JP7113681B2 - エッチング処理方法およびエッチング処理装置 - Google Patents
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Description
真空容器内部の処理室内に配置され、シリコンを含む部材から構成された処理対象の膜層をエッチング処理する方法であって、
前記処理室内に少なくともフッ化水素を含むガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給する第1のステップと、
前記処理室内部を排気して前記フッ化水素を含むガスを除く第2のステップと、
前記処理室内に窒化水素を含むガスを導入し、またはN 2 ガス及びH 2 ガスを導入した上でプラズマを発生させて前記処理対象の膜層の表面に窒化水素分子を供給して前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成する第3のステップと、
前記第3のステップの終了後に前記処理室内部を排気して窒化水素を含むガスを除く排気ステップと、を1組のステップセットとして、前記ステップセットを複数回繰り返す膜形成の工程と、
前記膜形成の工程後に、前記処理対象の膜層の表面に形成された前記化合物の層を除く膜除去の工程と、を備えた
ことにより達成される。
シリコンを含む部材から構成された処理対象を内部に載置した真空容器と、
前記真空容器内にフッ化水素ガスを供給する第1ガス源と、
前記真空容器内に窒化水素ガスを供給する第2ガス源と、
前記真空容器内の排気を行う排気装置と、
前記処理対象を加熱する加熱装置と、
制御部とを有する、エッチング処理装置であって、
前記制御部は、
前記第1ガス源から、前記真空容器内にフッ化水素ガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給し、前記排気装置により、前記真空容器内部を排気して前記フッ化水素ガスを除き、前記第2ガス源から、前記真空容器内に窒化水素ガスを導入して前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成し、前記化合物の層の形成後に前記真空容器内部を排気して窒化水素を含むガスを除くステップセットを複数回繰り返し、
更に前記加熱装置により前記処理対象を加熱して、前記膜層の表面に形成された前記化合物の層を除くように、制御を行うことにより達成される。
シリコンを含む部材から構成された処理対象を内部に載置した真空容器と、
前記真空容器内にフッ化水素ガスを供給する第1ガス源と、
前記真空容器内にN2ガスとH2ガスを供給する第2ガス源と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ装置と、
前記真空容器内の排気を行う排気装置と、
前記処理対象を加熱する加熱装置と、
制御部とを有する、エッチング処理装置であって、
前記制御部は、
前記第1ガス源から、前記真空容器内にフッ化水素ガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給し、前記排気装置により、前記真空容器内部を排気して前記フッ化水素ガスを除き、前記第2ガス源から、前記真空容器内にN2ガスとH2ガスを導入し、前記プラズマ装置により、前記真空容器内にプラズマを発生させてNH3分子を生成して、前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成し、前記化合物の層の形成後に前記真空容器内部を排気して窒化水素を含むガスを除くステップセットを複数回繰り返し、
更に前記加熱装置により前記処理対象を加熱して、前記膜層の表面に形成された前記化合物の層を除くように、制御を行うことにより達成される。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかとなる。
まず、図7を用いて本発明の実施形態1に係るエッチング処理装置の全体構成を含めて、概略を説明する。真空容器である処理室3はベースチャンバー11により構成され、その中にはウエハ4を載置するためのウエハステージ5が設置されている。処理室上側の中心部にはシャワープレート23が設置されており、処理ガスは前記シャワープレート23を介して前記処理室3へ供給される。
次に、図9を用いて本発明の実施形態2に係るエッチング処理装置の全体構成を含めて概略を説明する。処理室3はベースチャンバー11により構成され、その中にはウエハ4を載置するためのウエハステージ5が設置されている。前記処理室3の上方には、ICP放電方式を用いたプラズマ源(ICPプラズマ源)が設置されている。ICPプラズマ源はプラズマによるチャンバー内壁のクリーニングやプラズマによる反応性ガスの生成に用いる。
まず前記処理室3に設けられた搬送口(図示省略)を介して、前記ウエハ4を前記処理室3に搬送した後に、静電吸着のための前記DC電源31の給電により前記ウエハ4を前記ウエハステージ5に固定するとともに、前記ウエハ4の裏面にウエハ冷却用のHeガスを供給する。
2 改質層
3 処理室
4 ウエハ
5 ウエハステージ
11 ベースチャンバー
12 石英チャンバー
13 放電領域
14 調圧手段
15 排気手段
16 真空排気配管
20 ICPコイル
21 高周波電源
22 整合機
23 シャワープレート
24 ガス分散板
25 天板
26 スリット板
27 流路
30 電極板
31 DC電源
38 チラー
39 冷媒の流路
50 マスフローコントローラー
51 ガス分配器
52 Arガス
53 Arガス
54 バルブ
55 排気装置
60 IRランプ
61 反射板
70 熱電対
71 熱電対温度計
72 IR光透過窓
73 IRランプ用電源
74 高周波カットフィルタ
Claims (8)
- 真空容器内部の処理室内に配置され、シリコンを含む部材から構成された処理対象の膜層をエッチング処理する方法であって、
前記処理室内に少なくともフッ化水素を含むガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給する第1のステップと、
前記処理室内部を排気して前記フッ化水素を含むガスを除く第2のステップと、
前記処理室内に窒化水素を含むガスを導入し、またはN 2 ガス及びH 2 ガスを導入した上でプラズマを発生させて前記処理対象の膜層の表面に窒化水素分子を供給して前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成する第3のステップと、
前記第3のステップの終了後に前記処理室内部を排気して窒化水素を含むガスを除く排気ステップと、を1組のステップセットとして、前記ステップセットを複数回繰り返す膜形成の工程と、
前記膜形成の工程後に、前記処理対象の膜層の表面に形成された前記化合物の層を除く膜除去の工程と、を備えた
エッチング処理方法。 - 請求項1に記載のエッチング処理方法であって、
前記第2のステップまたは前記排気ステップにおける前記処理室の圧力を、前記第1のステップおよび前記第3のステップにおける前記処理室の圧力より低くする
エッチング処理方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理方法であって、
前記少なくともフッ化水素を含むガスの前記処理室内への導入が停止された後かつ前記窒化水素を含むガスの導入が開始される前に、前記第2のステップが実施される
エッチング処理方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理方法であって、
前記少なくともフッ化水素を含むガスの前記処理室内への導入が停止された後かつ前記プラズマが生成される前に、前記第2のステップが実施される
エッチング処理方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のエッチング処理方法であって、
前記膜除去の工程において、前記処理対象を加熱して前記化合物の層を除去する
エッチング処理方法。 - 請求項5に記載のエッチング処理方法であって、
前記膜除去の工程の後に前記処理対象を冷却するステップを備えた
エッチング処理方法。 - シリコンを含む部材から構成された処理対象を内部に載置した真空容器と、
前記真空容器内にフッ化水素ガスを供給する第1ガス源と、
前記真空容器内に窒化水素ガスを供給する第2ガス源と、
前記真空容器内の排気を行う排気装置と、
前記処理対象を加熱する加熱装置と、
制御部とを有する、エッチング処理装置であって、
前記制御部は、
前記第1ガス源から、前記真空容器内にフッ化水素ガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給し、前記排気装置により、前記真空容器内部を排気して前記フッ化水素ガスを除き、前記第2ガス源から、前記真空容器内に窒化水素ガスを導入して前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成し、前記化合物の層の形成後に前記真空容器内部を排気して窒化水素を含むガスを除くステップセットを複数回繰り返し、
更に前記加熱装置により前記処理対象を加熱して、前記膜層の表面に形成された前記化合物の層を除くように、制御を行う
エッチング処理装置。 - シリコンを含む部材から構成された処理対象を内部に載置した真空容器と、
前記真空容器内にフッ化水素ガスを供給する第1ガス源と、
前記真空容器内にN2ガスとH2ガスを供給する第2ガス源と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ装置と、
前記真空容器内の排気を行う排気装置と、
前記処理対象を加熱する加熱装置と、
制御部とを有する、エッチング処理装置であって、
前記制御部は、
前記第1ガス源から、前記真空容器内にフッ化水素ガスを導入して前記処理対象の膜層の表面にフッ化水素分子を供給し、前記排気装置により、前記真空容器内部を排気して前記フッ化水素ガスを除き、前記第2ガス源から、前記真空容器内にN2ガスとH2ガスを導入し、前記プラズマ装置により、前記真空容器内にプラズマを発生させてNH3分子を生成して、前記膜層の表面に窒素及び水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成し、前記化合物の層の形成後に前記真空容器内部を排気して窒化水素を含むガスを除くステップセットを複数回繰り返し、
更に前記加熱装置により前記処理対象を加熱して、前記膜層の表面に形成された前記化合物の層を除くように、制御を行う
エッチング処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018122658A JP7113681B2 (ja) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
KR1020190009006A KR102149244B1 (ko) | 2018-06-28 | 2019-01-24 | 에칭 처리 방법 및 에칭 처리 장치 |
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US16/286,262 US10872779B2 (en) | 2018-06-28 | 2019-02-26 | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018122658A JP7113681B2 (ja) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020004837A JP2020004837A (ja) | 2020-01-09 |
JP7113681B2 true JP7113681B2 (ja) | 2022-08-05 |
Family
ID=69028843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018122658A Active JP7113681B2 (ja) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10872779B2 (ja) |
JP (1) | JP7113681B2 (ja) |
KR (1) | KR102149244B1 (ja) |
CN (1) | CN110660663B (ja) |
TW (1) | TWI745657B (ja) |
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---|---|
TWI745657B (zh) | 2021-11-11 |
CN110660663A (zh) | 2020-01-07 |
TW202002080A (zh) | 2020-01-01 |
KR20200001962A (ko) | 2020-01-07 |
US10872779B2 (en) | 2020-12-22 |
CN110660663B (zh) | 2023-06-16 |
KR102149244B1 (ko) | 2020-08-31 |
JP2020004837A (ja) | 2020-01-09 |
US20200006079A1 (en) | 2020-01-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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