JP2705222B2 - Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置Info
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- JP2705222B2 JP2705222B2 JP1149805A JP14980589A JP2705222B2 JP 2705222 B2 JP2705222 B2 JP 2705222B2 JP 1149805 A JP1149805 A JP 1149805A JP 14980589 A JP14980589 A JP 14980589A JP 2705222 B2 JP2705222 B2 JP 2705222B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、LSI（大規模集積回路）製造装置に代表
される半導体製造装置のなかで特に低温成膜を必要とす
る超LSI半導体素子基板への成膜のため、真空容器内に
導入されたAr,O2,N2などのプラズマ原料ガスをマイクロ
波と磁力線との電子サイクロトロン共鳴効果によってプ
ラズマ化するとともに、このプラズマが前記磁力線の低
磁束密度方向へ磁力線に沿って移送される移送路に、基
板表面に生成される薄膜の原料となる反応性ガスが導入
される構成のECRプラズマCVD装置であって、前記プラズ
マの移送路を構成する磁力線に作用して基板位置でプラ
ズマ密度が均一となるように移送路を制御する磁力線を
発生する補助ソレノイドを備えた装置に関する。
される半導体製造装置のなかで特に低温成膜を必要とす
る超LSI半導体素子基板への成膜のため、真空容器内に
導入されたAr,O2,N2などのプラズマ原料ガスをマイクロ
波と磁力線との電子サイクロトロン共鳴効果によってプ
ラズマ化するとともに、このプラズマが前記磁力線の低
磁束密度方向へ磁力線に沿って移送される移送路に、基
板表面に生成される薄膜の原料となる反応性ガスが導入
される構成のECRプラズマCVD装置であって、前記プラズ
マの移送路を構成する磁力線に作用して基板位置でプラ
ズマ密度が均一となるように移送路を制御する磁力線を
発生する補助ソレノイドを備えた装置に関する。
従来より用いられているこの種ECRプラズマCVD装置の
構成例を第７図に示す。図示されないマイクロ波発生手
段により発生された，周波数が2.45GHzのマイクロ波が
マイクロ波の伝達手段である導波管11の内側を通り、誘
電体板からなるマイクロ波窓12を介して真空に保たれた
プラズマチヤンバ13a内に導入され、この導入されたマ
イクロ波と，プラズマチヤンバ13aを同軸に包囲する主
ソレノイド14が発生する磁力線との電子サイクロトロン
共鳴効果により、ガス供給手段17を介して送入されたA
r,O2,N2などのプラズマ原料ガスが高効率でプラズマ化
され、プラズマチヤンバ13a内に低真空度で高密度のプ
ラズマが生成される。このプラズマは、主ソレノイドが
発生する磁力線の低磁束密度方向へ磁力線に沿い開口13
cを通って薄膜が形成される基板20へ向かう。一方、基
板20が配される処理室13b内には、周方向に間隔をおい
て複数のガス放出口が形成された，断面円形の中空部材
からなる円環状のガスリング22aが配され、このガスリ
ング22a内へ処理室13bの外部から導入管路22bを介してS
iH4等の反応性ガスが送入される。このガスリング22a
は、例えば第８図に示されるように、周方向に等間隔に
８個のガス放出口を形成され、この８個のガス放出口か
ら反応性ガスが開口13cから基板20へ向かうプラズマの
移送路へ放出されてプラズマにより活性化され、基板の
加熱を必要とせず良質の薄膜が高速度に基板表面に生成
される。しかし、この薄膜は、基板の直径が大きくなる
と膜厚分布の均一性が悪くなるため、処理室13bの底面
近傍に補助ソレノイド18を基板と同軸に配し、この補助
ソレノイド18が発生する磁力線を主ソレノイド14の磁力
線に重畳させ、合成された磁力線に沿ってプラズマが移
送されるようにして基板面のプラズマ密度が均一になる
ようにしている。第７図において破線25aはこの合成さ
れた磁力線の，開口13cの内周縁から基板20の外周縁に
至る形状を示し、破線25bは補助ソレノイド18が設けら
れていない場合の磁力線の形状を示す。なお、第７図に
おいて、符号15は、成膜中に処理室13bの内壁面に膜が
付着するのを防止するための円筒状の防着板を示す。
構成例を第７図に示す。図示されないマイクロ波発生手
段により発生された，周波数が2.45GHzのマイクロ波が
マイクロ波の伝達手段である導波管11の内側を通り、誘
電体板からなるマイクロ波窓12を介して真空に保たれた
プラズマチヤンバ13a内に導入され、この導入されたマ
イクロ波と，プラズマチヤンバ13aを同軸に包囲する主
ソレノイド14が発生する磁力線との電子サイクロトロン
共鳴効果により、ガス供給手段17を介して送入されたA
r,O2,N2などのプラズマ原料ガスが高効率でプラズマ化
され、プラズマチヤンバ13a内に低真空度で高密度のプ
ラズマが生成される。このプラズマは、主ソレノイドが
発生する磁力線の低磁束密度方向へ磁力線に沿い開口13
cを通って薄膜が形成される基板20へ向かう。一方、基
板20が配される処理室13b内には、周方向に間隔をおい
て複数のガス放出口が形成された，断面円形の中空部材
からなる円環状のガスリング22aが配され、このガスリ
ング22a内へ処理室13bの外部から導入管路22bを介してS
iH4等の反応性ガスが送入される。このガスリング22a
は、例えば第８図に示されるように、周方向に等間隔に
８個のガス放出口を形成され、この８個のガス放出口か
ら反応性ガスが開口13cから基板20へ向かうプラズマの
移送路へ放出されてプラズマにより活性化され、基板の
加熱を必要とせず良質の薄膜が高速度に基板表面に生成
される。しかし、この薄膜は、基板の直径が大きくなる
と膜厚分布の均一性が悪くなるため、処理室13bの底面
近傍に補助ソレノイド18を基板と同軸に配し、この補助
ソレノイド18が発生する磁力線を主ソレノイド14の磁力
線に重畳させ、合成された磁力線に沿ってプラズマが移
送されるようにして基板面のプラズマ密度が均一になる
ようにしている。第７図において破線25aはこの合成さ
れた磁力線の，開口13cの内周縁から基板20の外周縁に
至る形状を示し、破線25bは補助ソレノイド18が設けら
れていない場合の磁力線の形状を示す。なお、第７図に
おいて、符号15は、成膜中に処理室13bの内壁面に膜が
付着するのを防止するための円筒状の防着板を示す。
このような構成の従来のECRプラズマCVD装置における
問題点は次の通りである。すなわち、基板20の表面に生
成される薄膜の膜厚分布はプラズマの移送路を形成する
磁力線の形状のほか、基板前面側の反応性ガスの密度分
布の影響をうけ、この密度分布を一様にするため、従来
のECRプラズマCVD装置においては、ガスリング22aに形
成されるガス放出口９（第８図）の口径が導入管路22b
との接合点近傍で小さく、遠方端側で大きくなるよう
に、例えば0.5mmから5mmの範囲で変化させていた。しか
し、製造上の技術的問題により、これらのガス放出口を
形成する際の不可避な加工誤差を口径の大小にかかわら
ず同一割合で生ぜしめることは困難であり、均一なガス
流が容易に得られないという問題があった。また、この
ように口径の異なるガス放出口を備えたガスリングにお
いて実質的に均一なガス放出が得られるのは、ガスリン
グ内へ送入される反応性ガス流量のある狭い範囲に限ら
れ、任意の流量で均一なガス放出を得ることは不可能で
あった。
問題点は次の通りである。すなわち、基板20の表面に生
成される薄膜の膜厚分布はプラズマの移送路を形成する
磁力線の形状のほか、基板前面側の反応性ガスの密度分
布の影響をうけ、この密度分布を一様にするため、従来
のECRプラズマCVD装置においては、ガスリング22aに形
成されるガス放出口９（第８図）の口径が導入管路22b
との接合点近傍で小さく、遠方端側で大きくなるよう
に、例えば0.5mmから5mmの範囲で変化させていた。しか
し、製造上の技術的問題により、これらのガス放出口を
形成する際の不可避な加工誤差を口径の大小にかかわら
ず同一割合で生ぜしめることは困難であり、均一なガス
流が容易に得られないという問題があった。また、この
ように口径の異なるガス放出口を備えたガスリングにお
いて実質的に均一なガス放出が得られるのは、ガスリン
グ内へ送入される反応性ガス流量のある狭い範囲に限ら
れ、任意の流量で均一なガス放出を得ることは不可能で
あった。
この発明の目的は、基板面でプラズマ分布が一様とな
るように形成されているプラズマ移送路の形状を保持し
つつ、基板前面側の反応性ガスの密度分布が流量の実用
範囲内で流量に関係なく常に一様となるガス供給手段の
構成を提供することである。
るように形成されているプラズマ移送路の形状を保持し
つつ、基板前面側の反応性ガスの密度分布が流量の実用
範囲内で流量に関係なく常に一様となるガス供給手段の
構成を提供することである。
上記課題を解決するために、直径が６インチないし８
インチの基板を対象として、前記ガス供給手段の構成
を、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板と同
軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一口径の
ガス放出口が形成された，内径が基板直径よりも大きい
連続円環もしくは分割円環として形成され流路断面積が
5cm2以上の中空部材からなるガスリングに真空容器外部
から導入管路を介して反応性ガスが送入される構成とす
るものとする。
インチの基板を対象として、前記ガス供給手段の構成
を、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板と同
軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一口径の
ガス放出口が形成された，内径が基板直径よりも大きい
連続円環もしくは分割円環として形成され流路断面積が
5cm2以上の中空部材からなるガスリングに真空容器外部
から導入管路を介して反応性ガスが送入される構成とす
るものとする。
このように、ガスリングを内径が基板直径より大きい
連続円環状もしくは分割円環状に形成すれば、プラズマ
チヤンバ下方の開口（第７図,13c）の内周縁から基板
（20）の外周縁に至るプラズマ移送路の形状は、ガスリ
ングの軸方向位置のいかんにかかわらず不変に保持さ
れ、基板に到達するプラズマの基板位置での密度分布の
一様性が確保される。また、本発明が特に対象とする，
直径が６インチないし８インチの大口径基板への成膜時
に使用される実用範囲内のガス流量に対し、以下の実施
例の項で説明するように、ガスリングの周方向流路の断
面積が5cm2以上であれば、ガスリングのガス流入口から
最遠方のガス放出口に到る流れの圧力降下が数％程度以
下の小さい値となり、ガス放出口を同一口径としてこれ
を周方向等間隔に６個以上形成することにより、任意の
流量で基板前面側に反応性ガスの一様な密度分布を得る
ことができる。
連続円環状もしくは分割円環状に形成すれば、プラズマ
チヤンバ下方の開口（第７図,13c）の内周縁から基板
（20）の外周縁に至るプラズマ移送路の形状は、ガスリ
ングの軸方向位置のいかんにかかわらず不変に保持さ
れ、基板に到達するプラズマの基板位置での密度分布の
一様性が確保される。また、本発明が特に対象とする，
直径が６インチないし８インチの大口径基板への成膜時
に使用される実用範囲内のガス流量に対し、以下の実施
例の項で説明するように、ガスリングの周方向流路の断
面積が5cm2以上であれば、ガスリングのガス流入口から
最遠方のガス放出口に到る流れの圧力降下が数％程度以
下の小さい値となり、ガス放出口を同一口径としてこれ
を周方向等間隔に６個以上形成することにより、任意の
流量で基板前面側に反応性ガスの一様な密度分布を得る
ことができる。
第１図には本発明によるガス供給手段の第１の実施例
を示す。図において第７図と同一の部材には同一符号を
付し、説明を省略する。この実施例では基板20の直径を
６インチとし、ガスリング６は流路断面積が10cm2の断
面方形の中空部材からなる，平均直径が19cm,内径が15.
5cmの連続縁環として形成され、この中空部材の下面側
に周方向等間隔に口径が3mmφのガス放出口が８個形成
されている。ガスリング６がこのように形成されたガス
供給手段101を用い、真空容器13内の圧力を数mTorrに保
った実験の一例では、ガスリング内部の圧力が反応性ガ
ス（SiH4）の流量30SCCM（SCCMは標準状態:0℃,1気圧に
換算したガス流量〔cm3/mm〕）のとき約100mTorrとな
り、ガスリング内部の最大圧力差は約1mTorrすなわち最
大圧力降下は約１％であった。この値は従来のガスリン
グにおいて要求された，ガス放出口の加工誤差に基づく
流れのコンダクタンス精度数％より十分小さい。実験の
結果、膜厚分布±５％以下の目標値が余裕をもって達成
されたことを確認した。
を示す。図において第７図と同一の部材には同一符号を
付し、説明を省略する。この実施例では基板20の直径を
６インチとし、ガスリング６は流路断面積が10cm2の断
面方形の中空部材からなる，平均直径が19cm,内径が15.
5cmの連続縁環として形成され、この中空部材の下面側
に周方向等間隔に口径が3mmφのガス放出口が８個形成
されている。ガスリング６がこのように形成されたガス
供給手段101を用い、真空容器13内の圧力を数mTorrに保
った実験の一例では、ガスリング内部の圧力が反応性ガ
ス（SiH4）の流量30SCCM（SCCMは標準状態:0℃,1気圧に
換算したガス流量〔cm3/mm〕）のとき約100mTorrとな
り、ガスリング内部の最大圧力差は約1mTorrすなわち最
大圧力降下は約１％であった。この値は従来のガスリン
グにおいて要求された，ガス放出口の加工誤差に基づく
流れのコンダクタンス精度数％より十分小さい。実験の
結果、膜厚分布±５％以下の目標値が余裕をもって達成
されたことを確認した。
第２図に本発明によるガス供給手段の第２の実施例を
示す。この実施例ではガスリング６の流路断面積を5cm3
としており、流路断面積が第１の実施例の半分となるた
め、反応性ガスの流量を同一とすれば最大圧力差が大き
くなる。このため、ガスリングのガス流入口を対称に２
個所とし、等流量の反応性ガスを２系統から導入して第
１図の場合と同様の効果を得ることを可能にしている。
示す。この実施例ではガスリング６の流路断面積を5cm3
としており、流路断面積が第１の実施例の半分となるた
め、反応性ガスの流量を同一とすれば最大圧力差が大き
くなる。このため、ガスリングのガス流入口を対称に２
個所とし、等流量の反応性ガスを２系統から導入して第
１図の場合と同様の効果を得ることを可能にしている。
第３図に本発明によるガス供給手段の第３の実施例を
示す。この実施例は直径が８インチの基板を対象とした
もので、ガスリング６の内径を200mmとして基板の直径
と実質的に等しくするとともにガス放出口をガスリング
の内周面に形成し、放出ガスを基板前面側へ効率よくか
つ均一に供給する構成としている。
示す。この実施例は直径が８インチの基板を対象とした
もので、ガスリング６の内径を200mmとして基板の直径
と実質的に等しくするとともにガス放出口をガスリング
の内周面に形成し、放出ガスを基板前面側へ効率よくか
つ均一に供給する構成としている。
第４図に本発明によるガス供給手段の第４の実施例を
示す。この実施例ではガスリングの流路断面を縦長の方
形に形成し、隣り合ったガス放出口の間に仕切り板４を
設け、導入管路３を介して導入された反応性ガスがガス
放出口からの放出に先立ち、まず、隣り合った仕切り板
の間の大きい空間に入り、このそれぞれの大きい空間か
らガスが放出されるようにして放出ガス量の周方向等分
割の改善を図ったものである。
示す。この実施例ではガスリングの流路断面を縦長の方
形に形成し、隣り合ったガス放出口の間に仕切り板４を
設け、導入管路３を介して導入された反応性ガスがガス
放出口からの放出に先立ち、まず、隣り合った仕切り板
の間の大きい空間に入り、このそれぞれの大きい空間か
らガスが放出されるようにして放出ガス量の周方向等分
割の改善を図ったものである。
第５図に本発明によるガス供給手段の第５の実施例を
示す。この実施例ではガス放出口は流れのコンダクタン
スの等しい管状の放出口として形成され、放出口のみが
プラズマにさらされる構成としている。すなわち、比較
的容積の大きいガスリング６は、例えば第１図における
防着板15の外側に配することにより、成膜時に汚染され
ることがなくなり、またガス放出口に付着するパーテイ
クルは少量であるから、ガス供給手段の点検周期が長く
なる。さらに、管状のガス放出口をガスリングに着脱可
能としてガスリングを真空容器13（第１図）の外側に配
する構成も可能である。この場合にも、管状放出口の先
端部を連ねる円の直径は本発明の趣旨から基板直径より
大きくすることが望ましい。
示す。この実施例ではガス放出口は流れのコンダクタン
スの等しい管状の放出口として形成され、放出口のみが
プラズマにさらされる構成としている。すなわち、比較
的容積の大きいガスリング６は、例えば第１図における
防着板15の外側に配することにより、成膜時に汚染され
ることがなくなり、またガス放出口に付着するパーテイ
クルは少量であるから、ガス供給手段の点検周期が長く
なる。さらに、管状のガス放出口をガスリングに着脱可
能としてガスリングを真空容器13（第１図）の外側に配
する構成も可能である。この場合にも、管状放出口の先
端部を連ねる円の直径は本発明の趣旨から基板直径より
大きくすることが望ましい。
第６図に本発明によるガス供給手段の第６の実施例を
示す。この実施例ではガスリングは周方向長さが５対３
の割合に２分割された，円環部分6a,6bからなる分割円
環として形成され、それぞれの円環部分6a,6bに図示さ
れない流量調整弁を介して導入管路1,2が接続されてい
る。ガス供給手段をこのように構成して流量調整弁を調
整することにより、円環部分6aの１つのガス放出口と円
環部分6bの１つのガス放出口とから放出されるガス量を
異ならせることができ、例えば第１図の真空排気口16に
よる基板前面側のガス密度分布の軸非対称性を補うこと
ができる。
示す。この実施例ではガスリングは周方向長さが５対３
の割合に２分割された，円環部分6a,6bからなる分割円
環として形成され、それぞれの円環部分6a,6bに図示さ
れない流量調整弁を介して導入管路1,2が接続されてい
る。ガス供給手段をこのように構成して流量調整弁を調
整することにより、円環部分6aの１つのガス放出口と円
環部分6bの１つのガス放出口とから放出されるガス量を
異ならせることができ、例えば第１図の真空排気口16に
よる基板前面側のガス密度分布の軸非対称性を補うこと
ができる。
以上に述べたように、本発明によれば、基板前面側の
プラズマ移送路へ反応性ガスを導入するガス供給手段の
構成を、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板
と同軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一口
径のガス放出口が形成された，内径が基板直径よりも大
きい連続円環もしくは分割円環として形成され流路断面
積が5cm3以上の中空部材からなるガスリングに真空容器
外部から導入管路を介して反応性ガスが送入される構成
としたので、プラズマチヤンバ下方の開口（第１図,13
c）から基板（20）に至るプラズマ移送路の形状が、ガ
スリングの軸方向位置に関係なく不変に保持され、基板
に到達するプラズマの基板位置での密度分布の一様性を
確保することができる。さらに、ECRプラズマCVD装置に
おいて使用される反応性ガス流量の実用範囲内では、ガ
スリングの周方向流路の断面積が5cm3以上であれば、ガ
スリングのガス流入口の数をガス流量に応じて適宜に選
ぶことにより、ガス流入口から最遠方のガス放出口に到
る流れの圧力降下が数％程度以下の小さい値となり、従
ってガス放出口をすべて同一口径としてこれを周方向等
間隔に６個以上形成することにより、ガス放出口が４個
の場合には半導体基板表面の膜厚分布が±６〜10％であ
ったものを±５％以内の膜厚分布とすることが可能にな
る。
プラズマ移送路へ反応性ガスを導入するガス供給手段の
構成を、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板
と同軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一口
径のガス放出口が形成された，内径が基板直径よりも大
きい連続円環もしくは分割円環として形成され流路断面
積が5cm3以上の中空部材からなるガスリングに真空容器
外部から導入管路を介して反応性ガスが送入される構成
としたので、プラズマチヤンバ下方の開口（第１図,13
c）から基板（20）に至るプラズマ移送路の形状が、ガ
スリングの軸方向位置に関係なく不変に保持され、基板
に到達するプラズマの基板位置での密度分布の一様性を
確保することができる。さらに、ECRプラズマCVD装置に
おいて使用される反応性ガス流量の実用範囲内では、ガ
スリングの周方向流路の断面積が5cm3以上であれば、ガ
スリングのガス流入口の数をガス流量に応じて適宜に選
ぶことにより、ガス流入口から最遠方のガス放出口に到
る流れの圧力降下が数％程度以下の小さい値となり、従
ってガス放出口をすべて同一口径としてこれを周方向等
間隔に６個以上形成することにより、ガス放出口が４個
の場合には半導体基板表面の膜厚分布が±６〜10％であ
ったものを±５％以内の膜厚分布とすることが可能にな
る。
また、ガスリングの周方向流路の断面積を、使用され
る反応性ガス流量の実用範囲に即して5cm3以上として流
路に沿う圧力降下を小さくすることにより、ガス放出口
の口径をすべて同一とすることができたので、ガスリン
グを分割円環として形成し、分割されたそれぞれの円環
部分における１つのガス放出口からのガス放出量を円環
部分相互の間で任意に異ならせることが容易に可能にな
り、真空容器の排気口の位置に基づく基板前面側のガス
密度分布の軸非対称性を容易に補正することができる。
さらに、同様の理由により、ガス放出口を管状放出口と
して形成することも容易に可能となり、これにより、ガ
スリングを真空容器内の防着板の外側や、真空容器外部
に配する構成も可能となり、点検周期が長くなるため、
装置の連続運転可能時間が延長され、膜生成の生産性が
向上する効果も合わせて得ることができる。
る反応性ガス流量の実用範囲に即して5cm3以上として流
路に沿う圧力降下を小さくすることにより、ガス放出口
の口径をすべて同一とすることができたので、ガスリン
グを分割円環として形成し、分割されたそれぞれの円環
部分における１つのガス放出口からのガス放出量を円環
部分相互の間で任意に異ならせることが容易に可能にな
り、真空容器の排気口の位置に基づく基板前面側のガス
密度分布の軸非対称性を容易に補正することができる。
さらに、同様の理由により、ガス放出口を管状放出口と
して形成することも容易に可能となり、これにより、ガ
スリングを真空容器内の防着板の外側や、真空容器外部
に配する構成も可能となり、点検周期が長くなるため、
装置の連続運転可能時間が延長され、膜生成の生産性が
向上する効果も合わせて得ることができる。
第１図はプラズマ移送路に反応性ガスを導入するガス供
給手段の構成に対する本発明の第１の実施例を示すECR
プラズマCVD装置の縦断面図、第２図ないし第６図は同
じくガス供給手段の構成に対する本発明のそれぞれ第２
ないし第６の実施例を示す説明図、第７図は従来のECR
プラズマCVD装置の構成例を示す縦断面図、第８図は第
７図に示すECRプラズマCVD装置のガス供給手段における
複数のガス放出口の口径の相異を示す説明図である。 1,2,3,22b……導入管路、5,7,9……ガス放出口、6,22a
……ガスリング、13……真空容器、13a……プラズマチ
ヤンバ、13b……処理室、14……主ソレノイド、17……
ガス供給手段、18……補助ソレノイド、20……基板、2
2,101,102，103，104，105，106……ガス供給手段。
給手段の構成に対する本発明の第１の実施例を示すECR
プラズマCVD装置の縦断面図、第２図ないし第６図は同
じくガス供給手段の構成に対する本発明のそれぞれ第２
ないし第６の実施例を示す説明図、第７図は従来のECR
プラズマCVD装置の構成例を示す縦断面図、第８図は第
７図に示すECRプラズマCVD装置のガス供給手段における
複数のガス放出口の口径の相異を示す説明図である。 1,2,3,22b……導入管路、5,7,9……ガス放出口、6,22a
……ガスリング、13……真空容器、13a……プラズマチ
ヤンバ、13b……処理室、14……主ソレノイド、17……
ガス供給手段、18……補助ソレノイド、20……基板、2
2,101,102，103，104，105，106……ガス供給手段。
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波発生手段と、このマイクロ波を
伝達する手段と、このマイクロ波伝達手段と結合されて
マイクロ波が導入されかつガス供給手段を介して送入さ
れたプラズマ原料ガスを該マイクロ波との共鳴効果によ
りプラズマ化する磁力線を発生する主ソレノイドにより
同軸に包囲されるとともに該主ソレノイドが発生した磁
力線の低磁束密度方向へ磁力線に沿って移送されるプラ
ズマにより該移送路に導入された反応性ガスが活性化さ
れて表面に薄膜が形成される直径が６インチないし８イ
ンチの基板が配される真空容器と、この真空容器と同軸
に配され前記移送路を構成する主ソレノイドの磁力線に
作用して基板位置でプラズマ密度が均一となるように移
送路を制御する磁力線を発生する補助ソレノイドと、前
記真空容器の排気を行う排気手段と、を備えたECRプラ
ズマCVD装置において、前記移送路への反応ガスの導入
が、前記マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板
と同軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一口
径のガス放出口が形成された，内径が基板直径よりも大
きい連続円環もしくは分割円環として形成され流路断面
積が5cm2以上の中空部材からなるガスリングに真空容器
外部から導入管路を介して反応性ガスが送入されること
により行われることを特徴とするECRプラズマCVD装置。
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|---|---|---|---|
| JP1149805A JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1149805A JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
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| JPH0314223A JPH0314223A (ja) | 1991-01-22 |
| JP2705222B2 true JP2705222B2 (ja) | 1998-01-28 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1149805A Expired - Fee Related JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
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-
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- 1989-06-13 JP JP1149805A patent/JP2705222B2/ja not_active Expired - Fee Related
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