JP2009094307A - エッチング方法及び記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wの表面のシリコン酸化膜103をエッチングする方法であって、シリコン酸化膜103の表面に、フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し、シリコン酸化膜103と混合ガスとを化学反応させ、シリコン酸化膜103を変質させて反応生成物106を生成させる変質工程と、反応生成物106を加熱して除去する加熱工程とを有し、変質工程において、シリコン酸化膜103の温度を50℃以上にする。
【選択図】図2
Description
1 処理システム
4 PHT処理装置
5 COR処理装置
8 制御コンピュータ
40 チャンバー
41 処理室
Claims (6)
- 基板の表面のシリコン酸化膜をエッチングする方法であって、
前記シリコン酸化膜の表面に、フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し、前記シリコン酸化膜と前記混合ガスとを化学反応させ、前記シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、
前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し、
前記変質工程において、前記シリコン酸化膜の温度を50℃以上にすることを特徴とする、エッチング方法。 - 基板の表面のシリコン酸化膜をエッチングする方法であって、
前記シリコン酸化膜の表面に、フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し、前記シリコン酸化膜と前記混合ガスとを化学反応させ、前記シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、
前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し、
前記変質工程において、前記シリコン酸化膜の温度を50℃以上にする高温工程部と、前記シリコン酸化膜の温度を50℃未満にする低温工程部とを、交互に行うことを特徴とする、エッチング方法。 - 前記シリコン酸化膜が、前記基板の表面に形成された溝の内面に形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載のエッチング方法。
- 前記溝の深さDと開口幅Wとの比D/Wが5以上であることを特徴とする、請求項3に記載のエッチング方法。
- 前記溝がディープトレンチであることを特徴とする、請求項4に記載のエッチング方法。
- 処理システムの制御コンピュータによって実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、
前記プログラムは、前記制御コンピュータによって実行されることにより、前記処理システムに、請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング方法を行わせるものであることを特徴とする、記録媒体。
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