JP7415594B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7415594B2
JP7415594B2 JP2020010284A JP2020010284A JP7415594B2 JP 7415594 B2 JP7415594 B2 JP 7415594B2 JP 2020010284 A JP2020010284 A JP 2020010284A JP 2020010284 A JP2020010284 A JP 2020010284A JP 7415594 B2 JP7415594 B2 JP 7415594B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processing
period
wafer
afs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020010284A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021118250A (ja
Inventor
在苑 禹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020010284A priority Critical patent/JP7415594B2/ja
Priority to TW110100919A priority patent/TW202141627A/zh
Priority to KR1020210003802A priority patent/KR102550949B1/ko
Priority to CN202110058361.1A priority patent/CN113178387A/zh
Priority to US17/151,421 priority patent/US11887861B2/en
Publication of JP2021118250A publication Critical patent/JP2021118250A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7415594B2 publication Critical patent/JP7415594B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H01L21/02332—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen into an oxide layer, e.g. changing SiO to SiON
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02359—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment to change the surface groups of the insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
半導体装置を製造するにあたり、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の表面に形成されたＳｉＯ２膜）シリコン酸化膜などのシリコン含有膜のエッチングが行われる場合が有る。特許文献１、２ではＳｉＯ２膜をエッチングする手法として、ＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）と呼ばれる処理が示されている。より具体的に述べると、特許文献１、２ではこのＣＯＲ処理として、ＨＦ（フッ化水素）ガス及びＮＨ３（アンモニア）ガスによりＳｉＯ２膜を変質させる処理と、ウエハの周囲の雰囲気を減圧することで、ＳｉＯ２膜の変質によって生じた反応生成物を昇華させる処理と、を行うことが記載されている。
特許第５８０９１４４号公報 特許第６５６８７６９号公報
本開示は、基板の表面に形成されたシリコン含有膜を除去するにあたり、基板の面内の各部で均一性高い除去処理を行うことができる技術を提供する。
本開示の基板処理方法は、表面にシリコン含有膜が形成された基板を処理容器内に格納する工程と、
前記処理容器内を第１の圧力とした状態で、前記基板にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを含む処理ガスを供給し、前記シリコン含有膜を変質させて反応生成物を生成する第１の工程と、
前記処理容器内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力として、前記反応生成物を気化させる第２の工程と、
前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に繰り返し行う繰り返し工程と、
前記繰り返し工程における２回目以降の前記第１の工程は、前記反応生成物が残留している基板に前記処理ガスを供給する工程を含む。
本開示によれば、基板の表面に形成されたシリコン含有膜を除去するにあたり、基板の面内の各部で均一性高い除去処理を行うことができる。
一実施形態に係る基板処理を行うための基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置にて行われる各ガスの供給と、バルブの開度の変化とを示すタイミングチャートである。 前記基板処理装置にて処理されるウエハの表面を示す模式図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 前記基板処理装置にて処理されるウエハの表面を示す模式図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 ウエハの表面を示す縦断側面図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。
（第１の実施形態）
本開示の一実施形態に係る基板処理装置１について、図１の縦断側面図を参照しながら説明する。この基板処理装置１は真空雰囲気が形成される処理容器１１内に、表面にＳｉＯ２膜が形成されたウエハＷを格納し、背景技術の項目で述べたＣＯＲ処理によって当該ＳｉＯ２膜をエッチングする装置である。より具体的に述べると、基板処理装置１は、ＨＦガス及びＮＨ３ガスを処理ガスとして上記のウエハＷに供給し、ＳｉＯ２膜を変質させて反応生成物を生成させる処理と、処理ガスの供給を停止して、反応生成物を昇華させる処理と、を行い、ＳｉＯ２膜を除去する。上記の反応生成物は、アンモニアフルオロシリケート（ＡＦＳ）である。
説明の便宜上、処理ガスを供給する期間を第１の期間、処理ガスの供給を停止してＡＦＳを昇華させる期間を第２の期間とする。１枚のウエハＷを処理するにあたり、第１の期間と第２の期間とが交互に繰り返される。上記のＡＦＳの昇華を行うために、第２の期間においては、第１の期間よりも処理容器１１内の圧力が低下する。
図中１２は、処理容器１１の側壁に開口するウエハＷの搬送口であり、ゲートバルブ１３により開閉される。処理容器１１内にはウエハＷを載置するステージ２１が設けられている。図示しない搬送機構により、搬送口１２を介して処理容器１１に対してウエハＷが搬入出される。また、処理容器１１内に進入した当該搬送機構とステージ２１との間でウエハＷの受け渡しが行われるように、ステージ２１には図示しない昇降ピンが設けられる。
ステージ２１には加熱部２２が埋設されており、ステージ２１に載置されたウエハＷを例えば８０度以上、より具体的には例えば１００度になるように加熱する。この加熱部２２は、例えば水などの温度調整用の流体が流通する循環路の一部をなす流路として構成されており、当該流体との熱交換によりウエハＷが加熱される。ただし加熱部２２としては、そのような流体の流路であることに限られず、例えば抵抗加熱体であるヒーターにより構成されていてもよい。なお、例えば第１の期間及び第２の期間においてウエハＷは同じ温度になるように加熱され、上記のＡＦＳの昇華はウエハＷの温度変化にはよらず、既述したように処理容器１１内の圧力変化によって引き起こされる。
また、処理容器１１内には排気管２３の一端が開口しており、当該排気管２３の他端は圧力変更機構であるバルブ２４を介して、例えば真空ポンプにより構成される排気機構２５に接続されている。バルブ２４の開度が変更されることによって処理容器１１内の排気量が調整され、その結果、当該処理容器１１内の圧力が調整される。従って、上記した第２の期間においては、第１の期間に比べてバルブ２４の開度が大きくなる。
処理容器１１内の上部側には、ステージ２１に対向するように、処理ガス供給機構であるガスシャワーヘッド２６が設けられている。ガスシャワーヘッド２６には、ガス供給路３１～３４の下流側が接続されており、ガス供給路３１～３４の上流側は流量調整部３５を各々介して、ガス供給源３６～３９に接続されている。各流量調整部３５は、バルブ及びマスフローコントローラを備えている。ガス供給源３６～３９から供給されるガスについては、当該流量調整部３５に含まれるバルブの開閉によって、下流側へ給断される。
ガス供給源３６、３７、３８、３９からは、ハロゲン含有ガスであるＨＦガス、塩基性ガスであるＮＨ３ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｎ２（窒素）ガスが夫々供給される。従ってガスシャワーヘッド２６からは、処理容器１１内に、これらのＨＦガス、ＮＨ３ガス、Ａｒガス、Ｎ２ガスを各々供給することができる。Ａｒガス及びＮ２ガスは、第１の期間においてキャリアガスとしてＨＦガス及びＮＨ３ガスと共に処理容器１１内に供給される。また、Ｎ２ガスについては、第２の期間においても処理容器１１内をパージするパージガスとして、当該処理容器１１内に供給される。
基板処理装置１はコンピュータである制御部１０を備えており、この制御部１０は、プログラムを備えている。このプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に収納され、制御部１０にインストールされる。制御部１０は当該プログラムにより、基板処理装置１の各部に制御信号を出力して、動作を制御する。具体的には、排気管２３のバルブ２４の開度、流量調整部３５を構成するバルブの開閉などが、プログラムによって制御される。そのように各部の動作を制御し、後述の処理が行えるように、上記のプログラムについてはステップ群が組まれている。
図２は基板処理装置１でウエハＷを処理するにあたり、各ガスの処理容器１１内への供給が行われる状態と、当該供給が停止される状態とが切り替えられるタイミングと、バルブ２４の開度が変更されるタイミングと、を示すチャート図である。上記したようにこの基板処理装置１では、ウエハＷに処理ガスを供給する第１の期間と、第１の期間よりも処理容器１１内の圧力を低下させてＡＦＳを昇華させる第２の期間と、が交互に繰り返されるように処理が行われる。第１の期間における処理は第１の工程、第２の期間における処理は第２の工程であり、これら第１の工程、第２の工程を繰り返す繰り返し工程が行われることになる。各第２の期間においてバルブ２４は全開されず、従って、当該第２の期間において処理容器１１内は、比較的低い排気量且つ比較的高い圧力とされる。そのようにバルブ２４の開度が制限される理由については、ウエハＷに行われる一連の処理と共に、以下に説明する。なお、チャート図に示す時刻ｔ１～ｔ２、ｔ３～ｔ４が第１の期間、時刻ｔ２～ｔ３、ｔ４～ｔ５が第２の期間である。
上記の図２と、図３～図６とを参照しながら、ウエハＷに行われる処理を説明する。図３～図６はウエハＷの表面の縦断側面図であり、これらの各図では、左側にウエハＷの中央部を、右側にウエハＷの周縁部を夫々示している。図３Ａは、基板処理装置１による処理前のウエハＷを示しており、例えばポリシリコン膜４１によって構成される多数の凸部が横方向に並び、各凸部間を埋めるようにＳｉＯ２膜４２が形成されている。基板処理装置１は、このＳｉＯ２膜４２について、その下端部が残るようにエッチングを行う。なお、各図において処理ガス（ＨＦガス及びＮＨ３ガス）を、４３として示している。例えば装置の特性上、処理ガス４３の供給時における当該処理ガス４３の濃度について、ウエハＷの中心部と周縁部との間で偏りが有り、中心部の方が処理ガス４３の濃度が高くなるものとする。
上記の図３Ａで示したウエハＷが処理容器１１内に搬入されて、ステージ２１に載置されて上記した温度に加熱される。そして、処理容器１１内が第１の圧力である例えば２．６Ｐａ～５３３Ｐａの真空雰囲気となるようにバルブ２４が第１の開度とされると共に、処理容器１１内に処理ガス４３、Ａｒガス及びＮ２ガスが、各々供給される（図３Ｂ、図２中時刻ｔ１）。
ＳｉＯ２膜４２の表面が処理ガス４３と反応してＡＦＳが生成し、ＡＦＳ層４４が形成される（図３Ｃ）。続いて、処理ガス４３及びＡｒガスの処理容器１１内への供給が停止すると共に、バルブ２４の開度が上昇して第２の開度となり（時刻ｔ２）、処理容器１１内の圧力が第２の圧力である例えば０Ｐａ～２００Ｐａとなるように低下する。なお第２の開度は、上記したように全開とされない開度である。
上記の処理ガス４３の濃度の偏りによって、時刻ｔ２においてウエハＷの中心部の方が周縁部よりも処理ガス４３との反応量が大きく、ＡＦＳ層４４が厚く形成されているとする。そして時刻ｔ２以降において、上記したようにバルブ２４が全開されておらず、排気量が抑制された状態であるため、処理ガス４３は処理容器１１から一気にパージされず、徐々にパージされる。また、バルブ２４が全開されず、圧力の低下が抑制されているため、ＡＦＳ層４４については、その全体が速やかに昇華することが避けられ、当該ＡＦＳ層４４の上部側から次第に昇華が進行する。そのように昇華が進行する一方で、上記の処理容器１１内に残留している処理ガス４３がＡＦＳ層４４を透過して未反応のＳｉＯ２膜４２の上部に作用する。従って、ウエハＷの中心部及び周縁部の各々において、ＡＦＳ層４４の上端及び下端の位置は、下側（ウエハＷの底面側）に移動する（図４Ａ）。処理ガス４３のパージが完了すると、新たなＡＦＳの生成は停止する一方で、昇華がさらに進行する（図４Ｂ）
続いて、バルブ２４の開度が低下して第１の開度に戻り、処理容器１１内の圧力が上記の第１の圧力となるように上昇し、ＡＦＳ層４４の昇華が停止する。このバルブ２４の開度の変更と共に、処理容器１１内への処理ガス４３及びＡｒガスの供給が再開される（時刻ｔ３、図４Ｃ）。時刻ｔ２の時点でウエハＷの周縁部よりも中心部の方がＡＦＳ層４４の厚さが大きいことから、この時刻ｔ３の時点でもウエハＷの周縁部よりも中心部の方がＡＦＳ層４４の厚さが大きい。そしてこの時刻ｔ３以降で新たに供給された処理ガス４３により、ウエハＷの中心部及び周縁部の各々で反応が進行してＡＦＳ層４４が厚くなるが、ＡＦＳ層４４の厚さが一定の大きさを越えると処理ガスはＡＦＳ層４４を透過できず、反応が進行しなくなる。つまりＡＦＳの生成が飽和する。そのように、ウエハＷの中心部では反応の進行が停止し、ＡＦＳ層４４の厚さの上昇が停止するが、その一方で、ＡＦＳ層４４の厚さが小さいウエハＷの周縁部においては反応が引き続き進行し、当該ＡＦＳ層４４の厚さが上昇する。従って、ウエハＷの中心部と周縁部とでＡＦＳ層４４の厚さ及び当該ＡＦＳ層４４の下端の高さ位置が揃う（図５Ａ）。
その後、再度処理ガス４３及びＡｒガスの処理容器１１内への供給が停止すると共に、バルブ２４の開度が上昇して再び第２の開度となり（時刻ｔ４）、処理容器１１内の圧力が上記の第２の圧力となるように低下する。そして、時刻ｔ２～ｔ３間と同様に、残留する処理ガス４３によるＡＦＳの生成と、ＡＦＳの昇華とが進行し、ＡＦＳ層４４の上端及び下端は下側に移動する（図５Ｂ）。処理ガス４３のパージが完了すると、新たなＡＦＳの生成は停止して、昇華が進行する（図５Ｃ）。
然る後、バルブ２４の開度が低下して第１の開度となると共に、処理容器１１内への処理ガス４３及びＡｒガスの供給が再開される（時刻ｔ５）。時刻ｔ４～ｔ５でウエハＷの中心部及び周縁部で昇華が進行し、ＡＦＳ層４４の厚さが小さくなっていることで、ウエハＷの中心部及び周縁部において処理ガス４３との反応が進行し、ＡＦＳ層４４の厚さが上昇する。
以降も処理ガス４３及びＡｒガスの給断の切替えとバルブ２４の開度の変更とが繰り返されることにより、第１の期間の処理である処理ガスの供給と、第２の期間の処理である昇華と、が繰り返されて、ＳｉＯ２膜４２のエッチングが進行する。その過程において、上記の装置の特性によってウエハＷの周縁部のＡＦＳ層４４の厚さよりも中心部のＡＦＳ層４４の厚さが大きくなっても、その厚さが大きくなったＡＦＳ層４４によって、処理ガス４３の供給時におけるウエハＷの中心部の反応が抑制される。そのように反応が抑制されることで、ウエハＷの中心部と周縁部との間で、ＡＦＳ層４４の厚さ、高さ位置が揃いながらＳｉＯ２膜４２のエッチングが進行することになる。そして予め設定された回数の第１の期間の処理、第２の期間の処理が各々行われ、ＳｉＯ２膜４２が所望の厚さになると（図６）、ウエハＷは処理容器１１から搬出されて処理が終了する。
例えば上記の第１の期間におけるＨＦガスの流量は１０ｓｃｃｍ～５５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガスの流量は１０ｓｃｃｍ～６６０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスの流量は０ｓｃｃｍ～１０００ｓｃｃｍ、Ａｒガスの流量は例えば０ｓｃｃｍ～１０００ｓｃｃｍである。例えば第２の期間におけるＮ２ガスの流量は０ｓｃｃｍ～１０００ｓｃｃｍである。なお、例えば図６に示すようにＡＦＳ層４４を完全に除去するために、繰り返される第２の期間のうちの最後の第２の期間については、他の第２の期間よりも長く設定してもよい。つまり、例えば最後以外の各第２の期間の長さは同じで、最後の第２の期間のみ、長さが異なるようにしてもよい。なお、各第１の期間の長さは、例えば同じ長さである。また、ＡＦＳ層４４を完全に除去するために、最後の第２の期間のバルブ２４の開度を、他の第２の期間のバルブ２４の開度に比べて大きくしてもよい。
ところで上記のように第１の期間と第２の期間とを繰り返すにあたり、第１の期間の終了後、速やかに次の第１の期間が開始されるようにするために、第２の期間においてバルブ２４が全開にされ、処理容器１１内において排気量を高く且つ圧力を低くすることが考えられる。つまり、処理ガス４３が供給されない期間が短くなるように、処理容器１１内を排気することが考えられる。しかし、そのような処理とする場合、処理ガス４３及びＡＦＳ層４４が第２の期間の開始時に速やかに除去されるため、上記したように第１の期間にて起こり得る、ウエハＷの面内におけるＡＦＳの量のばらつきが解消されない。従って、エッチング終了後のウエハＷの面内において、ＳｉＯ２膜４２のエッチング量がばらつくことになる。
しかし図３～図６で説明した基板処理装置１の処理によれば、第２の期間のバルブ２４の開度が制限され、２回目以降の第１の期間については、ＳｉＯ２膜４２上にＡＦＳ層４４が残留した状態で処理ガス４３がウエハＷに供給される。その際にウエハＷの表面に残留しているＡＦＳ層４４の厚さに応じて、新たに生成するＡＦＳの量が調整される。それによりウエハＷの処理終了時には、図６に示したようにウエハＷの面内の各部において均一性高くＳｉＯ２膜４２がエッチングされた状態となり、面内の各部において、残留する当該ＳｉＯ２膜４２の高さが揃う。
なお、本処理を説明するにあたり、第１の期間においてウエハＷの中心部と周縁部との間で、周縁部の方がＡＦＳの生成量が少なくなるように処理ガスが供給される場合を例に挙げて述べた。しかし、上記したようにウエハＷに残留したＡＦＳ層４４の厚さに応じて新たなＡＦＳの生成量が調整されるため、中心部の方が周縁部よりもＡＦＳの生成量が少なくなるように処理ガスが供給される場合にも本処理によって、ＳｉＯ２膜４２のエッチング量のばらつきを抑制することができる。さらに、中心部と周縁部との間に限られず、ウエハＷの面内各部においてエッチング量の均一化を図ることができる。
また、第２の期間において仮にバルブ２４が全開されると、複数の基板処理装置１間における性能のばらつきにより、排気量に差が生じ、それに起因して基板処理装置１間でＡＦＳの昇華量がばらつくおそれが有る。しかし、上記のように基板処理装置１で行う第２の期間においてＡＦＳ層４４が残るように、各基板処理装置１で第２の期間のバルブ２４は全開されない。つまり、基板処理装置１毎に第２の期間のバルブ２４の開度を適切な開度に設定することで、装置間における処理の均一性を高くすることができる。さらに上記の処理によれば、処理ガスの供給を停止している第２の期間においても、処理ガス４３が比較的長い間残留し、ＡＦＳが生成する。従って、スループットの向上を図ることができる。
なお、上記の処理例では説明の便宜上、２回目の第１の期間においてＡＦＳ層４４の厚さの上昇が停止するものとして説明したが、３回目以降の第１の期間においてＡＦＳ層４４の厚さの上昇が停止するように処理が行われてもよい。また、２回目以降の毎回の第１の期間でＡＦＳがウエハＷに残る例を説明したが、そのように毎回ＡＦＳが残るようにしなくてもよい。例えば１枚のウエハＷを処理するにあたり、第１の期間が１０回設けられるとしたら、前半５回の第１の期間ではＡＦＳがウエハＷに残らず、後半の５回の第１の期間でＡＦＳがウエハＷに残った状態で処理が行われるように、各第２の期間のバルブ２４の開度が制御されてもよい。
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について第１の実施形態との差異点を中心に説明する。この第２の実施形態では、上記の各第２の期間の長さが比較的短くなるように処理が行われる。この第２の実施形態で処理されるウエハＷのＳｉＯ２膜４２については、図７Ａに示すように、その表面から下方側（ウエハＷの底面側）に向かう割れとして、シーム４６が形成されているものとする。
上記のように第２の実施形態では第２の期間が比較的短く設定されるが、当該第２の実施形態の作用効果を明確に述べるために、第２の期間が比較的長く設定される比較例について、先に説明する。また、この比較例では第２の期間におけるバルブ２４の開度は比較的大きいものとする。
ところで、第２の実施形態及びその比較例で処理されるウエハＷの表面を図７～図９で示している。これらの各図では、第１の実施形態におけるウエハＷの表面を表す各図と異なり、固体であるＡＦＳ（第１の実施形態の説明のＡＦＳ層４４に相当する）及び当該固体のＡＦＳの周囲に、比較的その濃度が高く存在する気体状のＡＦＳについて、４７として示している。つまり図７～図９では、第１の実施形態では表示しなかった気体のＡＦＳについても、固体のＡＦＳと区別せずに示している。
以下、比較例の処理について説明すると、図７Ａで示すウエハＷが、第１の実施形態と同様に処理容器１１内のステージ２１に載置されて加熱され、処理ガス４３（ＨＦガス及びＮＨ３ガス）、Ａｒガス及びＮ２ガスが処理容器１１内に供給される（図７Ｂ）。つまり、既述した第１の期間が開始され、処理ガス４３によりＳｉＯ２膜４２が変質してＡＦＳ４７が生成する。この処理ガス４３はシーム４６内に進入し、シーム４６の周壁の表面もＡＦＳ４７となる。
このようにＡＦＳ４７が生成した後、バルブ２４の開度が第１の開度から第２の開度に変更されると共に、ＨＦガス、ＮＨ３ガス及びＡｒガスの供給が停止する。つまり第２の期間が開始され、ＡＦＳ４７の昇華が進行する（図７Ｃ）。既述のように比較例では第２の期間が比較的長いため、ＡＦＳ４７が第２の期間の終了までにウエハＷから除去される。従ってＡＦＳ４７となっていたシーム４６の周壁についても除去されることになり、当該シーム４６の幅が拡大する。
その後、第１の期間が再開し、処理ガス４３によるＳｉＯ２膜４２のＡＦＳ４７への変質が進行する。このとき１回目の第１の期間と同様に、処理ガス４３はシーム４６に進入して（図８Ａ）、シーム４６の周壁の表面がＡＦＳ４７となる（図８Ｂ）。その後、第２の期間が再開され、１回目の第２の期間と同様にＡＦＳ４７が除去される。従って、１回目の第２の期間と同様に、シーム４６の幅がさらに拡大する。以降も第１の期間と第２の期間とが繰り返し行われるが、そのように第１の期間及び第２の期間を経る度に、シーム４６の幅が拡大される。図８Ｃはエッチング終了時のウエハＷを示している。この図８Ｃに示すように、シーム４６が拡大した結果として、処理前にシーム４６が形成されていた箇所と、形成されていなかった箇所との間で、残留するＳｉＯ２膜４２の厚さに差が生じている。つまり、この比較例の処理では、ウエハＷの面内における処理の均一性が低くなってしまっている。
続いて第２の実施形態の処理について、図９も参照して説明する。先ず比較例と同様に第１の期間が開始され、図７Ａ、図７Ｂで示したように処理ガス４３を含む各ガスがウエハＷに供給され、ＳｉＯ２膜４２の表面が変質してＡＦＳ４７となる。その後、第２の期間が開始され、図７Ｃで示したようにＡＦＳ４７の昇華が進行する。この第２の期間の時間としては短く、１回目の第１の期間終了後、速やかに第１の期間が再開されるので、当該第１の期間の再開時にはウエハＷの表面にはＡＦＳ４７が残留している。より詳しく述べると、第２の期間で気化しなかった固体のＡＦＳ４７、気化したがＳｉＯ２膜４２表面から除去されずに、第１の期間の再開による処理容器１１内の圧力上昇により固体に戻ったＡＦＳ４７が、ＳｉＯ２膜４２の表面に残った状態となる。このとき、上記のように気化後に固体になったＡＦＳ４７により、シーム４６内が埋められた状態となっている。
そして、２回目の第１の期間において供給される処理ガス４３により、ＳｉＯ２膜４２の表面がＡＦＳ４７に変化するが（図９Ａ）、シーム４６内にはＡＦＳ４７が存在することで、処理ガス４３の当該シーム４６内への進入が抑制される（図９Ｂ）。その後、第１の期間と第２の期間とが繰り返されるが、各第１の期間においては２回目の第１の期間と同様に、処理ガス４３のシーム４６内への進入が阻まれる。従って、シーム４６の拡大が抑制されつつＳｉＯ２膜４２のエッチングが進行する。図９Ｃはエッチング終了時のウエハＷを示しており、上記のようにシーム４６の拡大が抑制される結果として、この図９Ｃに示すように処理前にシーム４６が形成されていた箇所と、形成されていなかった箇所との間で、残留するＳｉＯ２膜４２の厚さの差が抑制される。つまり、ウエハＷの面内において均一性高く処理が行われる。
この第２の実施形態において、２回目以降の第１の期間でＡＦＳ４７がウエハＷ表面に残った状態となればよく、第２の期間におけるバルブ２４については全開されてもよいし、第１の実施形態と同様に全開しなくてもよい。また、第２の期間を長くする代りに、バルブ２４の開度を比較的小さくすることで、２回目以降の第１の期間において、ＡＦＳ４７がウエハＷ表面に残るようにしてもよい。また、２回目以降の毎回の第１の期間においてＡＦＳ４７が残るように説明した。つまり、複数回の第１の期間においてＡＦＳ４７が残るように説明したが、２回目以降の第１の期間のうち、１回のみの第１の期間においてＡＦＳ４７が残るように第２の期間の長さやバルブ２４の開度が制御されてもよい。ただし、２回目以降の毎回の第１の期間でＡＦＳ４７が残るようにすることが、シーム４６の拡大を防ぐために好ましい。
ところで、上記の第１の実施の形態において、２回目以降の第１の期間においてＡＦＳがウエハＷに残留する状態にするためにバルブ２４の開度を制御すると説明したが、この第２の実施形態のように第２の期間を比較的短くすることでＡＦＳが残留するようにしてもよい。また、第１及び第２の実施形態において、エッチングするシリコン含有膜としてはＳｉＯ２膜には限られず、例えばＳｉＯＮ膜（シリコン酸窒化膜）であってもよい。そのようにＳｉＯＮ膜をエッチングする場合においても既述の処理ガスを用いることで、ＳｉＯＮ膜から反応生成物としてＡＦＳを生成させることができるので、ＳｉＯ２膜をエッチングする場合と同様に、ウエハＷの面内で均一性高いエッチングを行うことができる。また、シリコン含有膜としてはＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）であってもよい。このＳｉＮ膜をエッチングする場合には、処理ガスとしてＮＦ３ガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガスを供給することで、ＳｉＮ膜からＡＦＳを生成させる。それによって、既述したＳｉＯ２膜をエッチングする場合と同様に、ウエハＷの面内で均一性高いエッチングを行うことができる。
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更、組み合わせがなされてもよい。
（評価試験）
本開示の技術に関連して行われた評価試験について説明する。表面にＳｉＯ２膜が形成された複数のウエハＷについて、第１の実施形態で説明したエッチング処理を行った。このエッチング処理については、ウエハＷ毎に第２の期間におけるバルブ２４の開度、即ち第２の期間における処理容器１１内の圧力を変更して行った。そして、処理後の各ウエハＷについて、面内各部のＳｉＯ２膜のエッチング量の平均値（単位：Å）と、Uniformity（単位：％）と、を測定した。Uniformityとは、（エッチング量の最大値－エッチング量の最小値）／（エッチング量の平均値）である。従って、Uniformityの値が低いほど、ウエハＷの面内におけるエッチング量の均一性が高い。この評価試験では、第２の期間の時間は１５秒に設定した。
図１０は、この評価試験の結果を示すグラフである。このグラフの縦軸はエッチング量の平均値（単位：Å）及びUniformity（単位：％）を示しており、当該グラフの横軸は第２の期間における処理容器１１内の相対圧力（単位：ｍＴｏｒｒ）を示している。この相対圧力とは、バルブ２４を全開にしたときに計測される圧力を０ｍＴｏｒｒとしたときの相対的な圧力であり、従ってこの０ｍＴｏｒｒに対する圧力差である。第１の期間における相対圧力は３０００ｍＴｏｒｒ（４００Ｐａ）である。グラフ中、エッチング量の平均値を角型の点で、Uniformityを丸型の点で夫々示している。相対圧力が５００ｍＴｏｒｒ（６６．７Ｐａ）、１５００ｍＴｏｒｒ（２００Ｐａ）、２０００ｍＴｏｒｒ（２６７Ｐａ）、２５００ｍＴｏｒｒ（３３３Ｐａ）、３０００ｍＴｏｒｒであるときに、エッチング量の平均値としては夫々２９０Å、４０７Å、４５８Å、５２４Å、６０９Åであった。また、相対圧力が５００ｍＴｏｒｒ、１５００ｍＴｏｒｒ、２０００ｍＴｏｒｒ、２５００ｍＴｏｒｒであるときに、Uniformityとしては夫々２．５９％、１．２３％、０．９８％、０．７６％、０．６６％であった。このように第２の期間の相対圧力が高いほど、ウエハＷの面内におけるエッチング量の均一性が高い（Uniformityが低い）。また、第２の期間の相対圧力が高いほど、エッチング量の平均値が大きい。
従って、上記の試験結果から、第２の期間における処理容器１１内の圧力を制御することで、図３～図６で説明したようにＡＦＳ層４４が残った状態で処理ガスが供給されて、エッチングの均一性が高くなったことが推定される。また、その第２の期間における相対圧力が高いほど、当該第２の期間において残留する処理ガスにより、エッチングが進行したことが推定される。このように評価試験からは、本技術を用いることにより、ウエハＷの面内で均一性高くエッチングを行うこと、及びエッチングレートを高くしてスループットを向上させることができることが確認された。
ところで、この評価試験の中で最も低い相対圧力である５００ｍＴｏｒｒに設定した場合においても十分なUniformityと、十分なエッチング量の平均値と、が得られている。即ち、第１の期間における圧力に対して第２の期間の圧力が、５００ｍＴｏｒｒ／３０００ｍＴｏｒｒ×１００＝１６．７％である場合においても十分な効果が得られている。５００ｍＴｏｒｒよりも若干低い相対圧力に設定された場合でも、Uniformity、エッチング量の平均値は夫々大きく変動しないと考えられることから、第１の期間における圧力に対して第２の期間の圧力が１５％以上とすることが好ましいと考えられる。
Ｗ ウエハ
１１ 処理容器
４３ 処理ガス
４４ ＡＦＳ層

Claims (6)

  1. 表面にシリコン含有膜が形成された基板を処理容器内に格納する工程と、
    前記処理容器内を第１の圧力とした状態で、前記基板にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを含む処理ガスを供給し、前記シリコン含有膜を変質させて反応生成物を生成する第１の工程と、
    前記処理容器内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力として、前記反応生成物を気化させる第２の工程と、
    前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に繰り返し行う繰り返し工程と、
    前記繰り返し工程における２回目以降の前記第１の工程は、前記反応生成物が残留している基板に前記処理ガスを供給する工程を含む基板処理方法。
  2. 前記シリコン含有膜は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である請求項１記載の基板処理方法。
  3. 前記シリコン含有膜はシリコン酸化膜である請求項２記載の基板処理方法。
  4. 前記ハロゲン含有ガスはフッ化水素ガスであり、前記塩基性ガスはアンモニアガスである請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  5. 前記第２の圧力は、前記第１の圧力の１５％以上である請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  6. 表面にシリコン含有膜が形成された基板を格納する処理容器と、
    前記処理容器内の圧力を変更する圧力変更機構と、
    前記処理容器内にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
    前記シリコン含有膜を変質させて反応生成物を生成するために、前記処理容器内を第１の圧力とした状態で、前記基板に前記処理ガスを供給する第１のステップと、
    前記反応生成物を気化させるために、前記処理容器内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力とする第２のステップと、前記第１のステップと第２のステップとを交互に繰り返し行う繰り返しステップと、を行い、前記繰り返しステップにおける２回目以降の前記第１のステップは、前記反応生成物が残留している基板に前記処理ガスを供給するステップとなるように制御信号を出力する基板処理装置。
JP2020010284A 2020-01-24 2020-01-24 基板処理方法及び基板処理装置 Active JP7415594B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020010284A JP7415594B2 (ja) 2020-01-24 2020-01-24 基板処理方法及び基板処理装置
TW110100919A TW202141627A (zh) 2020-01-24 2021-01-11 基板處理方法及基板處理裝置
KR1020210003802A KR102550949B1 (ko) 2020-01-24 2021-01-12 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN202110058361.1A CN113178387A (zh) 2020-01-24 2021-01-15 基板处理方法以及基板处理装置
US17/151,421 US11887861B2 (en) 2020-01-24 2021-01-18 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020010284A JP7415594B2 (ja) 2020-01-24 2020-01-24 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021118250A JP2021118250A (ja) 2021-08-10
JP7415594B2 true JP7415594B2 (ja) 2024-01-17

Family

ID=76921649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020010284A Active JP7415594B2 (ja) 2020-01-24 2020-01-24 基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11887861B2 (ja)
JP (1) JP7415594B2 (ja)
KR (1) KR102550949B1 (ja)
CN (1) CN113178387A (ja)
TW (1) TW202141627A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012018010A1 (ja) 2010-08-03 2012-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2016154209A (ja) 2015-02-16 2016-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS589144U (ja) 1981-07-06 1983-01-21 ピジヨン株式会社 乳首
TWI604528B (zh) * 2012-10-02 2017-11-01 應用材料股份有限公司 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻
US9064812B2 (en) * 2013-09-05 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Aspect ratio dependent etch (ARDE) lag reduction process by selective oxidation with inert gas sputtering
JP6435667B2 (ja) * 2014-07-01 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
US9520302B2 (en) * 2014-11-07 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Methods for controlling Fin recess loading
US10622205B2 (en) * 2015-02-16 2020-04-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6643045B2 (ja) * 2015-11-05 2020-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6692202B2 (ja) * 2016-04-08 2020-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7113681B2 (ja) * 2018-06-28 2022-08-05 株式会社日立ハイテク エッチング処理方法およびエッチング処理装置
JP7169866B2 (ja) * 2018-12-14 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012018010A1 (ja) 2010-08-03 2012-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2016154209A (ja) 2015-02-16 2016-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021118250A (ja) 2021-08-10
US20210230750A1 (en) 2021-07-29
CN113178387A (zh) 2021-07-27
US11887861B2 (en) 2024-01-30
KR102550949B1 (ko) 2023-07-05
KR20210095799A (ko) 2021-08-03
TW202141627A (zh) 2021-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4890025B2 (ja) エッチング方法及び記録媒体
JP6568769B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP5809144B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20190181015A1 (en) Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
JP6812284B2 (ja) エッチング方法及び記録媒体
JP2009094307A (ja) エッチング方法及び記録媒体
US20230395400A1 (en) Etching method and etching apparatus
US9466507B2 (en) Etching method, and recording medium
JP7415594B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TW201941283A (zh) 蝕刻方法
KR102628618B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
WO2024122386A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2022184730A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
WO2024062994A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP7459720B2 (ja) シリコン酸化膜をエッチングする方法、装置及びシステム
JP2024083014A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US20240200193A1 (en) Method of performing cleaning and apparatus for performing substrate processing
KR20240092587A (ko) 클리닝을 행하는 방법 및 기판의 처리를 행하는 장치
TW202201514A (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置
JP2024085010A (ja) クリーニングを行う方法、及び基板の処理を行う装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7415594

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150