JP6696322B2 - ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
第1のガス供給機構から上流側に第1のガスが供給され、下流側が分岐して複数の第1の分岐路をなす第1のガス流路と、
第2のガス供給機構から上流側に第2のガスが供給され、下流側が分岐して複数の第2の分岐路をなす第2のガス流路と、
前記複数の第1の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第1の位置に、前記複数の第2の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第2の位置に夫々接続されると共に排出路が接続され、前記第1の分岐路及び第2の分岐路から前記排出路へ流れる前記第1のガスと前記第2のガスとを混合して混合ガスを生成するための環状の混合室と、
前記排出路から供給される前記混合ガスを前記基板に吐出して当該基板を処理するためのガス吐出部と、
を備えたことを特徴とする。
下流側が分岐して複数の第1の分岐路をなす第1のガス流路の上流側から第1のガスを供給する工程と、
下流側が分岐して複数の第2の分岐路をなす第2のガス流路の上流側から第2のガスを供給する工程と、
前記複数の第1の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第1の位置に、前記複数の第2の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第2の位置に夫々接続される環状の混合室に第1のガス及び第2のガスを供給し、第1の位置及び第2の位置から前記混合室に接続される排出路へ当該第1のガス及び第2のガスを流すことで、当該第1のガス及び第2のガスを混合して混合ガスを生成する工程と、
前記排出路から供給される前記混合ガスをガス吐出部から前記基板に吐出して、当該基板を処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記のガス処理方法を実施することを特徴とする。
本発明に関して行われた評価試験について説明する。評価試験1として、上記のエッチング装置1を用いて既述の手順に沿って実際にALEを行った場合におけるウエハWのエッチング後の状態を調べた。エッチング後の状態とは、ウエハWの面内各部においてエッチングされた量の平均値(単位:nm)、及びウエハWの面内におけるエッチングの均一性である。このエッチングの均一性(単位:%)とは具体的には、エッチングレートの標準偏差(1σ)をエッチングレートの平均値に対する百分率で示した値である。従って、このエッチングの均一性の絶対値が小さいほど、ウエハWの面内において均一性高くエッチングが行われたことを示す。また、ウエハWの面内におけるエッチング量の分布がカラーのグラデーションとして表された画像を取得した。つまり、実験による測定結果から、エッチング量に応じて色を付して、ウエハWの表面を表した。
10 制御部
11 処理容器
21 載置台
41 ガス吐出部
50 ガス供給路
51、52 水平ガス流路
53、54 分岐路
55 第1のガス混合室
56 排出路
Claims (8)
- 真空雰囲気が形成される処理容器内に設けられ、基板が載置される載置部と、
第1のガス供給機構から上流側に第1のガスが供給され、下流側が分岐して複数の第1の分岐路をなす第1のガス流路と、
第2のガス供給機構から上流側に第2のガスが供給され、下流側が分岐して複数の第2の分岐路をなす第2のガス流路と、
前記複数の第1の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第1の位置に、前記複数の第2の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第2の位置に夫々接続されると共に排出路が接続され、前記第1の分岐路及び第2の分岐路から前記排出路へ流れる前記第1のガスと前記第2のガスとを混合して混合ガスを生成するための環状の混合室と、
前記排出路から供給される前記混合ガスを前記基板に吐出して当該基板を処理するためのガス吐出部と、
を備えたことを特徴とするガス処理装置。 - 前記第1の位置及び前記第2の位置は、同じ位置であることを特徴とする請求項1記載のガス処理装置。
- 前記排出路は、前記第1の位置及び前記第2の位置から前記混合室の周方向に離れた位置に接続されていることを特徴とする請求項1または2記載のガス処理装置。
- 前記第1のガス流路及び前記第2のガス流路は前記混合室の上部側に接続され、
前記排出路は当該混合室の下部側に接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のガス処理装置。 - 前記ガス吐出部及び前記排出路は複数設けられ、
前記処理容器の天井部の下部側に、前記載置部に対向する平坦面と、当該平坦面に形成された複数のガス吐出口と、を備えたガスシャワーヘッドが設けられ、
前記各ガス吐出部は、前記処理容器の天井部と前記ガスシャワーヘッドとの間に形成されるガス拡散空間に、各々横方向にガスを吐出するように設けられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載のガス処理装置。 - 前記第1のガス供給機構は、前記第1のガスを構成する第1の不活性ガスと第1の処理ガスとを夫々独立して当該第1のガス流路に供給するように構成され、
前記第2のガス供給機構は、前記第2のガスを構成する第2の不活性ガスと第2の処理ガスとを夫々独立して当該第2のガス流路に供給するように構成され、
前記第1の不活性ガス、前記第2の不活性ガスが夫々前記第1のガス流路、前記第2のガス流路に互いに並行して連続して供給される間、前記第1の処理ガス、前記第2の処理ガスが夫々前記第1のガス流路、前記第2のガス流路に断続的に供給されるように制御信号を出力する制御部が設けられることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のガス処理装置。 - 真空雰囲気が形成される処理容器内に設けられる載置部に基板を載置する工程と、
下流側が分岐して複数の第1の分岐路をなす第1のガス流路の上流側から第1のガスを供給する工程と、
下流側が分岐して複数の第2の分岐路をなす第2のガス流路の上流側から第2のガスを供給する工程と、
前記複数の第1の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第1の位置に、前記複数の第2の分岐路の各下流端が周方向の互いに離れた第2の位置に夫々接続される環状の混合室に第1のガス及び第2のガスを供給し、第1の位置及び第2の位置から前記混合室に接続される排出路へ当該第1のガス及び第2のガスを流すことで、当該第1のガス及び第2のガスを混合して混合ガスを生成する工程と、
前記排出路から供給される前記混合ガスをガス吐出部から前記基板に吐出して、当該基板を処理する工程と、
を備えたことを特徴とするガス処理方法。 - 基板に対してガス処理を行うガス処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7に記載のガス処理方法を実施することを特徴とする記憶媒体。
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