JPH0314223A - Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0314223A JPH0314223A JP14980589A JP14980589A JPH0314223A JP H0314223 A JPH0314223 A JP H0314223A JP 14980589 A JP14980589 A JP 14980589A JP 14980589 A JP14980589 A JP 14980589A JP H0314223 A JPH0314223 A JP H0314223A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＬＳＩ（大規模集積回路〕製造装置に代表
される半導体製造装置のなかで特に低温成膜を必要とす
る超ＬＳＩ半導体累子基板への成膜のため、真空容器内
に導入された” ＋ ０２ ＋ Ｎ２などのプラズマ原
料ガスをマイクロ波と磁力線との電子サイクロトロン共
鳴効果によってプラズマ化するとともに、このプラズマ
が前記磁力線の低磁束密度方向へ磁力線に沿って移送さ
れる移送路に、基板表面に生成される薄膜の原料となる
反応性ガスが導入される構成のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置であって、前記プラズマの移送路を構成する磁力線に
作用して基板位置でプラズマ密度が均一となるように移
送路を制御する磁力線を発生する補助ソレノイドを備え
た装置に関する。
される半導体製造装置のなかで特に低温成膜を必要とす
る超ＬＳＩ半導体累子基板への成膜のため、真空容器内
に導入された” ＋ ０２ ＋ Ｎ２などのプラズマ原
料ガスをマイクロ波と磁力線との電子サイクロトロン共
鳴効果によってプラズマ化するとともに、このプラズマ
が前記磁力線の低磁束密度方向へ磁力線に沿って移送さ
れる移送路に、基板表面に生成される薄膜の原料となる
反応性ガスが導入される構成のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置であって、前記プラズマの移送路を構成する磁力線に
作用して基板位置でプラズマ密度が均一となるように移
送路を制御する磁力線を発生する補助ソレノイドを備え
た装置に関する。
従来より用いられているこの種ＥＣＩ（プラズマＣＶＤ
装置の構成例を第７図に示す。図示されないマイクロ波
発生手段により発生された９周波数が２．４５ Ｇｌ−
ＩｚのマイクＵ波がマイクロ波の伝達手段である導波管
１１の内側を通り、誘電体板からなるマイクロ波窓１２
を介して真空Ｑこ保たれたプラズマチャンバ１３ａ内を
こ導入され、この導入されたマイクロ波と、プラズマチ
ャンバ＋３ａを同軸に包囲する主ソレノイド１４が発生
する磁力側との電子サイクロトロン共鳴効果により、ガ
ス供給手段１７を介して送入されたＡｒ 、 ０２ 、
Ｎ２ ｆｉどのグラズマ原料ガスが高効率でプラズマ
化され、プラズマチャンバ１３ａ内に低真空度で高密度
のプラズマか生成される。
装置の構成例を第７図に示す。図示されないマイクロ波
発生手段により発生された９周波数が２．４５ Ｇｌ−
ＩｚのマイクＵ波がマイクロ波の伝達手段である導波管
１１の内側を通り、誘電体板からなるマイクロ波窓１２
を介して真空Ｑこ保たれたプラズマチャンバ１３ａ内を
こ導入され、この導入されたマイクロ波と、プラズマチ
ャンバ＋３ａを同軸に包囲する主ソレノイド１４が発生
する磁力側との電子サイクロトロン共鳴効果により、ガ
ス供給手段１７を介して送入されたＡｒ 、 ０２ 、
Ｎ２ ｆｉどのグラズマ原料ガスが高効率でプラズマ
化され、プラズマチャンバ１３ａ内に低真空度で高密度
のプラズマか生成される。
このプラズマは、主ソレノイドが発生「る磁力馴の低磁
束密度方向へ磁力餘に沿い開口１：３Ｃを通って薄膜が
形成される基板２０へ向かう。一方、基板かが配される
処理室１３ｂ内には、周方向に間隔をおいて枚数のガス
放出口が形成された。断面円形の中空部材からなる円阜
状のガスリング内２ａが配され、このガスリング２２ａ
内へ処理室１（ｂの外部から導入Ｗ路２２ｂを介してＳ
ｉＨ４等の反応性ガスが送入される。このガスリング２
２ａは、例えは第８図をこ示されるように、周方向に等
間隔に８個のガス放出口を形成され、この８個のガス放
出口から反応性ガスが開口１３ｃから基板２０へ向かう
プラズマの移送路へ放出されてプラズマにより活性化さ
れ、基板の刀Ｉｌ熱を必要とせず良質の薄膜が高速度に
基板表面に生成される。しかし、この薄膜は、基板の直
径が大きくなると膜厚分布の均一性が悪くなるため、処
理室１３ｂの底面近傍に補助ソレノイド１８を基板と同
軸に配し、この補助ソレノイド１８が発生する磁力線を
主ソレノイド１４の磁力線に重畳させ、合成された磁力
線に沿ってプラズマが移送されるようＱこして基板面の
プラズマ密度が均一になるよう（・こしている。第７図
において破ａ！ ２５ ａはこの合成された磁力線の、
開口１３ｃの内周縁から基板２０の外周縁に至る形状を
示し、破線５ｂは補助ソレノイド１８が設けられていな
い場合の磁力線の形状を示す。なお、第７図において、 符号１５は、成膜中に処理室１３ｂの内壁面に膜が付着
するのを防止するための円筒状の防看板を示す。
束密度方向へ磁力餘に沿い開口１：３Ｃを通って薄膜が
形成される基板２０へ向かう。一方、基板かが配される
処理室１３ｂ内には、周方向に間隔をおいて枚数のガス
放出口が形成された。断面円形の中空部材からなる円阜
状のガスリング内２ａが配され、このガスリング２２ａ
内へ処理室１（ｂの外部から導入Ｗ路２２ｂを介してＳ
ｉＨ４等の反応性ガスが送入される。このガスリング２
２ａは、例えは第８図をこ示されるように、周方向に等
間隔に８個のガス放出口を形成され、この８個のガス放
出口から反応性ガスが開口１３ｃから基板２０へ向かう
プラズマの移送路へ放出されてプラズマにより活性化さ
れ、基板の刀Ｉｌ熱を必要とせず良質の薄膜が高速度に
基板表面に生成される。しかし、この薄膜は、基板の直
径が大きくなると膜厚分布の均一性が悪くなるため、処
理室１３ｂの底面近傍に補助ソレノイド１８を基板と同
軸に配し、この補助ソレノイド１８が発生する磁力線を
主ソレノイド１４の磁力線に重畳させ、合成された磁力
線に沿ってプラズマが移送されるようＱこして基板面の
プラズマ密度が均一になるよう（・こしている。第７図
において破ａ！ ２５ ａはこの合成された磁力線の、
開口１３ｃの内周縁から基板２０の外周縁に至る形状を
示し、破線５ｂは補助ソレノイド１８が設けられていな
い場合の磁力線の形状を示す。なお、第７図において、 符号１５は、成膜中に処理室１３ｂの内壁面に膜が付着
するのを防止するための円筒状の防看板を示す。
このような構成の従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にぢ
ける問題戦は次の敗りである。すなわち、基板側の表面
に生成される薄膜の膜厚分布はプラズマの移送路を形成
する磁力線の形状のほか、基板前面１１１１の反応性ガ
スの密度分布の影響をうけ、この密度分布を一様にする
ため、従来のＥ ＣＲプラズマＣＶＤ装置に８いては、
ガスリング２２ａに形成されるガス放出口９（第８図）
の口径が導入管ｆｆ１２２ｂとの接合点近傍で小さく、
遠方端側で大きくなるように、例えば０．５７１１１１
１から５ ＋ｎｍの範囲で変化ぎせていた。しかし、製
造上の技術的問題により、これらのガス放出口を形成す
る際の不可避１１７ＪＤ工豹差を口径の大小にか７１）
ねらず同一割合で（５） 生せしめることは困難であり、均一なガス流が容易に得
られないという問題があった。また、このように口径の
異なるガス放出口を備えたガスリングをこおいて実質的
に均一なガス放出が得られるのは、ガスリング内へ送入
される反応性ガス流量のある狭い範囲に限られ、任意の
流量で均一なガス放出を得ることは不可能であった。
ける問題戦は次の敗りである。すなわち、基板側の表面
に生成される薄膜の膜厚分布はプラズマの移送路を形成
する磁力線の形状のほか、基板前面１１１１の反応性ガ
スの密度分布の影響をうけ、この密度分布を一様にする
ため、従来のＥ ＣＲプラズマＣＶＤ装置に８いては、
ガスリング２２ａに形成されるガス放出口９（第８図）
の口径が導入管ｆｆ１２２ｂとの接合点近傍で小さく、
遠方端側で大きくなるように、例えば０．５７１１１１
１から５ ＋ｎｍの範囲で変化ぎせていた。しかし、製
造上の技術的問題により、これらのガス放出口を形成す
る際の不可避１１７ＪＤ工豹差を口径の大小にか７１）
ねらず同一割合で（５） 生せしめることは困難であり、均一なガス流が容易に得
られないという問題があった。また、このように口径の
異なるガス放出口を備えたガスリングをこおいて実質的
に均一なガス放出が得られるのは、ガスリング内へ送入
される反応性ガス流量のある狭い範囲に限られ、任意の
流量で均一なガス放出を得ることは不可能であった。
この発明の目的は、基板面でプラズマ分布が一様となる
ように形成されているプラズマ移送路の形状を保持しつ
つ、基板前面側の反応性ガスの密度分布が流量の実用範
囲内で流量に関係なく常に一様となるガス供給手段の構
成を提供することである。
ように形成されているプラズマ移送路の形状を保持しつ
つ、基板前面側の反応性ガスの密度分布が流量の実用範
囲内で流量に関係なく常に一様となるガス供給手段の構
成を提供することである。
上記課題を解決するために、前記ガス供給手段の構成を
、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板と同軸
に配され周方向に少な（とも６個等間隔に同一口径のガ
ス放出口が形成された。内径が基板直径よりも大きい連
続円環もしくは分割円環として形成され流路断面積が５
−以上の中空（６） 部材からなるガスリングに真空容器外部から導入管路を
介して反応性ガスが送入される構成とするものとする。
、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基板と同軸
に配され周方向に少な（とも６個等間隔に同一口径のガ
ス放出口が形成された。内径が基板直径よりも大きい連
続円環もしくは分割円環として形成され流路断面積が５
−以上の中空（６） 部材からなるガスリングに真空容器外部から導入管路を
介して反応性ガスが送入される構成とするものとする。
このようＯこ、ガスリングを内径が基板直径より大きい
連続円環状もしくは分割円環状に形成すれば、プラズマ
チャンバ下方の開口（第７図、 １３ｃ ）の内周縁か
ら基板（２０〕の外周縁に至るプラズマ移送路の形状は
、ガスリングの軸方向位置のいかんに力１つ）ねらず不
変に保持され、基板に到達するプラズマの基板位置での
密度分布の一様性が確保される。
連続円環状もしくは分割円環状に形成すれば、プラズマ
チャンバ下方の開口（第７図、 １３ｃ ）の内周縁か
ら基板（２０〕の外周縁に至るプラズマ移送路の形状は
、ガスリングの軸方向位置のいかんに力１つ）ねらず不
変に保持され、基板に到達するプラズマの基板位置での
密度分布の一様性が確保される。
また、本発明が特に対象とする。直径が６インテないし
８インチの大口径基板への成膜時に使用される実用範囲
内のガス流ｔ′、に対し、以下の実施例の項で説明する
ように、ガスリングの周方向流路の断面積が５ｉ以上で
あれは、ガスリングのガス流入口から最遠方のガス放出
口をこ到る流れの圧力降下が数％８度以下の小さい値と
なり、ガス放出口を同一口径としてこれを周方向等間隔
に６個以上形成することにより、任意の流量で基板前面
側に反応性ガスの−様な密度分布を得ることができる。
８インチの大口径基板への成膜時に使用される実用範囲
内のガス流ｔ′、に対し、以下の実施例の項で説明する
ように、ガスリングの周方向流路の断面積が５ｉ以上で
あれは、ガスリングのガス流入口から最遠方のガス放出
口をこ到る流れの圧力降下が数％８度以下の小さい値と
なり、ガス放出口を同一口径としてこれを周方向等間隔
に６個以上形成することにより、任意の流量で基板前面
側に反応性ガスの−様な密度分布を得ることができる。
ができる。
第１図に本発明によるガス供給手段の第１の実施例を示
す。図において第７図と同一の部材をこけ同一符号を付
し、説明を省略する。この実施例では基板加の直径を６
インチとし、ガスリング６は流路断面積が１０ｍの断面
方形の中空部材からなる。
す。図において第７図と同一の部材をこけ同一符号を付
し、説明を省略する。この実施例では基板加の直径を６
インチとし、ガスリング６は流路断面積が１０ｍの断面
方形の中空部材からなる。
平均直径が１９０．内径が１５．５αの連続円環として
形成され、この中空部材の下面側に周方向等間隔に口径
が３ ｒｎｍφのガス放出口が８個形成されている。ガ
スリング６がこのように形成されたガス供給手段１０１
を用い、真空容器１３内の圧力を数ｍＴｏｒｒに保った
実験の一例では、ガスリング内部の圧力が反応性ｆｆ
ス（５ｉＨ４） ｃｌ）流量３０ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭは
標準状態：０℃、１気圧に換算したガス流ｉ （Ｃ，４
／−＝） ）のとき約１００ ｍＴｏｒｒとなり、ガス
リング内部の最大圧力差は約１ ｍＴｏｒｒすなわち最
大圧力降下は約１％であった。この値は従来のガスＪン
グにおいて要求された。ガス放出口の加工誤差に基づく
流れのコンダクタンス精度数％より十分小さい。実験の
結果、膜厚分布±５％以下の目標値が余裕をもって達成
されたことを確認した。
形成され、この中空部材の下面側に周方向等間隔に口径
が３ ｒｎｍφのガス放出口が８個形成されている。ガ
スリング６がこのように形成されたガス供給手段１０１
を用い、真空容器１３内の圧力を数ｍＴｏｒｒに保った
実験の一例では、ガスリング内部の圧力が反応性ｆｆ
ス（５ｉＨ４） ｃｌ）流量３０ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭは
標準状態：０℃、１気圧に換算したガス流ｉ （Ｃ，４
／−＝） ）のとき約１００ ｍＴｏｒｒとなり、ガス
リング内部の最大圧力差は約１ ｍＴｏｒｒすなわち最
大圧力降下は約１％であった。この値は従来のガスＪン
グにおいて要求された。ガス放出口の加工誤差に基づく
流れのコンダクタンス精度数％より十分小さい。実験の
結果、膜厚分布±５％以下の目標値が余裕をもって達成
されたことを確認した。
第２図に本発明によるガス供給手段の第２の実施例を示
す。この実施例ではガスリング６の流路断面積を５ｃｍ
２としており、流路断面積が第１の実施例の半分となる
ため、反応性ガスのｍｉ１！：を同一とすれば最大圧力
差が大きくなる。このため、ガスリングのガス流入口を
対称に２個所とし、等流量の反応性ガスを２系統から導
入して第１図の場合と同様の効果を得ることを可能にし
ている。
す。この実施例ではガスリング６の流路断面積を５ｃｍ
２としており、流路断面積が第１の実施例の半分となる
ため、反応性ガスのｍｉ１！：を同一とすれば最大圧力
差が大きくなる。このため、ガスリングのガス流入口を
対称に２個所とし、等流量の反応性ガスを２系統から導
入して第１図の場合と同様の効果を得ることを可能にし
ている。
第３図に本発明によるガス供給手段の第３の実施例を示
す。この実施例は直径が８インチの基板を対象としたも
ので、ガスリング６の内径％ ２００丁綿として基板の
直径と実質的に等しくするとともにガス放出口をガスリ
ングの内周面Ｏこ形成し、放出ガスを基板前面１［１１
へ効率よくかつ均一に供給する構成としている。
す。この実施例は直径が８インチの基板を対象としたも
ので、ガスリング６の内径％ ２００丁綿として基板の
直径と実質的に等しくするとともにガス放出口をガスリ
ングの内周面Ｏこ形成し、放出ガスを基板前面１［１１
へ効率よくかつ均一に供給する構成としている。
第４回船こ本発明によるガス供給手段の第４の実施例を
示す。この実施例ではガスリングのθ毘路断（９） 面を縦長の方形に形成し、隣り会ったガス放出口の間に
仕切り板４を設け、導入管路３を介して導入された反応
性ガスがガス放出口からの放出に先■ち、まず、隣り合
った仕切り板の間の大きい空間に入り、このそれぞれの
大きい空間からガスが放出されるようにして放出ガス量
の周方向等分割の数音を図ったものである。
示す。この実施例ではガスリングのθ毘路断（９） 面を縦長の方形に形成し、隣り会ったガス放出口の間に
仕切り板４を設け、導入管路３を介して導入された反応
性ガスがガス放出口からの放出に先■ち、まず、隣り合
った仕切り板の間の大きい空間に入り、このそれぞれの
大きい空間からガスが放出されるようにして放出ガス量
の周方向等分割の数音を図ったものである。
第５図に本発明によるガス供給手段の第５の実施例を示
す。この実施例ではガス放出口は流れのコンダクタンス
の等しい管状の放出口として形成され、放出口のみがプ
ラズマにざらされる構成としている。すなわち、比較的
容積の大きいガスリング６は、例えば第１図船こおける
防着板１５の外側に配することにより、成膜時に汚染さ
れることがなくｆより、またガス放出口に付着するパー
ティクルは少量であるから、ガス供給手段の点検周期が
長くなる。さらに、管状のガス放出口をガスリング船こ
着脱可能としてガスリングを真空容器１３（第（１０） 本発明の趣旨から基板直径より大きくすることが望まし
い。
す。この実施例ではガス放出口は流れのコンダクタンス
の等しい管状の放出口として形成され、放出口のみがプ
ラズマにざらされる構成としている。すなわち、比較的
容積の大きいガスリング６は、例えば第１図船こおける
防着板１５の外側に配することにより、成膜時に汚染さ
れることがなくｆより、またガス放出口に付着するパー
ティクルは少量であるから、ガス供給手段の点検周期が
長くなる。さらに、管状のガス放出口をガスリング船こ
着脱可能としてガスリングを真空容器１３（第（１０） 本発明の趣旨から基板直径より大きくすることが望まし
い。
第６図に本発明によるガス供給手段の第６の実施例を示
す。この実施例ではガスリングは周方向長さが５対３の
割合ｆこ２分割された９円環部分６ａ、６ｂからなる分
割円環として形成され、それぞれの円環部分６ａ、６ｂ
に図示されない流量調整ｙ′Ｐを介した導入雪路１．２
が接続されている。ガス供給手段をこのように構成して
流ｉ調整弁を調整することをこより、円環部分６ａの１
つのガス放出口と円環部分６ｂの１つのガス放出口とか
ら放出されるガス量を異ならせることができ、例えば第
１図の真空排気口１６１こよる基板前面側のガス密度分
布の軸非対称性を袖うことができる。
す。この実施例ではガスリングは周方向長さが５対３の
割合ｆこ２分割された９円環部分６ａ、６ｂからなる分
割円環として形成され、それぞれの円環部分６ａ、６ｂ
に図示されない流量調整ｙ′Ｐを介した導入雪路１．２
が接続されている。ガス供給手段をこのように構成して
流ｉ調整弁を調整することをこより、円環部分６ａの１
つのガス放出口と円環部分６ｂの１つのガス放出口とか
ら放出されるガス量を異ならせることができ、例えば第
１図の真空排気口１６１こよる基板前面側のガス密度分
布の軸非対称性を袖うことができる。
以上をこ述べたようＱこ、不発明によれば、基板前面側
のプラズマ移送路へ反応性ガスを導入するガス供給手段
の構ｇを、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基
板と同軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一
口径のガス放出口が形成された。内径が基板直径よりも
大きい連続円環もしくは分割円環として形成され流路断
面積が５ｃｍ２以上の中空部材からなるガスリングに真
空容器外部から導入管路を介して反応性ガスが送入され
る構成としたので、プラズマチャンバ下方の開口（第１
図、１３ｃ）から基板（２０） ｆこ至るプラズマ移送
路の形状が、ガスリングの軸方向位置に関係なく不変ｔ
こ保持され、基板に到達するプラズマの基板位置での密
度分布の一様性を確保することができる。さらに、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置において使用される反応性ガス
流量の実用範囲内では、ガスリングの周方向流路の断面
積が５ｃｍ２以上であれは、ガスリングのガス流入口の
数をガス流量に応して適宜に選ぶことにより、ガス流入
口から最遠方のガス放出口に到る流れの圧力降下が数％
程度以下の小さい値となり、従ってガス放出口をすべて
同一口径としてこれを周方向等間隔に６個以上形成する
ことにより、ガス放出口が４個の場合には半導体基板表
面の膜厚分布が±６〜１０％であったものを±５％以内
の膜厚分布とすることが可能になる。
のプラズマ移送路へ反応性ガスを導入するガス供給手段
の構ｇを、マイクロ波伝達手段と基板との中間位置に基
板と同軸に配され周方向に少なくとも６個等間隔に同一
口径のガス放出口が形成された。内径が基板直径よりも
大きい連続円環もしくは分割円環として形成され流路断
面積が５ｃｍ２以上の中空部材からなるガスリングに真
空容器外部から導入管路を介して反応性ガスが送入され
る構成としたので、プラズマチャンバ下方の開口（第１
図、１３ｃ）から基板（２０） ｆこ至るプラズマ移送
路の形状が、ガスリングの軸方向位置に関係なく不変ｔ
こ保持され、基板に到達するプラズマの基板位置での密
度分布の一様性を確保することができる。さらに、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置において使用される反応性ガス
流量の実用範囲内では、ガスリングの周方向流路の断面
積が５ｃｍ２以上であれは、ガスリングのガス流入口の
数をガス流量に応して適宜に選ぶことにより、ガス流入
口から最遠方のガス放出口に到る流れの圧力降下が数％
程度以下の小さい値となり、従ってガス放出口をすべて
同一口径としてこれを周方向等間隔に６個以上形成する
ことにより、ガス放出口が４個の場合には半導体基板表
面の膜厚分布が±６〜１０％であったものを±５％以内
の膜厚分布とすることが可能になる。
また、ガスリングの周方向流路の断面積を、使用される
反応性ガス流量の実用範囲に即して５ｃｍ２り上として
流路に沿う圧力降下を小さくすることにより、ガス放出
口の口径をすべて同一とすることができたので、ガスリ
ングを分割円環として形成し、分割されたそれぞれの円
環部分における１つのガス放出口力）らのガス放出量を
円環部分相互の間で任意に異ならぜることが容易に可能
になり、真空容器の排気口の位置に基づく基板前面側の
ガス密度分布の軸非対称性を容易に補正することができ
る。さらに、同様の理由により、ガス放出口を管状放出
口として形成することも容易に可能となり、これにより
、ガスリングを真空容器内の防Ｎ赦の外側や、真空容器
外部に配する構成も可能となり、点検周期が長くなるた
め、装置の連続運転可能時間が延長され、膜生成の生産
性が向上する効果も合わせＣ得ることができる。
反応性ガス流量の実用範囲に即して５ｃｍ２り上として
流路に沿う圧力降下を小さくすることにより、ガス放出
口の口径をすべて同一とすることができたので、ガスリ
ングを分割円環として形成し、分割されたそれぞれの円
環部分における１つのガス放出口力）らのガス放出量を
円環部分相互の間で任意に異ならぜることが容易に可能
になり、真空容器の排気口の位置に基づく基板前面側の
ガス密度分布の軸非対称性を容易に補正することができ
る。さらに、同様の理由により、ガス放出口を管状放出
口として形成することも容易に可能となり、これにより
、ガスリングを真空容器内の防Ｎ赦の外側や、真空容器
外部に配する構成も可能となり、点検周期が長くなるた
め、装置の連続運転可能時間が延長され、膜生成の生産
性が向上する効果も合わせＣ得ることができる。
第１図はプラズマ移送路に反応性ガスを導入す（１３）
るガス供給手段の構成に対する本発明の第１の実施例を
示ずＥ ＣＲプラズマＣＶ Ｄ装置の縦断面図、第２図
ないし第６図は同じくガス供給手段の構成に対する本発
明のそれぞれ第２ないし第６の実施例を示す説明図、第
７図は従来のＥ ＣＲプラズマＣＶＤ装置の構成例を示
す縦断面図、第８図は第７図に示すＥＣＩ（プラズマＣ
ＶＤ装置のガス供給手段における複数のガス放出口の口
径の相異を示す説明図である。 １．２，３，２２ｂ・・・導入管路、５，７．９・・・
ガス放出口、６．２２ａ・・・ガスリング、１３・・・
真空容器、１３ａ・・・グラズマチャンバ １３ｂ・・
・処理室、１４・・・主ソレノイド、１７・・・ガス供
給手段、１８・・・補助ソレノイド、か・・・基板、２
２．１０１ 、１０２ 、１０３ 、１０４ 、１０５
。 １０６・・・ガス供給手段。 （１４） １０２刀“久代ｊ合手Ｖシ。 り３ 図 １０３’７’又召（＃！Ｆ名し 第 図 １０４ ７１”又イ兵＃李設 第 図 第 ７ 図 ２２Ｑ 力゛ス１ルフ′ 第 図
示ずＥ ＣＲプラズマＣＶ Ｄ装置の縦断面図、第２図
ないし第６図は同じくガス供給手段の構成に対する本発
明のそれぞれ第２ないし第６の実施例を示す説明図、第
７図は従来のＥ ＣＲプラズマＣＶＤ装置の構成例を示
す縦断面図、第８図は第７図に示すＥＣＩ（プラズマＣ
ＶＤ装置のガス供給手段における複数のガス放出口の口
径の相異を示す説明図である。 １．２，３，２２ｂ・・・導入管路、５，７．９・・・
ガス放出口、６．２２ａ・・・ガスリング、１３・・・
真空容器、１３ａ・・・グラズマチャンバ １３ｂ・・
・処理室、１４・・・主ソレノイド、１７・・・ガス供
給手段、１８・・・補助ソレノイド、か・・・基板、２
２．１０１ 、１０２ 、１０３ 、１０４ 、１０５
。 １０６・・・ガス供給手段。 （１４） １０２刀“久代ｊ合手Ｖシ。 り３ 図 １０３’７’又召（＃！Ｆ名し 第 図 １０４ ７１”又イ兵＃李設 第 図 第 ７ 図 ２２Ｑ 力゛ス１ルフ′ 第 図
Claims (1)
- １）マイクロ波発生手段と、このマイクロ波を伝達する
手段と、このマイクロ波伝達手段と結合されてマイクロ
波が導入されかつガス供給手段を介して送入されたプラ
ズマ原料ガスを該マイクロ波との共鳴効果によりプラズ
マ化する磁力線を発生する主ソレノイドにより同軸に包
囲されるとともに該主ソレノイドが発生した磁力線の低
磁束密度方向へ磁力線に沿って移送されるプラズマによ
り該移送路に導入された反応性ガスが活性化されて表面
に薄膜が形成される基板が配される真空容器と、この真
空容器と同軸に配され前記移送路を構成する主ソレノイ
ドの磁力線に作用して基板位置でプラズマ密度が均一と
なるように移送路を制御する磁力線を発生する補助ソレ
ノイドと、前記真空容器の排気を行う排気手段と、を備
えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において、前記移送路へ
の反応性ガスの導入が、前記マイクロ波伝達手段と基板
との中間位置に基板と同軸に配され周方向に少なくとも
６個等間隔に同一口径のガス放出口が形成された、内径
が基板直径よりも大きい連続円環もしくは分割円環とし
て形成され流路断面積が５ｃｍ＾２以上の中空部材から
なるガスリングに真空容器外部から導入管路を介して反
応性ガスが送入されることにより行われることを特徴と
するＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149805A JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149805A JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314223A true JPH0314223A (ja) | 1991-01-22 |
| JP2705222B2 JP2705222B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=15483100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1149805A Expired - Fee Related JP2705222B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705222B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4229161A1 (de) * | 1991-09-02 | 1993-03-04 | Fuji Electric Co Ltd | Verfahren und herstellung zur herstellung eines siliziumoxidfilms |
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| JP2009260291A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
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| JP2019514208A (ja) * | 2016-04-01 | 2019-05-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガスの均一な流れを提供する装置および方法 |
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-
1989
- 1989-06-13 JP JP1149805A patent/JP2705222B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN108990400A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-11 | 珠海格力电器股份有限公司 | 磁环固定装置及电器盒 |
| CN108990400B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-04-28 | 珠海格力电器股份有限公司 | 磁环固定装置及电器盒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2705222B2 (ja) | 1998-01-28 |
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