JP6161972B2 - エッチング方法及び記録媒体 - Google Patents
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Description
Heat Treatment)処理工程を行うPHT処理装置4、各PHT処理装置4にそれぞれ隣接させて設けられ、変質工程としてのCOR(Chemical
Oxide Removal)処理工程を行うCOR処理装置5、処理システム1の各部に制御命令を与える制御コンピュータ8を有している。各ロードロック室3に対してそれぞれ連結されたPHT処理装置4、COR処理装置5は、ロードロック室3側からこの順に一直線上に並べて設けられている。
access memory)又はROM(read only
memory)のいずれの形式のものであっても良い。さらに、記録媒体8cは、カセット式のROMのようなものであっても良い。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体8cとして用いることが可能である。なお、複数の処理システム1が配置される工場においては、各処理システム1の制御コンピュータ8を統括的に制御する管理コンピュータに、制御ソフトウェアが格納されていても良い。この場合、各処理システム1は、通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定のプロセスを実行する。
H 溝
1 処理システム
4 PHT処理装置
5 COR処理装置
8 制御コンピュータ
40 チャンバー
41 処理室
61 フッ化水素ガス供給路
62 アンモニアガス供給路
85 排気路
100 Si層
101 HDP−SiO2膜
102 レジスト膜
103 酸化膜
104 SiN膜(側壁部)
105 反応生成物
106 SiN膜
Claims (10)
- シリコン酸化膜の表面に混合ガスを供給し、前記シリコン酸化膜と前記混合ガスとを化学反応させ、前記シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、
前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有するシリコン酸化膜のエッチング方法であって、
前記変質工程は、
前記シリコン酸化膜の表面に、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有した混合ガスを供給する第1の変質工程と、
前記塩基性ガスの供給を停止し、前記シリコン酸化膜の表面にハロゲン元素を含むガスを含有した混合ガスを供給する第2の変質工程とを有し、
前記第2の変質工程における混合ガスの圧力を前記第1の変質工程における混合ガスの圧力よりも高くすることを特徴とするエッチング方法。 - 前記ハロゲン元素を含むガスがフッ化水素ガスであり、前記塩基性ガスがアンモニアガスであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記第2の変質工程における混合ガスの圧力と、前記第1の変質工程における混合ガスの圧力との差を100mTorr以上、200mTorr以下にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記第1の変質工程における混合ガスの圧力を20mTorr以上、600mTorr以下にすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記第1の変質工程における混合ガス中のフッ化水素ガスの分圧を5mTorr以上、200mTorr以下にすることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記第1の変質工程におけるフッ化水素ガスの流量を100sccm以上、500sccm以下にすることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記変質工程における混合ガスの温度を20℃以上、120℃以下にすることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記シリコン酸化膜は、シリコンウェハに形成された溝の底部に形成されたものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記シリコン酸化膜は、犠牲酸化膜であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のエッチング方法。
- 処理システムの制御コンピュータによって実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、
前記プログラムは、前記制御コンピュータによって実行されることにより、前記処理システムに、請求項1〜9のいずれかに記載のエッチング方法を行わせるものであることを特徴とする、記録媒体。
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