JP4963694B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4963694B2 JP4963694B2 JP2008250994A JP2008250994A JP4963694B2 JP 4963694 B2 JP4963694 B2 JP 4963694B2 JP 2008250994 A JP2008250994 A JP 2008250994A JP 2008250994 A JP2008250994 A JP 2008250994A JP 4963694 B2 JP4963694 B2 JP 4963694B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow rate
- antenna
- plasma processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、
前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器と、CD寸法制御用の少なくとも1種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第1のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスである第2のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段とを備え、
前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第1のガスが前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第2のガスと合流して前記ガス分散板の内側の領域に、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第1のガスが前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第2のガスと合流して前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給されることによって、前記シャワープレートの内側領域と外側領域からそれぞれ供給される前記第2のガスの流量を前記第1のガスの流量とは独立に制御できることを特徴とする。
さらに、本発明では、処理室と、前記処理室に電磁波を放射するためのアンテナと、前記処理室内にガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに供給された前記ガスを分散させるガス分散板と、前記ガス分散板にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、前記アンテナに高周波電力を供給する電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置において、前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器と、CD寸法制御用の少なくとも1種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第1のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスである第2のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段と、前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第1のガスを第一のガス流量調節器を介して前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第2のガスと合流させるとともに、該合流させられたガスを第三のガス流量調節器を介して前記ガス分散板の内側の領域に供給するガス配管と、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第1のガスを第二のガス流量調節器を介して前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第2のガスと合流させるとともに、該合流させられたガスを第四のガス流量調節器を介して前記ガス分散板の外側の領域に供給するガス配管とを備えていることを特徴とする。
さらに、本発明では、前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスは、O2ガスまたはN2ガス、あるいはO2ガス及びN2ガスであることを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有し、前記第二のガス分配手段は、前記O2ガスまたはN2ガス、あるいはO2ガス及びN2ガスがそれぞれ複数のガス流量調整器で供給されることにより、前記O2ガスまたはN2ガス、あるいはO2ガス及びN2ガスを分配することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記アンテナは内側領域と外側領域に分割され、前記電磁波放射電源は、分配器により前記アンテナの内側領域と前記アンテナの外側領域にそれぞれ高周波電力を供給することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一及び第二のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とする。
さらに、本発明では、O2とN2以外の処理ガスを第1の処理ガスとして複数に分配し、分配した後の第1のガスに第2のガスとしてO2とN2を添加することで、互いにO2あるいはN2の組成や流量が異なる処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入できるようにする。このとき、複数に分配した後の第1のガスに添加するO2あるいはN2の添加量に関わらず、第1の処理ガスが所定の流量比に分配できるように、第1のガスを複数に分配するためのガス分配器を用いる。
Claims (7)
- 処理室と、前記処理室に電磁波を放射するためのアンテナと、前記処理室内にガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに供給された前記ガスを分散させるガス分散板と、前記ガス分散板にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、前記アンテナに高周波電力を供給する電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置であって、
前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、
前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器と、CD寸法制御用の少なくとも1種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第1のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスである第2のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段とを備え、
前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第1のガスが前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第2のガスと合流して前記ガス分散板の内側の領域に、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第1のガスが前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第2のガスと合流して前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給されることによって、前記シャワープレートの内側領域と外側領域からそれぞれ供給される前記第2のガスの流量を前記第1のガスの流量とは独立に制御できることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理室と、前記処理室に電磁波を放射するためのアンテナと、前記処理室内にガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに供給された前記ガスを分散させるガス分散板と、前記ガス分散板にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、前記アンテナに高周波電力を供給する電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置において、
前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、
前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器と、CD寸法制御用の少なくとも1種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第1のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスである第2のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段と、前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第1のガスを第一のガス流量調節器を介して前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第2のガスと合流させるとともに、該合流させられたガスを第三のガス流量調節器を介して前記ガス分散板の内側の領域に供給するガス配管と、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第1のガスを第二のガス流量調節器を介して前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第2のガスと合流させるとともに、該合流させられたガスを第四のガス流量調節器を介して前記ガス分散板の外側の領域に供給するガス配管とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記CD寸法制御用の少なくとも1種類のガスは、O2ガスまたはN2ガス、あるいはO2ガス及びN2ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有し、前記第二のガス分配手段は、前記O 2 ガスまたはN 2 ガス、あるいはO 2 ガス及びN 2 ガスがそれぞれ複数のガス流量調整器で供給されることにより、前記O 2 ガスまたはN 2 ガス、あるいはO 2 ガス及びN 2 ガスを分配することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナは内側領域と外側領域に分割され、
前記電磁波放射電源は、分配器により前記アンテナの内側領域と前記アンテナの外側領域にそれぞれ高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記第一及び第二のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250994A JP4963694B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250994A JP4963694B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004217118A Division JP4550507B2 (ja) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311686A JP2008311686A (ja) | 2008-12-25 |
JP2008311686A5 JP2008311686A5 (ja) | 2011-02-17 |
JP4963694B2 true JP4963694B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=40238942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008250994A Active JP4963694B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4963694B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101519024B1 (ko) * | 2009-01-15 | 2015-05-12 | 삼성전자 주식회사 | 플라즈마 식각 장치의 가스공급장치 |
CN112823406B (zh) * | 2018-09-26 | 2024-03-12 | 应用材料公司 | 用于等离子体处理腔室的导热间隔件 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61100935A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング装置 |
US6294026B1 (en) * | 1996-11-26 | 2001-09-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Distribution plate for a reaction chamber with multiple gas inlets and separate mass flow control loops |
JPH1116888A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | エッチング装置及びその運転方法 |
JP2000156370A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-06-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2000208483A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウェハ処理装置及びウェハ処理方法 |
JP4388627B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2009-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2002064084A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理用ガス導入装置およびプラズマ処理方法 |
JP3764639B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP3881307B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-02-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008250994A patent/JP4963694B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008311686A (ja) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4550507B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4388020B2 (ja) | 半導体プラズマ処理装置及び方法 | |
KR101913889B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 | |
KR101124924B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP5514310B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US7666479B2 (en) | Apparatus and method of gas injection sequencing | |
TW561545B (en) | Plasma processing system with dynamic gas distribution control | |
CN110444460B (zh) | 等离子体处理装置的应用方法 | |
CN107452590A (zh) | 用于在下游反应器中边缘蚀刻速率控制的可调侧气室 | |
JP2006041088A5 (ja) | ||
KR20050044248A (ko) | 표면파 여기 플라즈마 cvd 시스템 | |
KR102016773B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2006210727A (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 | |
KR20180006307A (ko) | 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척 | |
JPWO2015019765A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US10950416B2 (en) | Chamber seasoning to improve etch uniformity by reducing chemistry | |
JP2012049376A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4963694B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2004200429A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2021247170A1 (en) | Methods and apparatus for symmetrical hollow cathode electrode and discharge mode for remote plasma processes | |
US20200118813A1 (en) | Ozone for Selective Hydrophilic Surface Treatment | |
KR20200051505A (ko) | 배치대 및 기판 처리 장치 | |
JP2000031121A (ja) | プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置 | |
KR20220156070A (ko) | 기판 프로세싱 챔버를 위한 유전체 윈도우 | |
KR102560323B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4963694 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |