙은 매우 크지만 50℃까지 올라가고나서 80℃ ~ 90℃정도까지 올라가는 사이의 온도불규칙은 비교적 적어지므로 온도 불규칙이 적은 실리레이션 처리가 가능해진다. 또한, 상기와 같은 핫 플레이트(5)와 웨이퍼(W)간의 간격을 복수단으로 설정하여 처리를 행한는 것 만으로 하드웨어의 구성에 다소문제가 있어도 충분히 안정한 실리레이션 처리를 간편하게 행하는 것이 가능하다. 예를들면 실리레이션제를 샤워등을 이용하여 챔버상부로부터 공급하는 경우 상기의 실리레이션제의 흡출구의 형태는 높은정밀도를 원하고 있지만 본 발명에 의하면 상기와 같은 흡출구의 구성여부에 관계없이 안정한 실리레이션 처리를 행한다.
제 3으로 실리레이션 처리중은 처리실(7)내의 감압도 배기도 행하지 않는 밀폐공간으로 되어 있기 때문에 농도의 불규칙도 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
제 4로 실리레이션제의 증기를 완전하게 배기한 후에 웨이퍼(W)를 리프트업하도록 하여도 좋다. 이러한 방법에 의해서도 웨이퍼(W) 표면에서 불용의한 반응이 진행되는 것을 방지할 수 있다.
제 5로 실리레이션 처리종료후에 실리레이션제 증기를 N2가스에 치환 할 때 웨이퍼(W)를 일단 핫 플레이트(5)에서 소정의 간격만 떨어뜨리고 나서 행하는 것에 의해 웨이퍼(W) 대부분을 실리레이션 처리가 진행하기 어려운 온도로 하고 나서 가스의 치환을 행하는 것이 가능하고 불균일한 실리레이션반응을 방지하는 것이 가능하다.
제 6으로 실리레이션제 증기를 도입하고 균일화 할 때에 일단 감압하고 나서 행하는 것에 의해 처리실(7)내에 존재하는 가스양이 감소하기 때문에 실리레이션제의 농도의 균일성이 향상한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제

Claims (17)

  1. 챔버와,
    상기 챔버내에 설치되어 기판을 가열하는 가열기구와,
    상기 기판을 둘러싸도록 배치되고 상기 기판 표면에 대해서 수직인 방향으로 상측의 것이 큰 직경이 되도록 다른 직경의 구멍을 가지는 복수의 공급공으로부터 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와,
    상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  2. 챔버와,
    상기 챔버내에 설치되고 실리레이션을 진행시키는 처리면과 상기 처리면과 표리관계인 비처리면을 가지는 기판을 가열하는 가열기구와,
    상기 기판을 둘러싸는 동시에 상기 기판의 처리면측 쪽이 상기 기판의 비처리면측보다도 큰 직경의 구멍이 되도록 배치된 복수의 공급공으로부터 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와,
    상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 공급공은 상기 기판을 둘러싸도록 배치된 공급링의 내부 주위면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  4. 청구항 3의 장치에 있어서,
    상기 공급링의 내부 주위면의 반주위 이하의 부분에는 복수의 공급공이 형성되고 상기 공급공이 형성되지 않은 나머지 내부 주위면에는 상기 기판을 끼워서 대향하도록 복수의 배기구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  5. 챔버와,
    상기 챔버내에 설치되고 기판을 가열하는 가열기구와,
    상기 챔버내에 있어서 실리레이션제를 포함하는 증기를 상기 기판의 처리면에 공급하고 불활성 가스를 상기 기판의 비처리면에 공급하는 공급기구와,
    상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  6. 챔버와,
    상기 챔버내에 설치되고 기판을 가열하는 가열기구와,
    상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와,
    상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구를 구비하는 실리레이션 처리장치로서,
    상기 기판을 둘러싸도록 배치되고 내부 주위면에 복수의 제 1 공급공 및 복수의 제 2 공급공이 설치된 공급링을 구비하고,
    상기 기판은 실리레이션을 진행시키는 처리면과 상기 처리면과 표리관계인 비처리면을 갖고,
    상기 기판의 상기 처리면측에는 상기 제 1 공급공이 설치되고 상기 기판의 비처리면측에는 상기 제 2 공급공이 설치되어 이루어지고,
    상기 제 1 공급공으로부터는 상기 공급기구로부터 상기 증기가 공급되고,
    상기 제 2 공급공으로부터는 불활성가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  7. 청구항 6의 장치에 있어서,
    상기 제 1 공급공에 접속된 공급기체 절환기구와 이 공급기체 절환기구에 접속된 불활성가스 도입부를 더 구비하고 상기 공급기체 절환기구에는 상기 공급기구가 접속되고 상기 공급기체 절환기구의 절환에 의해 상기 제 1 공급공으로부터 불활성가스와 증기가 선택적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  8. 챔버와,
    상기 챔버내에 설치되고 기판을 가열하는 가열기구로서의 열판과,
    상기 챔버내에 있어서 실리레이션제를 포함하는 증기를 상기 기판의 처리면에만 공급하는 공급기구와,
    상기 챔버내에서 상기 기판을 보지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판보지치구로서의 리프트 핀을 구비하고,
    상기 리프트 핀이 상기 열판으로부터 돌출하여 상기 기판을 보지하여 이동하도록 상기 열판에 구멍이 관통하여 형성되고 상기 구멍을 통하여 불활성 가스가 기판의 비처리면에 대하여 공급되는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리장치.
  9. 기판을 챔버내에 반입하고 상기 챔버내에 설치된 가열기구와 소정의 간격을 두고 상기 기판을 보지하는 공정과,
    상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 도입하여 상기 챔버내를 실리레이션제 환경으로 충만시키는 공정과,
    상기 가열기구에 의해 상기 챔버내를 승온시키는 공정과,
    상기 기판을 상기 가열기구에 대해서 근접시켜 상기 기판의 실리레이션 반응이 발행하지 않는 온도로 상기 실리레이션 환경을 상기 챔버내에 균일하게 확산시키는 공정과,
    상기 기판을 또 상기 가열기구에 근접시켜 상기 기판의 온도를 높이고 상기 챔버로 상기 실리레이션제를 포함하는 증기의 도입을 멈추고 또한 상기 챔버로부터 배기를 실시하지 않고 상기 챔버가 밀폐한 상태에서 상기 기판 표면에서 실리레이션 반응을 발생시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  10. 기판을 챔버내에 반입하고 상기 챔버내에 설치된 가열기구와 소정의 간격을 두고 상기 기판을 보지하는 공정과,
    상기 챔버내에 있어서 상기 가열기구와 대향하는 상기 기판 표면측에만 실리레이션제를 포함하는 증기를 도입하여 상기 챔버내를 실리레이션제 환경으로 충만시키는 공정과,
    상기 가열기구에 의해 상기 챔버내를 승온시키는 공정과,
    상기 기판을 상기 가열기구에 대해서 근접시키고 상기 기판의 실리레이션 반응이 발생하지 않는 온도로 상기 실리에이션 환경을 상기 챔버내에 균일하게 확산시키는 공정과,
    상기 기판을 또 상기 가열기구에 근접하여 상기 기판의 온도를 높이고 상기 기판표면에서 실리레이션 반응을 발생시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  11. 청구항 9 또는 청구항 10의 장치에 있어서,
    상기 가열기구와 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 변화하도록 설정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  12. 청구항 9 또는 10에 있어서,
    상기 챔버내를 감압한 후에서 상기 실리레이션제를 포함하는 증기를 도입하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  13. 청구항 9 또는 청구항 10의 방법에 있어서,
    상기 챔버에 불활성가스를 도입함과 동시에 상기 챔버로부터 상기 실리레이션제를 포함하는 증기를 배기함으로써 상기 실리레이션 반응을 멈추게 하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 불활성가스의 도입에 의해 상기 챔버내로부터 상기 실리레이션제를 포함하는 증기를 배기한 후에 상기 기판을 상기 가열기구로부터 멀리하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 처리방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
KR1020000067984A 1999-11-18 2000-11-16 실리레이션처리장치 및 방법 KR100728244B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32826999 1999-11-18
JP99-328269 1999-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010051729A KR20010051729A (ko) 2001-06-25
KR100728244B1 true KR100728244B1 (ko) 2007-06-13

Family

ID=18208349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000067984A KR100728244B1 (ko) 1999-11-18 2000-11-16 실리레이션처리장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6709523B1 (ko)
KR (1) KR100728244B1 (ko)
TW (1) TW469491B (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4030787B2 (ja) * 2002-03-04 2008-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板加熱方法、基板加熱装置及び塗布、現像装置
US6921556B2 (en) * 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
KR20040007963A (ko) * 2002-07-15 2004-01-28 삼성전자주식회사 단원자층 증착 반응장치
KR100536797B1 (ko) * 2002-12-17 2005-12-14 동부아남반도체 주식회사 화학 기상 증착 장치
JP4301403B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-22 日本碍子株式会社 半導体製造装置用ライナー
US7147973B2 (en) * 2003-03-19 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Method to recover the exposure sensitivity of chemically amplified resins from post coat delay effect
KR101033123B1 (ko) * 2004-06-30 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조를 위한 챔버형 장치
KR100626386B1 (ko) * 2004-09-20 2006-09-20 삼성전자주식회사 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US20070125303A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Ward Ruby High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4800235B2 (ja) * 2007-02-14 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 処理方法
WO2009049020A2 (en) 2007-10-11 2009-04-16 Valence Process Equipment, Inc. Chemical vapor deposition reactor
US8282984B2 (en) * 2007-12-03 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Processing condition inspection and optimization method of damage recovery process, damage recovering system and storage medium
US9343273B2 (en) * 2008-09-25 2016-05-17 Seagate Technology Llc Substrate holders for uniform reactive sputtering
JP5323628B2 (ja) * 2009-09-17 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102010016477A1 (de) * 2010-04-16 2011-10-20 Aixtron Ag Thermisches Behandlungsverfahren mit einem Aufheizschritt, einem Behandlungsschritt und einem Abkühlschritt
US9865501B2 (en) 2013-03-06 2018-01-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer
US20150072538A1 (en) * 2013-09-06 2015-03-12 Lam Research Corporation Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer
US9469912B2 (en) 2014-04-21 2016-10-18 Lam Research Corporation Pretreatment method for photoresist wafer processing
US20160033070A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Applied Materials, Inc. Recursive pumping member
US9472377B2 (en) 2014-10-17 2016-10-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for characterizing metal oxide reduction
JP6696322B2 (ja) * 2016-06-24 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体
US10443146B2 (en) 2017-03-30 2019-10-15 Lam Research Corporation Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating
TWI746222B (zh) * 2020-10-21 2021-11-11 財團法人工業技術研究院 鍍膜設備

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0352319A (ja) * 1989-07-19 1991-03-06 Toa Corp ディジタル遅延回路
JPH04287308A (ja) * 1991-03-18 1992-10-12 Fujitsu Ltd 気相シリル化方法及び装置
JPH09326341A (ja) * 1991-11-09 1997-12-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US435526A (en) * 1890-09-02 soeibner
US4867838A (en) * 1986-10-27 1989-09-19 International Business Machines Corporation Planarization through silylation
JP2705222B2 (ja) * 1989-06-13 1998-01-28 富士電機株式会社 Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5962085A (en) * 1991-02-25 1999-10-05 Symetrix Corporation Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow
US5620523A (en) * 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US6291800B1 (en) * 1998-02-20 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and substrate processing system
JPH11274024A (ja) 1998-03-18 1999-10-08 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
US6402844B1 (en) * 1998-09-08 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing unit
JP3330335B2 (ja) * 1998-11-04 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置およびエージング処理装置
US6143078A (en) * 1998-11-13 2000-11-07 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for a CVD processing chamber
US6151446A (en) * 1999-07-06 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals
US6354832B1 (en) * 1999-07-28 2002-03-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6232236B1 (en) * 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
US20020043526A1 (en) * 2000-10-16 2002-04-18 Alex Blanter System and method for efficiently implementing a thermal processing chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0352319A (ja) * 1989-07-19 1991-03-06 Toa Corp ディジタル遅延回路
JPH04287308A (ja) * 1991-03-18 1992-10-12 Fujitsu Ltd 気相シリル化方法及び装置
JPH09326341A (ja) * 1991-11-09 1997-12-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6872670B2 (en) 2005-03-29
US6709523B1 (en) 2004-03-23
KR20010051729A (ko) 2001-06-25
TW469491B (en) 2001-12-21
US20040142580A1 (en) 2004-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100728244B1 (ko) 실리레이션처리장치 및 방법
US7797855B2 (en) Heating apparatus, and coating and developing apparatus
JP4343018B2 (ja) 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP4328667B2 (ja) 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
KR100628584B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2004109779A1 (ja) 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
US7050710B2 (en) Thermal treatment equipment and thermal treatment method
JP2008177471A (ja) 基板の処理方法、塗布膜除去装置及び基板処理システム
KR20010050979A (ko) 기판처리장치
KR20070074494A (ko) 가열 장치 및 가열 방법
JPH11260718A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP3811103B2 (ja) 熱的処理装置および熱的処理方法
KR101548521B1 (ko) 현상 처리 방법
KR102303593B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH11297789A (ja) 処理装置
JP2007214506A (ja) 基板の処理方法及びプログラム
JP3631131B2 (ja) シリル化処理装置及びシリル化処理方法
KR20170024211A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
JP2000195773A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP3909574B2 (ja) レジスト塗布装置
JP2002343708A (ja) 基板処理装置および熱処理方法
JP2001274051A (ja) 加熱処理装置
JP4021140B2 (ja) 加熱処理装置
WO2023032214A1 (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
KR102385266B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120521

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130524

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee